CN108172668A - 一种发光二极管 - Google Patents
一种发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108172668A CN108172668A CN201810039674.0A CN201810039674A CN108172668A CN 108172668 A CN108172668 A CN 108172668A CN 201810039674 A CN201810039674 A CN 201810039674A CN 108172668 A CN108172668 A CN 108172668A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- nitride semiconductor
- type
- electrode
- type nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 123
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 110
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd] RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0033—Devices characterised by their operation having Schottky barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种发光二极管，包括：一基板、形成于基板上表面的n型氮化物半导体层、形成于n型氮化物半导体层上表面一预设区域的活性层、形成于活性层上表面的p型氮化物半导体层、形成于p型氮化物半导体层上表面的p型电极、形成于n型氮化物半导体层上表面另一预设区域的n型电极、一分别与p型氮化物半导体层上端面以及p型氮化物半导体层与活性层侧面接触的绝缘层、一分别与所述绝缘层以及所述n型电极接触的金属桥。本发明提出的一种发光二极管，提供了一种通过金属桥来保护静电放电的发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管。
背景技术
在半导体发光器件中，当将正向电压施加到发光器件时，p型半导体层的空穴与n型半导体层的电子相复合，发射与带隙能量相对应的波长的光。氮化物半导体(AlxInyGa1-x-yN; 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)是发光器件中的显著材料，可通过改变其中铝、铟、镓成分的比率而发出不同波长的光。
然而，衬底与半导体之间的晶格常数的差异和热膨胀系数的不同往往会使氮化物半导体产生晶体缺陷。从外部对发光二极管施加高压时，电流会集中在晶体缺陷的位置，会损坏发光二极管。而且，对于本领域技术人员而言，静电放电会降低氮化物基发光二极管的出光率。
在现有技术中，一种传统的防静电放电的发光二极管常采用将发光二极管与一个反向pn结二极管（以下简称“ESD二极管”）相并联。然而，ESD二极管需要一定的面积，这将占据二极管的一部分发光区域，因此这种方式存在难以高度集成的短处。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管，以克服现有技术中存在的缺陷。
为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种发光二极管，包括：一基板、形成于所述基板上表面的n型氮化物半导体层、形成于所述n型氮化物半导体层上表面一预设区域的活性层、形成于所述活性层上表面的p型氮化物半导体层、形成于所述p型氮化物半导体层上表面的p型电极、形成于所述n型氮化物半导体层上表面另一预设区域的n型电极、一分别与所述p型氮化物半导体层上端面以及所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的绝缘层、一分别与所述绝缘层上端面和侧面以及所述n型电极侧面和上端面接触的金属桥。
在本发明一实施例中，所述绝缘层包括下端面与所述p型氮化物半导体层上端面接触的上绝缘部以及侧面与所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的侧绝缘部；所述上绝缘部分厚度小于所述侧绝缘部的厚度。
在本发明一实施例中所述金属桥与所述n型电极采用相同的导电材料。
在本发明一实施例中所述金属桥包括依次相连的：盘电极、沿所述盘电极向所述n型电极方向延伸的扩展电极以及由所述扩展电极端部分出的分支电极。
在本发明一实施例中，所述金属桥设置于所述分支电极端部与所述n型电极横截面中心点所在的直线上。
进一步的，本发明还提供一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板、形成于所述基板上表面的n型氮化物半导体层，形成于所述n型氮化物半导体层上表面一预设区域的活性层，形成于所述活性层上表面的p型氮化物半导体层，形成于所述p型氮化物半导体层上表面的p型电极，形成于所述n型氮化物半导体层上表面另一预设区域的n型电极，一分别与所述p型氮化物半导体层上端面以及所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的绝缘层，一分别与所述p型氮化物半导体层上端面、所述绝缘层上端面和侧面以及所述n型电极侧面和上端面接触的金属桥。
在本发明一实施例中，所述绝缘层包括下端面与所述p型氮化物半导体层上端面接触的上绝缘部以及侧面与所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的侧绝缘部；所述上绝缘部分厚度小于所述侧绝缘部的厚度。
在本发明一实施例中，所述金属桥与所述n型电极采用相同的导电材料。
在本发明一实施例中，所述金属桥包括依次相连的：盘电极、沿所述盘电极向所述n型电极方向延伸的扩展电极以及由所述扩展电极端部分出的分支电极。
