CN108281567A - 封装结构及其制作方法、阵列基板 - Google Patents

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杨妮
王小元
李云泽
许亨艺
王植
李川
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Abstract

本发明提供一种封装结构及其制作方法、阵列基板，该封装结构包括至少一层第一封装层，每层第一封装层包括：衬底层，该衬底层的第一表面经活性化处理；设置在衬底层的第一表面上的单分子层，该单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，该疏水基团位于硅基单分子碳链的远离衬底层的端部。本发明提供的封装结构及其制作方法、阵列基板的技术方案，几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。

Description

封装结构及其制作方法、阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种封装结构及其制作方法、阵列基板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)因具有较多的优点，在显示领域有着光明的前景，其最大的优越性在于：能够实现柔性显示。但是，OLED对水蒸气和氧气非常敏感，渗透进入器件内部的水蒸气和氧气是影响OLED寿命的主要因素，因此，封装技术对OLED器件非常重要。
传统的OLED封装技术是对衬底基板(玻璃或者金属)上的电极和各有机功能层进行封装，具体是增设一个盖板，并在盖板内侧贴附干燥剂，再通过环氧树脂等密封胶将衬底基板和盖板相结合。但是，由于密封胶的多孔性，空气中的水分容易渗透进入器件内部，产生黑点。
另外一种封装方法是采用薄膜封装，虽然可以减低重量和降低成本，但无论是无机薄膜，还是有机薄膜，单一的透水率均很难达到封装要求，因此需要无机/有机薄膜多层复合来增强防水作用，但是效果仍然难以达到理想状态。
因此，目前亟需一种能够提高防水效果的封装结构。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种封装结构及其制作方法、阵列基板，其几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
为实现本发明的目的而提供一种封装结构，包括至少一层第一封装层，每层所述第一封装层包括：
衬底层，所述衬底层的第一表面经活性化处理；
设置在所述衬底层的所述第一表面上的单分子层，所述单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，所述疏水基团位于所述硅基单分子碳链的远离所述衬底层的端部。
优选的，所述封装结构还包括第二封装层，所述第二封装层设置在衬底基板上，且包覆发光层；所述第一封装层设置在所述第二封装层上。
优选的，所述第二封装层用作所述衬底层。
优选的，所述封装结构还包括第三封装层，所述第三封装层设置在所述第一封装层上。
优选的，所述第三封装层采用无机材料制作。
优选的，所述衬底层所采用的材料包括ITO、SiO2或者Si3N4。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种封装结构的制作方法，包括形成至少一层第一封装层；所述形成每层所述第一封装层，包括：
形成衬底层；
对所述衬底层的第一表面进行活性化处理；
在所述衬底层的所述第一表面上形成单分子层，所述单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，所述疏水基团位于所述硅基单分子碳链的远离所述衬底层的端部。
优选的，在所述对所述衬底层的第一表面进行活性化处理中，使用等离子体轰击所述衬底层的所述第一表面，以使所述第一表面活性化。
优选的，采用蒸镀的方法在所述衬底层的所述第一表面上形成所述单分子层。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种阵列基板，包括：
衬底基板；
发光层，其设置在所述衬底基板上；
本发明提供的上述封装结构，其设置在所述衬底基板上，且包覆所述发光层。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的封装结构及其制作方法、阵列基板的技术方案中，包括至少一层第一封装层，每层第一封装层包括：衬底层，该衬底层经活性化处理的第一表面能够满足制作单分子层的条件。该单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，疏水基团位于硅基单分子碳链的远离衬底层的端部。含有硅基单分子碳链和疏水基团的单分子层的致密性较高，疏水效果极佳，几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的剖视图；
图2为本发明实施例采用的单分子层的结构图；
图3为本发明提供的封装结构的制作方法的流程框图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的封装结构及其制作方法、阵列基板进行详细描述。
请参阅图1，本发明实施例提供的封装结构，其包括第一封装层3、第二封装层4和第三封装层5，其中，第二封装层4设置在衬底基板1上，且包覆发光层2，第二封装层4用作平坦层。第一封装层3设置在第二封装层4上。第三封装层5设置在第二封装层4上，用于起到保护第二封装层4的作用。
如图2所示，第一封装层3包括衬底层31和单分子层32，其中，衬底层31的第一表面31a经活性化处理，从而可以去除第一表面31a上存在的诸如有机物等的杂质，提高表面活性，使单分子层修饰更加致密，进而能够满足制作单分子层的条件。该衬底层31所采用的材料包括ITO、SiO2或者Si3N4等等。
