CN108231846A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可有效保护辅助电极端面、防止被氧化，有效提升产品良率和器件性能。该显示基板包括衬底基板；位于所述衬底基板上方的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的一侧设置有凹陷部；位于所述凹陷部内的辅助电极；所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触；位于所述第一表面上的隔垫物，所述隔垫物露出所述第一表面的部分区域；至少覆盖所述隔垫物和所述部分区域的透明导电层。用于显示基板及包括该显示基板的显示装置的制备。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Display，有机电致发光显示装置)由于具有自发光、高响应及轻薄等优点而成为目前的主流显示技术。其中，WOLED+CF技术(即白光OLED+彩膜)由于其具有发光材料利用率高、对蒸镀工艺使用的掩膜板要求低、可采用顶发射型的出光方式提高开口率等优点，因而备受关注，成为目前OLED技术的一个主要发展方向。

采用WOLED+CF技术的显示装置主要结构为OLED基板与对盒的彩膜基板，OLED基板中器件发出的白光从上方的顶电极(通常为阴极)一侧射出，经过彩膜基板的滤色而实现全彩显示。为降低顶电极对出光率的损失，其厚度通常很小，导致顶电极的电阻及IR Drop(电压降)较大，影响显示品质。为降低IR Drop，现有技术通常是在彩膜基板上的隔垫物下方设置由金属材料构成的辅助阴极，并通过透明导电层将辅助阴极与OLED基板上的阴极相接触，通过电阻并联的方式降低阴极电阻。

然而，为尽量降低阴极电压降，需要尽量增加辅助阴极的厚度，导致其四周的端面面积增大，容易造成电极端面被氧化，增大电阻。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可有效保护辅助电极端面、防止被氧化，有效提升产品良率和器件性能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板；所述显示基板还包括：位于所述衬底基板上方的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的一侧设置有凹陷部；位于所述凹陷部内的辅助电极；所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触；位于所述第一表面上的隔垫物，所述隔垫物露出所述第一表面的部分区域；至少覆盖所述隔垫物和所述部分区域的透明导电层。

可选的，所述内部侧壁为多个，且所述侧面与所述内部侧壁一一对应；每个侧面均与对应的一个内部侧壁相接触。

可选的，沿垂直于所述平坦层层面的方向，所述辅助电极的厚度小于或等于所述凹陷部的凹陷深度。

可选的，所述显示基板还包括：位于所述平坦层与所述衬底基板之间的黑矩阵、彩色滤光图案；所述彩色滤光图案位于所述黑矩阵的镂空区域内，并搭接在所述黑矩阵上靠近所述镂空区域的边缘上；所述凹陷部为具有底面的凹槽，所述凹槽对应于所述黑矩阵。

优选的，所述辅助电极采用不透明的金属材料构成；所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

可选的，所述透明导电层还覆盖所述平坦层。

第二方面、本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上方形成平坦层；所述制备方法还包括：在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成凹陷部；在所述凹陷部内形成辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触；在所述第一表面上形成露出所述第一表面上部分区域的隔垫物；形成至少覆盖所述隔垫物和所述部分区域的透明导电层。

可选的，所述在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成凹陷部；在所述凹陷部内形成辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触的步骤包括：在所述平坦层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案露出所述平坦层的预设区域；对所述光刻胶图案和所述平坦层的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成凹陷部；在所述光刻胶图案表面和所述凹陷部内沉积金属层；采用剥离工艺，将所述光刻胶图案和位于所述光刻胶图案表面的所述金属层的部分一并去除，得到形成在所述凹陷部内的辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的多个侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁一一对应，且每个侧面均与对应的一个内部侧壁相接触。

优选的，所述在衬底基板上方形成平坦层的步骤包括：在衬底基板表面形成黑矩阵；在所述黑矩阵的镂空区域内形成多个彩色滤光图案；形成覆盖所述黑矩阵和所述彩色滤光图案的平坦层；所述平坦层上覆盖所述黑矩阵的区域为所述预设区域；所述对所述光刻胶图案和所述平坦层露出的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成凹陷部的步骤包括：对所述光刻胶图案和所述平坦层露出的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成具有底面的凹槽。

第三方面、本发明实施例提供了一种显示装置，包括：上述任一项所述的显示基板；与所述显示基板对盒设置的OLED基板；其中，所述OLED基板包括：阵列基板、位于所述阵列基板上且依次远离所述衬底基板的第一电极、发光功能层和第二电极；所述第二电极与所述透明导电层相接触。

