CN108231617B - 缺陷分析 - Google Patents

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Abstract

一种用于分析缺陷的系统，包括：使用晶片检查工具确定缺陷的坐标；识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；引导聚焦离子束朝向所述晶片以暴露所述感兴趣结构；以及形成所暴露的感兴趣结构的图像，其中引导所述聚焦离子束以在与所识别的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷坐标处进行铣削。

Description

缺陷分析
技术领域
本发明涉及一种分析诸如集成电路等样本中的缺陷的方法。
背景技术
现代集成电路包括线宽小于100nm的特征件。高效地识别和分析制造这种电路的过程中产生的缺陷是一项持久的挑战。
光学晶片检查工具，诸如来自加利福尼亚州米尔皮塔斯市的KLA-Tencor公司的KLA-Tencor 2930宽带等离子体缺陷检查系统，以光学方式检查在其上制造集成电路的晶片。晶片可以处于不同的处理阶段或者可以“逆处理(deprocess)”晶片来去除层或暴露掩埋层。光学晶片检查工具照亮待测晶片并观察来自晶片表面和次表面附近的光线来识别缺陷。可观察的缺陷类型包括表面上、表面附近或表面稍下的物理缺陷。晶片检查工具通常输出可与缺陷对应的异常列表。该列表可以包括缺陷类别和缺陷在检查坐标系中的位置。通过比较实际扫描结果与已知良好晶片的扫描结果，或通过比较检查结果与已知良好晶片的模拟检查，可以识别晶片上的缺陷。在一些工作流程中，在检查步骤之后，使用设备在晶片表面上执行某种标记，以便在稍后的处理中更容易地发现缺陷。
另一种类型的晶片检查工具是扫描电子显微镜(SEM)，如Hermes eScan 320XP。电子束扫描晶片的表面，使用响应于入射光束而从样品发射的电子来形成图像。异常坐标会被注意到。电子束可以形成更加高度放大的异常图像。这种基于SEM的检查工具可以看到物理缺陷或电学相关缺陷，后者称为电压衬度(VC)缺陷。在许多情况下，VC缺陷或本质上属于电性的缺陷将归因于物理上位于晶片表面之下的缺陷(即，次表面缺陷)。
还可以使用其他类型的晶片检查工具来识别缺陷，例如用于半导体的ELITE之类的光学或热学系统以及诸如Hyperion等探针系统，两者均可从FEI公司购得，FEI公司是Thermo Fisher Scientific公司的一部分，是本发明的受让人。
探针系统通过对晶片表面上暴露的导体进行电探测来发现缺陷。通过与晶片接触的物理探针的电特征来识别缺陷。
所识别出的缺陷通常在晶片的表面之下，并且经常需要暴露掩埋层来检查缺陷。缺陷的坐标可以从晶片检查工具传输到聚焦离子束(FIB)工具，FIB铣削晶片以暴露可用于分析的缺陷。在一些情况下，坐标的传输可以由协调和控制多个系统的操作的工厂自动化系统执行。
为了执行次表面评估，FIB可以在缺陷坐标处在晶片中铣削出沟槽以暴露缺陷部位处的区域的横截面。然后可以使用SEM来观察暴露的横截面的图像。在一些情况下，从横截面去除另一些薄切片，并形成另一些SEM图像，以在暴露的壁穿过样品延伸时，通过三维体积提供一系列图像。这样的技术例如在授权给Brogden的美国专利第9,218,940号“用于切片和观察样本成像的方法和装置(Method and Apparatus for Slice and View SampleImaging)”中进行了描述，该专利被转让给本申请的申请人。
FIB工具还可以用于从晶片制备待在透射电子显微镜(TEM)上观察的样品，TEM提供比SEM更高的分辨率，但要求样品足够薄以使电子通过。如本文所用，“TEM”包括非扫描TEM和扫描透射电子显微镜(STEM)，“TEM图像”可以包括在任一个中形成的图像。例如，在Brogden等人的题为“自动化的TEM样品制备(Automated TEM Sample Preparation)”的美国专利申请公开第2016/0141147号中描述了从晶片中提取被称为“片晶(lamella)”的薄样品的方法，该专利申请被转让给本申请的受让人。提取出的样品可以是来自与表面垂直的平面的横截面样品或来自平行于晶片表面的平面的平面视图样品。所有上述FIB方法的一个共同特征是使用FIB来辅助缺陷位置处的某种类型的次表面评估。
晶片检查工具提供晶片检查工具坐标系统中的缺陷坐标。为了在FIB工具中发现缺陷，需要确定缺陷在FIB工具坐标系中的位置。在晶片检查工具和FIB工具中确定晶片上的参考点的位置，然后计算坐标变换系统以将在晶片检查工具中确定的缺陷的坐标变换成FIB工具中的坐标。参考点可以包括例如晶片周边中的凹口或平坦区域，以及在制造过程中在晶片上产生的标记或专门刻出的用于对准的标记。
现代集成电路可以具有以具有50nm或甚至更小节距的阵列形式制造的晶体管。为了在薄至10至15nm的片晶中获得晶体管栅极，需要精确定位FIB光束来制造片晶。在许多情况下，需要进行位置精度误差小于几纳米的FIB铣削。使用由晶片检查工具生成的缺陷坐标来定位用于准备检查部位的聚焦离子束的这一过程是不精确的。光学检查系统的分辨率受所使用的光的波长限制，并且可能不足以制备用于观察的横截面或样品。而且，晶片检查工具坐标系到FIB工具坐标系的映射可能不精确。
通常，在通过作为FIB处理的一部分的坐标变换确定的缺陷位置处制备横截面或片晶。在实践中，这一位置经常会错过实际的缺陷，因此不会产生缺陷的图像，从而使工艺工程师无法获得所需的信息。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于分析集成电路中的缺陷的方法和装置。
在检查工具中识别缺陷。确定或先前已确定与缺陷坐标相对应的感兴趣结构。然后，处理工具，如FIB工具，暴露感兴趣结构以供分析，并分析该结构。处理工具处理并暴露识别出的感兴趣结构，通常是与检查工具缺陷坐标最接近的一个结构，而非在缺陷的坐标处处理样本。
前面已经相当广泛地概述了本发明的特征和技术优点，以便可以更好地理解以下对本发明的详细描述。下面将描述本发明的其他特征和优点。本领域技术人员应当理解，所公开的概念和具体实施例可以容易地用作用于修改或设计用于实现与本发明相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等同构造不脱离如所附权利要求书中阐述的本发明的精神和范围。
附图说明
为了更透彻地理解本发明及其优点，现在结合附图参考以下描述，其中：
图1是示出分析缺陷的方法的流程图；
图2示出来自晶片检查工具的输出文件；
图3示出指定用于不同缺陷类型的感兴趣结构的表格；
图4示出晶片中的结构位置和缺陷位置；
图5示出TEM片晶，其中FinFET的元件被暴露；
图6A和图6B分别示出了通孔剖面的侧视图和前视图；
图7示意性地示出了可以用于实现本文描述的技术的系统。
具体实施方式
在传统的缺陷分析中，使用FIB在与由检查工具报告的缺陷坐标相对应的位置处切割晶片，即铣削，并将该位置转换成FIB工具坐标系。然而，由晶片检查工具报告并转换成FIB工具坐标系的缺陷位置通常不能精确到足以允许FIB处理暴露该缺陷。申请人已经认识到，可在晶片检查工具中观察到的结构缺陷更可能发生在结构的位置处而非结构之间。申请人还认识到，明显的缺陷导致诸如晶体管或通孔等电路元件的故障，并且分析缺陷的工艺工程师或其他人可以通过分析缺陷电路元件中的感兴趣结构来获得更多的相关信息。申请人使用来自晶片检查工具的缺陷坐标来识别附近的电路或结构元件，然后指示FIB工具处理期望的电路或结构元件，而非引导FIB工具在缺陷坐标处进行铣削。FIB工具坐标中的结构位置提供的铣削位置比转换成FIB工具坐标的来自晶片检查工具的缺陷坐标更精确。
检查工具通常具有自动分类能力，通过该能力检查工具可以将检测到的缺陷分为一些类别。在一些实施例中，工艺工程师可以将一个或多个缺陷类别与FIB操作相关联以创建特定于缺陷分类的“感兴趣结构”。例如，工艺工程师可以确定，对于“第3类”缺陷，他希望查看以FinFET晶体管的源极区域为中心的片晶的TEM图像，片晶的主平面垂直于鳍片。当晶片检查识别出第3类缺陷并提供其坐标时，使用下面描述的方法之一来定位最接近的(或相对于缺陷坐标指定的其他位置的)FinFET，并且FIB工具编程用于自动产生在指定位置具有指定晶向的片晶。不同类别的缺陷可以与不同的感兴趣结构相关联。FIB铣削不是在检查工具提供的缺陷坐标处进行，而是在相对应的感兴趣结构的位置处进行。与缺陷对应的感兴趣结构通常是与缺陷坐标最接近的感兴趣结构，但是这不是必需的。可以指定任何感兴趣结构，例如在缺陷坐标的特定方向上或与缺陷坐标相距特定距离的结构。
可以将一个以上感兴趣结构与一个缺陷类别相关联。例如，缺陷类别可以与两个结构相关联，其中两个结构不同地定向，例如在鳍片平面中的片晶和垂直于鳍片平面的片晶，片晶从位于缺陷坐标指定距离内的不同晶体管提取。当晶片检查工具不自动对缺陷进行分类时，将以相同方式处理所有的缺陷。
