CN108321114B - 提高温度均匀度的基座 - Google Patents

提高温度均匀度的基座 Download PDF

Info

Publication number
CN108321114B
CN108321114B CN201810027063.4A CN201810027063A CN108321114B CN 108321114 B CN108321114 B CN 108321114B CN 201810027063 A CN201810027063 A CN 201810027063A CN 108321114 B CN108321114 B CN 108321114B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electric heating
groove
support frame
heating plate
temperature uniformity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810027063.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108321114A (zh
Inventor
朴相明
沈国宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Weirui Technology Co ltd
Original Assignee
Hefei Weirui Optoelectronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Weirui Optoelectronic Technology Co ltd filed Critical Hefei Weirui Optoelectronic Technology Co ltd
Priority to CN201810027063.4A priority Critical patent/CN108321114B/zh
Publication of CN108321114A publication Critical patent/CN108321114A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108321114B publication Critical patent/CN108321114B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Abstract

本发明公开了提高温度均匀度的基座,包括本体,本体的内部设置固定有电热板,电热板的底端开设有插入槽,插入槽的一端与连接槽连通,连接槽开设在电热板的中部,且电热板的中部开设有热感应器槽,本体的底端设置固定有盖板,盖板的内部开设有滑槽,滑槽顶端的内壁和滚球滚动连接,滚球安装在支撑架的顶端,支撑架的一侧设置固定有补助电热板,补助电热板的内部铺设有补助电热线,支撑架的一端和转轴的一端焊接固定,转轴穿插过盖板的一端和螺帽的一端焊接固定。本发明提高温度均匀度的基座,提高电热板中心部位的温度,从而提高整体的温度均匀度,以此得到在蒸镀工艺中显著降低被处理物不良发生率的效果。