在本发明一实施例中，所述金属桥设置于所述分支电极端部与所述n型电极横截面中心点所在的直线上。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明提出的发光二极管包括绝缘层和多个金属桥。上述绝缘层在与n型电极相邻的p型氮化物半导体层的上表面局部形成，并且覆盖在靠近n型电极的p型氮化物半导体层和活性层的侧表面。金属桥覆盖在绝缘层上，并且一端与n型电极相连。
（2）金属桥的一端连接到n型电极，另一端部覆盖在p型氮化物半导体层的上表面。金属桥可以通过绝缘层与p型氮化物半导体层的上表面形成电绝缘，或者可以延伸到绝缘层的区域之外，以与p型氮化物半导体层的上表面形成肖特基接触。
（3）当金属桥通过绝缘层与p型氮化物半导体层的上表面电绝缘时，在p型氮化物半导体层上形成的绝缘层可以称为绝缘薄膜。当逆向对氮化物基发光二极管施加高压时，电流可能不流经氮化物半导体层的晶体缺陷，而是经过金属桥与绝缘薄膜的概率更大。
（4）当金属桥与p型电极之间的距离减小时，静电放电不通过氮化物界半导体层，而直接通过金属桥的概率将增大。因此，p型电极可以包括向n型电极方向延伸的扩展电极和从扩展电极的端部分出的多个分支电极。金属桥则处在分支电极尾部和n型电极中心点的所在的直线上，从而使金属桥的末端和n电极的距离达到最短，从而使晶格缺陷引起的静电放电尽可能的被最小化。
（5）金属桥使用的材料与n型电极相同，以便与n型电极形成更好的电连接，并且能在形成n型电极工艺阶段中同步成型，从而简化制造流程。
（6）当金属桥延伸超过绝缘层与p型氮化物半导体层的上表面形成肖特基接触时，可以在p型氮化物半导体层的上表面和金属桥之间形成肖特基势垒。当施加反向电压时，比起氮化物半导体PN结的击穿电压的绝对值，肖特基接触的击穿电压绝对值更小，因此，电流可以流经金属桥，从而避免因静电放电造成的损害。
（7）金属桥与p型氮化物半导体层形成肖特基接触，而n型电极与n型氮化物半导体层，p型电极与p型氮化物半导体层形成欧姆接触。因此，为了形成n型电极和p型电极的欧姆接触，可以在电极层和半导体层之间的界面层再添加一个欧姆接触层。
本发明的技术效果不受上述技术的限制，对比于普通技术或者未提及的其他的技术效果也很明显。
附图说明
图1为本发明实施例一中发光二极管的截面图。
图2为本发明实施例一中一发光二极管的平面图。
图3为本发明实施例一中另一发光二极管的平面图。
图4为本发明实施例二中发光二极管的截面图。
图5为本发明实施例二中一发光二极管的平面图。
图6为本发明实施例二中另一发光二极管的平面图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的技术方案进行具体说明。
实施例一
如图1所示，为本实施例中所设计的发光二极管的截面图。该发光二极管包括：基板（10），在基板（10）上表面形成的n型氮化物半导体层（21），在n型氮化物半导体层（21）上表面的一部分区域形成的活性层（23），在活性层上表面形成p型氮化物半导体层（25），在p型氮化物半导体层（25）上表面形成的p型电极（70）；在n型氮化物半导体（21）上表面另一部分区域形成的n型电极（60）；在与n型电极（60）相邻的p型氮化物半导体层（25）和活性层（23）的侧面以及p型氮化物半导体层（25）上表面的局部位置形成的绝缘层（30）；在n型电极（60）的上端面与侧面、绝缘层（30）的上端面与侧面形成的金属桥（40），且金属桥（40）沿n型电极（60）的上端面、n型电极（60）的侧面、绝缘层（30）的侧面以及绝缘层（30）的上端面连续设置。
进一步的，在本实施例中，适用于氮化物基发光二极管的衬底的各种已知材料皆可以用作基板（10），而不受限制。一般来说，能够长出高品质氮化物界半导体的物质，包括：SiC、Si、GaN、ZnO、GaAs、LiAl2O3、BN以及 AlN等，并不受限制。
进一步的，在本实施例中，在基板（10）上形成的n型氮化物半导体层（21），n型氮化物半导体层（21）的一部分区域上形成活性层（23），在活性层（23）上形成p型氮化物半导体层（25），包括掺杂了的氮化物基半导体层。氮化物基半导体层可包括AlxInyGa1-x-yN（0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤x + y≤1），n型掺杂剂可包括硅（Si）、锗（Ge），锡（Sn），p型掺杂剂可包括镁（Mg）、锌（Zn），镉（Cd）。
进一步的，在本实施例中，活性层（23）可以是单量子阱结构，也可以是多量子阱结构。多量子阱结构的活性层（23）可以是大带隙的半导体层和小带隙的半导体层交替堆叠的结构。
进一步的，在本实施例中，可以在n型氮化物半导体层（21）和基板（10）之间选择性地生长高质量的氮化镓半导体的种子层（未图示）或缓冲层（未图示）。
进一步的，在本实施例中，在n型氮化物半导体层（21）的暴露区域上形成的n型电极（60）和在p型氮化物半导体层（25）上形成的p型电极（70）可以使用各种已知导电材料而不受限制。并且，可分别在n型电极（60）和p型电极（70）下形成欧姆接触层（51）以及欧姆接触层（53）。
进一步的，在本实施例中，在与n型电极（60）相邻的p型氮化物半导体层（25）和活性层（23）的侧面以及p型氮化物半导体层（25）上表面的局部位置形成绝缘层（30）。形成绝缘层的材料包含且不限于各种被广泛认知的物质。绝缘层（30）的材料可以是广泛应用于发光二极管制造的SiOx或者 SiN。
进一步的，在本实施例中，绝缘层（30）包括在p型氮化物半导体层（25）的上表面形成的上绝缘薄膜（31）及活性层（23）和p型氮化物半导体层（25）的侧表面上形成的侧绝缘薄膜（33）。与侧绝缘薄膜（33）相比，上绝缘薄膜（31）非常薄，因此，反向高电压可能只流经上绝缘薄膜（31）。
进一步的，在本实施例中，在绝缘层（30）上形成与n型电极（60）电连的金属桥（40）。金属桥（40）沿n型电极（60）的上端面、n型电极（60）的侧面、绝缘层（30）的侧面以及绝缘层（30）的上端面连续设置。还包括设置于n型电极（60）侧面与绝缘层（30）侧面之间欧姆接触层（51）上表面的金属桥。
在本实施例中，金属桥（40）和n型电极（60）使用相同的导电材料，以便两者形成良好的电接触。并且，在n型电极（60）形成的阶段同时形成金属桥（40），可以使工程简化。
