CN108287287B - 一种三相直流无刷电机的mos管自检电路及方法 - Google Patents

Abstract

本发明适用于电机领域，提供了一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路及方法，该电路包括：控制单元，及具有三相驱动桥臂的驱动电路，每相驱动桥臂均包含一与该相驱动桥臂的MOS管相连的自举电路，自举电路至少包括自举二极管、自举电容，及驱动芯片；每相驱动桥臂还包括一与自举电容并联的自检用分压电阻以及采样电阻，采样电阻连接于该相驱动桥臂的电机相线上，与自举二极管、自检用分压电阻构成自检用分压电路，以对MOS管进行自检。通过本发明提供的电路结构对MOS管开关的开、短路进行自检，大大缩短了自检的时间，也避免了通过检测大电流的自检方式对MOS管造成的损坏，安全性能大大提高，同时电路成本也大大降低。

Description

一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路及方法

技术领域

本发明属于电机领域，尤其涉及一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路及方法。

背景技术

在直流无刷电机BLDCM(Brushless Direct Current Motor)的驱动电路中，MOS管属于比较脆弱的器件，经常会由于各种原因导致短路，进而损坏控制板，严重的还会冒烟或起火，或损坏电源或电池包；生产线在生产过程中会有连锡等缺陷，当产品在上电时可能会使MOS管损坏，导致该处开路，则控制板可能缺相运行，因此，在电机启动前需要对MOS管进行开短路自检。

传统的MOS管自检方案是逐个对MOS管进行检测，这种自检方案中，一般是在驱动电路的一个桥臂中，先打开一个MOS管，然后检测是否有产生大电流，如果有产生大电流，则判定该桥臂有MOS管短路，但是，这种方案在检测过程中会产生大电流，该大电流会有可能对MOS管造成损伤，甚至超过保护电路的保护范围，造成好的MOS管也一并损坏。而且当产品使用一定时间后，MOS管的性能下降时，该检测方案产生的大电流有可能损坏MOS管。

因此，现有的直流无刷电机的MOS管自检方案不但安全性不高，而且检测所花费的时间较长，特别是在对快速启动有要求的设备中，检测时间过长会加长启动等待时间，影响设备的使用。

发明内容

本发明实施例提供一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路及方法，旨在解决现有的直流无刷电机的MOS管自检方案安全性低，检测费时的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路，包括：控制单元，及具有三相驱动桥臂的驱动电路，每相驱动桥臂均包含一与该相驱动桥臂的MOS管相连的自举电路，所述自举电路至少包括自举二极管、自举电容，及驱动芯片；

每相驱动桥臂还包括一与所述自举电容并联的自检用分压电阻以及采样电阻，所述采样电阻连接于该相驱动桥臂的电机相线上，与所述自举二极管、自检用分压电阻构成自检用分压电路，通过对所述采样电阻的电压进行采集、对比并输出至所述控制单元，以对MOS管进行自检。

本发明还提供一种应用于上述的三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，所述方法包括：

分别对各相驱动桥臂的自检用分压电路的采样电阻上的采样电压进行采集；

输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否短路。

本发明还提供了另一种应用于上述三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，所述方法包括：

控制驱动桥臂上待检测的MOS管导通，并采集该相驱动桥臂对应的自检用采样电路中的采样电阻上的采样电压；

输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否开路。

本发明实施例提供的直流无刷电机电路中，在每个驱动桥臂的自举电路的自举电容上并联一分压电阻，并在电机相线上设置采样电阻，通过这种设置方式，将该采样电阻上的电压信号进行采样、处理，就可以方便地判断出该桥臂的MOS管的状态，采用本方案提供采样电路设置方式，每次可同时对三相的MOS管进行检测，大大缩短了自检的时间，反应更快，成本更低；同时也避免了通过检测大电流的自检方式对MOS管造成的损坏，安全性能大大提高。

