CN108281508A - 低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 - Google Patents
低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108281508A CN108281508A CN201810075289.1A CN201810075289A CN108281508A CN 108281508 A CN108281508 A CN 108281508A CN 201810075289 A CN201810075289 A CN 201810075289A CN 108281508 A CN108281508 A CN 108281508A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- buddha
- wire cutting
- concentration
- warrior attendant
- corrosive liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 59
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 title claims abstract description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 33
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims abstract description 27
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 2
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N boron;iron Chemical compound [Fe]#B ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000085 cashmere Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；(3)将腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。该制备方法制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能应用领域，尤其涉及一种低表面反射率金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法。
背景技术
目前，最重要的太阳电池材料是晶体硅，占据了90％以上的市场份额。晶体硅主要分为单晶硅、多晶硅，由于多晶硅的成本更低，其市场份额一直超越单晶硅占光伏市场的主导。
对于多晶硅太阳电池来讲，如何提高电池效率同时降低成本是目前的研究热点。在硅片上制备绒面能够有效降低光反射率，增加光吸收，从而提高太阳电池的效率。
金刚线切割多晶硅片具有切割速度快、精度高、原材料损耗小等优点，并且金刚线切割多晶硅片由于切割成本较砂浆片低0.3～0.7元，因而市场上急迫想将砂浆多晶片切换为金刚线多晶片。
但是，金刚线多晶硅片的制绒是个大难题。由于金刚线多晶硅片切割的损伤层较浅，线痕区和非线痕区差异大，采用常规酸制绒后硅片表面反光和线痕严重，出绒率低，并且反射率较高，因而制成电池片后效率较低，外观也无法通过。而其他方法诸如等离子干法刻蚀(RIE)、激光刻槽等干法刻蚀法虽然可以制备出较为均匀、反射率较低的绒面，但是这些方法的成本很高且设备昂贵，硅片表面也会有较为严重的机械损伤；利用金属辅助催化腐蚀法制备绒面，其成本较高，同时含贵金属的废液处理也是需要注意的问题，工业化生产较为困难。
因而，如何低成本制备出较好的金刚线切割多晶硅片的绒面是目前的研究热点。
发明内容
本发明提供一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。
本发明提供了如下技术方案：
一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：
(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；
(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；
氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
本发明的制备方法为金属辅助催化腐蚀法，采用的辅助金属为铁，其价格低廉，后续的废液处理简单，更利于工业化生产。采用该方法制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，少子寿命较长。
本发明的制备方法中，通过第一次腐蚀，一方面可以去除金刚线切割硅片表面的损伤层，另一方面还在多晶硅表面形成微米级的腐蚀坑，初步降低金刚线切割硅片表面的反射率；通过第二次腐蚀，可在第一次腐蚀形成的微米级腐蚀坑上均匀的腐蚀出小孔洞，进一步降低金刚线切割硅片表面的反射率。
优选的步骤(1)中，所述的清洗为：将金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗后，再投入RCA溶液中进行清洗。
经过步骤(1)的清洗后，可以有效去除金刚线切割多晶硅片表面的有机物和金属离子，便于后续的腐蚀。
步骤(1)对金刚线切割多晶硅片表面进行第一次腐蚀，腐蚀后在金刚线切割多晶硅片表面形成均匀的腐蚀坑。
优选的，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～0.5mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～2％；进一步优选的，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2～0.4mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％。
上述配比的第一腐蚀液可以使腐蚀后的金刚线切割多晶硅片的腐蚀坑更加均匀。
优选的，步骤(1)中，腐蚀温度为28～32℃，腐蚀时间为30～40min。
如果步骤(1)中的腐蚀温度较高，会使得铁扩散进入硅片中，形成铁硼复合对，大大降低多晶硅片的有效少子寿命，降低电池效率；腐蚀温度较低，则反应速率较慢，需要较长的反应时间，不利于工业化生产。
最优选的，步骤(1)中，腐蚀温度为30℃，腐蚀时间为30～40min。
步骤(2)中，碱性的第二腐蚀液不仅可以去除步骤(1)中残留的铁，同时该碱性溶液可以和硅反应，对多孔硅结构进行修正，去除步骤(1)中形成的过于微小的孔结构，减少少数载流子的表面复合，提高金刚线切割多晶硅片的有效少子寿命，提高电池性能。
优选的，在第二腐蚀液中，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4。
进一步优选的，步骤(2)中，腐蚀温度为室温，腐蚀时间为10～20min。
在室温下反应，有利于工业化生产，节省能源。
一种优选的技术方案为：
一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤：
(1)在30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2～4mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％；
(2)在室温下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀20～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4；
氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
该优选技术方案制定的绒面反射率低、少子寿命较长。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明的制备方法使用的设备均为通用设备，只需要在聚四氟乙烯的容器内进行化学腐蚀，方法简单；
