CN108260361A - 发光元件和具有发光元件的照明装置 - Google Patents

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Abstract

根据实施例，公开了一种发光器件。公开的发光器件包括：基板，具有主体以及位于主体上的第一引线电极和第二引线电极；发光芯片，配置在第二引线电极上并且电连接至第一引线电极和第二引线电极；荧光体膜，配置在发光芯片上；反射元件，分别配置在发光芯片和荧光体膜的外围；以及光学透镜，配置在荧光体膜和反射元件上，并且具有透镜部，透镜部具有非球面形状。

Description

发光元件和具有发光元件的照明装置
技术领域
本发明涉及一种发光器件和具有发光器件的照明装置。
背景技术
发光器件可以例如具有发光二极管。发光二极管是一种将电能转换为光的半导体器件，发光二极管作为替代传统荧光灯和辉光灯的下一代光源而得到关注。
由于发光二极管通过使用半导体器件产生光，因而与通过加热钨产生光的辉光灯或者通过促使通过高电压放电产生的紫外线与荧光体物质碰撞产生光的荧光灯相比，发光二极管可以表现出显着低的功耗。
另外，由于发光二极管通过使用半导体器件的位势差来产生光，因而与常规光源相比，发光二极管表现出更长的寿命、更快的响应特性以及更加环保的特点。
在这点上，关于用发光二极管替代传统光源，进行了各种调查和研究。发光二极管越来越多地用作照明装置的光源，照明装置诸如为室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标识牌和路灯。
发明内容
技术问题
实施例提供了一种发光器件，其中反射元件围绕发光芯片布置。
实施例提供了一种发光器件，其中荧光体膜布置在发光芯片上，反射元件围绕荧光体膜布置。
实施例提供了一种发光器件，其中具有非球面透镜部的光学透镜布置在发光芯片上。
实施例提供了一种发光器件，该发光器件具有位于发光芯片/荧光体膜上的非球面透镜部，发光芯片/荧光体膜布置在陶瓷基板上。
技术方案
根据一实施例的发光器件包括：基板，包括主体，并具有位于主体上的第一引线电极和第二引线电极；发光芯片，布置在第二引线电极上并且电连接至第一引线电极和第二引线电极；荧光体膜，布置在发光芯片上；反射元件，围绕发光芯片和荧光体膜的外侧布置；以及光学透镜，包括非球面形状的透镜部并布置在荧光体膜和反射元件上。
根据一实施例，荧光体膜的外侧可以布置得比发光芯片的侧表面更靠外。
根据一实施例，反射元件可以包括树脂材料，并且具有布置在荧光体膜与基板之间的第一反射部以及布置在荧光体膜的侧表面上的第二反射部。
根据一实施例，发光器件还可以包括布置在发光芯片与第二引线电极之间并将发光芯片连接至第二引线电极的导电粘合剂，发光芯片可以包括发光结构和布置在发光结构外部的焊盘，并且反射元件可以具有布置在发光结构与发光芯片的焊盘之间的第三反射部。
根据一实施例，反射元件的第三反射部可以与焊盘以及连接至焊盘的导线的一部分接触。
根据一实施例，反射元件、荧光体膜和发光芯片之间的区域可以不存在空隙。
根据一实施例，光学透镜可以具有布置在基板上并从透镜部延伸的缓冲部，并且缓冲部可以延伸到与主体接触的第一引线电极和第二引线电极的外部。缓冲部的顶面可以低于发光芯片的顶面。
根据一实施例，反射元件的一部分可以布置在第一引线电极与第二引线电极之间的间隙部中，并且可以比布置在第二引线电极的顶面的反射元件的轮廓延伸得更靠近基板的边。
根据一实施例，光学透镜的透镜部可以具有与发光芯片竖直重叠的第一区域以及与反射元件竖直重叠的第二区域。第一区域可以具有沿与发光芯片的顶面平行的方向倾斜的弯曲表面，第二区域可以具有沿与发光芯片的顶面垂直的方向倾斜的弯曲表面。
根据一实施例，主体可以包括陶瓷材料并且具有与发光芯片竖直重叠的散热框架以及位于主体的底面上的与第一引线电极和第二引线电极连接的第一引线框和第二引线框，散热框架沿第一轴方向的宽度可以是第一引线电极和第二引线电极沿第一轴方向的宽度的两倍或更多倍，并且散热框架沿第二轴方向的长度可以与第一引线电极和第二引线电极沿第二轴方向的长度相同，并且小于主体沿第二轴方向的长度。
根据一实施例，发光器件还可以包括：第一连接电极，将第一引线电极和第一引线框彼此连接；以及第二连接电极，将第二引线电极和第二引线框彼此连接，其中将第一引线电极和第二引线电极彼此连接的直线可以布置在发光芯片的中心部，并且第一连接电极与第二连接电极之间的间隙可以大于反射元件沿第一轴方向的底面的长度。第一引线框可以具有朝向主体的第一侧突出的第一突起，第二引线框可以具有朝向主体的第二侧突出的第二突起，并且第一突起和第二突起可以沿相反的方向突出并且与第一连接电极和第二连接电极竖直重叠。
根据实施例，第二引线电极的面积可以大于第一引线电极的面积，散热框架可以与第一引线电极和第二引线电极竖直(或垂直)重叠(或者在竖直方向上重叠)，并且散热框架与第二引线电极的重叠面积可以大于散热框架与第一引线电极的重叠面积。
根据一实施例，第一引线电极可以具有沿第二轴方向延伸到靠近发光芯片的中心部的区域，并且包括布置在第一引线电极的延伸部上的保护芯片以及将保护芯片连接至第一引线电极的导线，保护芯片可以沿第二轴方向布置在与发光芯片的中心部相同的线上。
根据一实施例，光学透镜的厚度可以在基板的底面与透镜的顶点之间的间隙的60％至65％的范围内。
根据一实施例，主体可以具有使第一引线电极和第二引线电极开放的边区域，并且边区域可以沿第一轴方向和第二轴方向围绕主体的边限定。边区域的宽度可以小于第一引线电极与第二引线电极之间的间隙，并且第一引线电极可以具有布置在主体的角部分处并连接至边区域的极性标记。
根据一实施例，光学透镜的材料可以进一步布置在反射元件与荧光体膜之间。
有益效果
实施例可以提供具有非球面透镜的发光器件。
根据一实施例，可以通过非球面光学透镜来提高光通量。
根据一实施例，可以通过非球面光学透镜消除颜色分离现象。
根据一实施例，可以改善发光器件的视角。
根据实施例的发光器件可以通过围绕发光芯片布置反射元件来提高光提取效率。
根据实施例的发光器件可以通过使用非球面透镜和反射元件来改善光视角。
根据实施例的发光器件提高了可靠性。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的平面图。
图2是沿着图1的发光器件的线A-A获取的横截面图。
图3是图1的部分A的放大图。
图4是沿着图1的发光器件的线B-B获取的横截面图。
图5是示出图1的发光器件的示例性视图，该发光器件去除了光学透镜并且围绕发光芯片布置有反射元件。
图6是沿着图5的线C-C获取的横截面图。
图7是图1的发光器件的示例性后视图。
图8是示出根据实施例的发光器件的光路的视图。
图9是示出根据实施例的发光器件的另一个示例性后视图。
图10是根据实施例的发光器件的发光芯片的示例性视图。
图11是根据实施例的发光器件的视角的视图。
图12是示出根据实施例的具有发光器件的照明装置的视图。
具体实施方式
下文参考附图详细描述本发明的实施例，以使本领域技术人员容易地再现本发明。然而，本发明可以以各种形式实现，但不限于以下实施例。
在以下描述中，当预定部件“包括”预定组件时，该预定部件不排除其他组件，而是还可以包括其他组件，除非另有说明。在实施例的描述中，应当理解的是，当一个层、膜、区域或板被称为在另一个层、另一个膜、另一个区域或另一个板“上”时，其可以“直接”或“间接”在另一个层、另一个膜、另一个区域、另一个板上，或者也可以存在一个或多个介于中间的层。同时，当一个层、膜、区域或板被称为“直接”在另一个层、另一个膜、另一个区域或另一个板上时，不存在介于中间的层。
下文参考图1至图7描述根据本发明的实施例的发光器件。
图1是根据实施例的发光器件的平面图，图2是沿着图1的发光器件的线A-A获取的横截面图，图3是图1的部分A的放大图，图4是沿着图1的发光器件的线B-B获取的横截面图，图5是示出图1的发光器件的示例性视图，该发光器件去除了光学透镜并且围绕发光芯片布置有反射元件，图6是沿着图5的线C-C获取的横截面图，图7是图1的发光器件的示例性后视图。
参照图1至图7，发光器件200包括：基板201；发光芯片101，布置在基板201上；荧光体膜180，布置在发光芯片101上；反射元件250，围绕发光芯片101和荧光体膜180布置；以及光学透镜260，在基板201上具有非球面透镜部261。
基板201包括主体210以及布置在主体210的顶面上的多个引线电极221和231。主体210包括绝缘材料，例如，陶瓷材料。陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)。主体210的材料可以是金属化合物，例如，Al2O3或AlN，并且优选主体210可以包含氮化铝AlN或氧化铝Al2O3或者可以包含导热系数为140W/mK或更高的金属氧化物。
又例如，主体210可以由树脂基的绝缘材料制成，例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)等树脂。主体210可以由硅、环氧树脂、或包括塑料的热固性树脂、或高耐热和高防晒材料制成。又例如，酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光反射材料、无机填料、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂以及二氧化钛可以被选择添加到主体210。主体210可以由从环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂以及聚氨酯树脂所构成的组中选择的至少之一制成。例如，通过将DBU(1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一烯-7)作为固化催化剂以及将乙二醇、氧化钛涂料和玻璃纤维作为助催化剂添加至环氧树脂，并且通过加热部分固化由异氰尿酸三缩水甘油酯、氢化双酚A二缩水甘油醚等组成的环氧树脂、由六氢化邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢化邻苯二甲酸酐、4-甲基六氢化邻苯二甲酸酐等组成的酸酐等，可以使用b阶固态环氧树脂复合物，本发明不限于此。
主体210的厚度T2可以为1mm或更小，例如，可以处于0.45mm至0.55mm的范围。主体210的厚度T2可以是发光器件200的厚度的40％或更少，例如，可以处于25％至32％的范围，并且可以支撑发光器件200。主体210的厚度T2可以是光学透镜260的高度H1的50％或更小。当主体210的厚度T2小于该范围时，散热效率降低并且发光器件不能得到支撑，而当厚度T2大于该范围时，散热效率的改善非常小，并且基板201的厚度T1增加。
基板201沿第一轴X的方向的长度D2可以与沿第二轴Y的方向的长度D1相同或不同。基板201的长度D1和D2可以为3mm或更大，例如，可以在3mm至4mm的范围内。当长度D1和D2小于该范围时，从面积较大的发光芯片101发射的光的提取效率可能降低，而当长度D1和D2大于该范围时，可能会浪费材料。基板201沿轴的长度D1和D2大于发光器件200的厚度，因此发光器件200可以得到稳定支撑。关于基板201上的发光芯片101的尺寸，一边的长度可以为0.8mm或更大，例如，可以在0.8～1.2mm×0.8～1.2mm的范围内。基板201的长度D1和D2可以取决于发光芯片101的尺寸，但不限于此。
参照图1和图2，基板201的主体210上的引线电极221和231例如包括第一引线电极221和第二引线电极231。第一引线电极221和第二引线电极231可以彼此电分离，并且电连接至发光芯片101。例如，通过粘合剂190接合至第二电极231的顶面以及经由导线103连接至第一电极221，发光芯片101可以电连接至引线电极。第二引线电极231的顶面的面积大于第一引线电极221的顶面的面积，因此来自发光芯片101的热量可以被耗散或传导到主体210。粘合剂190可以是将发光芯片101和第二引线电极231彼此电连接的导电材料。
发光芯片101可以布置在基板201的顶面的中心区域处，并且第二引线电极231可以布置在中心区域处或者可以延伸到主体210的顶面的中心区域。
如图1所示，极性标记225可以布置在第一引线电极221和第二引线电极231中的任何一个上，例如，可以布置在第一引线电极221上。极性标记225可以布置在第一引线电极221的角区域以将该角区域与其他角区域区分开。极性标记225可以是阳极标记或阴极标记。极性标记225可以连接到与主体210的角相邻的边区域，并且第一引线电极221可以是开放的。
第一引线电极221的边和第二引线电极231的边可以与主体210的边间隔开。在主体210的顶面的边区域212中，第一引线电极221和第二引线电极231可以是开放的。边区域212可以被限定为围绕第一引线电极221和第二引线电极231。主体210的边区域212可以限定在主体210的边与第一引线电极221和第二引线电极231的边之间，而在Z轴方向上不与第一引线电极221和第二引线电极231重叠。边区域212可以由沿着主体210的边的X方向区域、Y方向区域和X-Y轴交叉区域构成。
参照图5，主体210的顶面通过第一引线电极221和第二引线电极231之间的间隙部214暴露，并且第一引线电极221和第二引线电极231通过间隙部214电分离。间隙部214的宽度W1或者第一引线221与第二引线231之间的间隙可以大于主体210的边与第一引线电极221的边之间的间隙W2或主体210的边与第二引线电极231的边之间的间隙W3。间隙W2和W3可以是边区域212的宽度。第一引线221与第二引线231之间的间隙可以是间隙部的宽度。
参照图5和图7，基板可以包括位于主体210中的多个连接电极229和239以及位于主体210的底面上的多个引线框283和285。连接电极229和239可以包括连接到第一引线电极221的至少一个第一连接电极229和连接到第二引线电极231的至少一个第二连接电极239。引线框283和285可以包括连接到第一连接电极229的第一引线框283和连接到第二连接电极239的第二引线框285。第一连接电极229将第一引线电极221和第一引线框283彼此连接，第二连接电极239将第二引线电极231和第二引线框285彼此连接。发光芯片101可以布置在将第一电极229和第二电极239彼此连接的直线上，因此可以减小通过第一连接电极229和第二连接电极239的电流路径之间的差异。从第一连接电极229和第二连接电极239到发光芯片101的距离可以是相同的。第一连接电极229和第二连接电极239可以布置为比发光芯片101更靠近基板201的边。第一连接电极229和第二连接电极239可以布置在连接发光芯片101的相对的边的中心和基板201的相对的边的中心的直线上。
第一引线电极221、第二引线电极231、第一引线框283和第二引线框285可以包括多种金属，例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、白金(Pt)、锡(Sn)银(At)和磷(P)，并且可以形成为多层。银(Ag)或铝(At)层形成在第一引线电极221和第二引线电极231的表面上，因此可以改善反射入射光的效率。金(Au)层形成在第一引线框283和第二引线框285上，因此可以防止由于水分引起的腐蚀并提高电可靠性。第一引线电极221、第二引线电极231、第一引线框283和第二引线框285的厚度可以在85±5μm的范围内，若厚度超出该范围，电特性和导热特性可能会劣化。第一引线电极221、第二引线电极231、第一引线框283和第二引线框285可以具有相同的厚度。第一连接电极229和第二连接电极239可以由与第一引线电极221相同的材料制成，但是不限于此。第一连接电极229与第二连接电极239之间的直线距离可以是基板201的一个边的长度D2的1/2或更大，但不限于此。第一连接电极229与第二连接电极239之间的间隙可以大于发光芯片101的一个边的长度并且可以大于反射元件260的底面的X方向长度。
参照图7，基板201可以具有位于底面的散热框架281。散热框架281的厚度可以与第一引线框283和第二引线框285的厚度相同，并且散热框架281的的面积可以大于第一引线框283和第二引线框285的面积。散热框架281可以与第一引线框283和第二引线框285电分离。散热框架281可以被布置为与发光芯片101竖直重叠。散热框架281可以布置在第一引线框283与第二引线框285之间以能够传导来自发光芯片101的热量。散热框架281的底面的面积可以是第一引线框283和第二引线框285的底面的面积的两倍或更多倍。散热框架281可以与第一引线框283和第二引线框285平行布置。
如图7所示，相邻第二引线框285的极性标记281A可以形成在散热框架281的一部分处，但是不限于此。散热框架281可以沿垂直方向Z与第一引线电极221和第二引线电极231重叠，其中沿Z轴方向与第二引线电极231重叠的面积的比例可以大于沿Z轴方向与第一引线电极221重叠的面积的比例。因此，散热框架281和第二引线电极231可以有效地消散来自发光芯片101的热量。
散热框架281的宽度B1可以大于第一引线框283或第二引线框285的X方向宽度B2，并且与第一引线框283或第二引线框285的X方向距离B3可以大于第一引线框283和第二引线框285的宽度B2。散热框架281以及第一引线框283和第二引线框285可以通过诸如焊料等粘合剂接合至电路板。散热框架281以及第一引线框283和第二引线框285的Y方向长度可以相同并且可以是长度D1的90％或更大。
图9示出了基板的底面的另一个示例。参照图9，第一引线框283具有朝向主体的第一边突出的第一突起283A，第二引线框285具有朝向主体的第二边突出的第二突起285A，并且第一突起283A和第二突起285A可以沿相反的方向突出并且可以暴露于基板201的边，但是不限于此。第一突起283A和第二突起285A可以在Z轴方向上与第一连接电极229和第二连接电极239重叠，因此两个不同电极可以在经过发光芯片的中心部的直线上彼此间隔开最大距离。
参照图2至图6，发光芯片101可以布置在第一引线电极221和第二引线电极231中的至少之一上，例如，可以布置在第二引线电极231上。发光芯片101可以通过导电粘合剂190电连接到第二引线电极231。粘合剂190可以布置在发光芯片101的底面上，并且粘合剂的一部分195可以沿着发光芯片101的边布置。粘合剂190的一部分195可以高于发光芯片101的底面，从而可以增加接触面积。粘合剂190的一部分195的表面可以与反射元件250接触。又例如，发光芯片101可以以倒装芯片类型布置在第一引线电极221和第二引线电极231上，但不限于此。
发光芯片101是光源，并且选择性地发出从紫外线到可视光线波段内的光。发光芯片101包括UV LED芯片、绿色LED芯片、块(蓝色)LED芯片、红色LED芯片或红外LED芯片。发光芯片101具有的厚度可以为30μm或更大，例如，可以在50μm至180μm的范围内。对于发光芯片101的尺寸，一边可以是至少0.5mm或更大，例如，可以是0.8mm或更大。取决于发光芯片101是水平芯片还是垂直芯片，发光芯片101的厚度可以改变，在该实施例中，发光芯片101是垂直芯片。垂直芯片的厚度可以取决于发光芯片101的尺寸，例如，当一芯片超出该范围时，该芯片具有较大的面积，例如，其一个尺寸为1mm或更大，散热效率的改善可能非常小或者芯片可能会弯曲。当从上面看去时，发光芯片101可以是多边形，例如，规则的正方形或矩形。当从上方看时，发光芯片101可以具有另一种多边形形状或圆形，但不限于此。
