CN108281529A - 一种具有抗打击电极的led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括提供一发光结构，在所述发光结构上形成电极，在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本发明通过在电极上形成一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
现有LED芯片的电极大多数使用热稳定性以及延展性较好的黄金制作而成。但是，随着LED芯片行业的快速发展，黄金高昂价格成为突出的问题，需要找到一种可以替代黄金而且价格低廉的金属作为LED芯片的电极材料。其中，金属铝因其成本低且金属性良好而被使用，由于Au与外延层之间具有一定的差异，现有工艺是将Cr层作为电极的底层，然后在Cr层上形成Al层、Ti层、Cr层、Ti层等，最后形成Al层。但是，现有电极结构在封装打线的过程中由于受到高温和高压的作用，容易发生电极变形和Al迁移，从而导致漏电。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法，在电极上形成一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一发光结构，
在所述发光结构上形成电极，
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
作为上述方案的改进，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。
作为上述方案的改进，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
作为上述方案的改进，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。
作为上述方案的改进，所述发光结构在制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。
作为上述方案的改进，所述电极的制作方法包括：
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，位于第一半导体层上的电极和抗打击膜层组成第一电极，位于第二半导体层上的电极和抗打击膜层组成第二电极。
作为上述方案的改进，在形成裸露区域之后，形成第一电极之前，还包括以下步骤：
在所述第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层；
对所述透明导电层和电流阻挡层进行蚀刻，形成贯穿所述透明导电层和电流阻挡层并延伸至第二半导体层表面的第一孔洞，将第二半导体层裸露出来。
作为上述方案的改进，根据权利要求7所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成抗打击膜层之后，还包括以下步骤：
在透明导电层和抗打击膜层表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行蚀刻，将所述抗打击膜层裸露出来。
作为上述方案的改进，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述上沉积一层抗打击膜层。
相应地，本发明还提供了一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
实施本发明，具有如下有益效果：
1、本发明提供了一种具有抗打击电极的LED芯片的制作方法，包括提供一发光结构，在所述发光结构上形成电极，在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本发明通过在电极上形成一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。
附图说明
图1是本发明具有抗打击电极的LED芯片制作方法流程示意图；
图2是本发明第一Cr层厚与电极反射率的关系线形图；
图3是本发明第二Al层厚度与电极反射率的关系线形图；
图4是本发明具有抗打击电极的LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，图1为本发明具有抗打击电极的LED芯片制作方法流程示意图，本发明提供的一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括以下步骤：
S1：提供一衬底；
衬底的材料可以为蓝宝石、碳化硅或硅，也可以为其他半导体材料，本实施例中的衬底优选为蓝宝石衬底。
S2：形成外延层；
具体的，在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。
具体的，本申请实施例提供的第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半导体层，有源层为氮化镓基有源层；此外，本申请实施例提供的第一半导体层、第二半导体层和有源层的材质还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
其中，第一半导体层可以为N型半导体层，则第二半导体层为P型半导体层；或者，第一半导体层为P型半导体层，而第二半导体层为N型半导体层，对于第一半导体层和第二半导体层的导电类型，需要根据实际应用进行设计，对此本申请不做具体限制。
需要说明的是，为了提高后续的刻蚀工艺的良率，所述外延层的厚度为4-10μm。当外延层的厚度低于4μm，LED芯片的亮度会降低，在后续刻蚀时，LED芯片容易出现裂片的情况。但外延层的厚度大于10μm，LED芯片的亮度会降低，增加刻蚀的难度和时间。
需要说明的是，在本申请的其他实施例中，所述衬底与所述外延层之间设有缓存冲层(图中未示出)。
S3：对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层。
具体的，采用光刻胶或SiO2作为掩膜，并采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应离子刻蚀刻蚀工艺对所述外延层进行刻蚀，贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层，将所述第一半导体层裸露出来，从而形成裸露区域。由于光刻胶和SiO2具有高刻蚀比，便于刻蚀，从而形成所需的刻蚀图案，提高刻蚀的精度。在本申请的其他实施例中，还可以采用其他高刻蚀选择比的物质作为掩膜。
