CN108270403B - 一种放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种放大电路，用以于一不同操作模式下进行信号调变，其包括第一放大器电路与第二级放大器。第二级放大器串接于第一放大器电路，以形成串级放大器电路。第一放大器电路包括第一级放大器与旁路电路。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于第一级放大器的输入端，第一晶体管的第二端耦接于第一级放大器的输出端，且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于第一控制端，以由第一控制端接收第一控制电压来控制第一晶体管的工作偏压，借此切换放大电路的操作模式。

Description

一种放大电路
技术领域
本发明是关于一种放大电路，特别是指一种用以于不同操作模式下进行信号调变的放大电路。
背景技术
功率放大器为射频发射电路中一个重要的组件，其主要的功能在于将信号放大推出，因此功率放大器通常都会被设置在天线放射器的前端；同时，功率放大器也是整个射频前端电路中最耗功耗的组件。目前智能型电子装置(如：智能型手机、平板计算机等)所使用的功率放大器是以砷化镓功率放大器(GaAs PA)为主流。原因在于，砷化镓具有高频、高绝缘性、低耗电与低的谐波与噪音接收的特性，能满足传输量更高的4G信号应用，甚至是未来更高端的5G信号应用。
发明内容
本发明提供一种放大电路，用以于不同操作模式下进行信号调变。此种放大电路包括第一放大器电路与第二级放大器。第二级放大器串接于第一放大器电路，以形成串级放大器电路。第一放大器电路包括第一级放大器与旁路电路。第一级放大器具有一输入端与一输出端。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于第一级放大器的输入端，第一晶体管的第二端耦接于第一级放大器的输出端，且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于第一控制端，以由第一控制端接收第一控制电压来控制第一晶体管的工作偏压，借此切换放大电路的操作模式。
本发明更提供一种放大电路，包括放大器与旁路电路。放大器具有一输入端与一输出端。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于放大器的输入端，第一晶体管的第二端耦接于放大器的输出端，且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于一控制端，以由此控制端接收控制电压来控制第一晶体管的工作偏压。
与现有技术相比，本发明所提供的放大电路具有如下优势：能依据电子装置运作上的需求选择性地操作于线性模式或非线性模式；工作在非线性模式下，不会受到厄利效应的影响；旁路电路在高功率下工作时也能具有良好的线性度，且整个放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明，而非对本发明的权利要求书作任何的限制。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1为本发明所提供的实施例中一种放大电路的示意图；
图2为本发明所提供的实施例中一种放大电路的电路图；
图3A为本发明所提供的实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图；
图3B为本发明所提供的另一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图；
图4为本发明所提供的又一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图；
图5为本发明所提供的另一实施例中一种放大电路的电路图。
主要图示说明
IN：输入端
OUT：输出端
10：第一放大器电路
110：第一级放大器
110’：放大器
120、120’：旁路电路
20：第二级放大器
VMODE：控制端
VMODE1：第一控制端
VMODE2：第二控制端
Vb：电源电压
C1：第一电容
C2：第二电容
RB：第一偏压电阻
RE：第二偏压电阻
R1：第一电阻
T1：第一晶体管
T2：第二晶体管
T3：第三晶体管
T4：第四晶体管
T5：第五晶体管
具体实施方式
下文将结合说明书附图更充分地描述各种实施例，在说明书附图中展示一些例示性实施例。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本发明将更为详尽且完整，且将向本领域的普通技术人员充分传达本发明概念的范畴。在说明书附图中，类似数字始终指示类似组件。