(2)目前金属辅助催化腐蚀法大多是采用的贵金属金、银等，而本发明的制备方法采用的是铁，价格更为低廉，且后续的废液处理相对于贵金属的废液处理来讲成本更低工艺更简单，更利于工业化生产；
(3)制备的金刚线切割多晶硅片绒面反射率低，绒面反射率可降至10％以下，且制备的金刚线切割多晶硅片的少子寿命较长。
附图说明
图1为实施例2制备的金刚线切割多晶硅片表面绒面的扫描电子显微镜图；
图2为实施例1～3和对比例1制备的金刚线切割多晶硅片表面绒面的反射率曲线图。
具体实施方式
实施例1
(1)将厚度为180±5μm，大小为30mm×30mm的金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗，再在80℃下投入RCA溶液中清洗，去除硅片表面有机物和金属离子；
(2)将清洗后的硅片放入装有腐蚀液的聚四氟乙烯反应釜中，密封，在30℃下，反应30min，腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，混合液中HF的浓度为10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％。腐蚀后在硅片表面形成多孔结构；
(3)将步骤2得到的硅片放入碱性混合溶液中反应。碱性混合溶液由质量百分比浓度为25％的氨水、质量百分比浓度为30％的双氧水以及DI混合而成，氨水、双氧水、DI的配比为1∶1∶3(vol)，室温下浸泡15min，去除残留的铁，同时起到对纳米陷光结构的刻蚀修正作用。再用去离子水清洗硅片，最后用氮气吹干。
制备的金刚线切割多晶硅片绒面的有效少子寿命为2.148μs；由图2可知，制备的金刚线切割多晶硅片绒面在400nm至1000nm的平均反射率约为6.1％。
实施例2
(1)将厚度为180±5μm，大小为30mm×30mm的金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗，再在80℃下投入RCA溶液中清洗，去除硅片表面有机物和金属离子；
(2)将清洗后的硅片放入装有腐蚀液的聚四氟乙烯反应釜中，密封，在30℃下，反应40min，腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，混合液中HF的浓度为10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.4mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％。腐蚀后在硅片表面形成多孔结构；
(3)将步骤2得到的硅片放入碱性混合溶液中反应。碱性混合溶液由质量百分比浓度为25％的氨水、质量百分比浓度为30％的双氧水以及DI混合而成，氨水、双氧水、DI的配比为1∶1∶3(vol)，室温下浸泡15min，去除残留的铁，同时起到对纳米陷光结构的刻蚀修正作用。再用去离子水清洗硅片，最后用氮气吹干。
制备的金刚线切割多晶硅片绒面的SEM图如图1所示。
图2中2#为本例制备的金刚线切割多晶硅片绒面的反射率曲线，其在400nm至1000nm的平均反射率约为10.4％；
制备的金刚线切割多晶硅片绒面的有效少子寿命为1.866μs；由图2可知，制备的金刚线切割多晶硅片绒面在400nm至1000nm的平均反射率约为10.4％。
实施例3
(1)将厚度为180±5μm，大小为30mm×30mm的金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗，再在80℃下投入RCA溶液中清洗，去除硅片表面有机物和金属离子；
(2)将清洗后的硅片放入装有腐蚀液的聚四氟乙烯反应釜中，密封，在30℃下，反应60min，腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，混合液中HF的浓度为5mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％。腐蚀后在硅片表面形成多孔结构；
(3)将步骤2得到的硅片放入碱性混合溶液中反应。碱性混合溶液由质量百分比浓度为25％的氨水、质量百分比浓度为30％的双氧水以及DI混合而成，氨水、双氧水、DI的配比为1∶1∶3(vol)，室温下浸泡15min，去除残留的铁，同时起到对纳米陷光结构的刻蚀修正作用。再用去离子水清洗硅片，最后用氮气吹干。
制备的金刚线切割多晶硅片绒面的有效少子寿命为1.795μs；由图2可知，制备的金刚线切割多晶硅片绒面在400nm至1000nm的平均反射率约为13.3％。
对比例1
(1)将厚度为180±5μm，大小为30mm×30mm的金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗，再在80℃下投入RCA溶液中清洗，去除硅片表面有机物和金属离子；
(2)将清洗后的硅片放入装有腐蚀液的聚四氟乙烯反应釜中，密封，在30℃下，反应30min，腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，混合液中HF的浓度为10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％。腐蚀后在硅片表面形成多孔结构；再用去离子水清洗硅片，最后用氮气吹干。
制备的金刚线切割多晶硅片绒面的有效少子寿命为1.197μs；由图2可知，制备的金刚线切割多晶硅片绒面在400nm至1000nm的平均反射率约为37.8％。
以上所述的实施例对本发明的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的具体实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充和等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；
(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；
氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的清洗为：将金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗后，再投入RCA溶液中进行清洗。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～0.5mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～2％。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，腐蚀温度为28～32℃，腐蚀时间为30～40min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在第二腐蚀液中，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，腐蚀温度为室温，腐蚀时间为10～20min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2～4mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％；
(2)在室温下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀20～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810075289.1A CN108281508A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810075289.1A CN108281508A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108281508A true CN108281508A (zh) | 2018-07-13 |
Family
