CN108193191B - 掩膜板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了掩膜板及其制备方法。该掩膜板包括：掩膜板母板；保护层，保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，保护层用于保护掩膜板母板和/或与掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。

Description

掩膜板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别的，涉及掩膜板及其制备方法。
背景技术
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料，即将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到衬底表面上。为了实现特定区域镀膜，一般通过在镀膜衬底表面遮挡一层掩膜板，通过掩膜板上无掩膜区域实现选择性沉积镀膜。现行金属掩膜板多为Invar合金(铁镍合金)，但在清洗过程中表面粗糙度会不断变大，会有刮伤镀膜衬底等不良现象产生。
因此，关于掩膜板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种使用寿命长、易清洗、耐腐蚀性好、镀膜产品质量高、或保护衬底不受损伤的掩膜板。
本发明是发明人基于以下认识和发现获得的：
目前的掩膜板进行清洗过程中其表面粗糙度会越来越大，使用时与掩膜板直接接触的镀膜衬底会被刮伤，特别是在进行含碳元素薄膜制备的工艺中，对成膜腔室和掩膜板清洁时，在含氧条件下，金属掩膜板中的金属会被含氧等离子体腐蚀，影响掩膜板的使用寿命，同时被腐蚀的金属残留在掩膜板的表面上，产生异物颗粒，影响镀膜质量；同时现有掩膜板不具有电磁屏蔽作用，会释放静电，且镀膜时会发生弯折，在PECVD中会造成衬底被静电烧伤，导致金属掩膜板的边缘出现薄膜厚度不均匀的现象，影响产品良率；目前为了保护掩膜板和衬底，会在金属掩膜板的表面通过胶材贴附一层聚四氟乙烯，但在镀膜时胶材中含硅成分会析出，污染产品及腔室。针对上述问题，发明人提出可以在掩膜板的表面形成一层保护层，由此可以使得掩膜板易于清洗、耐腐蚀性能好、不会在清洗过程中表面粗糙度增大、抗静电能力和抗变形能力强。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种掩膜板。根据本发明的实施例，所述掩膜板包括：掩膜板母板；保护层，所述保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，所述保护层为镍-磷薄膜或者氟碳涂层中的至少一种。
根据本发明的实施例，基于所述氟碳涂层的总质量，按照质量百分比计，所述氟碳涂层包括15～25％的聚醚醚酮、5～10％的聚苯硫醚、5～10％的MoS2，以及余量的聚四氟乙烯。
根据本发明的实施例，基于所述镍-磷薄膜的总质量，按照质量百分比计，磷的含量为8-9％。
根据本发明的实施例，所述保护层包括所述镍-磷薄膜和所述氟碳涂层，其中，所述镍-磷薄膜设置在所述掩膜板模板的至少一个表面上，所述氟碳涂层设置于所述镍-磷薄膜远离所述掩膜板母板的表面上。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备掩膜板的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：提供掩膜板母板；形成保护层，所述保护层设置于所述掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，该方法操作简单，成本低，易于工业化生产，该方法通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，所述保护层为镍-磷薄膜或者氟碳涂层中的至少一种，其中，所述氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的；所述镍-磷薄膜是将所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的，其中，所述镍-磷薄膜镀液包括：NiSO4·7H2O 15～20g/L；NaH2PO2·H2O 25～30g/L；Na3C6H5O7·2H2O 8～10g/L；及NH4Cl 25～30g/L。
根据本发明的实施例，所述镍-磷薄膜镀液的温度为60-100℃，所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中的pH为4.5-5.5。
根据本发明的实施例，将所述掩膜板母板浸入所述镍-磷薄膜镀液中之前，进一步包括：对所述掩膜板母板依次进行敏化处理和活化处理。
根据本发明的实施例，所述掩膜板母板在所述镍-磷薄膜镀液中浸泡之后，进一步包括热处理的步骤，所述热处理的温度为350-450℃。
附图说明
图1是本发明一个实施例中掩膜板的结构示意图。
图2是本发明另一个实施例中掩膜板的结构示意图。
图3是本发明又一个实施例中制备掩膜板的流程示意图。
图4是本发明又一个实施例中制备掩膜板的流程示意图。
图5是本发明又一个实施例中掩膜板的结构示意图。
图6是本发明又一个实施例中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种掩膜板。根据本发明的实施例，参照图1，掩膜板包括：掩膜板母板10；保护层20，保护层20设置于掩膜板母板10的至少一个表面上(图中仅以设置于一个表面为例)，保护层用于保护掩膜板母板和/或与掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，掩膜板母板的具体种类没有限制要求，可以为本领域中任何一种的金属掩膜板。在本发明的实施例中，掩膜板母板的具体种类包括但不限于因瓦合金(铁镍合金)掩膜板、铁基合金掩膜板。
根据本发明的实施例，保护层为镍-磷薄膜或者氟碳涂层中的至少一种。由此，由于Ni-P薄膜具有较低的摩擦系数，具有良好的抗擦伤粘附性能，Ni-P薄膜的化学稳定性极高，具有优良的抗腐蚀性，可以耐酸、碱、盐以及各种碳氢化合物等介质的腐蚀，Ni-P薄膜还具有极好的电磁屏蔽性能；而氟碳涂层具有很高的抗张强度和耐冲击强度，具有优良的耐磨性、刚度和柔韧性，具有很优异的热稳定性，强附着性，具有极低的表面能，极好的疏水性(最大吸水率小于5％)和斥油性、极小的摩擦系数(0.15-0.17)，不会粘尘结垢，防污性好。所以凭借镍-磷薄膜和氟碳涂层均具有较低的摩擦系数、良好的抗擦伤粘附性能及理想的表面平滑性，能够有效避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；同时镍-磷薄膜的电磁屏蔽性能和氟碳涂层的绝缘性，均可以很好的避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对与掩膜板直接接触的衬底的烧伤，以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；以及镍-磷薄膜和氟碳涂层均具有优良的抗腐蚀性能，在清洗掩膜板时，可以提高掩膜板的耐腐蚀性，尤其是对含氧等离子体的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，为了使氟碳涂层具有最佳的使用性能，基于氟碳涂层的总质量，按照质量百分比计，氟碳涂层包括15～25％的聚醚醚酮、5～10％的聚苯硫醚、5～10％的MoS2(二硫化钼)，以及余量的聚四氟乙烯。由此，氟碳涂层具有较佳的抗张强度、耐冲强度、热稳定性、强附着性以及较小的摩擦系数，使得掩膜板具有最佳的使用性能，且与掩膜板母板之间具有更好的结合力。
根据本发明的实施例，由于氟碳涂层中含有一定量的聚四氟乙烯，所以保护层为氟碳涂层时，就无需在金属掩膜板的表面贴附一层聚四氟乙烯，避免在镀膜时胶材中含硅成分会析出，使得产品及腔室不被含硅成分污染，而且氟碳涂层依然可以保证掩膜板具有较低的摩擦系数，防止掩膜板母板静电的释放，保护衬底不被刮伤和烧伤。
根据本发明的实施例，镍-磷薄膜中磷的含量没有限制要求，本领域技术人员可以根据掩膜板母板的材质选择适量的磷，当掩膜板母板为因瓦合金时，基于镍-磷薄膜的总质量，按照质量百分比计，磷的含量为8-9％。由此，镍-磷薄膜与因瓦合金界面处各元素相互渗透，使得镍-磷薄膜与因瓦合金界面处热膨胀系数较小，提高掩膜板的稳定性。
根据本发明的实施例，镍-磷薄膜的厚度没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在本发明的实施例中，镍-磷薄膜的厚度为5-10微米。由此，保护层对衬底和掩膜板母板可以起到很好的保护作用；过薄，保护作用不佳；过厚，浪费材料。
根据本发明的实施例，为了进一步提高掩膜板的使用性能，参照图2，保护层20包括镍-磷薄膜21和氟碳涂层22，其中，镍-磷薄膜设置在掩膜板模板的至少一个表面上，氟碳涂层设置于镍-磷薄膜远离掩膜板母板的表面上。由此，可以凭借氟碳涂层很高的抗张强度和耐冲击强度、优良的耐磨性、强附着性、极低的表面能和摩擦系数以及优异的热稳定性可以改善镍-磷薄膜抗断裂性能，增强表面光滑度，还可以防止镍离子脱附注入衬底之中，而且，由于氟碳涂层的设置，就无需再贴附一层聚四氟乙烯，避免在镀膜时胶材中含硅成分会析出，使得产品及腔室不被含硅成分污染，而且氟碳涂层依然可以保证掩膜板具有较低的摩擦系数，防止掩膜板母板静电的释放，保护衬底不被刮伤和烧伤。