在一些情况下，多个感兴趣结构可以与单个缺陷类别相关联。在这种情况下，FIB处理将发生在最靠近所报告位置的任何结构上。
本文描述的程序有利于全自动工作流程，其中在晶片检查工具中自动识别缺陷，然后FIB工具自动处理与所识别出的缺陷相对应的感兴趣结构。
图1是示出分析缺陷的过程的流程图。在步骤102中，在晶片检查工具中检查晶片。晶片检查工具可以是发现异常或缺陷并提供缺陷坐标的任何类型的系统。例如，晶片检查工具可以是光学检查系统，例如来自KLA-Tencor的KLA-Tencor 2930；电子束检查工具，例如来自中国台湾省新竹市Hermes Microvision的Hermes eScan 320XP；热检查系统，例如来自本发明的受让人FEI公司的用于半导体的ELITE；或电检查系统，例如基于探针的系统。该过程不限于处理在其上制造有集成电路的晶片---缺陷可以在任何衬底上。
在可选的步骤104中，对缺陷进行分类。例如，缺陷分类可以基于缺陷在管芯内的物理位置或缺陷的尺寸。大多数现代化的晶片检查工具将自动分类识别出的缺陷。来自晶片检查工具的一种类型的输出文件是KLA结果文件，也被称为“KLARF”文件。
图2示出来自晶片检查工具的简化输出文件表202。列204示出了标识每个缺陷的序号。列206和列208分别示出每个缺陷在晶片检查工具坐标系中的x坐标和y坐标。晶片检查工具坐标系可以是任意类型的坐标系，例如直角坐标系或极坐标系，该极坐标系指定离旋转中心的角度距离。列210指定缺陷的分类。
在步骤106中，确定与缺陷对应的一种类型的“感兴趣结构”。感兴趣结构的类型可以针对不同类别的缺陷预先指定。如果缺陷没有分类，那么对于所有缺陷类型都可以使用单一的感兴趣结构。图3示出具有与不同缺陷类别相关联的感兴趣结构以及用于暴露感兴趣结构以供分析的相关联FIB操作的表格。典型地，通常在开始晶片检查之前确定与缺陷分类相关联的感兴趣结构的类型，但也可以在FIB处理之前的任何时候确定。可以改变与缺陷分类相关联的感兴趣结构的类型，例如，当工艺工程师检查一些感兴趣结构并且更多地了解了缺陷的原因时。
在步骤108中，确定晶片上特定的感兴趣结构并且将其与特定的缺陷坐标相关联。感兴趣的具体结构可以由晶片检查工具、单独的计算机、FIB工具计算机或任何其他系统来确定。特定的感兴趣结构可以在确定缺陷坐标与开始进行离子束处理之间的任何时候确定。一旦确定了特定的感兴趣结构，检验工具所确定的缺陷的位置就不再是主要的兴趣。一旦FIB工具已经确定了感兴趣结构在FIB坐标系中的位置，所有未来的FIB处理都可以利用感兴趣结构来完成。
与缺陷相关联的感兴趣结构通常是与缺陷坐标最接近的期望类型的感兴趣结构。有几种方法可以识别出最接近缺陷坐标的特定的感兴趣结构。
尽管感兴趣结构通常在表面下方，但可以使用表面上可见的特征来导航和识别次表面特征的位置。次表面特征可以在SEM图像中看到。在一些情况下，SEM入射电子可以少量地渗透到表面中并产生具有表面附近区域的一些内容的图像。SEM图像也可以用于在FIB暴露次表面特征之后观察次表面特征。
可以使用参考图像进行比较和导航。例如，可以在检查之前通过实验获取顶表面或者次表面参考图像。可以在参考图像上训练图像识别软件以定位与图像上可见的结构有关的感兴趣结构。FIB工具可以导航到缺陷坐标并获取该区域的FIB或SEM图像。图像识别软件可以将所获取图像中的可见特征与来自参考图像的可见特征进行比较，以识别感兴趣结构相对于可见特征的位置。
或者，可以使用描述电路设计的CAD(“计算机辅助设计”)数据库来以合成方式生成参考图像。在一些情况下，CAD数据包括多边形，并需要解释步骤来将多边形转换为图像中可识别的物理结构。CAD数据可以提供次表面特征相对于可见特征的位置。
在又一个替代方案中，可以使用指定电路元件的位置并将这些位置与缺陷坐标相比较的CAD数据来确定与缺陷坐标最接近的感兴趣结构。当识别出最接近的感兴趣结构时，FIB工具可以导航到CAD数据所指示的感兴趣结构的位置。可选地，在FIB工具导航到由CAD数据确定的感兴趣结构的坐标之后，可以获取该区域的图像并使用该图像更精确地定位感兴趣结构。
图4作为示例示出具有形成阵列的八个FinFET 404a-404h以及四个通孔406a-406d的晶片表面402的示意图。附图标记410所指示的“X”表示从晶片检查工具输出并变换成FIB工具坐标系的第2类缺陷的坐标。然后，系统将查阅表300以确定，对于第2类缺陷，感兴趣结构是与鳍片平行切割的FinFET源极区域。系统确定最接近的FinFET，即FinFET404a。
在步骤110中，引导FIB工具以暴露与缺陷分类相关联的感兴趣结构。在步骤108中确定感兴趣结构在FIB坐标系中的位置。在图4的示例中，FIB工具可以自动形成穿过源极区域并且具有与图3中针对第2类缺陷所确定的鳍片平行的平面的TEM片晶。图5示出在步骤110中形成的TEM片晶502，示出了源极504、漏极506、栅极508和鳍片510。在一些实施例中，FIB基于自上而下的图像确定从何处开始铣削。在一些实施例中，自上而下图像可以提供开始处理感兴趣结构的大致位置，然后可以形成FIB所暴露的横截面的图像。FIB可以继续从横截面壁去除切片以使壁穿过衬底前进，直到暴露例如由图像识别软件确定的感兴趣结构，其中图像识别软件在通过实验或模拟从CAD数据获取的先前图像上进行训练。用于定位用于FIB处理的晶片上的特征的方法是已知的。
缺陷412(图4)是第4类缺陷。如图3所示，与第4类缺陷相关联的感兴趣结构是通孔的横截面。系统定位最靠近缺陷412的坐标的通孔，在图4中是通孔406b。然后将FIB工具定位在通孔406b处，并切割出沟槽602以暴露通孔406b的横截面，如图6A和图6B中所示。对层604a、604b和604c进行处理在横截面中可见。在步骤112中，检查感兴趣结构。
图1示出执行处理步骤的一种可能的顺序。在不脱离本发明的范围的情况下，可以改变执行步骤的顺序。
晶片检查工具通常会识别出大量的缺陷，用FIB处理每个缺陷位置是不切实际的。通常，选择代表性的缺陷样品进行进一步的研究。例如，晶片检查工具可以检查和识别出例如3000个缺陷，缺陷被自动分类为多个类别。系统可以从待由FIB工具处理的每个指定类别中选择例如三个缺陷。用户可以为每个类别预先指定FIB处理的缺陷数量，然后系统可以自动选择和处理这些缺陷。
图7示出具有主要组件的系统700，主要组件包括晶片检查工具702、FIB工具704、TEM706和计算机710。这些组件可以通过可以控制组件的计算机710进行数据通信，尽管每个组件也通常具有其自己的控制器。存储器712可以存储缺陷信息，诸如图2和图3中所示的表格，以及描述正在检查的晶片的电路的设计信息(CAD数据)。
术语“缺陷坐标”应理解为指相关系统中的缺陷坐标，即FIB工具坐标系或检查工具坐标系。虽然上面引用了“晶片检查工具”，但是检查工具可以以任何形式的检查样本，而不限于晶片形式的样本。
如本文所用，“FIB工具”包括但不限于具有引导聚焦离子束之外的其他能力的系统，诸如具有SEM的双束系统或同样包括光学显微镜的系统。FIB工具的一个示例是来自俄勒冈州希尔斯伯勒市FEI公司(Thermo Fisher Scientific的一个分部)的Helios Nanolab1200。FIB工具可以使用任何类型的离子源，诸如液态金属离子源或等离子体离子源。
本发明的一些实施例提供了一种用于分析电路缺陷的方法，包括：
使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标；
识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；
引导聚焦离子束朝向晶片以制造包括感兴趣结构的TEM片晶；以及
引导电子束朝向片晶以形成感兴趣结构的TEM图像，其中引导聚焦离子束在与所识别的感兴趣结构相对应的位置而非在缺陷的坐标处进行铣削。
本发明的一些实施例提供了一种分析电路缺陷的方法，包括：
使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标；
识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；
引导聚焦离子束朝向晶片以暴露感兴趣结构；以及
形成暴露的感兴趣结构的图像，其中引导聚焦离子束以在与识别出的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷的坐标处进行铣削。
在一些实施例中，引导聚焦离子束朝向晶片以暴露感兴趣的结构包括引导聚焦离子束朝向晶片以铣削出暴露感兴趣结构的横截面；并且
形成暴露的感兴趣结构的图像包括形成扫描电子束图像。
在一些实施例中，引导聚焦离子束朝向晶片以暴露感兴趣结构包括引导聚焦离子束朝向晶片以形成包括感兴趣结构的片晶。
在一些实施例中，形成暴露的感兴趣结构的图像包括形成透射电子束图像。
在一些实施例中，在晶片检查工具中确定缺陷坐标包括在光学检查系统、热检查系统、电检查系统或电子束检查系统中确定缺陷坐标。
在一些实施例中，识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括识别与缺陷坐标最接近的感兴趣结构。