ID=62805226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810075289.1A Pending CN108281508A (zh) | 2018-01-25 | 2018-01-25 | 低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108281508A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109853036A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-07 | 常州工程职业技术学院 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661972A (zh) * | 2009-09-28 | 2010-03-03 | 浙江大学 | 一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺 |
| US20130025663A1 (en) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | International Business Machines Corporation | Inverted pyramid texture formation on single-crystalline silicon |
| CN105810761A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-27 | 南京工业大学 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 |
| CN107623054A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-01-23 | 绿华能源科技（杭州）有限公司 | 一种基于金刚线切割硅片的制绒工艺 |
-
2018
- 2018-01-25 CN CN201810075289.1A patent/CN108281508A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661972A (zh) * | 2009-09-28 | 2010-03-03 | 浙江大学 | 一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺 |
| US20130025663A1 (en) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | International Business Machines Corporation | Inverted pyramid texture formation on single-crystalline silicon |
| CN105810761A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-27 | 南京工业大学 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 |
| CN107623054A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-01-23 | 绿华能源科技（杭州）有限公司 | 一种基于金刚线切割硅片的制绒工艺 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| LIDIAN ZHANG等: "Preparation of low reflective microstructure at multicrystal silicon surface by ferric nitrate etching", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 * |
| 周阳: "化学刻蚀法制备硅纳米线的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109853036A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-07 | 常州工程职业技术学院 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106229386B (zh) | 一种银铜双金属mace法制备黑硅结构的方法 | |
| CN101735903B (zh) | 一种太阳能光伏专用电子清洗剂 | |
| CN106222756A (zh) | 用于金刚线切割单晶硅片制绒的添加剂及其应用方法 | |
| CN107039241B (zh) | 一种超薄硅的化学切割方法 | |
| CN102185035B (zh) | 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN107338480A (zh) | 一种单晶硅硅片制绒方法及其制绒添加剂 | |
| CN100388511C (zh) | 单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法 | |
| CN102181935B (zh) | 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液 | |
| SG173203A1 (en) | Methods for damage etch and texturing of silicon single crystal substrates | |
| JPWO2005117138A1 (ja) | 太陽電池用半導体基板とその製造方法および太陽電池 | |
| CN102779907B (zh) | 高效异质结电池的制备方法 | |
| CN106340446B (zh) | 一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 | |
| CN105951184A (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | |
| CN102005504A (zh) | 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法 | |
| CN105140343B (zh) | 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法 | |
| CN106601862A (zh) | 一种降低单晶硅异质结太阳能电池片反射率的制绒方法 | |
| CN104966762A (zh) | 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
| CN107316917A (zh) | 一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法 | |
| CN208970515U (zh) | 双氧化层perc电池 | |
| CN105826410B (zh) | 一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法 | |
| CN111105995A (zh) | 一种单晶硅片的清洗及制绒方法 | |
| CN102185032B (zh) | 一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法 | |
| CN112608799B (zh) | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 | |
| CN108281508A (zh) | 低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法 | |
| CN107170846A (zh) | 单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180713 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |