CN108565653A - 耐高压的射频同轴连接器用插针 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种耐高压的射频同轴连接器用插针,包括插入端和接插端;插针的插入端包括插针主体和插接压块,插针主体上设有一个前端开口的承插槽,承插槽的底部设有一圈定位凸块,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽;插接压块上设有后端开口的注胶槽,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第一密封圈,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶,注胶通道中过盈配合的设有塞杆,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定,本发明导电系数高,能承受6000V以上的高压,安全性高。
Description
技术领域
本发明涉及一种插针,具体涉及一种耐高压的射频同轴连接器用插针。
背景技术
射频电缆是各种无线电通信系统及电子设备中不可缺少的元件,在无线通信与广播、电视、雷达、导航、计算机及仪表等方面广泛的应用,同轴电缆是由内、外导体组成,两个导体同轴布置,传输信号完全限制在外导体内,外导体接地作为屏蔽层传输线,从而保证屏蔽性能好,传输损耗低,抗干扰性强,使用频带宽,射频同轴连接器是将射频同轴电缆与设备或不同类型电缆进行连接的元件,作为传输线电气连接或分离的元件,属于机电一体化产品。
在射频电路中,要保持稳定的预定阻抗和电容或需要屏蔽外界的电气干扰,就必须用同轴连接器来互联。随着通讯行业的发展,对电子器件的要求越来越高,传统的射频同轴连接器作为设备输入、输出的端口,在恶劣的环境中产品性能的稳定性、一致性和可靠性得不到保障。
发明内容
本发明针对上述问题提出了一种耐高压的射频同轴连接器用插针,导电系数高,能承受6000V以上的高压,安全性高。
具体的技术方案如下:
耐高压的射频同轴连接器用插针,包括插入端和接插端;插针的插入端包括插针主体和插接压块,插针主体上设有一个前端开口的承插槽,承插槽的底部设有一圈定位凸块,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽;插接压块上设有后端开口的注胶槽,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽,避让槽的宽度h1为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第一密封圈,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶,注胶通道中过盈配合的设有塞杆,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽,溢胶槽的截面形状为等边三角形结构,溢胶槽的高度为0.5-2mm。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,插针主体与插接压块之间还设有第二密封圈,第二密封圈位于注胶通道的外侧,第二密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,插接压块的后端设有一圈定位压条,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第一密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第二密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
上述耐高压的射频同轴连接器用插针,其中,插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条。
本发明的有益效果为:本发明的结构设置,提高了导电系数,使连接器能承受6000V以上的高压,稳定性好,安全性高。
附图说明
图1为本发明剖视图。
图2为插接压块侧视图。
图3为图1中A部分放大图。
附图标记:
插入端1、接插端2、插针主体3、插接压块4、承插槽5、定位凸块6、第一凹槽7、注胶槽8、避让槽9、注胶通道10、第二凹槽11、第一密封圈12、混合胶13、塞杆14、溢胶槽15、第二密封圈16、定位压条17、压接凸条18。
具体实施方式
为使本发明的技术方案更加清晰明确,下面对本发明进行进一步描述,任何对本发明技术方案的技术特征进行等价替换和常规推理得出的方案均落入本发明保护范围。
如图所示一种耐高压的射频同轴连接器用插针,包括插入端1和接插端2;插针的插入端包括插针主体3和插接压块4,插针主体上设有一个前端开口的承插槽5,承插槽的底部设有一圈定位凸块6,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽7;插接压块上设有后端开口的注胶槽8,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽9,避让槽的宽度h1为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道10,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽11,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第一密封圈12,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶13,注胶通道中过盈配合的设有塞杆14,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽15,溢胶槽的截面形状为等边三角形结构,溢胶槽的高度为0.5-2mm。
插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
插针主体与插接压块之间还设有第二密封圈16,第二密封圈位于注胶通道的外侧,第二密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
插接压块的后端设有一圈定位压条17,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第一密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第二密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条18。
Claims (8)
1.耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,包括插入端和接插端;插针的插入端包括插针主体和插接压块,插针主体上设有一个前端开口的承插槽,承插槽的底部设有一圈定位凸块,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽;插接压块上设有后端开口的注胶槽,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽,避让槽的宽度h1为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第一密封圈,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶,注胶通道中过盈配合的设有塞杆,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
2.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽,溢胶槽的截面形状为等边三角形结构,溢胶槽的高度为0.5-2mm。
3.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
4.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,插针主体与插接压块之间还设有第二密封圈,第二密封圈位于注胶通道的外侧,第二密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
5.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,插接压块的后端设有一圈定位压条,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
6.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
7.如权利要求3所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第一密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第二密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
8.如权利要求1所述的耐高压的射频同轴连接器用插针,其特征为,插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条。
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20231121 Address after: 226000 Building 3, Liandong U Valley Industrial Park, No. 1, Changxing East Road, Nantong Development Zone, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Xinxun Photoelectric Technology Co.,Ltd. Applicant after: SHANGHAI XIN XUN MICROWAVE TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 212000 Industrial Park, Dalu Town, New District, Zhenjiang City, Jiangsu Province Applicant before: JIANGSU HUAJI COMMUNICATION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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GR01 | Patent grant | ||
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