单分子层32包括硅基单分子碳链(Si，C/H)和疏水基团32a，该疏水基团32a位于硅基单分子碳链(Si，C/H)的远离衬底层31的端部。含有硅基单分子碳链和疏水基团(Si，C/H)的单分子层32的致密性较高，疏水效果极佳，几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
上述第二封装层4采用有机材料制作，该材料具有较好的延展性和平坦性。
上述第三封装层5采用无机材料制作，该材料具有较好的机械强度，从而可以起到保护作用，以避免被划伤等。
需要说明的是，在本实施例中，封装结构包括第一封装层3、第二封装层4和第三封装层5，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以仅设置第二封装层4，在这种情况下，可以将衬底层31适当加厚，以起到平坦层的作用。或者，还可以设置第一封装层3和第二封装层4，或者第一封装层3和第三封装层5。
另外，第一封装层3、第二封装层4和第三封装层5均可以为单层或者多层。
还需要说明的是，在本实施例中，在第一封装层3中，单独设置一层衬底层31作为单分子层32的基底，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以省去该衬底层31，并将上述第二封装层4用作该衬底层31。
综上所述，本发明提供的封装结构，其几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
作为另一个技术方案，如图2和图3所示，本发明还提供一种封装结构的制作方法，其包括形成至少一层第一封装层3，形成每层第一封装层3，包括：
S1，形成衬底层31；
S2，对衬底层31的第一表面31a进行活性化处理；
S3，在衬底层31的第一表面31a上形成单分子层32，该单分子层32包括硅基单分子碳链(Si，C/H)和疏水基团32a，该疏水基团32a位于硅基单分子碳链(Si，C/H)的远离衬底层31的端部。
在上述步骤S2中，使用等离子体轰击衬底层31的第一表面31a，以去除第一表面31a上存在的诸如有机物等的杂质，提高表面活性，使单分子层修饰更加致密，从而能够满足制作单分子层的条件。上述等离子体可以是由氮气离化形成的等离子体。
在上述步骤S3中，采用蒸镀的方法在衬底层31的第一表面31a上形成上述单分子层32。具体地，向工艺腔室中通入单分子气体(例如，OTS和/或OTMS等)，高温条件下(100～200℃)保持一定时间之后，恢复室温即可。在此过程中，单分子层32会与衬底层31形成稳定的化学键接触，完成修饰。最后，通过清洗工艺去除单分子层32表面上的反应副产物，即可一次性形成末端带有疏水基团31a的单分子碳链(Si，C/H)。
采用本发明提供的封装结构的制作方法获得的封装结构，其几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
作为另一个技术方案，如图1所示，本发明实施例还提供一种阵列基板，其包括：
衬底基板1；
发光层2，其设置在衬底基板2上，该发光层2为OLED发光层；
封装结构，其设置在衬底基板1上，且包覆发光层2。该封装结构采用了本发明实施例提供的上述封装结构。
本发明实施例提供的阵列基板，其通过采用本发明实施例提供的上述封装结构，几乎能够完全隔绝外界水汽的侵入，极大提高了OLED的使用寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种封装结构，其特征在于，包括至少一层第一封装层，每层所述第一封装层包括：
衬底层，所述衬底层的第一表面经活性化处理；
设置在所述衬底层的所述第一表面上的单分子层，所述单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，所述疏水基团位于所述硅基单分子碳链的远离所述衬底层的端部。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二封装层，所述第二封装层设置在衬底基板上，且包覆发光层；所述第一封装层设置在所述第二封装层上。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层用作所述衬底层。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第三封装层，所述第三封装层设置在所述第一封装层上。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第三封装层采用无机材料制作。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述衬底层所采用的材料包括ITO、SiO2或者Si3N4。
7.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括形成至少一层第一封装层；
所述形成每层所述第一封装层，包括：
形成衬底层；
对所述衬底层的第一表面进行活性化处理；
在所述衬底层的所述第一表面上形成单分子层，所述单分子层包括硅基单分子碳链和疏水基团，所述疏水基团位于所述硅基单分子碳链的远离所述衬底层的端部。
8.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述对所述衬底层的第一表面进行活性化处理中，使用等离子体轰击所述衬底层的所述第一表面，以使所述第一表面活性化。
9.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，采用蒸镀的方法在所述衬底层的所述第一表面上形成所述单分子层。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
发光层，其设置在所述衬底基板上；
权利要求1-6任意一项所述的封装结构，其设置在所述衬底基板上，且包覆所述发光层。
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