Description

提高温度均匀度的基座
技术领域
本发明涉及基座技术领域,尤其涉及提高温度均匀度的基座。
背景技术
一般情况下,在晶圆及玻璃基座上蒸镀或刻蚀薄膜的工艺,会在包括真空腔室的半导体工程装备中进行,半导体工程装备以化学气相蒸着装备为例,会包括支撑晶圆及玻璃基座的基座、配备前述基座的腔室、形成薄膜的装备等部分,原有的基座由电热板和冷却板构成。电热板具备作为发热手段的电热线,冷却板具备冷却手段。电热板形成有插入电热线的插入槽,冷却板形成有插入冷却手段的冷却手段插入槽。电热板的中心部位有可插入热感应器的热感应器槽,热感应器槽的入口有导引热感应器组装的圆锥形热感应器导引,电热板及冷却板依靠支撑架支撑。电热线、冷却手段及热感应器通过支撑架连接到外部的电源及信号加载装置,通过电热板及冷却板中心部位形成的电热板空间部位及冷却板空间部位向支撑架方向延长,插入槽插入电热线后会盖住电热线护套。电热线由第一电热线的起端部及末端部、第二电热线的起端部及末端部、第三电热线的起端部及末端部构成。原有的基座有着支撑架位置的电热板中心部位温度较其他部位偏低的问题点,结果基座的整体温度均匀度降低,导致蒸镀工艺中被处理物的不良率增加,且支撑架为单一固定的,不能确保基座的水平。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的提高温度均匀度的基座。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
提高温度均匀度的基座,包括本体,所述本体的内部设置固定有电热板,电热板的底端开设有插入槽,插入槽的一端与连接槽连通,连接槽开设在电热板的中部,且电热板的中部开设有热感应器槽,本体的底端设置固定有盖板,盖板的内部开设有滑槽,滑槽顶端的内壁和滚球滚动连接,滚球安装在支撑架的顶端,支撑架的一侧设置固定有补助电热板,补助电热板的内部铺设有补助电热线,支撑架的一端和转轴的一端焊接固定,转轴穿插过盖板的一端和螺帽的一端焊接固定。
优选的,所述电热板的内部铺设有电热线。
优选的,所述支撑架的内侧底端和伸缩板的一端焊接固定,支撑架为中空结构,且支撑架的顶端连通有冷却槽,冷却槽开设在盖板的中部。
优选的,所述支撑架的一侧设置固定有凹槽,凹槽内安装有轴承,轴承的中部插设固定有转轴,且转轴的外侧设置有螺纹。
优选的,所述盖板的一侧设置有通孔,且通孔的壁设置有螺纹,通孔和转轴通过螺纹连接。
优选的,所述支撑架的顶端设置有凹槽,凹槽内设置固定有转动轴,转动轴的中部插设有滚球。
本发明的有益效果是:
1、本发明通过提高温度均匀度的基座,会提高电热板中心部位的温度,从而提高整体的温度均匀度,以此得到在蒸镀工艺中显著降低被处理物不良发生率的效果。
2、本发明通过旋转螺帽,螺帽转动带动转轴转动,转轴带动支撑架移动,能够使得支撑架进行水平移动,使得基座放置的更加平稳。
附图说明
图1为本发明提出的提高温度均匀度的基座的结构示意图;
图2为本发明提出的提高温度均匀度的基座的电热板的俯视图。
图中:1本体、2电热板、3盖板、4支撑架、5补助电热板、6螺帽、7转轴、8滑槽、9热感应器槽、10连接槽、11插入槽、12滚球、13补助电热线、14伸缩板、15电热线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,提高温度均匀度的基座,包括本体1,本体1的内部设置固定有电热板2,电热板2的底端开设有插入槽11,插入槽11的一端与连接槽10连通,连接槽10开设在电热板2的中部,且电热板2的中部开设有热感应器槽9,本体1的底端设置固定有盖板3,盖板3的内部开设有滑槽8,滑槽8顶端的内壁和滚球12滚动连接,支撑架4的顶端设置有凹槽,凹槽内设置固定有转动轴,转动轴的中部插设有滚球12,支撑架4的内侧底端和伸缩板14的一端焊接固定,支撑架4为中空结构,且支撑架4的顶端连通有冷却槽,冷却槽开设在盖板3的中部,支撑架4的一侧设置固定有补助电热板5,补助电热板5的内部铺设有补助电热线13,支撑架4的一端和转轴7的一端焊接固定,转轴7穿插过盖板3的一端和螺帽6的一端焊接固定,支撑架4的一侧设置固定有凹槽,凹槽内安装有轴承,轴承的中部插设固定有转轴7,且转轴7的外侧设置有螺纹,盖板3的一侧设置有通孔,且通孔的壁设置有螺纹,通孔和转轴7通过螺纹连接,电热板2的内部铺设有电热线15。
本实施例中,电热板2中铺设的电热线15从连接槽10导入,电热线15从插入槽11导出,电热线15由单个或多个构成,是拥有加载电源时因阻抗体而发热的发热部位的热线形态,使得电热板2温度均匀,而且补助电热线13是通电产生热量的热线,补助电热线13包围支撑架4或插入到支撑架4内部,起到给相对温度低下的电热板2中心部位升温的机能,同时可以通过旋转螺帽6,螺帽6转动带动转轴7转动,转轴7带动支撑架4移动,能够使得支撑架4进行水平移动,使得基座放置的更加平稳。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.提高温度均匀度的基座,包括本体(1),其特征在于,所述本体(1)的内部设置固定有电热板(2),电热板(2)的底端开设有插入槽(11),插入槽(11)的一端与连接槽(10)连通,连接槽(10)开设在电热板(2)的中部,且电热板(2)的中部开设有热感应器槽(9),本体(1)的底端设置固定有盖板(3),盖板(3)的内部开设有滑槽(8),滑槽(8)顶端的内壁和滚球(12)滚动连接,滚球(12)安装在支撑架(4)的顶端,支撑架(4)的一侧设置固定有补助电热板(5),补助电热板(5)的内部铺设有补助电热线(13),支撑架(4)的一端和转轴(7)的一端焊接固定,转轴(7)穿插过盖板(3)的一端和螺帽(6)的一端焊接固定。
2.根据权利要求1所述的提高温度均匀度的基座,其特征在于,所述电热板(2)的内部铺设有电热线(15)。
3.根据权利要求1所述的提高温度均匀度的基座,其特征在于,所述支撑架(4)的内侧底端和伸缩板(14)的一端焊接固定,支撑架(4)为中空结构,且支撑架(4)的顶端连通有冷却槽,冷却槽开设在盖板(3)的中部。
4.根据权利要求1所述的提高温度均匀度的基座,其特征在于,所述支撑架(4)的一侧设置固定有凹槽,凹槽内安装有轴承,轴承的中部插设固定有转轴(7),且转轴(7)的外侧设置有螺纹。
5.根据权利要求1或4所述的提高温度均匀度的基座,其特征在于,所述盖板(3)的一侧设置有通孔,且通孔的壁设置有螺纹,通孔和转轴(7)通过螺纹连接。
6.根据权利要求1所述的提高温度均匀度的基座,其特征在于,所述支撑架(4)的顶端设置有凹槽,凹槽内设置固定有转动轴,转动轴的中部插设有滚球(12)。
CN201810027063.4A 2018-01-11 2018-01-11 提高温度均匀度的基座 Active CN108321114B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810027063.4A CN108321114B (zh) 2018-01-11 2018-01-11 提高温度均匀度的基座

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810027063.4A CN108321114B (zh) 2018-01-11 2018-01-11 提高温度均匀度的基座

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108321114A CN108321114A (zh) 2018-07-24
CN108321114B true CN108321114B (zh) 2020-05-22

Family

ID=62894026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810027063.4A Active CN108321114B (zh) 2018-01-11 2018-01-11 提高温度均匀度的基座

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108321114B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497674A (zh) * 2002-10-18 2004-05-19 ��־�������ʽ���� 平面载物台装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090045984A (ko) * 2007-11-05 2009-05-11 주식회사 실트론 기판상의 온도 균일도가 향상된 기판 가열 장치 및 이를이용한 화학 기상 증착 장치
KR101522561B1 (ko) * 2013-08-23 2015-05-26 (주)위지트 온도 균일성이 향상된 서셉터
US10009961B2 (en) * 2014-07-18 2018-06-26 Asm Ip Holding B.V. Local temperature control of susceptor heater for increase of temperature uniformity

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497674A (zh) * 2002-10-18 2004-05-19 ��־�������ʽ���� 平面载物台装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108321114A (zh) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209411486U (zh) 一种硅橡胶玻璃纤维软管生产的收卷机构
CN106548916B (zh) 工艺腔室、半导体加工设备及去气和预清洗的方法
CN108321114B (zh) 提高温度均匀度的基座
CN106607320A (zh) 适用于柔性基板的热真空干燥装置
CN107658065B (zh) 一种电缆水冷、除水一体化设备
CN207430912U (zh) 一种多头拉丝连续退火电接触式装置
CN107513751A (zh) 滚镀装置及其操作方法
JPH11233840A (ja) クライオスタットおよびその昇温方法
CN216107299U (zh) 一种新型保温电镀镍槽
CN201801578U (zh) 一种群体定向玻壳蒸镀设备
KR102510096B1 (ko) 높이조절형 음극접점장치
CN219776370U (zh) 一种石英管支撑结构
CN208815068U (zh) 一种镍箔生产用连续性退火炉
CN215447196U (zh) 一种制药用洁净型热风循环烘箱
CN214666108U (zh) 一种利用窑炉余热的循环煮水装置
CN209428566U (zh) 一种铜线抗氧化处理的装置
CN218834429U (zh) 一种博士帽导电钢圈
CN213454738U (zh) 一种医用长纱布的烘干装置
CN220224307U (zh) 一种溅射设备
CN215319840U (zh) 一种高分子树脂高温加工装置
CN215492073U (zh) 一种红外测温仪校准装置
CN206547281U (zh) 一种家用农业种子烘干箱
CN216107291U (zh) 一种温控型锂电池电镀设备
CN112626621B (zh) 一种在横向超导磁场中应用的热场及长晶方法
CN207011009U (zh) 一种立式电加热辐射管支撑机构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 230000 No. 1766, Jiudingshan Road, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province

Patentee after: Hefei Weirui Technology Co.,Ltd.

Address before: 230000 east of Jiudingshan road and south of Zhucheng Road, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province

Patentee before: HEFEI WEIRUI OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

CP03 Change of name, title or address