基于此，通过本发明实施例提供的上述显示基板，将辅助电极以内嵌的形式设置在平坦层向下凹陷的凹陷部内，并使得辅助电极的侧面(即端面)与凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触，从而可保证辅助电极的侧面至少部分不会暴露在平坦层之外，至少可在一定程度上避免端面被氧化，改善了大尺寸顶发射OLED显示装置电压降较大的问题，从而有效提升产品良率和器件性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1提供的一种显示基板的局部剖面结构示意图；

图2为现有技术提供的一种显示装置的局部剖面结构示意图；

图3为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图一；

图4为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图二；

图5为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图三；

图6为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图四；

图7为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图五；

图8为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图六；

图9为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图七；

图10为本发明实施例2提供的一种显示基板的具体制备工艺示意图八；

图11为本发明实施例3提供的一种显示装置的局部剖面结构示意图。

图1、图3-图11中涉及的附图标记：

衬底基板10；平坦层11；预设区域11a；凹陷部12；内部侧壁12a；辅助电极13；金属层130；第一表面13a；侧面13b；隔垫物14；透明导电层15；黑矩阵16；彩色滤光图案17；光刻胶图案18；光刻胶180；阵列基板19；发光功能层20；第二电极21；填充层22。

图2中涉及的附图标记：

玻璃基板20；阵列结构层21；发光功能层22；阴极23；透明盖板24；黑矩阵25；平坦层26；辅助阴极27；隔垫物28；ITO层29；填充层30。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

例如，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，仅是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上/上方”、“下/下方”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。例如在某些情况下，涉及“行方向”的实施例可以在“列方向”的情况下实施等等，相反亦如此。将本专利所述方案进行90°旋转或镜像后亦属本专利权利范畴。

实施例1

如图1所示，本发明实施例1提供了一种显示基板，包括衬底基板10；该显示基板还包括：位于衬底基板10上方的平坦层11，该平坦层11远离衬底基板的10一侧设置有凹陷部12；位于凹陷部12内的辅助电极13；该辅助电极13包括：远离衬底基板10的第一表面13a、与第一表面13a相连的侧面13b(如图中箭头所示)；该侧面13b与上述凹陷部12的内部侧壁12a(如图中箭头所示)至少有部分相接触；位于第一表面13a上的隔垫物14，该隔垫物14露出上述第一表面13a的部分区域；至少覆盖隔垫物14和部分区域的透明导电层15。

需要说明的是，第一、平坦层11与衬底基板10之间根据上述显示基板应用于的显示装置的具体显示需求，还可以设置有其他结构层(例如彩膜层等)，本发明实施例1对此不作限定，只需保证平坦层11位于衬底基板10上方即可。

第二、设置在平坦层11远离衬底基板的10一侧的凹陷部12，是指相对于平坦层11整体平坦的表面向靠近衬底基板10一侧向下凹陷的区域；相应的，辅助电极13位于凹陷部12内，即指具有一定厚度的辅助电极13位于平坦层11上呈凹陷的这一区域内。

由于与上述显示基板对盒的OLED基板上靠近显示基板的一侧通常为整层设置的阴极，故上述辅助电极13即为辅助阴极，以降低阴极的电压降。

沿垂直于平坦层11的层面方向，辅助电极13的厚度尺寸与凹陷部12的凹陷深度不作限定，辅助电极13的厚度可小于、或等于、或大于凹陷部12的凹陷深度，只需保证辅助电极13设置在凹陷部12的凹陷区域内即可。

凹陷部12的结构示例的可以为图1中所示的具有底面的凹槽的形式，即凹陷的区域没有贯穿整个平坦层11；或者，凹陷部12的结构还可以为通孔的形式(图中未示意出)，即凹陷的区域贯穿了整个平坦层11，在制作完平坦层11且还未形成辅助电极13时，由于该凹陷部12为通孔的形式，即可露出平坦层11下方的膜层。

本发明实施例1对凹陷部12的具体结构及图形不作限定，只要使得凹陷部12在平坦层11的主体结构上形成一个相对凹陷的区域，用于容纳后续形成的辅助电极13，并使得辅助电极13的侧面32与凹陷部12的内部侧壁12a至少有部分相接触即可。