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备掩膜板的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：提供掩膜板母板；形成保护层，保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，保护层用于保护掩膜板母板和/或与掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，该方法操作简单，成本低，易于工业化生产，该方法制备的掩膜板具有较小的表面粗糙度，避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤，保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤，还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，上述方法可以制备前面所述的掩膜板，其中，采用的掩膜板母板可以与前面所述的一致，在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例，保护层为镍-磷薄膜或者氟碳涂层中的至少一种。由此，由于Ni-P薄膜具有较低的摩擦系数，具有良好的抗擦伤粘附性能，Ni-P薄膜的化学稳定性极高，具有优良的抗腐蚀性，可以耐酸、碱、盐以及各种碳氢化合物等介质的腐蚀，Ni-P薄膜还具有极好的电磁屏蔽性能；而氟碳涂层具有很高的抗张强度和耐冲击强度，具有优良的耐磨性、刚度和柔韧性，具有很优异的热稳定性，强附着性，具有极低的表面能，极好的疏水性(最大吸水率小于5％)和斥油性、极小的摩擦系数(0.15-0.17)，不会粘尘结垢，防污性好。所以凭借镍-磷薄膜和氟碳涂层均具有较低的摩擦系数、良好的抗擦伤粘附性能及理想的表面平滑性，能够有效避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；同时镍-磷薄膜的电磁屏蔽性能和氟碳涂层的绝缘性，均可以很好的避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对与掩膜板直接接触的衬底的烧伤，以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；以及镍-磷薄膜和氟碳涂层均具有优良的抗腐蚀性能，在清洗掩膜板时，可以提高掩膜板的耐腐蚀性，尤其是对含氧等离子体的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。
根据本发明的实施例，形成氟碳涂层的方法没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的实施例中，氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的，具体的可包括喷涂氟碳涂料、溶剂烘干、保温、热固化、淬火等后处理步骤。由此，工艺成熟简单，易于工业化生产，还可以使得氟碳涂层与掩膜板母板更好的结合为一个整体。在本发明的优选实施例中，形成氟碳涂层的方法为静电喷涂。由此，氟碳涂层的质量较佳，比如氟碳涂层的光洁度、附着力和均匀性均能够得到很大程度提高。
根据本发明的实施例，为了使氟碳涂层更好的喷涂于掩膜板母板的表面上，在形成氟碳涂层之前可以进一步包括对掩膜板母板前处理的步骤，即除脂处理，本发明中对除脂的方法没有限制要求，只要达到除脂效果即可，比如可以为碱性洗除脂。
根据本发明的一些具体实施例，参照图3，形成氟碳涂层的方法为：
步骤一：掩膜板母板前处理：配制NaOH(80g/L)溶液，将掩膜板母板浸泡在上述溶液中进行碱洗除脂，再经水洗后用浓HCl(40mL/L)去污，最后经铬化处理、水洗、烘干，待用；
步骤二：配制氟碳涂料：将聚醚醚酮(PEEK)15～25％、聚苯硫醚(PPS)5～10％、MoS2(5～10％)以及余量的聚四氟乙烯粉料与溶剂无水乙醇混合均匀，形成氟碳涂料；
步骤三：掩膜板母板预热，可以提高衬底与氟碳涂料之间的粘结力；
步骤四：静电喷涂氟碳涂料：在一定的电场强度下，枪针端的电子碰撞使得聚四氟乙烯从枪口喷出，喷出的聚四氟乙烯使涂料液滴带上负电荷，当涂料液滴在枪口处带上多个负电荷，受同性相斥作用涂料液滴进一步雾化，带负电荷的漆雾受电场力作用沉积于接正极或接地的掩膜板母板的表面，形成初级涂层；
步骤五：后处理：将初级涂层在80-90℃下烘干10min，除去溶剂；在150℃下保温1.5小时，使得涂层中聚合物充分交联，形成整体；之后在200-250℃下热固化4小时；最后在10-180℃在淬火2小时，得到氟碳涂层，结构示意图参照图1。
根据本发明的实施例，镍-磷薄膜是将掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的，其中，镍-磷薄膜镀液包括：NiSO4·7H2O 15～20g/L；NaH2PO2·H2O 25～30g/L；Na3C6H5O7·2H2O 8～10g/L；及NH4Cl 25～30g/L。由此，可以的得到含磷量为8-9％的镍-磷薄膜，镍-磷薄膜与因瓦合金界面处各元素相互渗透，使得镍-磷薄膜与因瓦合金界面处热膨胀系数较小，提高掩膜板的稳定性。
