CN108172660B - Czts太阳能电池制作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 28
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004851 dishwashing Methods 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 6
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 3
- KGTHTMORTMBFAJ-UHFFFAOYSA-N dizinc selenium(2-) sulfide Chemical compound [S--].[Zn++].[Zn++].[Se--] KGTHTMORTMBFAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 208000007976 Ketosis Diseases 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000004140 ketosis Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000701 toxic element Toxicity 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明提供了一种CZTS太阳能电池制作方法,包括以下步骤:(A)清洗衬底;(B)溅射背电极层;(C)按Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数:Sn原子数为0.7~1.3的比例共溅射制作前躯体层;(D)将含有该前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理,得到CZTS薄膜;(E)用磁控溅射加热含该CZTS薄膜的基片至400~500℃温度,并且在该CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层,并使含该CdS缓冲层的基片在400~500℃的温度下热处理5~15分钟;(F)制作30~80nm的本征氧化锌层;(G)制作300~500nm的掺铝氧化锌层;(H)制作1~3μm的栅电极层。该方法具有制作流程简单,可以大幅提高电池吸收层组分的均匀性、二极管品质因子和转换效率的优点。
Description
技术领域
本发明涉及光伏器件制作工艺领域,特别涉及一种CZTS太阳能电池制作方法。
背景技术
随着经济和科技的发展,煤炭和石油等不可再生资源逐渐耗尽,伴随而来的雾霾和酸雨等污染也在威胁着人类的生存环境。实现经济结构改革和升级,即既要能源和经济上的金山银山,又要环境上的绿水青山,成为人类社会面临的重大难题。太阳能光伏(Photovoltaic,缩写为PV)发电技术能够将辐照至地面上的太阳光源源不断地转化为电能,成为解决上述问题的较佳之选。
在众多光伏电池中,铜锌锡硫(Copper Zinc Tin Sulfide,CZTS)太阳能电池因采用地壳丰度高和低毒性元素,吸收系数高(>104cm-1)以及带隙连续可调(1.0-1.5eV)等诸多优点近年来成为研究的热点。现有技术主要采用逐层磁控溅射、热蒸发、喷雾热解、电沉积、溶胶凝胶及旋转涂布等工艺方法制作的铜锌锡硫太阳能电池(其核心是CZTS材质的吸收层薄膜和PN结)。这些工艺制作方法不仅流程繁琐而且很难做到组分均一,最终导致二极管品质因子和转换效率偏低,成为亟待解决的技术难题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术的CZTS太阳能电池的吸收层薄膜制作流程繁琐和制作的CZTS薄膜组分不均一的缺陷,提供一种CZTS太阳能电池制作方法,该方法具有制作流程简单,采用该方法制作的太阳能电池吸收层组分均一并且采用该方法制作的太阳能电池的二极管品质因子和转换效率均较高。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
一种CZTS太阳能电池制作方法,其特点在于,包括以下步骤:
(A)清洗衬底;
(B)使用磁控溅射技术在该衬底上溅射背电极层;
(C)按Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数:Sn原子数为0.7~1.3的比例调控含铜元素靶、含锌元素靶和含锡元素靶的溅射功率,进而在该背电极层上共溅射制作前躯体层;
(D)将含有该前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理,得到CZTS薄膜;
(E)使用磁控溅射加热含该CZTS薄膜的基片至400~500℃温度,并且在该CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层,并使含该CdS缓冲层的基片在400~500℃的温度下热处理5~15分钟;
(F)在该CdS缓冲层上溅射制作30~80nm的本征氧化锌层;
(G)在该本征氧化锌层上溅射制作300~500nm的掺铝氧化锌层;
(H)使用热蒸发技术在该掺铝氧化锌层上制作1~3μm的栅电极层。
较佳地,该衬底为钠钙玻璃衬底,该(A)步骤包括以下步骤:
(A1)使用酒精灯火焰将该钠钙玻璃衬底的正面和反面分别烘烤30~90秒;
(A2)使用洗洁精清洗该钠钙玻璃衬底。
较佳地,该背电极层包含依次堆叠的第一背电极层、第二背电极层和第三背电极层,该(B)步骤包括以下步骤:
(B1)设置溅射气压为1.2Pa-2Pa,使用磁控溅射技术在该衬底上溅射该第一背电极层;
(B2)设置溅射气压为0.4Pa-0.8Pa,使用磁控溅射技术在该第一背电极层上溅射该第二背电极层;
(B3)设置溅射气压为0.1Pa-0.2Pa,使用磁控溅射技术在该第二背电极层上溅射该第三背电极层。
较佳地,该第一背电极层、该第二背电极层和该第三背电极层的溅射温度均为300℃~450℃。
较佳地,该(D)步骤包括以下步骤:
(D1)将含有该前躯体层的基片与硫粉放在石墨舟中,然后将该石墨舟置于退火炉的石英管内,将该石英管的真空度抽至小于2Torr,接着通入压强300~500Torr的氮气;
(D2)以20-30℃/min升温速率从室温将该退火炉加热至290℃,并且保持290℃温度15-20min对该前躯体层预合金化处理;
(D3)以30-35℃/min升温速率从290℃将该退火炉加热至590~610℃,并且保温15-20min对该前躯体层后退火处理,然后自然降温至室温。
较佳地,该(C)步骤为Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.75~0.9以及Zn原子数:Sn原子数为0.95~1.15。
较佳地,该含铜元素靶为铜靶或硫化铜靶,该含锌元素靶为锌靶或硫化锌硒化锌靶,该含锡元素靶为锡靶或硫化锡靶。
较佳地,该含铜元素靶为铜靶,该含锌元素靶为锌靶,该含锡元素靶为锡靶,该衬底为钠钙玻璃衬底,该(A)步骤包括以下步骤:
(A1)使用酒精灯火焰将该钠钙玻璃衬底的正面和反面分别烘烤60秒;
(A2)使用洗洁精清洗该钠钙玻璃衬底;
该背电极层包含依次堆叠的第一背电极层、第二背电极层和第三背电极层,该(B)步骤包括以下步骤:
(B1)设置溅射气压为1.5Pa,使用磁控溅射技术在该衬底上溅射该第一背电极层;
(B2)设置溅射气压为0.5Pa,使用磁控溅射技术在该第一背电极层上溅射该第二背电极层;
(B3)设置溅射气压为0.15Pa,使用磁控溅射技术在该第二背电极层上溅射该第三背电极层;
该第一背电极层、该第二背电极层和该第三背电极层的溅射温度均为350℃;
该(C)步骤为Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.75~0.9以及Zn原子数:Sn原子数为0.95~1.15;
该(D)步骤包括以下步骤:
(D1)将含有该前躯体层的基片与硫粉放在石墨舟中,然后将该石墨舟置于退火炉的石英管内,将该石英管的真空度抽至小于2Torr,接着通入压强400Torr的氮气;
(D2)以28℃/min升温速率从室温将该退火炉加热至290℃,并且保持290℃温度15min,以对该前躯体层预合金化处理;
(D3)以33℃/min升温速率从290℃将该退火炉加热至610℃,并且保温15min,以对该前躯体层后退火处理,然后自然降温至室温。
在符合本领域常识的基础上,上述各优选条件,可任意组合,即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于:该方法具有制作流程简单,可以大幅提高电池吸收层组分的均匀性、二极管品质因子和转换效率的优点。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的CZTS太阳能电池制作方法制备的CZTS太阳能电池的结构示意图;
图2为本发明较佳实施例的CZTS太阳能电池制作方法的工艺流程图;
图3为采用图2的制作方法制作的CZTS太阳能电池的断面的SEM图;
图4为采用图2的制作方法制作的CZTS太阳能电池的JV特性图;
图5为采用图2的制作方法制作的前躯体表面的SEM图;
图6为本发明较佳实施例的CZTS太阳能电池制作方法的退火控温图;
图7为采用图2的制作方法制作的CZTS薄膜的断面的SEM图;
图8为图7的CZTS薄膜的组分测试谱线图;
图9为图7的CZTS薄膜的XRD测试图;
图10为图7的CZTS薄膜制作成的CZTS太阳能电池的JV特性图;
图11为图7的CZTS薄膜制作成的CZTS太阳能电池的EQE特性图;
图12为由图11的EQE特性所得的带隙计算图。
附图标记说明:
衬底:10 背电极层:20
CZTS薄膜:30 CZTS反型层:31
CdS缓冲层:40 本征氧化锌层:50
掺铝氧化锌层:60 栅电极层:70。
具体实施方式
结合以下具体实施例和附图,对本发明作进一步详细说明。本发明的保护内容不限于以下实施例。在不背离发明构思的精神和范围下,本领域技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本发明中,并且以所附的权利要求书为保护范围。实施本发明的过程、条件、试剂、实验方法等,除以下专门提及的内容之外,均为本领域的普遍知识和公知常识,本发明没有特别限制内容。
实施例1
请结合图1予以理解本实施例制作的CZTS太阳能电池的结构,其包括衬底10、背电极层20、CZTS薄膜30、CZTS反型层31、CdS缓冲层40、本征氧化锌层50、掺铝氧化锌层60以及栅电极层70。
请同时结合图1和图2予以理解(图2没有标出A步骤)CZTS太阳能电池制作方法,
(A)清洗衬底,取数片2mm厚度的帆船牌钠钙玻璃作为衬底,
(A1)使用酒精灯火焰将这些钠钙玻璃的正面和反面分别烘烤30、40、50、60、70、80以及90秒,然后将烘烤后的1×3英寸的玻璃片用玻璃刀切割成1×1英寸的样片;
(A2)使用洗洁精清洗这些钠钙玻璃的样片;
(B)使用磁控溅射技术在这些钠钙玻璃上溅射金属钼材质的背电极层;
(B1)选取1.2Pa、1.5Pa和2.0Pa的氩气溅射气压作为样点,在衬底上溅射第一背电极层;
(B2)选取0.4Pa、0.5Pa和0.8Pa的氩气溅射气压作为样点,在第一背电极层上溅射第二背电极层;
(B3)选取溅射气压为0.1Pa、0.15Pa和0.2Pa氩气溅射气压作为样点,在第二背电极层上溅射第三背电极层,优选地,对基片进行300℃~450℃的加热,以便达到应力释放之功效。
经过上述两步骤制作的Mo玻璃片具有高电导、光亮、致密以及附着性高的特点,为制作高效电池提供了良好的基础。
(C)按Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数:Sn原子数为0.7~1.3的比例调控含铜元素靶、含锌元素靶和含锡元素靶的溅射功率,进而在背电极层上共溅射制作前躯体层;本实施例给出了一种新的CZT制作方法,即共溅射CZT,所谓的共溅射就是至少两个靶同时开启并向同一基片沉积薄膜。本实施例使用北京泰科诺科技有限公司生产的JCP-450型号的磁控溅射镀膜机,溅射功率Cu约30~40W,Zn约为80~100W,锡约为40~50W的溅射功率,溅射功率越高相应的靶溅射越快,总之可以根据需要调节功率,以便实现所需的原子数比例。
(D)将含有前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理,得到CZTS薄膜,选取实验参数570℃、590℃、610℃和630℃对前躯体层进行处理,硫化处理后的CZTS薄膜表面光滑、结晶性高、致密度高并且无杂相;
(E)选取实验参数400℃、450℃、500℃加热含CZTS薄膜的基片,并且在CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层,控制CdS缓冲层的厚度极其关键,CdS缓冲层厚度大于50nm则效率急剧下降,CdS缓冲层厚度小于25nm不利于CZTS薄膜表层的反型,请参考图1予以理解CZTS反型层31(厚度极薄,一般几个纳米至几十纳米),400~500℃的温度下热处理5~15分钟,能够使得S、Cd原子热扩散至CZTS薄膜表层,S元素可以钝化表面缺陷,Cd原子可以使表面反型,形成CZTS反型层31,在低带隙的CZTS吸收层和高带隙的ZnO层之间形成过渡,减小两者之间的带隙台阶和晶格失配,调整导带边失调值,对于改善PN结质量和电池性能具有重要作用;
(F)在CdS缓冲层上溅射制作30~80nm的本征氧化锌层;
(G)在本征氧化锌层上溅射制作300~500nm的掺铝氧化锌层;
(H)使用热蒸发技术在掺铝氧化锌层上制作1~3μm的栅电极层。
传统玻璃片清洗工艺(纯液洗法)为依次使用洗洁精、丙酮、酒精、去离子水超声清洗20min,不仅耗时,而且处理过的玻璃片在后续硫化退火处理步骤后存在脱Mo膜的问题,影响产品良率。本实施例的改进之处在于先使用酒精灯火焰烘烤样品几十秒(命名预火烧法),然后用洗洁精清洗,不仅克服了脱Mo膜的问题(Mo膜从玻璃表面平整脱落,称为平整脱膜),降低了清洗时间(共计<3min),还节约了酒精的使用量(仅为原来十分之一),省略了丙酮有毒试剂(易引发酮症)。与传统纯液洗法相比,本实施的预火烧法具有工艺简单、成本低廉、无毒无害的优点。
传统双层背电极层工艺制作的Mo玻璃在后续硫化退火处理步骤后存在Mo膜卷绕脱膜问题(Mo膜从玻璃表面脱落,在放大镜下观察会卷曲,甚至形成管状),本实施例创新之处还在(B1)~(B3)步骤工艺可以制作具有缓冲层的Mo玻璃,即第二背电极层在第一背电极层和第三电极层之间起到应力缓冲功能,辅之300℃~450℃的加热释放不同层之间的应力,克服了Mo膜卷绕脱膜问题,制备的Mo玻璃光亮、致密、低电阻(0.1~5Ω)以及附着性高(用美工刀片难以刻穿)。
采用本实施例的CZTS太阳能电池制作方法,可以成功地制作出具有较高转化效率的CZTS太阳能电池,其SEM图如图3所示,经具有EDX分析功能的Philips XL30FEG SEM仪器测试,表明制备得到的CZTS太阳能电池吸收层组分均一、结晶完好、层内结构致密、层间界面接触紧密。在1个标准太阳辐照下测试其JV特性,图4表明采本实例的制作方法制备的CZTS太阳能电池开路电压Voc为673mV,短路电流Jsc为16.96mA/cm2,转化效率η为5.107%,填充因子F为44.7%,电池面积A为0.23cm2,这是至申请日止,采用共溅射方法和纯硫粉硫化制备所报导的较高效率。测试表明,本实施例的CZTS太阳能电池制作方法不仅比传统分层溅射方法具有制作流程简单的特点,还能够大幅度地提高二极管品质因子和转换效率。
实施例2
请同时结合图1和图2予以理解(图2没有标出A步骤)CZTS太阳能电池制作方法,
(A)清洗衬底,取数片2mm厚度的帆船牌钠钙玻璃作为衬底,
(A1)使用酒精灯火焰将这些钠钙玻璃的正面和反面分别烘烤60秒,然后将烘烤后的1×3英寸的玻璃片用玻璃刀切割成1×1英寸的样片;
(A2)使用洗洁精清洗这些钠钙玻璃的样片;
(B)使用磁控溅射技术在这些钠钙玻璃上溅射金属钼材质的背电极层;
(B1)设置溅射气压为1.5Pa,使用磁控溅射技术在衬底上溅射第一背电极层;
(B2)设置溅射气压为0.5Pa,使用磁控溅射技术在第一背电极层上溅射第二背电极层;
(B3)设置溅射气压为0.15Pa,使用磁控溅射技术在第二背电极层上溅射第三背电极层;对基片进行350℃的加热,以便达到应力释放之功效。
经过上述两步骤制作的Mo玻璃片具有高电导、光亮、致密以及附着性高的特点,为制作高效电池提供了良好的基础。
(C)按Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.75~0.9以及Zn原子数:Sn原子数为0.95~1.15的比例调控含铜元素靶、含锌元素靶和含锡元素靶的溅射功率,进而在背电极层上共溅射制作前躯体层;
共溅射时,可以使用纯金属靶材,例如铜靶材(5N)、锌靶材(5N)和锡靶材(4N);也可以选择化合物靶材,例如硫化铜靶材(5N)、纯硫化锌靶材(4N)、硫化锡靶材(4N)或硫化亚锡靶材(4N),当然也可以混掺着使用。
为了避免化合物靶材价格昂贵、产率较低以及不便于大规模生产的缺陷,本实例推出使用纯金属靶材制备吸收层,图5表明采用本实施例的工艺方法,使用廉价的纯金属靶材也能够制作出组分混合均匀、薄膜致密度高以及附着性好的前躯体薄膜。
为了对图5所示的前躯体层进行后续硫化退火处理,请结合图6予以理解,(D)步骤包括以下步骤:
(D1)将含有前躯体层的基片与硫粉放在石墨舟中,然后将石墨舟置于退火炉的石英管内,将石英管的真空度抽至小于2Torr,接着通入压强400Torr的氮气;
(D2)以28℃/min升温速率从室温将退火炉加热至290℃,并且保持290℃温度15min,以对前躯体层预合金化处理;
(D3)以33℃/min升温速率从290℃将退火炉加热至610℃,并且保温15min,以对前躯体层后退火处理,然后自然降温至室温。
经过硫化退火处理后,得到图7所示的CZTS薄膜,表明制备的样品结晶性高,晶粒尺寸大,并且出现局部整体贯穿的迹象。图7还表明Mo层呈柱状结构,这有利于玻璃衬底中的Na沿晶界向吸收层中扩散,提高薄膜的质量。
经Philips XL30FEG SEM测试,得到测试谱线仪图如图8所示,谱线的强度代表元素的丰度,谱线的峰位代表原子的激发能量,表1给出了各元素的组分,Element代表元素,Wt%为重量百分数,At%为原子百分比,SK代表硫元素的K线,SnL代表锡元素的L线,CuK代表铜元素的K线,ZnK代表锌元素的K线。
<i>Element</i> | Wt% | At% |
<i>SK</i> | 35.97 | 57.61 |
<i>SnL</i> | 23.98 | 10.38 |
<i>CuK</i> | 24.99 | 20.19 |
<i>ZnK</i> | 15.05 | 11.82 |
<i>Matrix</i> | Correction | ZAF |
表1
由表1可以得出,Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.91,Zn原子数:Sn原子数为1.14,表明制备的样品符合高效率电池的化学计量比。
经Bruker D8 Discover型XRD仪器测试,其XRD图如图9所示,除了40°衍射角为金属Mo背电极层的衍射峰,其余衍射峰位均为铜锌锡硫晶体的衍射峰,铜锌锡硫晶体的三强峰线(28.530°线、47.331°线和56.177°线)清晰锐利,表明了制作的样品结晶性高并且无杂相。
(E)选取实验参数400℃、450℃、500℃加热含CZTS薄膜的基片,并且在CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层;
(F)在CdS缓冲层上溅射制作30~80nm的本征氧化锌层;
(G)在本征氧化锌层上溅射制作300~500nm的掺铝氧化锌层;
(H)使用热蒸发技术在掺铝氧化锌层上制作1~3μm的栅电极层。
为了验证CZTS薄膜的性能,将其制作成的CZTS太阳能电池,其JV特性图如图10所示,从图10可以看出,CZTS太阳能电池不仅转化效率高(4~5%)而且均匀性也较好(Voc约570mV,Isc约17mA/cm2)。
电池的外量子效率测试和带隙计算分别如图11和图12所示。从图11可以看出电池的量子效率超过了0.7,最高为0.81,光谱响应区间较宽,对可见光有较高的吸收效率,CdS层造成的光损失(λ<520nm)得到了很好的控制。从图12可以看出电池的带隙为1.62~1.63eV,这与Zn原子数:Sn原子数为1.15的富锌设计相吻合,工业生产时,可以适当降低该配比获得更高效率。
Claims (7)
1.一种CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(A)清洗衬底,该衬底为钠钙玻璃衬底,该(A)步骤包括以下步骤:
(A1)使用酒精灯火焰将该钠钙玻璃衬底的正面和反面分别烘烤30~90秒;
(A2)使用洗洁精清洗该钠钙玻璃衬底;
(B)使用磁控溅射技术在该衬底上溅射背电极层;
(C)按Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.6~0.95以及Zn原子数:Sn原子数为0.7~1.3的比例调控含铜元素靶、含锌元素靶和含锡元素靶的溅射功率,进而在该背电极层上共溅射制作前躯体层;
(D)将含有该前躯体层的基片置于570~630℃的惰性气体氛围内进行硫化处理,得到CZTS薄膜;
(E)使用磁控溅射加热含该CZTS薄膜的基片至400~500℃温度,并且在该CZTS薄膜上溅射厚度为25~45nm的CdS缓冲层,并使含该CdS缓冲层的基片在400~500℃的温度下热处理5~15分钟;
(F)在该CdS缓冲层上溅射制作30~80nm的本征氧化锌层;
(G)在该本征氧化锌层上溅射制作300~500nm的掺铝氧化锌层;
(H)使用热蒸发技术在该掺铝氧化锌层上制作1~3μm的栅电极层。
2.如权利要求1所述的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该背电极层包含依次堆叠的第一背电极层、第二背电极层和第三背电极层,该(B)步骤包括以下步骤:
(B1)设置溅射气压为1.2Pa-2Pa,使用磁控溅射技术在该衬底上溅射该第一背电极层;
(B2)设置溅射气压为0.4Pa-0.8Pa,使用磁控溅射技术在该第一背电极层上溅射该第二背电极层;
(B3)设置溅射气压为0.1Pa-0.2Pa,使用磁控溅射技术在该第二背电极层上溅射该第三背电极层。
3.如权利要求2所述的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该第一背电极层、该第二背电极层和该第三背电极层的溅射温度均为300℃~450℃。
4.如权利要求1所述的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该(D)步骤包括以下步骤:
(D1)将含有该前躯体层的基片与硫粉放在石墨舟中,然后将该石墨舟置于退火炉的石英管内,将该石英管的真空度抽至小于2Torr,接着通入压强300~500Torr的氮气;
(D2)以20-30℃/min升温速率从室温将该退火炉加热至290℃,并且保持290℃温度15-20min对该前躯体层预合金化处理;
(D3)以30-35℃/min升温速率从290℃将该退火炉加热至590~610℃,并且保温15-20min对该前躯体层后退火处理,然后自然降温至室温。
5.如权利要求4的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该(C)步骤中的Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.75~0.9以及Zn原子数:Sn原子数为0.95~1.15。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该含铜元素靶为铜靶或硫化铜靶,该含锌元素靶为锌靶或硫化锌硒化锌靶,该含锡元素靶为锡靶或硫化锡靶。
7.如权利要求1所述的CZTS太阳能电池制作方法,其特征在于,该含铜元素靶为铜靶,该含锌元素靶为锌靶,该含锡元素靶为锡靶;
该(A)步骤包括以下步骤:
(A1)使用酒精灯火焰将该钠钙玻璃衬底的正面和反面分别烘烤60秒;
(A2)使用洗洁精清洗该钠钙玻璃衬底;
该背电极层包含依次堆叠的第一背电极层、第二背电极层和第三背电极层,该(B)步骤包括以下步骤:
(B1)设置溅射气压为1.5Pa,使用磁控溅射技术在该衬底上溅射该第一背电极层;
(B2)设置溅射气压为0.5Pa,使用磁控溅射技术在该第一背电极层上溅射该第二背电极层;
(B3)设置溅射气压为0.15Pa,使用磁控溅射技术在该第二背电极层上溅射该第三背电极层;
该第一背电极层、该第二背电极层和该第三背电极层的溅射温度均为350℃;
该(C)步骤中的Cu原子数:Zn+Sn原子数为0.75~0.9以及Zn原子数:Sn原子数为0.95~1.15;
该(D)步骤包括以下步骤:
(D1)将含有该前躯体层的基片与硫粉放在石墨舟中,然后将该石墨舟置于退火炉的石英管内,将该石英管的真空度抽至小于2Torr,接着通入压强400Torr的氮气;
(D2)以28℃/min升温速率从室温将该退火炉加热至290℃,并且保持290℃温度15min,以对该前躯体层预合金化处理;
(D3)以33℃/min升温速率从290℃将该退火炉加热至610℃,并且保温15min,以对该前躯体层后退火处理,然后自然降温至室温。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711296726.4A CN108172660B (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | Czts太阳能电池制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711296726.4A CN108172660B (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | Czts太阳能电池制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108172660A CN108172660A (zh) | 2018-06-15 |
CN108172660B true CN108172660B (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=62525582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711296726.4A Expired - Fee Related CN108172660B (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | Czts太阳能电池制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108172660B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114975653B (zh) * | 2022-05-25 | 2023-09-12 | 南京邮电大学 | 一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105355676A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-24 | 北京四方创能光电科技有限公司 | 一种柔性cigs薄膜太阳电池的背电极结构 |
CN106549082A (zh) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 云南师范大学 | 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8614787B2 (en) * | 2010-05-12 | 2013-12-24 | Intermolecular, Inc. | High throughput quantum efficiency combinatorial characterization tool and method for combinatorial solar test substrates |
-
2017
- 2017-12-08 CN CN201711296726.4A patent/CN108172660B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106549082A (zh) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 云南师范大学 | 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法 |
CN105355676A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-24 | 北京四方创能光电科技有限公司 | 一种柔性cigs薄膜太阳电池的背电极结构 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN108172660A (zh) | 2018-06-15 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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