以下将以多个实施例说明本发明所提供的放大电路，然而，下述实施例并非用以限制本发明。
放大电路的一实施例：
图1为本发明所提供的实施例中一种放大电路的示意图。本实施例所提供的放大电路至少包括第一放大器电路10与一第二级放大器20。为便于说明，以下叙述中将本实施例所提供的放大电路举例为一三级放大器电路并据以说明。即如图1所示，第二级放大器20串接于第一放大器电路10，且第三级放大器30串接于第二级放大器20，以形成一个三级放大器电路。
第一放大器电路10包括第一级放大器110与并联于第一级放大器110的旁路电路120。本实施例所提供的放大电路的主要特点在于，通过控制端VMODE来控制旁路电路120，便能使整个放大电路可选择地操作于双模模式(Dual Mode)下，即线性模式(Linear Mode)与非线性模式(Non-linear Mode)。简单来说，通过旁路电路120的设置，可以使得三级放大器电路作为二级放大器电路来使用，其中三级放大器电路操作于非线性模式下，而二级放大器电路操作于线性模式下。
须说明地是，于本实施例中，放大电路为一功率放大电路，第一级放大器110为第一级驱动放大器，第二级放大器20为第二级驱动放大器，且第三级放大器30为第三级功率放大器。
接着，将进一步阐述本实施例所提供的放大电路的工作原理。
图2为本发明所提供的实施例中一种放大电路的电路图，故通过图2即能进一步了解到旁路电路120的主要电路架构。如图2所示，第一级放大器110具有一输入端IN与一输出端OUT。另外，旁路电路120包括第一晶体管T1。第一晶体管T1的第一端(于图2中以①标示)通过耦接于第一级放大器110的输入端IN，第一晶体管T1的第二端(于图2中以②标示)耦接于第一级放大器110的输出端OUT，且第一晶体管T1的第三端(于图2中以③标示)耦接于一电源电压Vb。
尤其，第一晶体管T1的第一端更耦接于第一控制端VMODE1，以由第一控制端VMODE1接收第一控制电压来控制第一晶体管T1的工作偏压，借此切换放大电路的操作模式。简言之，于本实施例中，第一晶体管T1即为一开关的角色，当第一晶体管T1不被导通时，整个旁路电路120视为开路，于是放大电路为一个三级放大器电路，并操作于非线性模式；然而，当第一晶体管T1导通时，相较于第一级放大器110，整个旁路电路120的等效电阻很小，于是放大电路相当于一个二级放大器电路，并操作于线性模式。
如图2所示，旁路电路120更包括一偏压电路，且此偏压电路至少包括一第一偏压电阻RB，其中第一偏压电阻RB的一端耦接于第一晶体管T1的第一端，且第一偏压电阻RB的另一端耦接于第一控制端VMODE1。此外，旁路电路120还包括一第二偏压电阻RE，其中第二偏压电阻RE的一端耦接于第一晶体管T1的第二端，第二偏压电阻RE的另一端则耦接一参考电位或接地，用以稳定第一晶体管T1的工作点。
于本实施例中，第一晶体管T1即为一开关的角色。举例来说，第一晶体管T1为一双极性接面晶体管，其中第一晶体管T1的第一端为基极，第一晶体管T1的第二端为射极，且第一晶体管T1的第三端为集极。由图2可看出，第一晶体管T1于旁路电路120中是设置为一射极跟随器(Emitter Follower)。由于射极跟随器具有射极输出的电压会随输入电压而变，以及射极的输出信号与输入信号同相位的特性，因此将使得整个旁路电路120即便在高功率下仍能具有良好的线性度。也因为如此，整个功率放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
承上述，若第一晶体管T1为一双极性接面晶体管，于第一控制端VMODE1的第一控制电压的控制下，当第一晶体管T1的工作偏压落于第一晶体管T1的截止区(Cut-offRegion)，第一晶体管T1便截止，使得放大电路维持为一个三级放大器电路，并操作于非线性模式。另一方面，于第一控制端VMODE1的第一控制电压的控制下，当第一晶体管T1的工作偏压落于第一晶体管T1的激活区(Active Region)，第一晶体管则导通，于是如前述，放大电路便相当于一个二级放大器电路，且操作于线性模式。
接下来，将进一步说明本实施例所提供的放大电路中旁路电路120的其他实施例。为便于理解，于以下绘示各实施例的图式中，各晶体管的第一端、第二端与第三端分别以①、②、③标示。
首先，请参照图3A，图3A为本发明所提供的实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图。当放大电路操作于非线性模式下时，为了避免影响放大电路的正常运作，于一实施例中，便将旁路电路120设计为如图3A所示的电路架构。