第三、上述隔垫物14需露出辅助电极13的第一表面13a的部分区域，以保证后续形成的透明导电层15能够与辅助电极13被隔垫物14露出的区域相接触，实现电性连接。

即，参考图1所示，隔垫物14的宽度应小于辅助电极13的第一表面13a的宽度。这里，上述“宽度”具体是指图中自左至右(或自右至左)方向上的尺寸。

为更好地理解本发明实施例1提供的上述显示基板，下面对现有技术中的对盒后的显示装置存在的问题作具体说明。

如图2所示，为现有技术中彩膜基板与OLED基板对盒后的局部结构示意图。

其中，OLED基板包括但不限于：玻璃基板20、依次设置在玻璃基板20上的阵列结构层21、阳极(图中未示意出)、发光功能层22及整层设置的阴极23，从而构成OLED器件；彩膜基板包括但不限于：透明盖板24、依次设置在透明盖板24上的黑矩阵25、位于黑矩阵25的镂空区域内并搭接在其边缘上的彩色滤光图案(图中仅示意出R和B这两个颜色)、平坦层26(Over Coat，即OC层)、辅助阴极27、隔垫物28(Post Spacer，即PS)及ITO层29。

彩膜基板与OLED基板之间还填充有用于提供支撑作用的透明的填充层(Filler)30。二者对盒后，ITO层29覆盖在隔垫物28上表面的部分抵在阴极23上，从而使得辅助阴极27、ITO层29及阴极23三者依次电性连接在一起，通过电阻并联的方式降低阴极电压降。

由于水氧容易从显示装置对盒后的侧面向内侵蚀，并且相对于辅助阴极与隔垫物相接触的表面，当辅助阴极厚度增加时，端面露出的面积更大，更容易受到水氧侵蚀、产生氧化。

基于此，参考图1所示，通过本发明实施例1提供的上述显示基板，将辅助电极13以内嵌的形式设置在平坦层11向下凹陷的凹陷部12内，并使得辅助电极13的侧面(即端面)32与凹陷部12的内部侧壁12a至少有部分相接触，从而可保证辅助电极13的侧面至少部分不会暴露在平坦层11之外，至少可在一定程度上避免端面被氧化，改善了大尺寸顶发射OLED显示装置电压降较大的问题，从而有效提升产品良率和器件性能。

在上述基础上进一步的，参考图1所示，凹陷部12的内部侧壁12a为多个，且辅助电极13的侧面13b与内部侧壁12a一一对应；每个侧面13b均与对应的一个内部侧壁12a相接触。

即沿平行于平坦层11的层面方向，辅助电极13与凹陷部12具有相同的截面图形。

需要指出的是，上述图1中仅示意出显示基板在该剖视方向上的一个凹陷部12及其两个相对的内部侧壁12a，凹陷部12及其内部侧壁12a的具体数量不作限定，可根据显示基板的具体尺寸灵活调整。

进一步的，参考图1所示，沿垂直于平坦层11层面的方向，辅助电极13的厚度小于或等于凹陷部12的凹陷深度，即辅助电极13是内嵌在凹陷部12中，可得到平坦层11的保护。

在上述基础上进一步的，参考图1所示，上述显示基板还包括：位于平坦层11与衬底基板10之间的黑矩阵16、彩色滤光图案17，其中，彩色滤光图案17的至少部分位于黑矩阵16的镂空区域内，并搭接在黑矩阵16上靠近镂空区域的边缘上；凹陷部12为具有底面的凹槽，且对应于黑矩阵16。

需要说明的是，由于大尺寸顶发射OLED显示装置的尺寸较大，相应地会增加蒸镀掩膜板的制作、对位及清洗等工序的难度，故而大尺寸顶发射OLED显示装置多采用WOLED+CF的组成方式。因此上述显示基板具体还可以包括有黑矩阵16以及由黑矩阵限定出的彩色滤光图案17。

这里，由于黑矩阵16的镂空区域面积较小，为避免从下方的OLED基板发出的白光从相邻的不同颜色的彩色滤光图案17中透过后发生混光、影响显示品质，每个彩色滤光图案17的边缘通常是搭接在黑矩阵16的镂空区域边缘上。

因此，相比于将凹陷部12设置为通孔的形式，没有将平坦层11贯穿的凹槽由于具有底面，可以使得形成在凹槽内的辅助电极13的表面也相对平整，进一步可避免在辅助电极13上形成的隔垫物14发生倾斜，从而保证显示基板与OLED基板的对盒精度。

同时，由于辅助电极13通常采用电阻较低的铝、铬、钼等金属材料，这些金属材料通常不透光，为避免其对显示基板应用到显示装置后的出光率造成影响，故将其设置为对应于不透光的黑矩阵16的区域。

进一步的，辅助电极13在衬底基板10上的正投影与黑矩阵16在衬底基板10上的正投影完全重叠。从而使得辅助电极13具有与黑矩阵16网格图案相同的金属网格(metalmess)，最大化地利用不透光的黑矩阵16所在的区域来设置辅助电极13，显示基板的利用率最高。

在上述基础上进一步的，参考图1所示，上述透明导电层15还覆盖平坦层11，即整层沉积在平坦层11、辅助电极13的第一表面13a及隔垫物14上，以简化制备工艺。

实施例2

本发明实施例2还提供了一种上述显示基板的制备方法，该制备方法包括但不限于以下步骤：

步骤S1、在衬底基板10上方形成平坦层11；

步骤S2、在平坦层11远离衬底基板10的一侧形成凹陷部12；

步骤S3、在凹陷部12内形成辅助电极13；形成的辅助电极13包括：远离衬底基板10的第一表面13a、与第一表面13a相连的侧面13b；该侧面13b与凹陷部12的内部侧壁12a至少有部分相接触；

步骤S4、在第一表面13a上形成露出第一表面13a上部分区域的隔垫物14；

步骤S5、形成至少覆盖隔垫物14和上述的第一表面13a上被露出的部分区域的透明导电层15。

这里，上述显示基板上还可包括有金属走线层(Gate层)、保护层(PVX层)等，具体结构可沿用现有技术，本发明实施例2对此不作限定。

进一步的，为简化上述显示基板的制备工艺，下面具体以将辅助电极13设置为内嵌在平坦层11的凹陷部12中为例，提供以下的具体制备过程：

步骤S(a)、如图3所示，采用行业标准对衬底基板10进行清洗后，在其表面形成黑矩阵16；

其中，衬底基板10具体可为透明的盖板玻璃(Cover Glass)。

步骤S(b)、如图4所示，在黑矩阵16的镂空区域内形成多个彩色滤光图案17，其边缘搭接在黑矩阵16上靠近镂空区域的边缘上；

彩色滤光图案17的颜色具体可为红、绿、蓝，即制作R像素、G像素、B像素；当然，其颜色还可以为黄色或透明，即形成R/G/B/Y或R/G/B/W的像素排列方式，具体像素设计可沿用现有技术，本发明实施例2对此不作限定。

步骤S(c)、如图5所示，形成覆盖黑矩阵16和彩色滤光图案17的平坦层11；

这里，平坦层11可以采用例如涂覆工艺形成厚度约为2μm的透明有机材料(Resin)，并在烘箱(Oven)中进行高温固化。

步骤S(d)、在平坦层11上形成光刻胶图案18，该光刻胶图案18露出平坦层的预设区域11a；

形成光刻胶图案18的过程可示例如下：

如图6所示，在平坦层11上旋涂一定厚度的光刻胶(Photo Resin，即PR)180；

如图7所示，通过掩膜板对形成的光刻胶180进行曝光及显影等工艺后，仅去除掉位于平坦层11的预设区域11a表面的光刻胶，得到光刻胶图案18。

其中，预设区域11a对应于前述形成的黑矩阵16所在的区域。

光刻胶可选用正性光刻胶或负性光刻胶，其曝光、显影的具体原理此处不再赘述。相应的掩膜板根据光刻胶正性或负性的具体种类相应调整即可，只要形成露出平坦层11的预设区域11a表面的光刻胶图案18即可。

步骤S(e)、如图8所示，对光刻胶图案18和平坦层11的预设区域11a进行灰化处理，以在预设区域11a形成凹陷部12；

这里，该凹陷部12具体为具体底面的凹槽，通过对图形化的光刻胶进行灰化处理(即减薄处理)，可在平坦层11上进行图形转印，以达到在平坦层11上形成选择性的沟槽的目的。

步骤S(f)、如图9所示，在光刻胶图案18表面和凹陷部内沉积金属层130；

步骤S(g)、如图10所示，采用剥离工艺，将光刻胶图案18和位于光刻胶图案18表面的金属层的部分一并去除，得到形成在凹陷部内的辅助电极13；形成的辅助电极包括：远离衬底基板的第一表面、与第一表面相连的多个侧面；

这样一来，由于凹陷部12与平坦层11的其余平坦的区域具有一定段差，利用剥离技术(Lift Off)可将光刻胶图案18和位于光刻胶图案18表面的金属层的部分一并去除，无需额外增加金属层的刻蚀工艺，简化显示基板的制备过程。

由于辅助电极13是由沉积在凹陷部内的金属层的部分直接构成的，因此其侧面与凹陷部的内部侧壁一一对应，且每个侧面均与对应的一个内部侧壁相接触，从而可避免每个侧面被氧化，实现辅助电极13内嵌进平坦层11里的效果。

步骤S(h)、参考图1所示，在辅助电极13的第一表面13a上形成露出第一表面13a上部分区域的隔垫物14；并在平坦层11表面、隔垫物14表面及辅助电极13的第一表面13a上露出的区域沉积ITO，以形成透明导电层15。

实施例3

在上述基础上进一步的，本发明实施例3还提供了一种显示装置，如图11所示，该显示装置包括：前述实施例1示意出的显示基板；与该显示基板对盒设置的OLED基板；该OLED基板包括：阵列基板19、位于阵列基板上且依次远离衬底基板的第一电极(图中未示意出)、发光功能层20和第二电极21；其中，第二电极21与透明导电层15相接触。

这里，显示基板与OLED基板之间还填充有起到支撑作用的填充层22；上述显示基板具体即为与OLED基板相对盒的盖板，即本发明上述各实施例主要涉及对盖板上具体结构的改进创新，以提升产品良率和器件性能。并且，由于辅助电极13位于平坦层11的凹陷部12内，还可起到降低对盒后显示装置盒厚的效果。

上述第一电极具体为阳极，其与阵列基板19上的TFT的漏极电性连接；第二电极21具体则为阴极，第二电极21与透明导电层15相接触，即第二电极21与透明导电层15覆盖隔垫物14的顶端的区域，即最突出的部分相接触。

这里，阵列基板19中的TFT具体可为氧化物顶栅型(Top Gate)TFT，其具有迁移率较高、对设备需求比低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)TFT小、寄生电容更小的优点，可实现更优的显示品质。

上述显示装置具体可以为显示器、电视、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括衬底基板；其特征在于，所述显示基板还包括：

位于所述衬底基板上方的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的一侧设置有凹陷部；

位于所述凹陷部内的辅助电极；所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触；

位于所述第一表面上的隔垫物，所述隔垫物露出所述第一表面的部分区域；

至少覆盖所述隔垫物和所述部分区域的透明导电层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述内部侧壁为多个，且所述侧面与所述内部侧壁一一对应；每个侧面均与对应的一个内部侧壁相接触。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿垂直于所述平坦层层面的方向，所述辅助电极的厚度小于或等于所述凹陷部的凹陷深度。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述平坦层与所述衬底基板之间的黑矩阵、彩色滤光图案；所述彩色滤光图案位于所述黑矩阵的镂空区域内，并搭接在所述黑矩阵上靠近所述镂空区域的边缘上；

所述凹陷部为具有底面的凹槽，所述凹槽对应于所述黑矩阵。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极采用不透明的金属材料构成；

所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影完全重叠。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电层还覆盖所述平坦层。

7.一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上方形成平坦层；其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成凹陷部；

在所述凹陷部内形成辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触；

在所述第一表面上形成露出所述第一表面上部分区域的隔垫物；

形成至少覆盖所述隔垫物和所述部分区域的透明导电层。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成凹陷部；在所述凹陷部内形成辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁至少有部分相接触的步骤包括：

在所述平坦层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案露出所述平坦层的预设区域；

对所述光刻胶图案和所述平坦层的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成凹陷部；

在所述光刻胶图案表面和所述凹陷部内沉积金属层；

采用剥离工艺，将所述光刻胶图案和位于所述光刻胶图案表面的所述金属层的部分一并去除，得到形成在所述凹陷部内的辅助电极；形成的所述辅助电极包括：远离所述衬底基板的第一表面、与所述第一表面相连的多个侧面；所述侧面与所述凹陷部的内部侧壁一一对应，且每个侧面均与对应的一个内部侧壁相接触。

9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上方形成平坦层的步骤包括：

在衬底基板表面形成黑矩阵；

在所述黑矩阵的镂空区域内形成多个彩色滤光图案；

形成覆盖所述黑矩阵和所述彩色滤光图案的平坦层；所述平坦层上覆盖所述黑矩阵的区域为所述预设区域；

所述对所述光刻胶图案和所述平坦层露出的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成凹陷部的步骤包括：

对所述光刻胶图案和所述平坦层露出的所述预设区域进行灰化处理，以在所述预设区域形成具有底面的凹槽。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

如权利要求1至6任一项所述的显示基板；

与所述显示基板对盒设置的OLED基板；

其中，所述OLED基板包括：阵列基板、位于所述阵列基板上且依次远离所述衬底基板的第一电极、发光功能层和第二电极；

所述第二电极与所述透明导电层相接触。