根据本发明的实施例，为了更好地控制磷的含量，掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中的pH为4.5-5.5。由此，将pH值控制在4.5～5.5范围内，可以有利于通过调节NaH2PO2·H2O的浓度来控制镍-磷镀层中磷的含量。
根据本发明的实施例，镀液pH的调节方法没有限制要求，本领域技术人员可以根据市继续实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，可以通过缓冲溶液、氨水或氯化铵等溶液进行调节镀液的pH。
根据本发明的实施例，镍-磷薄膜镀液的温度没有特殊要求，只要保证化学镀的顺利进行即可。在本发明的一些实施例中，镍-磷薄膜镀液的温度为60-100℃。由此，控制在该温度范围内可以保证镍-磷化学镀的镀膜质量与镀膜效率；在酸性溶液中，过高的温度会导致镍磷镀层中磷含量降低；镀液温度过低则会影响镀膜效率。在本发明的优选实施例中，镍-磷薄膜镀液的温度为75-80℃，由此，在保证镀膜效率同时，得到的镍-磷薄膜的质量最佳。
根据本发明的实施例，为了较好促进镍-磷薄膜的形成，将掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中之前，进一步包括：对掩膜板母板依次进行敏化处理和活化处理。由此，可以催化镍-磷薄膜的形成。根据本发明的实施例，敏化和活化的具体方法没有限制要求，本领域技术人员根据实际需求，比如掩膜板母板的具体材质等灵活选择即可。在本发明的一些实施例中，敏化处理是在掩膜板母板表面吸附一层具有还原性的离子，该还原性离子可以将活化离子(通常为金属离子)还原为活化微粒并紧附于掩膜板母板表面，形成均匀催化结晶中心的金属层，使镍-磷化学镀自发进行。在本发明另的一些实施例中，当掩膜板母板为铁基金属掩膜板，可以直接采用稀盐酸活化即可，浓度为10～20ml/L。由此，方法简单有效，成本低，催化活性高。
根据本发明的实施例，为了提高掩膜板母板表面对还原性离子的吸附性，在敏化处理之前还可以进一步包括对掩膜板母板进行碱性除油处理的步骤。由此，有利于掩膜板母板表面对还原性离子的吸附性。
根据本发明的实施例，为了使镍-磷薄膜与掩膜板母板具有更好的匹配性，掩膜板母板在镍-磷薄膜镀液中浸泡之后，进一步包括热处理的步骤，热处理的温度为350-450℃，优选400℃。由此，镍-磷薄膜与因瓦合金界面处各元素相互渗透，尤其是在镍-磷薄膜的含磷量为8-9％的基础上，可以使得镍-磷薄膜与因瓦合金界面处热膨胀系数达到最小，得到稳定性更高的掩膜板，还可以除去形成镍-磷薄膜工艺中产生的氢气。
根据本发明的实施例，热处理的时间没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在本发明的一些实施例中，热处理的时间为1-2小时，优选1.5小时，由此，热处理的效果最佳；时间过短，镍-磷薄膜与掩膜板母板界面处各元素相互渗透不完全，氢气也不能完全除尽；时间过长，浪费时间，工序时间长。
根据本发明的一些具体实施例，参照图4，形成镍-磷薄膜的方法为：
步骤一：掩膜板母板预处理：
1)碱性除油处理：碱性除油剂的配方为：NaOH(70～90g/L，优选80g/L)，无水Na2CO3(10～30g/L，优选15g/L)，Na3PO4(20～50g/L，优选30g/L)，将掩膜板母板浸泡在上述除油剂中进行除油，浸泡30～60s后，水洗；
2)敏化处理：敏化液配方为：SnCl2·2H2O(18～22g/L，优选20g/L)，浓HCl(30～40mL/L，优选40ml/L)，少量锡粒，将上述除油处理后得到的掩膜板母板浸泡在上述敏化液中，敏化时间控制在20～40s，完成后水洗；
3)活化处理：钯活化液配方为：Na2SnO3·3H2O(14～16g/L)，PdCl2(1～2g/L)，浓HCl(180～200ml/L)，将敏化处理后得到的掩膜板母板浸泡于上述钯活化液中，使活化液中的Pd2+被镀件基体表面的Sn2+还原成金属钯微粒，并紧附于掩膜板母板表面，形成均匀催化结晶中心的贵金属层，之后水洗，并用体积浓度100mL/L的盐酸在40～45℃处理0.5～1min进行解胶处理，以便将吸附在钯原子周围的二价锡胶体层去除，以显露出活性钯位置，催化镍-磷化学镀的自发进行。
其中，上述敏化和活化步骤中，还可以用铂替代钯，铅替代锡，由此，选择性更广，成本低。
步骤二：配制化学镀镍-磷薄膜镀液：将NiSO4·7H2O 15～20g/L；NaH2PO2·H2O 25～30g/L；Na3C6H5O7·2H2O 8～10g/L；及NH4Cl 25～30g/L配置成溶液待用，镍-磷薄膜镀液的温度为75-80℃。
步骤三：化学镀镍-磷薄膜：将活化后的掩膜板母板浸泡在镀液中，采用氨水将调节镀液的pH为4.5-5.5，镍离子与次亚磷酸根离子发生氧化还原反应：Ni2++H2PO2－+H2O→HPO3 2－+3H++Ni↓
H2PO2－+H2O→H++HPO3 2－+H2↑
部分次亚磷酸根离子被氢离子还原成磷夹杂在镀层中：
H2PO2－+H+→P+H2O+OH－
化学镀结束后，进行水洗、干燥。
步骤四：热处理：经过400℃，1.5h的热处理除氢，得到最后所需的掩膜板，结构示意图参照图5(由于上述操作中是采用的浸泡，所以在掩膜板母板的两个表面均形成了镍-磷薄膜)。
根据本发明的实施例，为了进一步提高掩膜板的使用性能，还可以在形成镍-磷薄膜后再形成氟碳涂层，结构示意图参照图2和图6，其形成方法与前面所述的形成氟碳涂层的步骤一致，在此就不再过多赘述，其中，镍-磷薄膜设置在掩膜板模板的至少一个表面上，氟碳涂层设置于镍-磷薄膜远离掩膜板母板的表面上(镀膜时，氟碳涂层与衬底接触设置)。由此，可以凭借氟碳涂层很高的抗张强度和耐冲击强度、优良的耐磨性、强附着性、极低的表面能和摩擦系数以及优异的热稳定性可以改善镍-磷薄膜抗断裂性能，增强表面光滑度，还可以防止镍离子脱附注入衬底之中，而且，由于氟碳涂层的设置，就无需再贴附一层聚四氟乙烯，避免在镀膜时胶材中含硅成分会析出，使得产品及腔室不被含硅成分污染，而且氟碳涂层依然可以保证掩膜板具有较低的摩擦系数，防止掩膜板母板静电的释放，保护衬底不被刮伤和烧伤。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (5)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
掩膜板母板，所述掩膜板母板为因瓦合金；
保护层，所述保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤，
所述保护层包括镍-磷薄膜和氟碳涂层，且基于所述镍-磷薄膜的总质量，按照质量百分比计，磷的含量为8-9％，
基于所述氟碳涂层的总质量，按照质量百分比计，所述氟碳涂层包括15～25％的聚醚醚酮、5～10％的聚苯硫醚、5～10％的MoS2，以及余量的聚四氟乙烯，
制备所述掩膜板的方法包括：
提供掩膜板母板，所述掩膜板母板为因瓦合金；
形成保护层，所述保护层设置于所述掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤，
其中，所述氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的；
所述镍-磷薄膜是将所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的，其中，所述镍-磷薄膜镀液包括：
NiSO4·7H2O 15～20g/L；
NaH2PO2·H2O 25～30g/L；
Na3C6H5O7·2H2O 8～10g/L；及
NH4Cl 25～30g/L，
所述掩膜板母板在所述镍-磷薄膜镀液中浸泡之后，进一步包括热处理的步骤，所述热处理的温度为350-450℃。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层包括所述镍-磷薄膜和所述氟碳涂层，其中，所述镍-磷薄膜设置在所述掩膜板模板的至少一个表面上，所述氟碳涂层设置于所述镍-磷薄膜远离所述掩膜板母板的表面上。
3.一种制备掩膜板的方法，其特征在于，包括：
提供掩膜板母板，所述掩膜板母板为因瓦合金；
形成保护层，所述保护层设置于所述掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤，
其中，所述保护层包括镍-磷薄膜和氟碳涂层，且基于所述镍-磷薄膜的总质量，按照质量百分比计，磷的含量为8-9％，
其中，所述氟碳涂层是采用喷涂的方法形成的；
所述镍-磷薄膜是将所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中形成的，其中，所述镍-磷薄膜镀液包括：
NiSO4·7H2O 15～20g/L；
NaH2PO2·H2O 25～30g/L；
Na3C6H5O7·2H2O 8～10g/L；及
NH4Cl 25～30g/L，
所述掩膜板母板在所述镍-磷薄膜镀液中浸泡之后，进一步包括热处理的步骤，所述热处理的温度为350-450℃。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述镍-磷薄膜镀液的温度为60-100℃，所述掩膜板母板浸入镍-磷薄膜镀液中的pH为4.5-5.5。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述掩膜板母板浸入所述镍-磷薄膜镀液之前，进一步包括：
对所述掩膜板母板依次进行敏化处理和活化处理。
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