保护芯片105可以布置在第一引线电极221上。第一引线电极221具有延伸部(图5中的223)，该延伸部在与发光芯片101的中心部相邻的区域外沿第二轴方向延长，并且保护芯片105可以布置在延伸部223上。保护芯片105和发光芯片101可以布置在不同的引线电极221和231上。保护芯片105可以布置在沿第二轴方向穿过中心部的Y方向直线上。穿过发光芯片101的中心的Y方向直线可以垂直于穿过第一连接电极229和第二连接电极239的X方向直线。保护芯片105可以接合到第一引线电极221并且可以通过导线107连接到第二引线电极231。保护芯片105可以由晶闸管、齐纳二极管或瞬态电压抑制(TVS)来实现。保护芯片105保护发光芯片101免受静电放电(ESD)影响。
如图3所示，荧光体膜180可以布置在发光芯片101上。荧光体膜180具有的面积可以大于发光芯片101的顶面的面积。荧光体膜180的底面的面积可以大于发光芯片101的顶面的面积。荧光体膜180的X方向长度和Y方向长度可以大于发光芯片101的X方向长度和Y方向长度。荧光体膜180的外侧边181可以比发光芯片101的边向外进一步突出预定距离E1。由于荧光体膜180的外侧边181比发光芯片101的顶面进一步向外突出，因此可以接收从发光芯片101的顶面区域出来的均匀的光。外侧边181的长度E1可以是5μm或更大，例如，可以处于5μm至15μm的范围。顶面的面积可以大于荧光体膜180中的底面的面积，但是不限于此。反射元件250可以与荧光体膜180的外边181的底面接触。又例如，透光材料布置在荧光体膜180的外侧边与反射元件250之间，使得可以减少荧光体膜180与反射元件250之间的界面处的光损失。透光材料可以是透镜的主体。
荧光体膜180吸收从发光芯片101发出的一些光并将光的波长改变为另一种光的波长。荧光体膜180通过将荧光体添加到诸如硅或环氧树脂等透光树脂而形成，并且荧光体可以包括黄色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体和红色荧光体中的至少之一。例如，荧光体可以是选自以下各项的至少任何一种或多种：通常由诸如Eu和Ce等镧系元素活化的氮化物系荧光体、氮氧化物系荧光体、赛隆系(sialon-based)荧光体、碱土卤素磷灰石荧光体、碱土金属硼酸卤素荧光体、碱土金属铝酸盐荧光体、通常由诸如Eu等镧系元素和诸如Mu等过渡金属系元素激活的碱土硅酸盐、碱土硫化物、碱土硫代镓酸盐、碱土氮化硅和锗盐、或通常由诸如Ce等镧系元素活化的碱土铝酸盐和碱土硅酸盐、或者通常由诸如Eu等镧系元素活化的有机体和有机配体。作为详细的例子，可以使用这些荧光体，但是本发明不限于此。
从荧光体膜180发出的光和从发光芯片101发出的光可以混合颜色，由此它们可以作为白光发射。白光可以具有暖白色、冷白色和中性白色中的至少一种色温。
荧光体膜180可以比发光芯片101薄。荧光体膜180可以形成为具有100μm或更小的厚度，并且当厚度大于该值时，波长转换效率的提高非常小。
因为荧光体膜180被设置为膜类型，所以顶面和底面可以是水平平坦表面，并且可以防止荧光体膜180的外侧边181下垂。
反射元件250可以围绕发光芯片101布置。反射元件250通过将金属氧化物添加到树脂材料而形成。树脂材料包括硅或环氧树脂，并且金属氧化物(其为一种折射率比树脂材料高的材料)例如可以包括Al2O3、TiO2和SiO2中的至少之一。在反射元件250中，金属氧化物为5wt％或更大，例如，处于5～30wt％的范围。对于从发光芯片101发出的光，反射元件250可以具有90％或更高的反射率。
反射元件250可以围绕荧光体膜180布置。反射元件250可以与发光芯片101的边以及荧光体膜180的边接触。反射元件250包括布置在荧光体膜180与基板201之间的第一反射部251以及布置在荧光体膜180的边上的第二反射部252。第一反射部251沿着发光芯片101的边布置，并且可以布置得比荧光体膜180的外侧边更靠里。第二反射元件252可以沿着荧光体膜180的边布置，并且可以布置为比发光芯片101的顶面高。第二反射元件252可以随着接近荧光体膜180的顶面而变薄。又例如，透明材料可以布置在反射元件250和发光芯片101之间。透明材料可以防止从发光芯片101的边发出的光在发光芯片101与反射元件250之间损失，并且光可以向上反射。
反射元件250的上端可以与荧光体膜180的顶面齐平或低于荧光体膜180的顶面。反射元件250的第二反射部252可以反射从荧光体膜180的边发出的光。
当反射元件250围绕发光芯片101配置时，反射元件250可以通过毛细管作用延伸到荧光体膜180的边。因此，不存在空隙，该空隙为反射元件250、发光芯片101和荧光体膜180之间的区域，因此反射元件250、发光芯片101和荧光体膜180之间的区域的接合力可以增加。
如图2和图4所示，反射元件250可以布置在第二引线电极231的顶面。反射元件250的一部分253可以布置在第一引线电极221与第二引线电极231之间的间隙部214中。布置在间隙部214中的反射元件250的一部分253与主体210的顶面接触，因此该部分253可以阻挡水分渗入间隙部214。
布置在间隙部214中的反射元件250的部分253可以比布置在第二引线电极231的顶面的反射元件250的轮廓延伸得更靠近基板201的边。
反射元件250的表面可以提供弯曲表面，并且弯曲表面可以反射行进到该表面的光，如图8所示。布置在间隙部214中的反射元件250的部分253可以在Y轴方向上比光学透镜260的透镜部261更向外延伸。
参照图6，反射元件250的第三反射部252A可以布置在发光芯片101的焊盘25与发光结构10之间的区域中。反射元件250的第三反射部252A可以防止从发光结构10发出的光被焊盘25吸收。由于反射元件250的第三反射部252A布置在焊盘25与发光结构10之间的区域中，因而第三反射部252A可以支撑或保护焊盘25。第三反射部252A支撑连接到焊盘25的导线103的接合部，因此第三反射部252A可以防止导线103切割。第三反射部252A可以覆盖焊盘25并可以与导线103的一部分接触。
参照图1至图5，光学透镜260可以包括位于基板201上的非球面透镜形状。光学透镜260可以在发光芯片101和荧光体膜180上布置为弯曲形状，例如，非球面透镜形状。
光学透镜260可以与荧光体膜180的顶面接触并且可以延伸到反射元件250的顶面。光学透镜260可以延伸到围绕反射元件250布置的第一引线电极221和第二引线电极231的顶面以及主体210的顶面。
光学透镜260可以由诸如硅或环氧树脂等透明树脂制成。又例如，光学透镜260可以由玻璃或透明塑料制成。
光学透镜260具有透镜部261和缓冲部265，透镜部261布置在发光芯片101和荧光体膜180上并且具有非球面透镜形状。透镜部261可以在Z轴方向上与发光芯片101和荧光体膜180重叠。透镜部261可以在中心部处突出并且可以围绕中心部具有平滑的弯曲表面。根据一个实施例，非球面透镜部261设置为使得其可以具有比半球透镜的视角宽的视角。非球面透镜部261与将半球面透镜设置为平面形状的结构不同，因此可以减少光通量。透镜的高度可以通过非球面透镜部261减小。透镜部261的高度H1可以是1.4mm或更小，例如，可以处于1.2±0.1mm的范围，而当透镜部261的高度H1在该范围之外时，发光器件200的厚度可能增加，而当高度H1小于该范围时，光提取效率可能会降低。透镜部261的高度H1是基板201的顶面与透镜部261的顶点之间的间隙。具有非球面形状的光学透镜260的厚度是透镜部261的高度，并且可以是发光器件200的厚度的65％或更小，例如，可以处于60％～65％的范围。发光器件200的厚度是基板201的底面与透镜部261的顶点之间的间隙。
由于光学透镜260的透镜部261是非球面透镜，因而光学透镜260的厚度H1和体积可以减小。由于围绕光学透镜260的中心262的区域(即围绕顶点的区域)是平滑的弯曲表面，因而可以设置为反射入射光的全反射面。因此，光学透镜260可以改善光通量并且可以防止显示出从发光芯片101发出的颜色(例如，蓝色光环)的现象，由此可以改善颜色分离现象。
光学透镜260的缓冲部265可以围绕发光芯片101布置并且具有平坦的顶面。光学透镜260的缓冲部265可以围绕发光芯片101的第一引线电极221和第二引线电极231之外延伸。缓冲部265可以在没有形成第一引线电极221和第二引线电极231的区域中与主体210的顶面接触。缓冲部265的外边可以是与主体210的边相同的垂直表面，但不限于此。缓冲部265可以围绕主体210的外侧边形成，因此缓冲部265可以防止水分的渗入。由于反射元件250布置在发光芯片101的边上，因而光学透镜260的缓冲部265可以布置为低于发光芯片101的顶面的水平直线X1。由于光不从发光芯片101的边发出，因而缓冲部265的厚度T3可能较小。缓冲部265的厚度T3可以是0.2mm或更小，例如，可以处于0.08mm至0.14mm的范围。缓冲部265的厚度T3可以是主体210的顶面与缓冲部265的顶面之间的间隙。
光学透镜260的透镜部261与缓冲部265之间的弯曲表面(图4中的R1)可以具有处于0.2±0.02mm范围的曲率半径。透镜部261与缓冲部265之间的曲率半径的中心可以布置在缓冲部265上。光学透镜260的透镜部261和缓冲部265之间的弯曲表面可以布置在与发光芯片101和荧光体膜180之间的边界线平行的直线X2上。
参照图2和图8，光学透镜260可以具有与发光芯片101垂直重叠的第一区域A1以及与反射元件250垂直重叠的第二区域A2。第一区域A1是围绕透镜部261的中心262的平滑弯曲表面并且可以传输或反射入射光。第二区域A2是从第一区域A1延伸到靠近第一引线电极221和第二引线电极231的位置的陡峭弯曲区域，并且传输或反射入射光。第一区域A1和第二区域A2可以被设置为入射光的反射表面。第一区域A1可以是在发光芯片101的顶面上方的水平平滑弯曲表面，第二区域A2可以是沿光轴方向Z2或与发光芯片101的顶面垂直的方向倾斜的弯曲表面。
从光学透镜260的第一区域A1和第二区域A2反射的光行进到反射元件250，所以光的行进路径改变。因此，从光学透镜260发出的光可以被扩散并且提供有均匀的光分布。因此，由于光学透镜260提供非球面透镜部261，因而透镜高度减小并且发出的光被扩散，所以可以减少颜色分离现象。
参照图8，光学透镜260使用非球面透镜部261将经过发光芯片101和荧光体膜180的入射光朝向反射元件250反射。此外，行进到反射元件250的光可以通过透镜部261的第二区域A2反射到外部。因此，从光学透镜260射出的光能够均匀地行进。此外，通过增加光学透镜260的非球面透镜部261侧向反射的光的量，可以解决从光学透镜260发出的光形成的色环引起的问题。
具有光学透镜260的发光器件的视角可以是125度或更大，例如，可以处于125度至135度的范围，所以光的方向特性可以得到改善。另外，由于发光器件围绕发光芯片101包括反射元件250，因而光通量可以得到改善。
图11示出根据实施例的发光器件的样本，其中当该发光器件是暖白色时，视角可以是133度，而当该发光器件是冷白色时，视角可以是128度。暖白色发光器件和冷白色发光器件的视角的差异可以取决于光学透镜的高度。因此，对于暖白色，通过将光学透镜的高度(图2中的H1)减小到例如50μm至80μm，可以增加发光器件的光视角。由于非球面光学透镜的高度，发光器件可以提供与色温对应的光视角特性。
图10是根据该实施例的发光芯片的示例。
参照图10，发光芯片100和101可以包括具有多个半导体层11、12和13的发光结构；第一电极层20，位于发光结构10下面；第二电极层50，位于第一电极层20下面；绝缘层41，位于第一电极层20与第二电极层50之间；以及焊盘25。
发光结构10可以包括第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。有源层12可以布置在第一半导体层11与第二半导体层13之间。有源层12可以设置在第一半导体层11下面，并且第二半导体层13可以设置在有源层12下面。
例如，第一半导体层11可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(例如，n型掺杂剂)的n型半导体层，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(例如，p型掺杂剂)的p型半导体层。另外，第一半导体层11可以包括p型半导体，第二半导体层13可以包括n型半导体层。
粗糙不平坦部件11A可以形成在第一半导体层11的顶面上。凹凸部件11A可以提高光提取效率。不平坦表面11A的侧面横截面图可以具有多边形或半球形。
第一电极层20布置在发光结构10与第二电极层50之间，与发光结构10的第二半导体层13电连接并且与第二电极层50电绝缘。第一电极层20包括第一接触层15、反射层17和覆盖层19。第一接触层15布置在反射层17与第二半导体层13之间，反射层布置在第一接触层15与覆盖层19之间。第一接触层15、反射层17和覆盖层19可以由相互导电的材料形成，但是实施例不限于此。
第一接触层15可以与第二半导体层13接触，例如，可以与第二半导体层13欧姆接触。第一接触层15可以由例如导电氧化物层、导电氮化物或金属形成。例如，第一接触层15可以包括ITO(氧化铟锡)、ITON(ITO氮化物)、IZO(氧化铟锌)、IZON(IZO氮化物)、AZO(氧化铝锌)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag和Ti中的至少之一。