相较于图2所示的旁路电路120，于图3A中，旁路电路120更包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、第一电阻R1、第一电容C1与第二电容C2。第一电容C1耦接于第一晶体管T1的第一端与第一级放大器110的输入端之间，且第二电容C2耦接于第一晶体管T1的第二端与第一级放大器110的输出端之间。第二晶体管T2的第一端与第三晶体管T3的第一端相耦接，且第二晶体管T2的第三端通过第一电阻R1耦接于第一偏压电阻RB与第一控制端VMODE1之间。再者，第三晶体管T3的第三端耦接于第一晶体管T1的第二端与第二电容C2之间，第二晶体管T2的第一端与第三端相耦接，且第二晶体管T2与第三晶体管T3的第二端均耦接一参考电位或接地。另外说明，第二晶体管T2与第三晶体管T3均为双极性接面晶体管，其中第二晶体管T2与第三晶体管T3的第一端为基极，第二晶体管T2与第三晶体管T3的第二端为射极，且第二晶体管T2与第三晶体管T3的第三端为集极。
也就是说，于本实施例中，第二晶体管T2与第三晶体管T3于旁路电路120中的设置类似于一个电流镜的架构。如此一来，便能使由第一级放大器110的输出端OUT看向旁路电路120的等效电阻为一大电阻，以避免影响放大电路于非线性模式下的正常运作。
然而，对于双极性接面晶体管来说，当其集极-射极电压改变时，其基极-集极的空乏(depletion)宽度(或称空乏区)的大小也会跟着改变(即，厄利效应；Early Effect)，使得流经第二晶体管T2的电流将不等于由第一级放大器110的输出端OUT流出的电流。因此，于另一实施例中，另将旁路电路120设计为如图3B所示的电路架构。
图3B为本发明所提供的另一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图。相较于图3A所示的旁路电路120，于图3B中，旁路电路120更包括第四晶体管T4。第四晶体管T4的第一端与第三端相耦接并通过第一电阻R1耦接于第一偏压电阻RB与第一控制端VMODE1之间，且第四晶体管T4的第二端耦接于第二晶体管T2的第一端与第三端。另外说明，第四晶体管T4为双极性接面晶体管，其中第四晶体管T4的第一端为基极，第四晶体管T4的第二端为射极，且第四晶体管T4的第三端为集极。
由于多了第四晶体管T4的压降，便能够更精准地复制流经第二晶体管T2的一定比例的电流，前述的厄利效应即能获得改善。
于图3B所示的旁路电路120的电路架构中，多了第四晶体管T4的压降虽能达到精准地复制流经第二晶体管T2的一定比例的电流的功效，但也表示电源电压Vb需要多提供第四晶体管T4的压降。在放大电路运作的过程中，电源电压Vb(如：电池电压)会逐渐下降，为了避免电源电压Vb降低而使得图3B所示的旁路电路120无法正常运作，于又一实施例中是将旁路电路120设计为如图4所示的电路架构。
图4为本发明所提供的又一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图。相较于图2所示的旁路电路120，在图4中，旁路电路120更包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第一电容C1与第二电容C2。如图4所示，第一电容C1耦接于第一晶体管T1的第一端与第一级功率放大器110的输入端之间，且第二电容C2耦接于第一晶体管T1的第二端与第一级放大器110的输出端之间。第二晶体管T2的第一端与第三晶体管T3的第一端相耦接，第三晶体管T3的第三端耦接于第一晶体管T1的第二端与第二电容C2之间，且第二晶体管T2与第三晶体管T3的第二端均耦接一参考电位或接地。再者，第四晶体管T4的第一端通过第一偏压电阻RB耦接于第一晶体管T1的第一端与第一电容C1，第四晶体管T4的第二端耦接于第二晶体管T2的第三端，且第四晶体管T4的第三端耦接至第二晶体管T2的第一端。此外，第五晶体管T5的第一端与第三端相耦接，并进一步耦接至第四晶体管T4的第一端，第四晶体管T4的第三端耦接于第一控制端VMODE1，且第五晶体管T5的第三端耦接于第二控制端VMODE2，以分别地由第一控制端VMODE1接收第一控制电压以及由第二控制端VMODE2接收第二控制电压。
