CN108198899A - 减少扩散炉管内杂质颗粒的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于它包括：S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；S2、对低压炉管进行升温操作，升至待机温度以上；S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。使用该方法可以有效降低炉管内颗粒物，且不需要拆除炉管即可进行清洗，大大提高了生产的效率，使用该混合气体降低金属污染(钝化可移动离子，如钠离子)。
Description
技术领域
本发明属于光伏技术领域，具体是一种新型的晶硅太阳能彩色电池片的制作工艺。
背景技术
当今光伏制造工艺制成过程中洁净度要求越来越高，在炉管扩散工艺中，颗粒残留在气体管路和炉管内壁上，长时间多批次作业时，会增加杂质颗粒在工艺过程中掉落到电池片上的可能性，在电池片的生产过程中引入了颗粒等污染源，就可能引起电池片漏电较大，造成产品缺陷。
扩散的反应是属于热壁式的，会有较多的颗粒扩散在炉管的内壁上，需要清洁的就将脏的石英炉管由设备中取出，对其进行湿法腐蚀以去除炉管壁上的累积附着物。对于生长氧化硅的炉管，通常是利用49％的HF酸腐蚀液对其进行浸泡，腐蚀去除内壁上的积累物；去除后，再用大量去离子水对该炉管进行冲洗，并烘干待用。这种清洗的方法容易对扩散的炉管造成损伤，且清洗时间烘干时间较长，降低了正常生产的效率。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的问题，提出一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，它包括：
S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；
S2、对低压炉管进行升温操作，升至待机温度以上；
S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
具体的，步骤S1中，扩散工艺具体为：
S101、将电池片载入石英舟，放置在低压炉管内；
S102、控制调节低压炉管内的压力与温度：压力155-160pa，温度800-820℃；进行扩散工序；
S103、将石英舟移出低压炉管，将电池片从石英舟卸下。
具体的，步骤S2中，升温温度为750-850℃。
具体的，步骤S3中，采用清洁气体对低压炉管中残留的杂质颗粒进行清除。
具体的，清洁气体为二氯乙烯、氧气和氮气的混合物。
具体的清洁方法为：氮气0-10L/min，氧气3-8L/min，二氯乙烯10-50CC/min，保持温度同S2温度清洁30-50min。
本发明的有益效果
使用该方法可以有效降低炉管内颗粒物，且不需要拆除炉管即可进行清洗，大大提高了生产的效率，使用该混合气体降低金属污染(钝化可移动离子，如钠离子)。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此：
实施例1：一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，它包括：
S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；扩散工艺具体为：
S101、将电池片载入石英舟，放置在低压炉管内；
S102、控制调节低压炉管内的压力与温度：压力155pa，温度800℃；进行扩散工序；
S103、将石英舟移出低压炉管，将电池片从石英舟卸下。
S2、对低压炉管进行升温操作，升温温度为750℃；
S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
具体的清洁方法为：氧气3L/min，二氯乙烯10CC/min，保持温度同S2温度清洁30min。
实施例2：一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，它包括：
S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；扩散工艺具体为：
S101、将电池片载入石英舟，放置在低压炉管内；
S102、控制调节低压炉管内的压力与温度：压力160pa，温度820℃；进行扩散工序；
S103、将石英舟移出低压炉管，将电池片从石英舟卸下。
S2、对低压炉管进行升温操作，升温温度为850℃；
S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
具体的清洁方法为：氮气10L/min，氧气8L/min，二氯乙烯50CC/min，保持温度同S2温度清洁50min。
实施例3：一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，它包括：
S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；扩散工艺具体为：
S101、将电池片载入石英舟，放置在低压炉管内；
S102、控制调节低压炉管内的压力与温度：压力158pa，温度810℃；进行扩散工序；
S103、将石英舟移出低压炉管，将电池片从石英舟卸下。
S2、对低压炉管进行升温操作，升温温度为800℃；
S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
具体的清洁方法为：氮气5L/min，氧气5L/min，二氯乙烯30CC/min，保持温度同S2温度清洁40min。
使用上述方法可以有效降低炉管内颗粒物，且不需要拆除炉管即可进行清洗，大大提高了生产的效率，使用该混合气体降低金属污染(钝化可移动离子，如钠离子)。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神做举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (6)
1.一种减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于它包括：
S1、选择低压炉管进行电池片的扩散工艺，电池片扩散完成后取出电池片；
S2、对低压炉管进行升温操作，升至待机温度以上；
S3、去除所述低压炉管中残留的杂质颗粒。
2.根据权利要求1所述的减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于步骤S1中，扩散工艺具体为：
S101、将电池片载入石英舟，放置在低压炉管内；
S102、控制调节低压炉管内的压力与温度：压力155-160pa，温度800-820℃；进行扩散工序；
S103、将石英舟移出低压炉管，将电池片从石英舟卸下。
3.根据权利要求1所述的减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于步骤S2中，升温温度为750-850℃。
4.根据权利要求1所述的减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于步骤S3中，采用清洁气体对低压炉管中残留的杂质颗粒进行清除。
5.根据权利要求4所述的减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于清洁气体为二氯乙烯、氧气和氮气的混合物。
6.根据权利要求5所述的减少扩散炉管内杂质颗粒的方法，其特征在于具体的清洁方法为：氮气0-10L/min，氧气3-8L/min，二氯乙烯10-50CC/min，保持温度同S2温度清洁30-50min。
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| CN101139703A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积室的清洁方法 |
| CN102921680A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种cvd反应腔体清洁方法 |
| CN103643220A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法 |
| CN106298616A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101139703A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积室的清洁方法 |
| CN102921680A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种cvd反应腔体清洁方法 |
| CN103643220A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法 |
| CN106298616A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法 |
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