进一步的，如图2和图3所示，p型电极（70）包括盘电极（71）、由盘电极（71）向n型电极（60）方向延伸的扩展电极（73）以及扩展电极端部分出的分支电极（75a）与（75b）。扩展电极（73）和多个分支电极缩短了金属桥（40）和p型电极（70）的距离。采用该种设置方式，当施加正向电压时，电流将均匀地分布在具有高电阻的p型半导体层（25）的整个表面上，从而增加发光率。进一步的，分支电极（75a）与（75b）的形态及数量，可以根据p型半导体层（25）上电流的高效扩展而进行调整。
进一步的，在本实施例中，如图2和图3所示，分支电极（75a）与（75b）的截面可为首位相接的圆弧或直线段。
进一步的，在本实施例中，金属桥（40）可以设置在分支电极（75a）与（75b）的末端以及n型电极的中心点所在的直线上。分支电极（75a）与（75b）的末端分别和n型电极中心点的距离（d1）以及（d2）相同。金属桥（40）和分支电极（75a）与（75b）的距离越近，电流流过金属桥（40）的概率越大，静电放电对氮化物基半导体晶体的损伤越小。
进一步的，在本实施例中，当静电放电的反向电压加到发光二极管，电流将顺序流过n型电极60、金属桥40、上绝缘薄膜31、p型氮化物半导体层25和p型电极70。因此，可以防止由静电放电引起的发光二极管的损坏。
实施例二
如图4所示，为本实施例中所设计的发光二极管的截面图。该发光二极管包括：基板（10），在基板（10）上表面形成n型氮化物半导体层（21），在n型氮化物半导体层（21）上表面的一部分区域形成的活性层（23），活性层（23）上形成p型氮化物半导体层（25），在p型氮化物半导体层（25）上表面形成的p型电极（70）；在n型氮化物半导体层（21）上表面另一部分区域形成的n型电极（60）；在与n型电极（60）相邻的p型氮化物半导体层（25）和活性层（23）的侧面以及p型氮化物半导体层（25）上表面的局部位置形成的绝缘层（30）；在n型电极（60）的上端面与侧面、绝缘层（30）的上端面与侧面以及p型氮化物半导体层（25）的上端面形成的金属桥（40），且金属桥（40）沿n型电极（60）的上端面、n型电极（60）的侧面、绝缘层（30）的侧面、绝缘层（30）的上端面以及p型氮化物半导体层（25）的上端面连续设置。
进一步的，在本实施例中，适用于氮化物基发光二极管的衬底的各种已知材料皆可以用作基板（10），而不受限制。一般来说，能够长出高品质氮化物界半导体的物质，包括：SiC、Si、GaN、ZnO、GaAs、LiAl2O3、BN以及 AlN等，并不受限制。
进一步的，在本实施例中，在基板（10）上形成的n型氮化物半导体层（21），n型氮化物半导体层（21）的一部分区域上形成活性层（23），在活性层（23）上形成p型氮化物半导体层（25），包括掺杂了的氮化物基半导体层。氮化物基半导体层可包括AlxInyGa1-x-yN（0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤x + y≤1），n型掺杂剂可包括硅（Si）、锗（Ge），锡（Sn），p型掺杂剂可包括镁（Mg）、锌（Zn），镉（Cd）。
进一步的，在本实施例中，活性层（23）可以是单量子阱结构，也可以是多量子阱结构。多量子阱结构的活性层（23）可以是大带隙的半导体层和小带隙的半导体层交替堆叠的结构。
进一步的，在本实施例中，可以在n型半导体层（21）和基板（10）之间选择性地生长高质量的氮化镓半导体的种子层（未图示）或缓冲层（未图示）。
进一步的，在本实施例中，在n型氮化物半导体层（21）的暴露区域上形成的n型电极（60）和在p型氮化物半导体层（25）上形成的p型电极（70）可以使用各种已知导电材料而不受限制。并且，可分别在n型电极（60）和p型电极（70）下面形成欧姆接触层（51）以及欧姆接触层（53）。
进一步的，在本实施例中，在与n型电极（60）相邻的p型氮化物半导体层（25）和活性层（23）的侧面以及p型氮化物半导体层（25）上表面的局部位置形成绝缘层（30）。形成绝缘层的材料包含且不限于各种被广泛认知的物质。绝缘层（30）的材料可以是广泛应用于发光二极管制造的SiOx或者 SiN。
进一步的，在本实施例中，绝缘层（30）包括在p型氮化物半导体层（25）的上表面形成的上绝缘薄膜（31）及活性层（23）和p型氮化物半导体层（25）的侧表面上形成的侧绝缘薄膜（33）。与侧绝缘薄膜（33）相比，上绝缘薄膜（31）非常薄，因此，反向高电压可能只流经上绝缘薄膜（31）。
进一步的，在本实施例中，金属桥（40）的一部分超过绝缘层（30）并与p型氮化物半导体层（25）上表面接触，形成肖特基接触，另外一端与n型电极（60）接触。
在本实施例中，金属桥（40）和n型电极（60）使用相同的导电材料，以便两者形成良好的电接触。并且，在n型电极（60）形成的阶段，金属桥（40）可同步成型，从而简化制造流程。
进一步的，在本实施例中，如图5图6所示，p型电极（70）包括盘电极（71）、由盘电极（71）向n型电极（60）方向延伸的扩展电极（73）以及扩展电极端部分出的分支电极（75a）与（75b）。扩展电极（73）和多个分支电极缩短了金属桥（40）和p型电极（70）的距离。采用该种设置方式，当施加正向电压时，电流将均匀地分布在具有高电阻的p型半导体层（25）的整个表面上，从而增加发光率。进一步的，分支电极（75a）与（75b）的形态及数量，可以根据p型半导体层（25）上电流的高效扩展而进行调整。
进一步的，在本实施例中，如图5图6所示，分支电极（75a）与（75b）的截面可为首位相接的圆弧或直线段。
进一步的，在本实施例中，金属桥（40）可以设置在分支电极（75a）与（75b）的末端以及n型电极的中心点所在的直线上。分支电极（75a）与（75b）的末端分别和n型电极中心点的距离（d1）以及（d2）相同。金属桥（40）和分支电极（75a）与（75b）的距离越近，电流流过金属桥（40）的概率越大，静电放电对氮化物基半导体晶体的损伤越小。
进一步的，在本实施例中，在p型氮化物半导体层（25）和金属桥（40）接触的面（41）上形成肖特基势垒。当施加反向电压时，比起氮化物半导体PN结的击穿电压的绝对值，肖特基接触的击穿电压绝对值更小，因此，电流可以流经金属桥（40），从而防止因静电放电造成的损害。