反射层17可以与第一接触层15和覆盖层19电连接。反射层17反射从发光结构10入射到其中的光以增加将被提取到外部的光的量。
反射层17可以由光反射率为至少70％的金属形成。例如，反射层17可以由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少之一的金属或其合金形成。另外，反射层17可以使用金属或其合金以及ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(氧化铝锌)或ATO(氧化锑锡)的透光材料形成为多层。例如，根据该实施例，反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金中的至少之一。例如，反射层17可以通过交替布置Ag层和Ni层来形成，并且可以包括Ni/Ag/Ni、Ti层或Pt层。根据另一个示例，第一接触层15可以形成在反射层17下方，并且第一接触层15的至少一部分穿过第一反射层17以与第二半导体层13接触。根据另一个示例，反射层17可以设置在第一接触层15下方，并且反射层17的一部分可以通过第一粘合层15与第二半导体层13接触。
根据实施例的发光器件包括设置在反射层17下方的覆盖层19。覆盖层19与反射层17的底面接触，并且接触部件34耦接到焊盘25以用作传递从焊盘25供应的电力的导线层。覆盖层19可以由金属形成。例如，覆盖层19可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少之一。
覆盖层19的接触部件34设置在未与发光结构10竖直重叠而是与焊盘25垂直重叠的区域处。覆盖层19的接触部件34设置在未与第一接触层15和反射层17竖直重叠的区域处。覆盖层19的接触部件34可以设置得低于发光结构10，并且可以与焊盘25直接接触。
焊盘25可以形成为单层或多层。在单层的情况下，焊盘25可以包括Au。在多层的情况下，焊盘25可以包括Ti、Ag、Cu和Au中的至少两种。在该＝多层的情况下，焊盘25可以是Ti/Ag/Cu/Au或Ti/Cu/Au的堆叠结构。反射层17和第一接触层15中的至少之一可以与焊盘25直接接触，但实施例不限于此。
焊盘25可以设置在第一电极层20的外侧壁与发光结构10之间的区域A1处。保护层30和透光层45可以与焊盘25的外围部分接触。
保护层30可以设置在发光结构10的底面上，可以与第二半导体层13的底面以及第一接触层15接触，并且可以与反射层17接触。
保护层30的与发光结构10竖直重叠的内部可以与突起16的区域竖直重叠。保护层30的外部延伸到覆盖层19的接触部件34上，并与接触部件34竖直重叠。保护层30的外部可以与焊盘25接触，例如，可以设置在焊盘25的周围表面处。
保护层30的内部可以布置在发光结构10与第一电极层20之间，并且保护层30的外部可以布置在透光层45与覆盖层19之间。保护层30的外部从发光结构10的侧壁延伸到外部区域A1以防止水分渗透发光器件中。
保护层30可以定义为沟道层、低反射率材料或隔离层。保护层30可以用绝缘材料(例如，氧化物或氮化物)来实现。例如，保护层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN组成的组中选择的至少之一。保护层可以由透明材料形成。
根据该实施例的发光器件包括将第一电极层20与第二电极层50电绝缘的绝缘层41。绝缘层41可以布置在第一电极层20与第二电极层50之间。保护层30可以与绝缘层41的上部接触。绝缘层41可以用例如氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层41可以由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN组成的组中选择的至少之一形成。
绝缘层41可以具有在100nm至2000nm范围内的厚度。如果绝缘层41形成为具有小于100nm的厚度，则绝缘性能可能出现问题。如果绝缘层41形成为具有超过2000nm的厚度，则绝缘层41可能在后续工艺中破裂。绝缘层41可以与第一电极层20的顶面以及第二电极层50的顶面接触，并且可以形成为具有的厚度比保护层30、覆盖层19、接触层15以及反射层17中的任何一个的厚度厚。
第二电极层50可以包括设置在绝缘层41下方的防扩散层52、设置在防扩散层52下方的接合层54以及设置在接合层54下方的导电支撑元件56，并且可以与第一半导体层11电连接。另外，第二电极层50包括选自防扩散层52、接合层54和导电支撑元件56中的一个或两个，并且可以不形成扩散阻挡层52和接合层54中的至少之一。
扩散阻挡层52可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少之一。扩散阻挡层52可以用作绝缘层41与接合层54之间的扩散阻挡层。扩散阻挡层52可以与接合层54和导电支撑元件56电连接，并且与第一半导体层11电连接。
扩散阻挡层52可以在设置接合层54的过程中防止接合层54中的材料容器朝向反射层17扩散。扩散阻挡层52可以防止接合层54中包含的锡(Sn)影响反射层17。
接合层56可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层56可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少之一。导电支撑元件56可以支撑根据该实施例的发光结构10以执行散热功能。接合层54可以包括籽晶层。
导电支撑元件56可以由金属基板或载体基板中的至少一个形成。导电支撑元件56可以包括掺杂有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W和杂质(Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe)的半导体基板的至少之一。导电支撑元件56是用于支撑发光器件100的层，并且可以具有与第二电极层50的厚度的80％或更大对应的厚度(即，至少30μm的厚度)。
同时，第二接触层33设置在第一半导体层11中，并且与第一半导体层11接触。第二接触层33的顶面可以设置在第一半导体层11的底面上方，与第一半导体层11电连接，并且与有源层12和第二半导体层13绝缘。
第二接触层33可以与第二电极层50电连接。第二接触层33可以穿过第一电极层20、有源层12和第二半导体层13设置。第二接触层33设置在发光结构10的凹槽2中，并且通过保护层30与有源层12和第二半导体层13绝缘。多个第二接触层33可以彼此间隔开。
第二接触层33可以与第二电极层50的突起51连接，并且突起51可以从扩散阻挡层52突出。突起51可以穿过形成在保护层30中的41A以及绝缘层41，并且可以与第一电极层20绝缘。
第二接触层33可以包括例如Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少之一。根据另一个示例，突起51可以包括构成扩散阻挡层52和接合层54的至少一种材料，但是实施例不限于此。例如，突起51可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少之一。
焊盘25可以与第一电极层20电连接，并且暴露于发光结构10的侧壁之外的区域A1。可以设置一个或多个焊盘25。焊盘25可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少之一。
透光层45可以保护发光结构10的表面并将焊盘25与发光结构10绝缘。透光层45可以与保护层30的外围部分接触。透光层45具有的折射率可以低于构成发光结构10的半导体层材料的折射率以改善光提取效率。透光层45可以用氧化物或氮化物来实现。例如，透光层45可以由从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN组成的组中选择的至少一种形成。同时，根据设计，可以省略透光层45。根据该实施例，发光结构10可以由第一电极层20和第二电极层50驱动。
上述实施例的光源模块可以设置在诸如照明单元的照明系统中。光源模块可以在光输出区域中包括导光板、扩散片和棱镜片中的至少一个。照明系统可以是照明灯、交通信号灯、车辆前灯或广告牌。另外，根据该实施例的发光器件，荧光体膜(未示出)可以设置在发光结构10上。
照明系统
根据该实施例的发光器件可以应用于照明系统。照明系统包括配置有多个发光器件的结构。照明系统包括图12所示的照明设备，并且可以包括照明灯、信号灯、车辆前灯、电子标识牌等。
图12为示出根据实施例的具有发光器件的显示器件的分解透视图。
参照图12，根据该实施例的照明装置可以包括罩2100、光源模块2200、散热元件2400、电源部件2600、内壳2700和灯座2800。另外，根据该实施例的发光器件还可以包括元件2300和基座2500的至少之一。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装。
例如，罩2100具有灯泡形状或半球形状。罩2100可以具有空心结构，并且罩2100的一部分可以是开放的。罩2100可以光学连接至光源模块2200，并且可以与散热元件2400耦接。罩2100可以具有与散热元件2400耦接的凹部。
罩2100的内表面可以涂布有乳白色涂料充当扩散剂。从光源模块2200发出的光可以通过使用乳白色材料分散或扩散，使得光可以释放到外部。
罩2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE或PC。在这种情况下，PC表现出优异的耐光性、优异的耐热性和超高强度。罩2100可以是透明的，使得可以从外部识别出光源模块2200。另外，罩2100可以是不透明的。罩2100可以通过吹塑方案形成。
光源模块2200可以布置在散热元件2400的一个表面处。因此，从光源模块2200发出的热量被传导到散热元件2400。光源模块2200可以包括发光器件2210、连接板2230以及连接器2250。
元件2300布置在散热元件2400的顶面上，并且具有引导凹槽2310，引导凹槽2310使多个发光器件2210和连接器2250插入引导凹槽2310中。引导凹槽2310与发光器件2210的基板和连接器2250对应。
白色涂料可以施加或涂覆在元件2300的表面上。元件2300将罩2100的内表面反射并返回到光源模块2200的光朝向罩2100反射。根据本实施例的照明设备的光效率可以得到提高。
元件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热元件2400可以电连接到连接板2230。元件2300包括绝缘材料以防止连接板2230与散热元件2400之间的电短路。散热元件2400接收来自光源模块2200和电源部件2600的热量并进行散热。
基座2500阻挡布置在内壳2700中的绝缘部件2710的容纳槽2719。因此，容纳在内壳2700的绝缘部件2710中的电源部件2600被密封。基座2500具有引导突起部件2510。引导突起部件2510可以包括使电源部件2600的突起部件2610通过的孔。
电源部件2600处理并转换从外部接收的电信号并将电信号提供给光源模块2200。电源部件2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中并且通过基座2500密封在内壳2700中。内壳2700的支撑部2730支撑散热元件2400的下部。
电源部件2600可以包括突起部件2610、引导部件2630、底座2650和延伸部件2670。
引导部件2630从底座2650的一侧向外突出。引导部件2630可以插入到基座2500中。多个部件可以布置在底座2650的一个表面上。例如，这些部件包括DC转换器、用于驱动光源模块2200的驱动芯片以及用于保护光源模块2200的ESD(静电放电)保护装置，但是实施例不限于此。
延伸部件2670从底座2650的另一侧向外突出。延伸部件2670被插入到内壳2700的连接部件2750中，并且从外部接收电信号。例如，延伸部件2670可以等于或小于内壳2700的连接部件2750的宽度。延伸部件2670可以通过导线电连接至灯座2800。
模制部件可以连同电源部件2600布置在内壳2700中。模制部件通过使模制液体硬化而形成，使得电源部件2600可以固定到内壳2700中。
不应当从限制的角度来理解上述说明书，上述说明仅是为了描述示例性实施例的一般原理的目的，并且本公开的许多其它实施例是可行的。可以理解，不旨在限制本公开的范围。本公开的范围应参考权利要求书来确定。本说明书中对“一个实施例”、“一实施例”或类似言辞的提及表示结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本公开文本的至少一个实施例中。因此，在整个说明书中出现的短语“在一个实施例中”、“在一实施例中”以及类似的言辞可以不一定都指代同一实施例。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于公开的示例性实施例。本领域技术人员显而易见的是在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。可以看出，各种修改和应用是可行的。例如，可以修改和实现实施例中具体示出的每个组件。应该理解，本发明不限于上述实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出变化和修改。
工业实用性
根据实施例的发光器件可以应用于各种照明装置。
根据实施例的发光器件可以应用于室内或室外照明装置。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
基板，包括主体，并具有位于所述主体上的第一引线电极和第二引线电极；
发光芯片，布置在所述第二引线电极上并且电连接至所述第一引线电极和所述第二引线电极；
荧光体膜，布置在所述发光芯片上；
反射元件，围绕所述发光芯片和所述荧光体膜的外侧布置；以及
光学透镜，包括非球面形状的透镜部，并布置在所述荧光体膜和所述反射元件上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述荧光体膜的外侧布置得比所述发光芯片的侧表面更靠外。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述反射元件包括树脂材料，并且具有布置在所述荧光体膜与所述基板之间的第一反射部以及布置在所述荧光体膜的侧表面上的第二反射部。
4.根据权利要求3所述的发光器件，还包括：
导电粘合剂，布置在所述发光芯片与所述第二引线电极之间并将所述发光芯片连接至所述第二引线电极，
其中所述发光芯片包括发光结构和布置在所述发光结构外部的焊盘，并且
所述反射元件具有布置在所述发光结构与所述发光芯片的所述焊盘之间的第三反射部。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述反射元件的所述第三反射部与所述焊盘以及连接至所述焊盘的导线的一部分接触。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述反射元件、所述荧光体膜和所述发光芯片之间的区域不存在空隙。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述光学透镜具有布置在所述基板上并从所述透镜部延伸的缓冲部，并且
所述缓冲部延伸到与所述主体接触的所述第一引线电极和所述第二引线电极的外部。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述缓冲部的顶面低于所述发光芯片的顶面。
9.根据权利要求7所述的发光器件，所述反射元件的一部分布置在所述第一引线电极与所述第二引线电极之间的间隙部中，并且比布置在所述第二引线电极的顶面的所述反射元件的轮廓延伸得更靠近所述基板的侧表面。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述光学透镜的所述透镜部具有沿竖直方向与所述发光芯片重叠的第一区域以及沿所述竖直方向与所述反射元件重叠的第二区域。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一区域具有沿与所述发光芯片的所述顶面平行的方向倾斜的弯曲表面，所述第二区域具有沿与所述发光芯片的所述顶面垂直的方向倾斜的弯曲表面。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述主体包括陶瓷材料，
所述主体包括与所述发光芯片竖直重叠的散热框架以及位于所述主体的底面上的与所述第一引线电极和所述第二引线电极连接的第一引线框和第二引线框，其中所述散热框架沿第一轴方向的宽度是所述第一引线电极和所述第二引线电极沿所述第一轴方向的宽度的两倍或更多倍，并且
其中所述散热框架沿第二轴方向的长度与所述第一引线电极和所述第二引线电极沿所述第二轴方向的长度相同，并且小于所述主体沿所述第二轴方向的长度。
13.根据权利要求12所述的发光器件，包括：
第一连接电极，将所述第一引线电极和所述第一引线框彼此连接；以及
第二连接电极，将所述第二引线电极和所述第二引线框彼此连接，
其中将所述第一电极和所述第二电极彼此连接的直线布置在所述发光芯片的中心部，并且
所述第一连接电极与所述第二连接电极之间的间隙大于所述反射元件沿所述第一轴方向的底面的长度。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一引线框具有朝向所述主体的第一侧突出的第一突起，
所述第二引线框具有朝向所述主体的第二侧突出的第二突起，并且
所述第一突起和所述第二突起沿相反的方向突出并且与所述第一连接电极和所述第二连接电极竖直重叠。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第二引线电极的面积大于所述第一引线电极的面积，
所述散热框架与所述第一引线电极和所述第二引线电极竖直重叠，并且
所述散热框架与所述第二引线电极的重叠面积大于所述散热框架与所述第一引线电极的重叠面积。
16.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一引线电极具有沿所述第二轴方向延伸到靠近所述发光芯片的所述中心部的区域，并且包括布置在所述第一引线电极的所述延伸部上的保护芯片以及将所述保护芯片连接至所述第一引线电极的导线，并且
所述保护芯片沿所述第二轴方向布置在与所述发光芯片的所述中心部相同的线上。
17.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述光学透镜的厚度在所述基板的底面与所述透镜的顶点之间的间隙的60％至65％的范围内。
18.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述主体具有使所述第一引线电极和所述第二引线电极开放的边区域，并且
所述边区域沿所述第一轴方向和所述第二轴方向围绕所述主体的边限定。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述边区域的宽度小于所述第一引线电极与所述第二引线电极之间的间隙，并且
所述第一引线电极具有布置在所述主体的角部分处并连接至所述边区域的极性标记。
20.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述光学透镜的材料进一步布置在所述反射元件与所述荧光体膜之间。
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