为了提高芯片的出光效率，提高外延层的侧边出光效率，所述裸露区域的形状为倒梯形。在本申请的其他实施例中，所述裸露区域的形状还可为多边形。
S4：形成电极；
在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。
具体的，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，其中，位于第一半导体层上的电极和抗打击膜层组成第一电极，位于第二半导体层上的电极和抗打击膜层组成第二电极。
需要说明的是，本发明使用第一Cr层作为底层，由于Cr具有良好的导电性能，而且Cr金属能够与外延P型氮化镓进行良好的欧姆接触，因此能有效地降低接触电阻；其次Cr金属与外延P型氮化镓粘附力较好，可避免金属层脱落。然后，依次在第一Cr层上形成第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。其中，所述第一Al层的反射率较Cr层高，从而提高了芯片的出光效率。进一步地，由于Cr金属的稳定性及粘附性较好，因此在所述第二Cr层上先形成一层Ti层，Cr层和Ti层搭配能够阻挡第一Al层的迁移、高温上窜现象，防止第一Al层不受破坏。然后，形成第二Al层，第二AL层可作为焊盘给焊线使用。
所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。由于第一Cr层用作底层粘附层，因此其厚度不能太厚，否则会影响LED芯片发光的吸收，即第一Al层起不到反射作用。第一Cr层厚度对应反射率(450nm波长)如图2所示，第一层Cr厚度在10-30埃时具有较好的反射率，低于10埃时粘附力较差且控制难度大。
其中，当所第一述Al层的厚度小于1000埃时，不能较好地发挥Al层的反射性能，芯片亮度较低；当所述第一Al层的厚度大于2000埃时，因Al金属本身较活泼易迁移，第一Al层的保护难度增加。当所述第二Cr层的厚度大于300埃时，制作成本则会大幅提高。由于第二Al层用于连接导线，因此其厚度需要大于10000埃。当第二Al层的厚度大于20000埃时，制作成本则会大幅提高。
优选的，所述第一Cr层的厚度为15-25埃，第一Al层的厚度为1200-1400埃，第二Cr层的厚度为150-250埃，第一Ti层的厚度为700-900埃，第二Al层的厚度为15000-20000埃。第二Al层厚度对应反射率(450nm波长)如图3所示，第二Al层厚度在1000-1500埃时具有较好的反射率，高于1500埃时反射率已无明显增加。
S5：形成抗打击膜层；
在所述第一电极和第二电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
具体的，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述第二Al层上依次沉积第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，形成抗打击膜层。
需要说明的是，由于Ti和Pt的稳定性较好，因此在第二Al层上形成第二Ti层和Pt层，能有有效防止第二Al层中的Al发生溶解、迁移、上窜。由于在LED芯片封装打线的过程中，封装所使用的胶体及工艺，不能完全阻止空气中水汽进入，及胶体需经过高温烘烤，使得第二Al层中的Al发生溶解、迁移。本发明中的第二Ti层和Pt层能够防止水汽对第二Al层的腐蚀。此外，由于Cr和Au的硬度较好，因此在Pt层上依次形成两层的Cr层和Au层，能够有效抗击打线时对的作用力，从而保护，防止发生碎裂和脱落。由于在打线的时候，需要对电极进打击，因此会对电极产生一个作用力，从而使得电极容易脱落和碎裂。
所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，当第二Ti层和Pt层的厚度均小于500埃时，第二Ti层和Pt层厚度太薄无法起到保护Al层作用，当第二Ti层和Pt层的厚度均大于1000埃时，制作成本过高。第三Cr层的厚度为200-500埃，由于Cr金属硬度较高，当第三Cr层的厚度小于200埃时，则电极在焊线过程中第三Cr层无法阻挡焊线时瓷嘴的冲击力，导致瓷嘴冲破第三层Cr层和第一层Au，线材与第二Al层接触，并焊接在第二Al层，由于Al材质较活泼及易被腐蚀，经过高温后，焊线线头则会脱落；当第三Cr层的厚度大于500埃时，由于Cr本身特性容易出现裂纹，导致电极表面外观差。第一Au层的厚度为2000-5000埃，第一Au层作用为打线时线球的共晶层，过厚则制作成本高。第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。第四Cr层和第二Au层通过金属特性，在打线时能够将打线的力量进行均匀受力，使打线力量均匀分布在第三Cr层和第一Au层上。
优选的，所述第二Ti层的厚度为600-800埃，Pt层的厚度为600-800埃，第三Cr层的厚度为300-400埃，第一Au层的厚度为3000-4000埃，第四Cr层的厚度为300-400埃，第二Au的厚度为300-400埃。
需要说明的是，为了提高芯片的亮度，使芯片的电流分布均匀，在形成裸露区域之后，形成第一电极之前，还包括以下步骤：
在所述第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层；
对所述透明导电层和电流阻挡层进行蚀刻，形成贯穿所述透明导电层和电流阻挡层并延伸至第二半导体层表面的第一孔洞，并在所述第一孔洞内沉积一层，形成第二电极。
需要说明的是，为了保护芯片，防止芯片发生漏电，在形成抗打击膜层之后，还包括以下步骤：
在透明导电层和抗打击膜层表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行蚀刻，将所述抗打击膜层裸露出来。
优选的，所述电流阻挡层的材料为SiO2或Si3N4。所述透明导电层的材料为氧化铟锡。所述绝缘保护层的材料为SiO2或Si3N4。
参见图4，本发明还提供了一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极30和位于电极30表面的抗打击膜层40，所述抗打击膜层40依次包括第二Ti层41、Pt层42、第三Cr层43、第一Au层44、第四Cr层45和第二Au层46。
具体的，所述发光结构包括衬底10和位于衬底10表面的外延层20。
其中，衬底10的材料可以为蓝宝石、碳化硅或硅，也可以为其他半导体材料，本实施例中的衬底10优选为蓝宝石衬底10。
所述外延层20包括依次设于所述衬底10表面的第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23。
具体的，本申请实施例提供的第一半导体层21和第二半导体层23均为氮化镓基半导体层，有源层22为氮化镓基有源层22；此外，本申请实施例提供的第一半导体层21、第二半导体层23和有源层22的材质还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
其中，第一半导体层21可以为N型半导体层，则第二半导体层23为P型半导体层；或者，第一半导体层21为P型半导体层，而第二半导体层23为N型半导体层，对于第一半导体层21和第二半导体层23的导电类型，需要根据实际应用进行设计，对此本申请不做具体限制。
需要说明的是，为了提高后续的刻蚀工艺的良率，所述外延层20的厚度为4-10μm。当外延层20的厚度低于4μm，LED芯片的亮度会降低，在后续刻蚀时，LED芯片容易出现裂片的情况。但外延层20的厚度大于10μm，LED芯片的亮度会降低，增加刻蚀的难度和时间。
需要说明的是，在本申请的其他实施例中，所述衬底10与所述外延层20之间设有缓存冲层(图中未示出)。
所述电极30依次包括第一Cr层31、第一Al层32、第二Cr层33、第一Ti层40和第二Al层35。
具体的，位于第一半导体层21上的电极30和抗打击膜层40组成第一电极51，位于第二半导体层23上的电极30和抗打击膜层40组成第二电极52。
需要说明的是，本发明使用第一Cr层31作为底层，由于Cr具有良好的导电性能，而且Cr金属能够与外延P型氮化镓进行良好的欧姆接触，因此能有效地降低接触电阻；其次Cr金属与外延P型氮化镓粘附力较好，可避免金属层脱落。然后，依次在第一Cr层31上形成第一Al层32、第二Cr层33、第一Ti层40和第二Al层35。其中，所述第一Al层32的反射率较Cr层高，从而提高了芯片的出光效率。进一步地，由于Cr金属的稳定性及粘附性较好，因此在所述第二Cr层33上先形成一层Ti层，Cr层和Ti层搭配能够阻挡第一Al层32的迁移、高温上窜现象，防止第一Al层32不受破坏。然后，形成第二Al层35，第二Al层35可作为焊盘给焊线使用。
所述第一Cr层31的厚度为10-30埃，第一Al层32的厚度为1000-1500埃，第二Cr层33的厚度为100-300埃，第一Ti层40的厚度为500-1000埃，第二Al层35的厚度为10000-20000埃。由于第一Cr层31用作底层粘附层，因此其厚度不能太厚，否则会影响LED芯片发光的吸收，即第一Al层32起不到反射作用。第一Cr层31厚度对应反射率(450nm波长)如图2所示，第一层Cr厚度在10-30埃时具有较好的反射率，低于10埃时粘附力较差且控制难度大。
其中，当所第一述Al层的厚度小于1000埃时，不能较好地发挥Al层的反射性能，芯片亮度较低；当所述第一Al层32的厚度大于2000埃时，因Al金属本身较活泼易迁移，第一Al层32的保护难度增加。当所述第二Cr层33的厚度大于300埃时，制作成本则会大幅提高。由于第二Al层35用于连接导线，因此其厚度需要大于10000埃。当第二Al层35的厚度大于20000埃时，制作成本则会大幅提高。
优选的，所述第一Cr层31的厚度为15-25埃，第一Al层32的厚度为1200-1400埃，第二Cr层33的厚度为150-250埃，第一Ti层40的厚度为700-900埃，第二Al层35的厚度为15000-20000埃。第二Al层35厚度对应反射率(450nm波长)如图3所示，第二Al层厚度在1000-1500埃时具有较好的反射率，高于1500埃时反射率已无明显增加。
具体的，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述第二Al层35上依次沉积第二Ti层41、Pt层42、第三Cr层43、第一Au层44、第四Cr层45和第二Au层46，形成抗打击膜层40。
需要说明的是，由于Ti和Pt的稳定性较好，因此在第二Al层35上形成第二Ti层41和Pt层42，能有有效防止第二Al层35中的Al发生溶解、迁移、上窜。由于在LED芯片封装打线的过程中，封装所使用的胶体及工艺，不能完全阻止空气中水汽进入，及胶体需经过高温烘烤，使得第二Al层35中的Al发生溶解、迁移。本发明中的第二Ti层41和Pt层42能够防止水汽对第二Al层35的腐蚀。此外，由于Cr和Au的硬度较好，因此在Pt层42上依次形成两层的Cr层和Au层，能够有效抗击打线时对电极30层的作用力，从而保护电极30层，防止电极30层发生碎裂和脱落。由于在打线的时候，需要对电极30进打击，因此会对电极30产生一个作用力，从而使得电极30容易脱落和碎裂。
所述第二Ti层41的厚度为500-1000埃，Pt层42的厚度为500-1000埃，当第二Ti层41和Pt层42的厚度均小于500埃时，第二Ti层41和Pt层42厚度太薄无法起到保护Al层作用，当第二Ti层41和Pt层42的厚度均大于1000埃时，制作成本过高。第三Cr层43的厚度为200-500埃，由于Cr金属硬度较高，当第三Cr层43的厚度小于200埃时，则电极30在焊线过程中第三Cr层43无法阻挡焊线时瓷嘴的冲击力，导致瓷嘴冲破第三层Cr层和第一层Au，线材与第二Al层35接触，并焊接在第二Al层35，由于Al材质较活泼及易被腐蚀，经过高温后，焊线线头则会脱落；当第三Cr层43的厚度大于500埃时，由于Cr本身特性容易出现裂纹，导致电极30表面外观差。第一Au层44的厚度为2000-5000埃，第一Au层44作用为打线时线球的共晶层，过厚则制作成本高。第四Cr层45的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。第四Cr层45和第二Au层46通过金属特性，在打线时能够将打线的力量进行均匀受力，使打线力量均匀分布在第三Cr层43和第一Au层44上。
优选的，所述第二Ti层41的厚度为600-800埃，Pt层42的厚度为600-800埃，第三Cr层43的厚度为300-400埃，第一Au层44的厚度为3000-4000埃，第四Cr层45的厚度为300-400埃，第二Au层46的厚度为300-400埃。
需要说明的是，为了提高芯片的亮度，使芯片的电流分布均匀，第一半导体层21与电极30之间还包括电流阻挡层和透明导电层。
下面以具体实施例进一步阐述本发明
实施例1
一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃；
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，其中，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
实施例2
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃；
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，其中，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
实施例3
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃；
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，其中，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
实施例4
一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃；
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，其中，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
实施例5
一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃；
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层，其中，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
对比实施例1
一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。
对比实施例2
一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域上和第二半导体层上分别形成电极，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层；其中，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。
根据上述实施例1-5和对比实施例1-2的方法制作成同一尺寸的芯片，并对芯片进行光电性能和老化测试，结果如下：
| 组别 | 亮度(lm) | 电压(v) | 掉电极率(％) | 良品率(％) |
| 实施例1 | 16 | 3.1 | 0.5 | 99 |
| 实施例2 | 17 | 3.1 | 0.4 | 98 |
| 实施例3 | 17 | 3.1 | 0.4 | 98 |
| 实施例4 | 17 | 3.1 | 0.3 | 99 |
| 实施例5 | 17 | 3.1 | 0.5 | 98 |
| 对比实施例1 | 15 | 3.3 | 5 | 90 |
| 对比实施例2 | 14 | 3.3 | 6 | 90 |
从上述测试结果可以看出，采用本发明制作方法制作出来的芯片与现有的制作方法制作出来芯片相比，本发明实施例1-5的芯片亮度高，电压低、良品率高、掉电极少。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，包括：
提供一发光结构，
在所述发光结构上形成电极，
在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
2.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。
3.根据权利要求1或2所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。
4.根据权利要求2所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。
5.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述发光结构在制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。
6.根据权利要求5所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极的制作方法包括：
对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；
在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，位于第一半导体层上的电极和抗打击膜层组成第一电极，位于第二半导体层上的电极和抗打击膜层组成第二电极。
7.根据权利要求6所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成裸露区域之后，形成电极之前，还包括以下步骤：
在所述第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层；
对所述透明导电层和电流阻挡层进行蚀刻，形成贯穿所述透明导电层和电流阻挡层并延伸至第二半导体层表面的第一孔洞，将第二半导体层裸露出来。
8.根据权利要求7所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成抗打击膜层之后，还包括以下步骤：
在透明导电层和抗打击膜层表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行蚀刻，将所述抗打击膜层裸露出来。
9.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述上沉积一层抗打击膜层。
10.一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
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