另外说明，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5均为双极性接面晶体管，其中第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第一端为基极，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第二端为射极，且第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第三端为集极。还须说明地是，于另一实施例中，前述的第一控制端VMODE1与第二控制端VMODE2为同一个控制端。
对于图4所示的旁路电路120来说，若不设置第五晶体管T5，且若第四晶体管T4的第二端与第一端耦接，以及第二晶体管T2的第二端与第一端耦接，第四晶体管T4的第二端的电压至少需大于两个晶体管的门槛电压。然而，若以图4所示的旁路电路120的电路架构来说，第四晶体管T4的第二端的电压仅需至少大于一个晶体管的门槛电压即可。如此一来，在放大电路运作的过程中，即便电源电压Vb逐渐下降，也能避免旁路电路120因电源电压Vb降低而无法正常运作。
值得注意地是，于前述各实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5可被同时替换为复数个金氧半场效晶体管，且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第一端为栅极，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第二端为源极，以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5的第三端为漏极。
值得注意地是，当第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4与第五晶体管T5均为金氧半场效晶体管时，第一晶体管T1于各实施例的旁路电路120中是设置为一源极跟随器(Source Follower)。由于源极跟随器具有电压增益约等于1的特性，因此能使得整个旁路电路120即便在高功率下仍具有良好的线性度。也因为如此，整个放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
承上述，若第一晶体管T1为一金氧半场效晶体管，于第一控制端VMODE1的第一控制电压的控制下，当第一晶体管T1的工作偏压落于第一晶体管T1的截止区，第一晶体管T1便截止，使得放大电路维持为一个三级放大器电路，并操作于非线性模式。另一方面，于第一控制端VMODE1的第一控制电压的控制下，当第一晶体管T1的工作偏压落于第一晶体管T1的饱和区(Saturation Region)，第一晶体管则导通，于是如前述，放大电路便相当于一个二级放大器电路，且操作于线性模式。
放大电路的另一实施例：
请参见图5，图5为本发明所提供的另一实施例中放大电路的电路图。于本实施例中，放大电路主要包括放大器110’与旁路电路120’。
如图5所示，放大器110’具有一输入端IN与一输出端OUT，且旁路电路包括第一晶体管T1。第一晶体管T1的第一端通过耦接于放大器110’的输入端IN，第一晶体管T1的第二端耦接于放大器110’的输出端OUT，第一晶体管T1的第三端耦接于电源电压Vb。尤其，第一晶体管T1的第一端更耦接于一控制端VMODE，以由控制端VMODE接收一控制电压来控制第一晶体管T1的工作偏压。
须说明地是，于本实施例中，放大电路为一功率放大电路，且放大器110’为一驱动放大器。
此外，旁路电路120’更包括一偏压电路，如图5所示，此偏压电路至少包括一第一偏压电阻RB，第一偏压电阻RB的一端耦接于第一晶体管T1的第一端，且第一偏压电阻RB的另一端耦接于控制端VMODE。此外，旁路电路120’还包括一第二偏压电阻RE，其中第二偏压电阻RE的一端耦接于第一晶体管T1的第二端，第二偏压电阻RE的另一端则耦接一参考电位或接地，用以稳定第一晶体管T1的工作点。
如同前述图1-图4所述的实施例，于本实施例中，第一晶体管T1亦为一开关的角色。举例来说，第一晶体管T1为一双极性接面晶体管，其中第一晶体管T1的第一端为基极，第一晶体管T1的第二端为射极，且第一晶体管T1的第三端为集极。如图5所示，第一晶体管T1于旁路电路120’中是设置为一射极跟随器(Emitter Follower)。由于射极跟随器具有射极输出的电压会随输入电压而变，以及射极的输出信号与输入信号同相位的特性，因此将使得整个旁路电路120’即便在高功率下仍能具有良好的线性度。也因为如此，整个放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
须说明地是，本实施例所提供的放大电路的工作原理类似于前述图1-图4所述的实施例所提供的第一放大器电路10。也就是说，若如前述举例中第一晶体管T1为一双极性接面晶体管，当控制端VMODE控制第一晶体管T1的工作偏压并使其落于第一晶体管T1的截止区时，第一晶体管T1便截止。于是，使得放大器110’的输入端IN所接收的信号便会经由放大器110’调变后由放大器110’的输出端OUT输出。另一方面，当控制端VMODE控制第一晶体管T1的工作偏压并使其落于第一晶体管T1的激活区时，第一晶体管T1则导通。于是，放大器110’的输入端IN所接收的信号便会直接地通过旁路电路120’输出至放大器110’的输出端OUT。
因此，若将本实施例所提供的放大电路与其他放大器串接成多级放大器电路(举例来说，将本实施例所提供的放大电路再串接两个放大器便能形成一个三级放大器电路)，此时，通过控制端VMODE来控制放大电路中的旁路电路120’，便能使整个三级放大电路可选择地操作于双模模式(Dual Mode)下，即线性模式(Linear Mode)与非线性模式(Non-linear Mode)。也就是说，于此例中，通过本实施例所提供的放大电路的运作，便能使得整个多级放大器电路选择性地做为三级放大器电路或二级放大器电路，其中三级放大器电路操作于非线性模式下，而二级放大器电路操作于线性模式下。
亦须说明地是，于本实施例中，第一晶体管T1可被替换为金氧半场效晶体管，且第一晶体管T1的第一端为栅极，第一晶体管T1的第二端为源极，以及第一晶体管T1的第三端为漏极。此时，第一晶体管T1于本实施例的旁路电路120’中是设置为一源极跟随器(SourceFollower)。由于源极跟随器具有电压增益约等于1的特性，因此能使得整个旁路电路120’即便运作于高功率下仍具有良好的线性度。也因为如此，整个放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
若如前述举例中第一晶体管T1为一金氧半场效晶体管，当控制端VMODE控制第一晶体管T1的工作偏压并使其落于第一晶体管T1的截止区时，第一晶体管T1便截止。于是，使得放大器110’的输入端IN所接收的信号便会经由放大器110’调变后由放大器110’的输出端OUT输出。另一方面，当控制端VMODE控制第一晶体管T1的工作偏压并使其落于第一晶体管T1的饱和区时，第一晶体管T1则导通。于是，放大器110’的输入端IN所接收的信号便会直接地通过旁路电路120’输出至放大器110’的输出端OUT。
综上所述，本发明所提供的放大电路由于设置有旁路电路，故能依据电子装置运作上的需求选择性地操作于线性模式或非线性模式下。
再者，本发明所提供的放大电路的电路架构能使得整个放大电路正常且稳定地运作于非线性模式下，不会受到厄利效应的影响，且能使得旁路电路在电源电压逐渐降低时仍得以正常运作。
除此之外，于本发明所提供的放大电路的旁路电路中，第一晶体管(如：双极性接面晶体管或金氧半场效晶体管)是设置为射极跟随器或源极跟随器，故能使得旁路电路即便运作于高功率下也能具有良好的线性度，如此一来，整个放大电路便适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
如无特别说明，本文中出现的类似于“第一”、“第二”的限定语并非是指对时间顺序、数量、或者重要性的限定，而仅仅是为了将本技术方案中的一个技术特征与另一个技术特征相区分。同样地，本文中出现的类似于“一”的限定语并非是指对数量的限定，而是描述在前文中未曾出现的技术特征。同样地，本文中在数词前出现的类似于“大约”、“近似地”的修饰语通常包含本数，并且其具体的含义应当结合上下文意理解。同样地，除非是有特定的数量量词修饰的名词，否则在本文中应当视作即包含单数形式又包含复数形式，在该技术方案中即可以包括单数个该技术特征，也可以包括复数个该技术特征。以上所述仅为本发明的较佳实施例，其并非用以局限本发明专利的保护范围，凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (19)

1.一种放大电路，用以于一不同操作模式下进行信号调变，其特征在于：所述放大电路包括：
一第一放大器电路，包括：
一第一级放大器，该第一级放大器具有一输入端与一输出端；以及
一旁路电路，该旁路电路包括一第一晶体管，其中该第一晶体管的第一端是该第一晶体管的基极或栅极，该第一晶体管的第一端耦接于该第一级放大器的该输入端，该第一晶体管的第二端耦接于该第一级放大器的该输出端，该第一晶体管的第三端耦接于一电源电压；以及
一第二级放大器，串接于该第一放大器电路，以形成一串级放大器电路；
其中，该第一晶体管的第一端还耦接于一第一控制端，以由该第一控制端接收一第一控制电压来控制该第一晶体管的一工作偏压，以切换该放大电路的该不同操作模式。
2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于：其中所述放大电路还包括一第三级放大器，该第三级放大器串接于该第二级放大器，以形成该串级放大器电路，其中该放大电路为一功率放大电路，该第一级放大器为一第一级驱动放大器，该第二级放大器为一第二级驱动放大器，且该第三级放大器为一第三级功率放大器。
3.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括一偏压电路，该偏压电路至少包括一第一偏压电阻，该第一偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第一端，且该第一偏压电阻的另一端耦接于该第一控制端。
4.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为双极性接面晶体管，于该第一控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区，该第一晶体管截止，使得该放大电路操作于一非线性模式；或该第一晶体管为金氧半场效晶体管，于该第一控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区，该第一晶体管截止，使得该放大电路操作于一非线性模式。
5.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为双极性接面晶体管，于该第一控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的激活区，该第一晶体管导通，使得该放大电路操作于一线性区模式；或该第一晶体管为金氧半场效晶体管，于该第一控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的饱和区，该第一晶体管导通，使得该放大电路操作于一线性区模式。
6.如权利要求3所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括一第二偏压电阻，该第二偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第二端，且该第二偏压电阻的另一端耦接一参考电位。
7.如权利要求3所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括一第二晶体管、一第三晶体管、一第一电阻、一第一电容与一第二电容；
其中，该第一电容耦接于该第一晶体管的第一端与该第一级放大器的该输入端之间，该第二电容耦接于该第一晶体管的第二端与该第一级放大器的该输出端之间，该第二晶体管与该第三晶体管的第一端相耦接，该第二晶体管的第三端通过该第一电阻耦接于该第一偏压电阻与该第一控制端之间，该第三晶体管的第三端耦接于该第一晶体管的第二端与该第二电容之间，该第二晶体管的第一端与第三端相耦接，且该第二晶体管与该第三晶体管的第二端均耦接一参考电位。
8.如权利要求7所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括一第四晶体管，该第四晶体管的第一端与第三端相耦接并通过该第一电阻耦接于该第一偏压电阻与该第一控制端之间，且该第四晶体管的第二端耦接于该第二晶体管的第一端与第三端。
9.如权利要求3所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括：
一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一第一电容与一第二电容，其中该第一电容耦接于该第一晶体管的第一端与该第一级放大器的该输入端之间，该第二电容耦接于该第一晶体管的第二端与该第一级放大器的该输出端之间，该第二晶体管与该第三晶体管的第一端相耦接，该第三晶体管的第三端耦接于该第一晶体管的第二端与该第二电容之间，且该第二晶体管与该第三晶体管的第二端均耦接一参考电位；该第四晶体管的第一端通过该第一偏压电阻耦接于该第一晶体管的第一端与该第一电容，该第四晶体管的第二端耦接于该第二晶体管的第三端，且该第四晶体管的第三端耦接至该第二晶体管的第一端；该第五晶体管的第一端与第三端相耦接并耦接至该第四晶体管的第一端；
其中该第四晶体管的第三端耦接于该第一控制端，该第五晶体管的第三端耦接于一第二控制端，以分别地由该第一控制端接收该第一控制电压以及由该第二控制端接收一第二控制电压。
10.如权利要求9所述的放大电路，其特征在于：其中该第一控制端与该第二控制端为同一控制端。
11.如权利要求9所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管为复数个双极性接面晶体管，且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第一端为基极，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第二端为射极，以及该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第三端为集极。
12.如权利要求9所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管为复数个金氧半场效晶体管，且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第一端为栅极，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第二端为源极，以及该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管与该第五晶体管的第三端为漏极。
13.一种放大电路，其特征在于：所述放大电路包括：
一放大器，该放大器具有一输入端与一输出端；以及
一旁路电路，该旁路电路包括一第一晶体管，其中该第一晶体管的第一端是该第一晶体管的基极或栅极，该第一晶体管的第一端耦接于该放大器的该输入端，该第一晶体管的第二端耦接于该放大器的该输出端，该第一晶体管的第三端耦接于一电源电压；
其中，该第一晶体管的第一端还耦接于一控制端，以由该控制端接收一控制电压来控制该第一晶体管的一工作偏压，以控制该第一晶体管于截止与导通之间切换，以切换该放大电路的一不同操作模式。
14.如权利要求13所述的放大电路，其特征在于：其中该放大电路为一功率放大电路，该放大器为一驱动放大器，且该旁路电路还包括一偏压电路，该偏压电路至少包括一第一偏压电阻，该第一偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第一端，且该第一偏压电阻的另一端耦接于该控制端。
15.如权利要求13所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为双极性接面晶体管，于该控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区，该第一晶体管截止，使得该放大器的该输入端所接收的一信号经由该放大器调变后由该放大器的该输出端输出；或该第一晶体管为金氧半场效晶体管，于该控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区，该第一晶体管截止，使得该放大器的该输入端所接收的一信号经由该放大器调变后由该放大器的该输出端输出。
16.如权利要求13所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为双极性接面晶体管，于该控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的激活区，该第一晶体管导通，使得该放大器的该输入端所接收的一信号直接地通过该旁路电路输出至该放大器的该输出端；或该第一晶体管为金氧半场效晶体管，于该控制电压的控制下，当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的饱和区，该第一晶体管导通，使得该放大器的该输入端所接收的一信号直接地通过该旁路电路输出至该放大器的该输出端。
17.如权利要求14所述的放大电路，其特征在于：其中该旁路电路还包括一第二偏压电阻，该第二偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第二端，且该第二偏压电阻的另一端耦接一参考电位。
18.如权利要求13至17中任一所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为一双极性接面晶体管，且该第一晶体管的第一端为基极、该第一晶体管的第二端为射极，以及该第一晶体管的第三端为集极。
19.如权利要求13至17中任一所述的放大电路，其特征在于：其中该第一晶体管为一金氧半场效晶体管，且该第一晶体管的第一端为栅极、该第一晶体管的第二端为源极，以及该第一晶体管的第三端为漏极。
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