附图说明

图1是本发明实施例提供的三相直流无刷电机电路的框图；

图2是本发明实施例提供的三相直流无刷电机电路的原理图；

图3是本发明实施例提供的自检信号采集单元的框图；

图4是本发明实施例提供的采集模块的原理图；

图5是本发明实施例提供的比较模块的原理图；

图6是本发明实施例提供的一种基于三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法的流程图；

图7是本发明实施例提供的另一种基于三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供的直流无刷电机电路中，在每个驱动桥臂的自举电路的自举电容上并联一自检用分压电阻，并利用该自检用分压电阻和自举二极管以及采样电阻构成自检用分压电路，对该采样电阻上的电压信号进行采样、处理，即可实现对三相驱动桥臂的上、下MOS管的开、短路自检，大大缩短了自检的时间，同时也避免了通过检测大电流的自检方式对MOS管造成的损坏，安全性能大大提高。

在本发明的一个实施例中，如图1～5所示，一种直流无刷电机电路，其包括：驱动电路10及控制单元20；其中，驱动电路10包括三相驱动桥臂，以下以其中单相驱动桥臂进行说明，三相驱动桥臂中的每相驱动桥臂11均包含一自举电路，该自举电路至少包括自举二极管D1(这里以D1作为示例，其他两个驱动桥臂为D3、D4)、自举电容C2(这里以C2作为示例，其他两个驱动桥臂为C9、C19)，及驱动芯片U2(这里采用DGD0503芯片作为示例，并不用作限定，其他两个驱动桥臂上为U4、U6)，其中，每相驱动桥臂11还包括一与所述自举电容并联的自检用分压电阻R1(这里以R1作为示例，其他两相驱动桥臂对应为R20、R21)，以及一采样电阻R7(这里以R7作为示例，其他两相驱动桥臂对应为R19、R32)，采样电阻R7连接于该相驱动桥臂的相线phase_U(其他两个桥臂对应为phase_V、phase_W)上，与自举二极管D1、自检用分压电阻R1构成自检用分压电路；通过对采样电阻的电压进行采集、处理，并将处理结果输出至所述控制单元实现三相驱动桥臂的MOS管的自检；其他两相驱动桥臂相似，这里不做赘述。通过本实施例的电路实现了对三相的MOS管的检测，大大缩短了自检的时间，既不影响设备的正常使用，同时也避免了通过检测大电流来检测MOS管的方式对MOS管造成的损坏，安全性能大大提高。

在本发明实施例中，每相驱动桥臂包括有受控于所述自举电路的上桥臂开关，即MOS管Q1、Q3、Q5；与下桥臂开关，即MOS管Q2、Q4、Q6，通过该上桥臂开关与下桥臂开关的通断可驱动电机运行。

在本发明的一个实施例中，在其中的一个驱动桥臂中，驱动电路电源15V、自举二极管D1、分压电阻R1，经过所述相线phase_U与所述采样电阻R7构成一分压电路，其中，采样电阻R7的另一端视为接地；其他两个驱动桥臂类似，这里不作赘述。

本发明的一个实施例中，控制单元可为MCU，可采用STM8S105xx系列单片机，这里仅作为参考，具体不作限定，可以理解为本方案还可以采用能够达到类似功能的所有类型控制器。

在本发明的一实施例中，自举电路的核心元件是自举二极管、自举电容以及与其配合的驱动芯片，在每相驱动桥臂中，驱动芯片通过驱动电路电源供电，自举二极管连接于驱动电路电源与所述自举电容之间，防止电压倒灌，所述自举电容的两端连接于所述驱动芯片的引脚上形成悬浮电源，从而为对应相驱动桥臂的上桥MOS管供电，以实现上桥MOS管的正常工作。详细地，如图示2中所示，从上到下依次有第一驱动桥臂、第二驱动桥臂及第三驱动桥臂，这里以第一驱动桥臂为例，驱动电路基于栅极驱动器进行搭建，本发明中的驱动芯片U2采用DGD0503芯片作为示例，驱动芯片U2通过15V的驱动电路电源(这里15V仅作示例用，不作限定)供电，自举电容C2连接于驱动芯片U2的Vb与Vs引脚之间，自举二极管D1连接于驱动电路电源与自举电容C2之间，且阳极连接驱动电路电源，阴极连接自举电容C2，避免C2电压浮动时电压反灌。自举电容C2的悬浮端连接至上桥MOS管Q1的S极，也即连接到电机相线上，自举电容C2的另一端连接Vb端，经过驱动芯片U2内部后，通过Ho口对上桥MOS管进行输出。其中，Vs下拉至地时(上桥MOS管Q1关断，下桥MOS管Q2导通)，驱动电路电源通过自举二极管D1，对自举电容C2进行充电。当Vs被上桥MOS管Q1上拉到一个较高电压时，Vbs电源浮动，自举二极管D1处于反向偏置(下桥MOS管Q2关断，上桥MOS管Q1导通)，驱动电路电源被隔离开。

自检用分压电阻R1与上述自举电容C2并联，其与驱动电路电源、自举二极管D1及采样电阻R7构成自检用分压电路，这里采样电阻R7连接于相线上，采样点设置在该处。

在本发明的一个实施例中，三相直流无刷电机电路还包括用于对采样电阻的电压进行采样，并输出至所述控制单元的自检信号采集单元40。

如图3所示，自检信号采集单元40包括：

采集模块41，与所述采样电阻相连，用于获取采样电压；

基准模块42，用于提供参照电压；以及

比较模块43，用于对所述采样电压与参照电压进行对比，并向所述控制单元输出对比信号。

比较模块43的输入端分别与基准模块42的输出端volt_ceter以及所述采样电阻的采样电压输出端volt_p_u相连，比较模块43的输出端与控制单元20相连。

其中，基准模块可以是单独设置的基准电压发生电路、基准源，本发明方案中示出了一种实现方式，其通过控制单元控制的基准电压端口来实现，本发明方案即通过控制单元分别通过电阻R4、电阻R6使基准电压单元的输出端volt_ceter处输出基准电压。

在本发明实施例中，采集模块包括三组分压电阻，如图4所示，分别是电阻R9与电阻R41、分压电阻R11与电阻R47、分压电阻R12与电阻R48，分别用于对采样电阻R7、R19、R32的电压信号进行分压预处理，以使接入比较模块的采样信号的电压能够满足适用范围。

在本发明的一个实施例中，比较模块包括三路比较器，每一路比较器对应于一个驱动桥臂上的采样信号，图5作为一个示例，提供了一种具体电路结构，每一路比较器的反向输入端与基准电压单元输出的基准电压连接，每一路比较器的正相输入端用于输入经过分压单元处理的采样信号(连接关系仅作示例，不作限定)，比较器的输出端将比较结果输入控制单元，以进行自检判断。

与传统的自检方案相比，本发明方案的优势在于，在检测过程中不是依靠是否产生大电流来判断MOS管是否良好，检测过程中，不会生产大电流，安全性能更高。且传统检测方案为一个一个MOS管依次检测，花费时间较长。特别是对快速启动有要求的产品，检测时间过长会加长启动等待时间。本方案一次可检测3个MOS管，只需检测两次即可，大大缩短了检测时间。

在本发明的一个实施例中，比较模块包括三路比较器，每一路比较器分别对应一相驱动桥臂；其中，每路比较器的输出端对应控制单元的一个I/O口；这样，控制单元只要提供三个I/O口即可实现MOS管的短路、开路自检。

对于三相直流无刷电机而言，其控制器一般具有7-8个AD采样口，但是这些AD采样口几乎被其他用途的电压采样、电流采样、转速采样、温度采样等全部占用了，若采用具有更多AD采样口的控制器，成本会陡增；因此传统的MOS管检测方式中采用AD采样口，其成本十分高昂；而本发明方案的电路连接方式无需采用AD采样口，通过上述这种巧妙、特殊的电路连接方式来实现MOS管的自检，其只需用到控制单元的I/O口即可，不需要用到AD采样口，成本优势明显。

以下基于上述的电路连接方式举例说明本发明对MOS管的短路、开路进行检测的原理，其中，示例的电路如图1～5所示。

如图6所示，本发明还保护一种基于上述的三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，该方法用于MOS管的短路检测，该方法具体包括：

步骤S210，分别对各相驱动桥臂的自检用分压电路的采样电阻上的采样电压进行采集；

步骤S220，输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

步骤S230，获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否短路。

以下通过实施例A、B详述如何判断MOS管Q1～Q6是否短路。

实施例A：

以下详述如何判断MOS管Q1、Q3、Q5是否短路。

在本发明实施例中，在基准电压单元的一种具体实现中，作为控制单元的MCU分别通过基准电压单元上的电阻R4、电阻R6使基准电压单元的输出端volt_ceter处输出基准电压，其具体实现方式如下：

MCU程序控制连接至电阻R4的I/O引脚，将电阻R4连接到MCU内部的上拉电阻；MCU程序控制连接至电阻R6的I/O引脚，将电阻R6连接到GND，电阻R4、R6的另一端为公共端，并连接至基准电压单元的输出端volt_ceter处，使基准电压单元的输出端volt_ceter处形成基准电压，例如，在这个电路中可将基准电压设定为0.45V(这里的0.45V仅为举例用，并不限定为0.45V，文中涉及到的所有电压值，或者电阻值也仅作为举例用，并不限定为某个具体值)；为简化分析，0.45V为仅考虑电阻R4和电阻R6的分压结果，其他分压网络忽略。

在本发明实施例中，若两个MOS管Q1、Q2均发生短路，则电源将被短路，会有保险管等保护，以下仅举例单一元件故障，结合图1至图5，以Q1、Q2为例进行说明：

若MOS管Q1、Q2均不短路，则电压源的15V电压经自举二极管D1、分压电阻R1、电阻R7的分压后，在相线phase_U处的电压约为1.3V。为简化分析，1.3V为仅考虑D1(导通压降以0.7V示例)、分压电阻R1(示例为100K欧)、电阻R7(示例为10K欧)的分压结果，其他分压网络忽略。再经分压单元上的电阻R9、电阻R41的分压，得到电阻R9与R41之间的，可用于给比较单元进行对比分析的电压，即图中volt_p_u处的电压，约为0.17V。(为简化分析，0.17V为仅考虑电阻R9、电阻R41的分压结果，其他分压网络忽略)。

在本发明的一个实施中，比较单元采用图示的比较器，如图中所示的U9B、U9C、U9D，其中，将基准电压单元的输出端volt_ceter连接至比较单元的一个输入端，这里将其连接至比较器运放的反向输入端，而volt_p_u处的电压连接至比较器运放的正向输入端(具体怎么连接这里仅作示例，不用于限定)，那么，当volt_p_u处的电压为0.17V的时候，其比volt_ceter处设置的基准电压0.45V低，所以比较器输出低电平信号，比较器将结果输入MCU，MCU便可判断该路比较器对应的桥臂不短路。

所以，若Q1、Q2MOS管均不短路，那么volt_p_u处的电压将比基准电压单元的输出端volt_ceter处的基准电压低，所以比较器输出低，由MCU根据程序设定判断为不短路。

在本发明实施例中，结合图示，若Q1发生短路，则相线phase_U处的电压为18V。经电路分压，volt_p_u处的电压高于基准电压单元的输出端volt_ceter处的电压，所以比较器输出高。此时，程序检测到比较器输出高，从而判断出Q1发生短路或类似短路情形。此时，若检测到比较器输出低电压，则判断出Q1没有发生短路。

同理，对于Q3、Q5是否短路的检测方法与Q1是否短路的检测方法类似，这里不再赘述。

实施例B：

以下详述如何判断MOS管Q2、Q4、Q6是否短路。

在本发明实施例中，MCU通过基准电压单元上的电阻R4、电阻R6，使volt_ceter处输出基准电压，检测Q2是否短路的方式为：

MCU程序控制连接至电阻R4的I/O引脚，将电阻R4连接到GND；MCU程序控制连接至电阻R6的I/O引脚，将电阻R6连接到MCU内部的上拉电阻；使volt_ceter处的电压约为0.095V(为简化分析，0.095V为仅考虑电阻R4和电阻R6的分压结果，其他分压网络忽略)。

若Q1、Q2MOS管均良好，则15V经自举二极管D1、分压电阻R1、电阻R7的分压后，相线phase_U处的电压约为1.3V，为简化分析，1.3V为仅考虑D1、分压电阻R1、采样电阻R7的分压结果，其他分压网络忽略。再经电阻R9、电阻R41的分压，volt_p_u处的电压约为0.17V，为简化分析，0.17V为仅考虑电阻R9、电阻R41的分压结果，其他分压网络忽略。所以，此时volt_p_u处的电压比volt_ceter处的基准电压高，所以比较器输出高。

若Q1、Q2MOS管均良好，volt_p_u处的电压将比volt_ceter处的基准电压高，所以比较器输出高。

若Q2发生短路，则相线phase_U处的电压为0V，经电路分压，volt_p_u处的电压将低于volt_ceter处的电压，所以比较器输出低。此时，程序检测到比较器输出低，从而判断出Q2发生短路或类似短路情形。此时，若检测到比较器输出高电压，则判断出Q2没有发生短路。

综上，若Q2发生短路，volt_p_u处的电压将低于volt_ceter处的基准电压，所以比较器输出低。此时，程序检测比较器的输出电平，输出低则判断出Q2短路，输出高则为正常。

同理，对于Q4、Q6是否短路的检测方法与Q2是否短路的检测方法类似，这里不再赘述。

如图7所示，本发明还保护一种基于上述的三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，该方法用于MOS管开路检测，该方法具体包括：

步骤S310，控制驱动桥臂上待检测的MOS管导通，并采集该相驱动桥臂对应的自检用采样电路中的采样电阻上的采样电压；

步骤S320，输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

步骤S330，获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否开路。

以下通过实施例C、D详述如何判断MOS管Q1～Q6是否开路。

实施例C：

以下详述如何检测Q1、Q3、Q5是否开路。

在本发明实施例中，若MOS管短路检测进程结束后，若检测到短路，则发出错误提示，表示本电路有问题，不再往下进行开路检测，若没有检测到短路，则进一步检测MOS管是否开路。

这里还是以Q1为例进行说明，详述如下：

在基准电压单元的一种具体实现中，MCU分别通过基准电压单元上的电阻R4、电阻R6使基准电压单元的输出端volt_ceter处输出基准电压。

MCU通过电阻R4，电阻R6，使volt_ceter处输出基准电压。详细地，MCU程序控制连接至电阻R4的I/O引脚，将电阻R4连接到MCU内部的上拉电阻；MCU程序控制连接至电阻R6的I/O引脚，将电阻R6连接到GND；使基准电压单元的输出端volt_ceter处的电压约为0.45V，为简化分析，0.45V为仅考虑电阻R4和电阻R6的分压结果，其他分压网络忽略。

详细地，首先，程序控制打开Q1，若Q1良好，相线phase_U处的电压将为18V。若Q1开路，无法被打开，则相线phase_U处的电压将约为1.3V。(为简化分析，1.3V为仅考虑D1、分压电阻R1、采样电阻R7的分压结果，其他分压网络忽略)。

若相线phase_U处的电压将为18V，经电路分压，volt_p_u处的电压高于volt_ceter处的电压，所以比较器输出高，此时，程序检测到比较器输出高，从而判断出Q1正常。

若相线phase_U处的电压将为1.3V，经电路分压，volt_p_u处的电压低于volt_ceter处的基准电压，所以比较器输出低。此时，程序检测到比较器输出低，从而判断出Q1开路。

同样，检测Q3，Q5是否开路的方式与Q1相似，这里不再赘述。

实施例D：

以下详述如何检测Q2、Q4、Q6是否开路。

在本发明实施例中，检测Q2是否开路的方式如下：

程序控制打开Q2，若Q2良好，volt_p_u处的电压将低于volt_ceter处的基准电压，所以比较器输出低。程序检测到比较器输出低，则判断为正常。若Q2开路，volt_p_u处的电压将高于volt_ceter处的基准电压，所以比较器输出高。程序检测到比较器输出高，则判断为Q2开路；详述如下：

MCU通过电阻R4，电阻R6，使volt_ceter处输出基准电压，详细地，MCU程序控制连接至电阻R4的I/O引脚，将电阻R4连接到GND；MCU程序控制连接至电阻R6的I/O引脚，将电阻R6连接到MCU内部的上拉电阻；使volt_ceter处的电压约为0.095V，为简化分析，0.095V为仅考虑电阻R4和电阻R6的分压结果，其他分压网络忽略。

程序控制打开Q2，若Q2良好，相线phase_U处的电压将为0V(电压被拉到GND)。若Q2开路，无法被打开，相线phase_U处的电压将约为1.3V。(为简化分析，1.3V为仅考虑D1、分压电阻R1、采样电阻R7的分压结果，其他分压网络忽略)。

若相线phase_U处的电压将为0V，经电路分压，volt_p_u处的电压低于volt_ceter处的电压，所以比较器输出低。此时，程序检测到比较器输出低，从而判断出Q2正常。

若相线phase_U处的电压将为1.3V，经电路分压，volt_p_u处的电压高于volt_ceter处的电压，所以比较器输出高。此时，程序检测到比较器输出高，从而判断出Q2开路。

同理，检测Q4，Q6是否开路的方式与Q2相似，这里不再赘述。

本发明实施例中，检测出所有6个MOS管的短路状态后，若没有MOS管短路，依次打开6个MOS管，进行开路测试。

若有MOS管出现开路，将不能使待比较电压降到0V或不能使待比较电压拉到分压后的电源电压，比较器输出结果将与理论不符，故可以检测出所有6个MOS管的开路状态。

本方案与传统的检测方案相比，在检测过程中不是依靠是否产生大电流来判断MOS管是否良好，检测过程中，不会生产大电流，安全性能更高。且传统检测方案为一个一个MOS管依次检测，花费时间较长。特别是对快速启动有要求的产品，检测时间过长会加长启动等待时间。本方案一次可检测3个MOS管，只需检测两次即可，大大缩短了检测时间。

本发明实施例提供的直流无刷电机电路中，在每个驱动桥臂的自举电容上并联一自检用分压电阻，并利用该自检用分压电阻和自举二极管以及采样电阻构成自检用分压电路，对该采样电阻上的电压信号进行采样、处理，就可以方便地对MOS管进行自检，本方案在现有技术的基础上进行调整，实现了对三相驱动桥臂的上、下MOS管的开、短路检测，大大缩短了自检的时间，不影响设备的正常使用，同时也避免了通过检测大电流的自检方式对MOS管造成的损坏，安全性能大大提高。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种三相直流无刷电机的MOS管自检电路，包括控制单元，及具有三相驱动桥臂的驱动电路，其特征在于，每相驱动桥臂均包含一与该相驱动桥臂的MOS管相连的自举电路，所述自举电路至少包括自举二极管、自举电容，及驱动芯片；

每相驱动桥臂还包括一与所述自举电容并联的自检用分压电阻以及采样电阻，所述采样电阻连接于该相驱动桥臂的电机相线与地之间，与所述自举二极管、自检用分压电阻构成自检用分压电路，通过对所述采样电阻的电压进行采集、对比并输出至所述控制单元，以对MOS管进行自检；

所述三相直流无刷电机电路还包括用于对所述采样电阻的电压进行采样，并输出至所述控制单元的自检信号采集单元。

2.如权利要求1所述的三相直流无刷电机的MOS管自检电路，其特征在于，所述自检信号采集单元包括：

采集模块，与所述采样电阻相连，用于获取采样电压；

基准模块，用于提供参照电压；以及

比较模块，用于对所述采样电压与参照电压进行对比，并向所述控制单元输出对比信号。

3.如权利要求2所述的三相直流无刷电机的MOS管自检电路，其特征在于，所述采集模块包括三路分压电阻，每路所述分压电阻分别与其中一相的采样电阻连接，所述分压电阻的分压节点连接至所述比较模块的输入端。

4.如权利要求2所述的三相直流无刷电机的MOS管自检电路，其特征在于，所述比较模块包括三路比较器，每一路比较器分别对应一相驱动桥臂；

每路比较器的输出端对应所述控制单元的一个I/O口。

5.一种基于权利要求1~4任意一项所述的三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，其特征在于，所述方法包括：

分别对各相驱动桥臂的自检用分压电路的采样电阻上的采样电压进行采集；

输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否短路。

6.一种基于权利要求1~4任意一项所述的三相直流无刷电机电路的MOS管自检方法，其特征在于，所述方法包括：

控制驱动桥臂上待检测的MOS管导通，并采集该相驱动桥臂对应的自检用采样电路中的采样电阻上的采样电压；

输出用作与采样电压进行对比的参考电压；

获取所述采样电压与参考电压的对比信号，根据所述对比信号判断所述待检测的MOS管是否开路。

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