进一步的，在本实施例中，在n型电极（60）和p型电极（70）下面可设欧姆接触层（51）以及欧姆接触层（53），欧姆接触层（51）以及欧姆接触层（53）处于电极与半导体层之间。然而，因为金属桥（40）要与p型氮化物半导体层（25）形成肖特基接触，所以金属桥（40）接触的面（41）不在形成欧姆接触层。
以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板、形成于所述基板上表面的n型氮化物半导体层、形成于所述n型氮化物半导体层上表面一预设区域的活性层、形成于所述活性层上表面的p型氮化物半导体层、形成于所述p型氮化物半导体层上表面的p型电极、形成于所述n型氮化物半导体层上表面另一预设区域的n型电极、一分别与所述p型氮化物半导体层上端面以及所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的绝缘层、一分别与所述绝缘层上端面和侧面以及所述n型电极侧面和上端面接触的金属桥。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘层包括下端面与所述p型氮化物半导体层上端面接触的上绝缘部以及侧面与所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的侧绝缘部；所述上绝缘部分厚度小于所述侧绝缘部的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥与所述n型电极采用相同的导电材料。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥包括依次相连的：盘电极、沿所述盘电极向所述n型电极方向延伸的扩展电极以及由所述扩展电极端部分出的分支电极。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥设置于所述分支电极端部与所述n型电极横截面中心点所在的直线上。
6.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板、形成于所述基板上表面的n型氮化物半导体层，形成于所述n型氮化物半导体层上表面一预设区域的活性层，形成于所述活性层上表面的p型氮化物半导体层，形成于所述p型氮化物半导体层上表面的p型电极，形成于所述n型氮化物半导体层上表面另一预设区域的n型电极，一分别与所述p型氮化物半导体层上端面以及所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的绝缘层，一分别与所述p型氮化物半导体层上端面、所述绝缘层上端面和侧面以及所述n型电极侧面和上端面接触的金属桥。
7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘层包括下端面与所述p型氮化物半导体层上端面接触的上绝缘部以及侧面与所述p型氮化物半导体层与所述活性层侧面接触的侧绝缘部；所述上绝缘部分厚度小于所述侧绝缘部的厚度。
8.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥与所述n型电极采用相同的导电材料。
9.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥包括依次相连的：盘电极、沿所述盘电极向所述n型电极方向延伸的扩展电极以及由所述扩展电极端部分出的分支电极。
10.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，所述金属桥设置于所述分支电极端部与所述n型电极横截面中心点所在的直线上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810039674.0A CN108172668B (zh) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | 一种发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810039674.0A CN108172668B (zh) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | 一种发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108172668A true CN108172668A (zh) | 2018-06-15 |
| CN108172668B CN108172668B (zh) | 2020-02-11 |
Family
ID=62514842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810039674.0A Active CN108172668B (zh) | 2018-01-16 | 2018-01-16 | 一种发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108172668B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108790892A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-11-13 | 重庆明斯克电气有限公司 | 一种电动汽车的充电监控管理装置 |
| CN108832678A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-11-16 | 重庆明斯克电气有限公司 | 用于电动汽车充电桩的智能配电管理系统 |
| WO2023102913A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060081857A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Hong Steve M | Light emitting device having circuit protection unit |