一些实施例还包括指定输入感兴趣结构的类型，并且其中识别与缺陷坐标最接近的感兴趣结构包括指定类型的感兴趣结构。
在一些实施例中，识别指定类型的感兴趣结构包括识别与缺陷坐标最接近的指定类型的感兴趣结构。
在一些实施例中，识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括使用所存储的电路设计数据来识别缺陷坐标附近的感兴趣结构。
在一些实施例中，识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括使用图像来识别缺陷坐标附近的感兴趣结构。
在一些实施例中，由与晶片检查工具和离子束系统进行数据通信的晶片检查工具、离子束系统或计算机执行识别感兴趣结构。
本发明的一些实施例提供了一种用于分析集成电路中的缺陷的装置，包括：
晶片分析工具，其被编程用于识别晶片上的缺陷并提供缺陷的坐标；
包括聚焦离子束柱和扫描电子显微镜柱的双束系统，所述双束系统编程用于执行暴露感兴趣次表面区域的操作；以及
计算机，其被编程用于从晶片分析工具接收缺陷坐标，确定与缺陷相对应的感兴趣结构，并指示双束系统执行暴露感兴趣次表面区域的指定操作。
在一些实施例中，晶片分析工具将缺陷分类并且指定操作取决于分类。
在一些实施例中，晶片分析工具是光学检查工具、热检查系统、电检查系统或电子束检查工具。
在一些实施例中，聚焦离子束柱包括液态金属离子源或等离子体离子源。
一些实施例提供了一种用于分析电路缺陷的方法，包括：
使用检查样品区域的检查工具检查样品，该区域包括超过100个结构；
识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；
引导聚焦束以暴露感兴趣结构；以及
形成暴露的感兴趣结构的图像，其中引导聚焦束以在与识别出的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷的坐标处进行铣削。
本文描述的技术不限于任何特定类型的样本，任何特定类型的检查系统，或用于暴露感兴趣结构的任何特定类型的处理。被检查的样品不限于晶片---可以使用在其上制造多种结构的任何类型的衬底。去除材料以暴露有限的结构不限于聚焦离子束铣削。例如，可以使用激光来暴露感兴趣结构。本文描述的技术对于对与感兴趣结构的区域相比较大的区域进行检查的任何检查系统都是有用的。例如，检查系统所检查的区域可以包含超过1,000,000个或超过100,000,000个制造的结构，并且检查的区域可以大于个体结构的平均面积的1,000,000倍、超过10,000,000倍或超过500,000,000倍。
以下权利要求中的步骤的顺序并非限制性的----在不脱离权利要求的范围的情况下可以改变步骤的顺序。
尽管已经详细描述了本发明及其优点，但是应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种改变、替换和更改。此外，本申请的范围并非意在限于说明书中描述的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法和步骤的特定实施例。本领域普通技术人员从本发明的公开中将容易理解，根据本发明，可以利用目前存在或将来开发的执行与本文描述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法或步骤。因此，所附权利要求意在将这样的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法或步骤包括在其范围之内。

Claims (21)

1.一种用于分析电路缺陷的方法，包括：
使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标；
识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；
利用聚焦离子束形成包括所述感兴趣结构的TEM片晶，其中所述TEM片晶是基于所识别的结构而不是缺陷坐标从一区域中形成，并且其中引导所述聚焦离子束以在与所识别的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷坐标处进行铣削；以及
形成感兴趣结构的TEM图像。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标包括在光学检查系统、热检查系统、电检查系统或电子束检查系统中确定缺陷坐标。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括识别与缺陷坐标最接近的感兴趣结构。
4.根据权利要求1或2所述的方法，还包括指定感兴趣结构的类型，并且其中识别与缺陷坐标最接近的感兴趣结构包括指定的所述类型的感兴趣结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其中识别指定的所述类型的感兴趣结构包括识别与缺陷坐标最接近的指定类型的感兴趣结构。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中识别所述缺陷坐标附近的感兴趣结构包括使用所存储的电路设计数据或使用图像来识别所述缺陷坐标附近的感兴趣结构。
7.一种用于分析电路缺陷的方法，包括：
使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标；
识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；
引导聚焦束朝向所述晶片以暴露所述感兴趣结构，其中引导所述聚焦束以在与所识别的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷坐标处进行铣削；以及
形成所暴露的感兴趣结构的图像。
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
引导聚焦束朝向所述晶片以暴露所述感兴趣结构包括引导聚焦离子束朝向所述晶片以铣削出暴露所述感兴趣结构的横截面；并且
形成所暴露的感兴趣结构的图像包括形成扫描电子束图像。
9.根据权利要求7所述的方法，其中引导聚焦束朝向所述晶片以暴露所述感兴趣结构包括引导聚焦离子束朝向所述晶片以形成包括所述感兴趣结构的片晶。
10.根据权利要求7或9所述的方法，其中在所述晶片检查工具中确定缺陷坐标包括在光学检查系统、热检查系统、电检查系统或电子束检查系统中确定缺陷坐标。
11.根据权利要求7或9所述的方法，其中识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括识别与所述缺陷坐标最接近的感兴趣结构。
12.根据权利要求7或9所述的方法，进一步包括指定感兴趣结构的类型，并且其中识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括指定的所述类型的感兴趣结构。
13.根据权利要求12所述的方法，其中识别缺陷附近的感兴趣结构包括识别缺陷坐标附近的指定类型的感兴趣结构。
14.根据权利要求7或9所述的方法，其中识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括使用所存储的电路设计数据来识别所述缺陷坐标附近的感兴趣结构。
15.根据权利要求7或9所述的方法，其中识别缺陷坐标附近的感兴趣结构包括使用图像来识别所述缺陷坐标附近的感兴趣结构。
16.根据权利要求7或9所述的方法，其中由所述晶片检查工具、离子束系统或与所述晶片检查工具和所述离子束系统进行数据通信的计算机来执行识别所述感兴趣结构。
17.根据权利要求7或9所述的方法，其中使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标包括：使用检查样本区域的检查工具来检查所述晶片，所述区域包括超过100个结构，其中之一是所述感兴趣结构。
18.一种用于分析集成电路中的缺陷的装置，包括：
晶片分析工具，其被编程用于识别晶片上的缺陷并提供所述缺陷的坐标；
包括聚焦离子束柱和扫描电子显微镜柱的双束系统，所述双束系统被编程用于执行暴露感兴趣次表面区域的操作；以及
计算机，其被编程用于从所述晶片分析工具接收缺陷坐标，确定所述感兴趣次表面区域内与所述缺陷相对应的感兴趣结构，并指示所述双束系统执行暴露所述感兴趣次表面区域的指定操作。
19.根据权利要求18所述的装置，其中所述晶片分析工具对所述缺陷进行分类，并且所述指定操作取决于所述分类。
20.根据权利要求18或19所述的装置，其中所述晶片分析工具是光学检查工具、热检查系统、电检查系统或电子束检查工具。
21.根据权利要求18或19所述的装置，其中所述聚焦离子束柱包括液态金属离子源或等离子体离子源。
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