| CN101794804A (zh) * | 2009-01-22 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 发光元件 |
| US20110180831A1 (en) * | 2008-04-06 | 2011-07-28 | Song June O | Luminous element |
-
2018
- 2018-01-16 CN CN201810039674.0A patent/CN108172668B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060081857A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Hong Steve M | Light emitting device having circuit protection unit |
| US20110180831A1 (en) * | 2008-04-06 | 2011-07-28 | Song June O | Luminous element |
| CN101794804A (zh) * | 2009-01-22 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 发光元件 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108790892A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-11-13 | 重庆明斯克电气有限公司 | 一种电动汽车的充电监控管理装置 |
| CN108832678A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-11-16 | 重庆明斯克电气有限公司 | 用于电动汽车充电桩的智能配电管理系统 |
| WO2023102913A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108172668B (zh) | 2020-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101194844B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP4091049B2 (ja) | 静電気放電防止機能を有する窒化物半導体発光素子 | |
| CN101807593B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| US9356213B2 (en) | Manufacturing method of a light-emitting device having a patterned substrate | |
| US9136432B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
| KR100708936B1 (ko) | 플립칩용 질화물계 반도체 발광소자 | |
| KR101007139B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN101911321A (zh) | 半导体发光器件 | |
| KR101393745B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20130015465A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
| KR101154750B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US10490701B2 (en) | Light emitting diode chip | |
| TW201324863A (zh) | 發光二極體元件以及覆晶式發光二極體封裝元件 | |
| US20030209723A1 (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor device | |
| CN108172668A (zh) | 一种发光二极管 | |
| JP2000077713A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR101114047B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2009164572A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| KR100812737B1 (ko) | 플립칩용 질화물계 발광소자 | |
| KR20120017443A (ko) | 전기 절연성을 갖는 다이 에지로의 콘택트 패드들의 확장 | |
| KR20090076163A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된질화물 반도체 발광소자 | |
| KR20050096010A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101090178B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| KR101087970B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| KR101350923B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |