CN108172533A - 控制系统、方法及晶圆清洗装置 - Google Patents

控制系统、方法及晶圆清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108172533A
CN108172533A CN201711425986.7A CN201711425986A CN108172533A CN 108172533 A CN108172533 A CN 108172533A CN 201711425986 A CN201711425986 A CN 201711425986A CN 108172533 A CN108172533 A CN 108172533A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
rinse bath
sensor
controller
controlled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711425986.7A
Other languages
English (en)
Inventor
田知玲
矫健
舒福璋
史霄
侯为萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Semiconductor Equipment Institute
Original Assignee
Beijing Semiconductor Equipment Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Semiconductor Equipment Institute filed Critical Beijing Semiconductor Equipment Institute
Priority to CN201711425986.7A priority Critical patent/CN108172533A/zh
Publication of CN108172533A publication Critical patent/CN108172533A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种控制系统、方法及晶圆清洗装置，涉及晶圆清洗技术领域，该控制系统包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；控制器用于接收感测设备感测的参数信号，并根据参数信号生成调节信号；调节设备安装在被控清洗槽上，用于接收控制器生成的调节信号，并根据调节信号对目标工艺进行调节。本发明缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效果较低的技术问题。

Description

控制系统、方法及晶圆清洗装置
技术领域
本发明涉及晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种控制系统、方法及晶圆清洗装置。
背景技术
晶圆的洁净性是芯片生产全过程中的基本要求。一般来说，经化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)后的晶圆，抛光液的磨料和晶圆被去除的废料是晶圆的主要污染物，CMP后清洗的重点就是去除这些污染物，以确保晶圆的洁净性。
目前，市场上用来实施CMP后清洗过程以对晶圆进行清洗的装置很多，多包括一个清洗槽，清洗槽包括内槽和外槽，内槽用于放置晶圆，内槽和外槽之间循环流动具有一定配比和温度的清洗液，实现对晶圆的清洗。这种传统的晶圆清洗装置存在不足，突出表现为：一，需清洗人员进入操作室甚至抵进清洗装置来控制晶圆的清洗过程，从而给晶圆带来除磨料和废料以外的污染物，造成晶圆的二次污染，清洗效果较差；二，需在装置停止工作的状态下更换清洗液的配方或更改CMP后清洗工艺参数，无法满足后清洗的自动化要求，清洗效率较低。
针对传统晶圆清洗装置存在的清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题，现有技术中缺乏有效的解决方案。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种控制系统、方法及晶圆清洗装置，以缓解传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种控制系统，包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，
所述感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，所述目标工艺为所述被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；
所述控制器用于接收所述感测设备感测的所述参数信号，并根据所述参数信号生成调节信号；
所述调节设备安装在所述被控清洗槽上，用于接收所述控制器生成的所述调节信号，并根据所述调节信号对所述目标工艺进行调节。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括液位传感器，其中，
所述液位传感器安装在所述被控清洗槽的槽内，用于感测液位信号，其中，所述液位信号携带有所述被控清洗槽所装液体的液位信息；
所述控制器用于接收所述液位传感器感测的所述液位信号，并根据所述液位信号生成第一调节信号；
所述调节设备包括第一控制阀，所述第一控制阀设置在所述被控清洗槽的目标管道上，用于接收所述第一调节信号，并根据所述第一调节信号调节阀门的开闭，以对所述被控清洗槽所装液体的液位进行调节，其中，所述目标管道为所述被控清洗槽的补液管道，和/或，所述被控清洗槽的漏液管道。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括流量传感器，其中，
所述流量传感器安装在所述被控清洗槽的目标管道上，所述流量传感器用于感测流量信号，其中，所述流量信号携带有所述目标管道内所流液体的流量信息；
所述控制器还用于接收所述流量传感器感测到的所述流量信号，并根据流量信号生成第二调节信号；
所述调节设备包括第二控制阀，所述第二控制阀设置在所述目标管道上，所述第二控制阀用于接收所述第二调节信号，并根据所述第二调节信号调节阀门的导通角度，以对所述目标管道内所流液体的流量进行调节，其中，
所述目标管道为所述被控清洗槽的补液管道，和/或，所述被控清洗槽的漏液管道。
结合第一方面的第二种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述目标管道包括所述被控清洗槽的补液管道，且所述目标管道包括多个子管道，其中，
所述子管道用于向所述被控清洗槽补充清洗液的组成液体；
每个所述子管道上安装有所述流量传感器和所述第二控制阀。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括对射传感器，其中，
所述对射传感器安装在所述被控清洗槽的槽内，用于感测归位信号，其中，所述归位信号表示所述被控清洗槽内的晶圆卡槽内是否被放入待清洗晶圆；
所述控制器用于接收所述对射传感器感测的所述归位信号，并根据所述归位信号生成第三调节信号；
所述调节设备包括第一控制开关，所述第一控制开关和驱动电机连接，用于接收所述第三调节信号，并根据所述第三调节信号调节所述驱动电机的工作状态，以对所述待清洗晶圆和所述晶圆卡槽的相对位置进行调节，其中，所述驱动电机为驱动待清洗晶圆移动的电机。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括温度传感器，其中，
所述温度传感器安装在所述被控清洗槽的过滤管道内，用于感测温度信号，其中，所述温度信号携带有所述过滤管道所流清洗液的温度信息；
所述控制器用于接收所述温度传感器感测的所述温度信号，并根据所述温度信号生成第四调节信号；
所述调节设备包括第二控制开关，所述第二控制开关和调温设备连接，用于接收所述第四调节信号，并根据所述第四调节信号调节所述调温设备的工作状态，以对所述被控清洗槽内的清洗液温度进行调节，其中，所述调温设备为用于对所述控清洗槽内的清洗液进行调温的设备。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，还包括报警设备，所述报警设备和所述控制器通信连接，其中，
所述控制器还用于根据所述参数信号生成报警信号；
所述报警设备用于接收所述控制器生成的报警信号，并根据所述报警信号进行报警。
结合第一方面的第六种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括漏液传感器，其中，
所述漏液传感器安装在所述被控清洗槽的底板外侧，用于感测漏液信号，其中，所述漏液信号表示所述被控清洗槽是否漏液；
所述控制器用于接收所述漏液传感器感测的所述漏液信号，并在所述漏液信号表示所述被控清洗槽漏液的情况下，生成所述报警信号，以使所述报警设备根据所述报警信号进行报警。
第二方面，本发明实施例还提供一种控制方法，包括：
通过第一通信链路接收参数信号，其中，所述参数信号为感测设备感测目标工艺的参数信号，所述目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺，所述第一通信链路为所述感测设备和所述控制器之间的通信链路；
根据所述参数信号生成调节信号，并将所述调节信号通过第二通信链路发送给调节设备，以使所述调节设备根据所述调节信号对所述目标工艺进行调节，其中，所述第二通信链路为所述控制器和所述调节设备之间的通信链路。
第三方面，本发明实施例提供一种晶圆清洗装置，包括清洗槽和第一方面所述的控制系统，其中，
所述清洗槽上安装有所述控制系统中的感测设备和调节设备，所述晶圆清洗装置通过所述控制系统对目标工艺进行调节，其中，所述目标工艺为所述清洗槽实施晶圆清洗的工艺。
本发明实施例带来了以下有益效果：
本发明提供的控制系统，包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；控制器用于接收感测设备感测的参数信号，并根据参数信号生成调节信号；调节设备安装在被控清洗槽上，用于接收控制器生成的调节信号，并根据调节信号对目标工艺进行调节。
其中，感测设备实现了对参数信号的实时感测，调节设备实现对目标工艺的实时调节，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗槽停止清洗工作，此外，控制器分别与感测设备和调节设备通信连接，即，控制器获取感测设备的参数信号和向调节设备发送调节信号都是通过通信链路进行，控制器与感测设备、调节设备之间远程连接，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗人员进入操作室或抵进清洗装置。因而，相比于传统的晶圆清洗装置，该控制系统有利于带来清洗效果和清洗效率的改进，从而缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统晶圆清洗装置的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种控制系统的结构框图；
图3为本发明实施例一提供的另一种控制系统的结构框图；
图4为本发明实施例二提供的一种控制方法的流程图；
图5为本发明实施例三提供的一种晶圆清洗装置的结构框图。
图标：100-感测设备；101-液位传感器；102-流量传感器；103-对射传感器；104-温度传感器；105-漏液传感器；200-调节设备；201-第一控制阀；202-第二控制阀；203-第一控制开关；204-第二控制开关；300-控制器；400-报警设备；1-补液管道；2-漏液管道；3-循环泵；4-调温设备；5-旋转电机；6-待清洗晶圆；7-过滤器；8-外槽；9-内槽；10-清洗槽；20-控制系统。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1所示为传统的晶圆清洗装置，该晶圆清洗装置包括：外槽8和内槽9，待清洗晶圆6放置在内槽9中，清洗液在外槽8和内槽9之间循环流动实现对待清洗晶圆6的清洗，旋转电机5带动待清洗晶圆6旋转，使得待清洗晶圆6被全面清洗。并且外槽8连接有液体流通主管，主管连接有补液管道1和漏液管道2，主管上设置有调温设备4、循环泵3和过滤器7。该传统晶圆清洗装置需清洗人员进入操作室甚至抵进清洗装置来控制晶圆的清洗过程，从而给晶圆带来除磨料和废料以外的污染物，造成晶圆的二次污染，清洗效果较差；并且，需在装置停止工作的状态下更换工艺配方或更改CMP后清洗工艺参数，无法满足后清洗的自动化要求，清洗效率较低。基于此，本发明实施例提供的一种控制系统及晶圆清洗装置，可以缓解传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
实施例一
图2到图3所示为本发明实施例提供控制系统。
参照图2，控制系统包括：感测设备100、调节设备200和控制器300，控制器300分别与感测设备100和调节设备200通信连接，其中，
感测设备100安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；
控制器300用于接收感测设备100感测的参数信号，并根据参数信号生成调节信号；
调节设备200安装在被控清洗槽上，用于接收控制器300生成的调节信号，并根据调节信号对目标工艺进行调节。
需要说明的是，参数信号为目标工艺的参数信号，用于表征目标工艺进行过程中被采集的信息，不仅包括晶圆清洗过程中可被操纵的工艺信息，例如，清洗液的温度；还包括表征晶圆清洗装置的各部件的运行情况的信息，例如，清洗槽是否存在故障、驱动电机带动待清洗晶圆进行移动的到达位置是否满足预设条件等。
具体地，控制器300和感测设备100、调节设备200通过通信链路连接。控制器300可以是安装有TwinCAT的控制设备，该控制设备包括个人计算机(personal computer，简称PC)或可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，简称PLC)，TwinCAT PLC程序运行在控制设备上。控制设备和报文路由器通过总线通信模块连接，报文路由器通过TCP/IP接口来管理和分配控制设备中的所有报文，其中，总线通信模块通过串行接口集成。
在本发明实施例中，感测设备100实现了对参数信号的实时感测，调节设备200实现对目标工艺的实时调节，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗槽停止清洗工作，此外，控制器300分别与感测设备100和调节设备200通信连接，即，控制器300获取感测设备100的参数信号和向调节设备200发送调节信号都是通过通信链路进行，控制器300与感测设备100、调节设备200之间远程连接，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗人员进入操作室或抵进清洗装置。因而，相比于传统的晶圆清洗装置，该控制系统有利于带来清洗效果和清洗效率的改进，从而缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
本发明实施例的一个可选实施方式中，如图3所示，感测设备100包括液位传感器101，其中
液位传感器101安装在被控清洗槽的槽内，用于感测液位信号，其中，液位信号携带有被控清洗槽所装液体的液位信息；
控制器300用于接收液位传感器101感测的液位信号，并根据液位信号生成第一调节信号；
调节设备200包括第一控制阀201，第一控制阀201设置在被控清洗槽的目标管道上，用于接收第一调节信号，并根据第一调节信号调节阀门的开闭，以对被控清洗槽所装液体的液位进行调节，其中，目标管道为被控清洗槽的补液管道，和/或，被控清洗槽的漏液管道。
具体地，液位传感器101可以安装在被控清洗槽的外槽内壁上，液位传感器101感测外槽中液体的液位，第一控制阀201在第一调节信号的调节下打开阀门或关闭阀门，以对被控清洗槽所装液体的液位进行调节。
其中，第一控制阀201可以包括补液控制阀和漏液控制阀，补液控制阀安装在被控清洗槽的补液管道上，漏液控制阀安装在被控清洗槽的漏液管道上。在外槽中液体的液位小于第一预设液位的情况下，补液控制阀打开且漏液控制阀关闭，被控清洗槽所装液体的液位升高，直到液位传感器101监测到外槽中液体的液位达到第二预设液位时，再将补液控制阀关闭；在外槽中液体的液位大于第三预设液位的情况下，补液控制阀关闭且漏液控制阀打开，被控清洗槽所装液体的液位降低，直到液位传感器101监测到外槽中液体的液位达到第二预设液位时，再将漏液控制阀关闭。
需要说明的是，第一预设液位为晶圆清洗工艺中，被控清洗槽所装液体的最低液位；第三预设液位为晶圆清洗工艺中，被控清洗槽所装液体的最高液位；第二预设液位为晶圆清洗工艺中，被控清洗槽所装液体的基准液位。并且，第一预设液位小于第二预设液位，第二预设液位小于第三预设液位。
本发明实施例提供了一种对清洗槽中液位进行实时监测和自动调整的方案，不仅有利于清洗槽中液位的高效调整，而且也有利于清洗槽中液位的精准调整，从而有利于改善清洗槽对待清洗晶圆的清洗效果。
本发明实施例的另一个可选实施方式中，感测设备100包括流量传感器102，其中，
流量传感器102安装在被控清洗槽的目标管道上，流量传感器102用于感测流量信号，其中，流量信号携带有目标管道内所流液体的流量信息；
控制器300还用于接收流量传感器102感测到的流量信号，并根据流量信号生成第二调节信号；
调节设备200包括第二控制阀202，第二控制阀202设置在目标管道上，第二控制阀202用于接收第二调节信号，并根据第二调节信号调节阀门的导通角度，以对目标管道内所流液体的流量进行调节，其中，
目标管道为被控清洗槽的补液管道，和/或，被控清洗槽的漏液管道。
具体地，由于清洗液中的有效成分随着清洗工艺的进行会逐渐减少，因此需要对清洗液进行定期更新。清洗液更新过程中，被控清洗槽的漏液管道打开，泄漏被控清洗槽中的清洗液，并在泄露达到一定流量时，需打开被控清洗槽的补液管道，以向被控清洗槽补充清洗液的组成液体。因而，目标管道包括被控清洗槽的漏液管道的情况下，本发明实施例实现了对漏液管道泄露清洗液流量的实时监测和自动调整；而目标管道包括被控清洗槽的补液管道的情况下，本发明实施例实现了对补液管道补充清洗液组成液体流量的实时监测和自动调整。
由于清洗液一般由两种化学液和去离子水(deionized water，简称DIW)混合而成，两种化学液和去离子水的配比影响晶圆的清洗效果。本发明实施例的另一个可选实施方式中，目标管道包括被控清洗槽的补液管道，且目标管道包括多个子管道，其中，
子管道用于向被控清洗槽补充清洗液的组成液体；
每个子管道上安装有流量传感器102和第二控制阀202。
具体地，可以是每个子管道流过清洗液的一种组成液体，每个子管道上安装一个流量传感器102和一个第二控制阀202，流量传感器102实时监测子管道内流过清洗液的组成液体的流量，并通过第二控制阀202控制组成液体的流量，从而使得清洗液的多种组成液体按预设配比流向被控清洗槽，组成满足要求的清洗液。即，本发明实施例实现了对清洗液组分配比的实时监测和自动调整的目的，有利于晶圆清洗效果的改善和清洗效率的提高。
本发明实施例的另一个可选实施方式中，感测设备100包括对射传感器103，其中，
对射传感器103安装在被控清洗槽的槽内，用于感测归位信号，其中，归位信号表示被控清洗槽内的晶圆卡槽内是否被放入待清洗晶圆；
控制器300用于接收对射传感器103感测的归位信号，并根据归位信号生成第三调节信号；
调节设备200包括第一控制开关203，第一控制开关203和驱动电机连接，用于接收第三调节信号，并根据第三调节信号调节驱动电机的工作状态，以对待清洗晶圆和晶圆卡槽的相对位置进行调节，其中，驱动电机为驱动待清洗晶圆移动的电机。
驱动电机驱动待清洗晶圆移动，以使待清洗晶圆移动到晶圆卡槽内或离开晶圆卡槽。
具体地，一般情况下，清洗槽的内槽设置晶圆卡槽，晶圆卡槽用于放置待清洗晶圆并对待清洗晶圆具有固定作用，对射传感器103可以安装在内槽内壁上，对射传感器103可以为红外传感器，红外传感器发射的红外线射向晶圆卡槽，对于晶圆卡槽中放置带清洗晶圆和不放置待清洗晶圆这两种情况，红外传感器发射红外线和接收反射回的红外线的时间间隔不同，从而实现对晶圆卡槽是否放置带清洗晶圆的监测。
由于待清洗晶圆放置在晶圆卡槽内，是待清洗晶圆被清洗的前提，对整个清洗工艺流程具有重要意义，本发明实施例实现了对待清洗晶圆和晶圆卡槽的相对位置的实时监测，以及对待清洗晶圆移动到晶圆卡槽或离开晶圆卡槽的自动调整，有利于改善晶圆清洗效果和提高晶圆清洗效率。
本发明实施例的另一个可选实施方式中，感测设备100包括温度传感器104，其中，
温度传感器104安装在被控清洗槽的过滤管道内，用于感测温度信号，其中，温度信号携带有过滤管道所流清洗液的温度信息；
控制器300用于接收温度传感器104感测的温度信号，并根据温度信号生成第四调节信号；
调节设备200包括第二控制开关204，第二控制开关204和调温设备连接，用于接收第四调节信号，并根据第四调节信号调节调温设备的工作状态，以对被控清洗槽内的清洗液温度进行调节，其中，调温设备为用于对控清洗槽内的清洗液进行调温的设备。
具体地，清洗液的温度影响晶圆的清洗效果，本发明实施例提供了一种对清洗液温度进行实时监测和自动调节的控制系统，有利于改善晶圆清洗效果和提高晶圆清洗效率。
本发明实施例的另一个可选实施方式中，还包括报警设备400，报警设备400和控制器300通信连接，其中，
控制器300还用于根据参数信号生成报警信号；
报警设备400用于接收控制器300生成的报警信号，并根据报警信号进行报警。
具体地，被控清洗槽对待清洗晶圆进行清洗的过程中，如果目标工艺的参数信号为非正常范围的信号，即，参数信号携带的信息表示清洗过程无法顺利进行或清洗后的晶圆无法被用于制作芯片的情况下，控制器300则生产报警信号，报警设备400进行报警。进一步，报警设备400可以为蜂鸣报警器或指示灯，蜂鸣报警器或指示灯安装在晶圆清洗的清洗人员的附近，有利于清洗人员及时接收报警信息；报警设备400可以是讯息发送装置，讯息发送装置通过通信方式将报警信息发送给清洗人员。
本发明提供的控制系统有实现了在参数信号为非正常范围的信号时及时提醒清洗人员，有利于保证清洗过程的顺利进行，保证晶圆的清洗效果。
本发明实施例的另一个可选实施方式中，感测设备100包括漏液传感器105，其中，
漏液传感器105安装在被控清洗槽的底板外侧，用于感测漏液信号，其中，漏液信号表示被控清洗槽是否漏液；
控制器300用于接收漏液传感器105感测的漏液信号，并在漏液信号表示被控清洗槽漏液的情况下，生成报警信号，以使报警设备400根据报警信号进行报警。
本发明实施例中，在被控清洗槽漏液的情况下，报警设备400报警，使得清洗人员及时更换清洗槽或者对漏液的清洗槽进行维修，避免了清洗槽漏液导致的晶圆清洗效果差或清洗过程无法顺利进行的情况，有利于保证晶圆清洗的较好效果和较快效率。
实施例二
本发明实施例提供的一种控制方法，应用于控制器，如图4所示，包括：
步骤S102，通过第一通信链路接收参数信号，其中，参数信号为感测设备感测目标工艺的参数信号，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺，第一通信链路为感测设备和控制器之间的通信链路；
步骤S104，根据参数信号生成调节信号，并将调节信号通过第二通信链路发送给调节设备，以使调节设备根据调节信号对目标工艺进行调节，其中，第二通信链路为控制器和调节设备之间的通信链路。
具体地，第一通信链路和第二通信链路可以是通过工业以太网建立的通信链路。
本发明实施例中，参数信号为感测设备感测目标工艺的参数信号，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺，控制器通过第一通信链路接收参数信号；然后，根据参数信号生成调节信号，并将调节信号通过第二通信链路发送给调节设备，以使调节设备根据调节信号对目标工艺进行调节。即，参数信号的获取和参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗槽停止清洗工作，并且，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗人员进入操作室或抵进清洗装置。因而，相比于传统的晶圆清洗装置，该控制方法有利于带来清洗效果和清洗效率的改进，从而缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
实施例三
本发明实施例提供的一种晶圆清洗装置，如图5所示，包括：清洗槽10和实施例一的控制系统20，其中，
清洗槽10上安装有控制系统20中的感测设备和调节设备，晶圆清洗装置通过控制系统20对目标工艺进行调节，其中，目标工艺为清洗槽10实施晶圆清洗的工艺。
具体地，清洗槽10的底板可以设置兆声波振荡器，兆声波振荡器使得清洗槽10中的清洗液快速振动，从而有利于待清洗晶圆表面的微小污染物脱落。可选地，控制系统20还包括第三控制开关，第三控制开关为控制兆声波振荡器工作状态的开关，控制器向第三控制开关发送第五调节信号，通过第五调节信号控制兆声波振荡器的工作状态。
在本发明实施例中，清洗槽10上安装有控制系统20中的感测设备和调节设备，感测设备实现了对参数信号的实时感测，调节设备实现对目标工艺的实时调节，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗槽10停止清洗工作；此外，控制系统20中的控制器分别与感测设备和调节设备通信连接，即，控制器获取感测设备的参数信号和向调节设备发送调节信号都是通过通信链路进行，控制器与感测设备、调节设备之间远程连接，参数信号的获取和目标工艺的调节都无需清洗人员进入操作室或抵进清洗装置。因而，相比于传统的晶圆清洗装置，控制系统20使得清洗槽10实现晶圆清洗的自动化，并有利于改进晶圆的清洗效果，从而缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种控制系统，其特征在于，包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，
所述感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，所述目标工艺为所述被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；
所述控制器用于接收所述感测设备感测的所述参数信号，并根据所述参数信号生成调节信号；
所述调节设备安装在所述被控清洗槽上，用于接收所述控制器生成的所述调节信号，并根据所述调节信号对所述目标工艺进行调节。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述感测设备包括液位传感器，其中，
所述液位传感器安装在所述被控清洗槽的槽内，用于感测液位信号，其中，所述液位信号携带有所述被控清洗槽所装液体的液位信息；
所述控制器用于接收所述液位传感器感测的所述液位信号，并根据所述液位信号生成第一调节信号；
所述调节设备包括第一控制阀，所述第一控制阀设置在所述被控清洗槽的目标管道上，用于接收所述第一调节信号，并根据所述第一调节信号调节阀门的开闭，以对所述被控清洗槽所装液体的液位进行调节，其中，所述目标管道为所述被控清洗槽的补液管道，和/或，所述被控清洗槽的漏液管道。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述感测设备包括流量传感器，其中，
所述流量传感器安装在所述被控清洗槽的目标管道上，所述流量传感器用于感测流量信号，其中，所述流量信号携带有所述目标管道内所流液体的流量信息；
所述控制器还用于接收所述流量传感器感测到的所述流量信号，并根据流量信号生成第二调节信号；
所述调节设备包括第二控制阀，所述第二控制阀设置在所述目标管道上，所述第二控制阀用于接收所述第二调节信号，并根据所述第二调节信号调节阀门的导通角度，以对所述目标管道内所流液体的流量进行调节，其中，
所述目标管道为所述被控清洗槽的补液管道，和/或，所述被控清洗槽的漏液管道。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述目标管道包括所述被控清洗槽的补液管道，且所述目标管道包括多个子管道，其中，
所述子管道用于向所述被控清洗槽补充清洗液的组成液体；
每个所述子管道上安装有所述流量传感器和所述第二控制阀。
5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述感测设备包括对射传感器，其中，
所述对射传感器安装在所述被控清洗槽的槽内，用于感测归位信号，其中，所述归位信号表示所述被控清洗槽内的晶圆卡槽内是否被放入待清洗晶圆；
所述控制器用于接收所述对射传感器感测的所述归位信号，并根据所述归位信号生成第三调节信号；
所述调节设备包括第一控制开关，所述第一控制开关和驱动电机连接，用于接收所述第三调节信号，并根据所述第三调节信号调节所述驱动电机的工作状态，以对所述待清洗晶圆和所述晶圆卡槽的相对位置进行调节，其中，所述驱动电机为驱动待清洗晶圆移动的电机。
6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述感测设备包括温度传感器，其中，
所述温度传感器安装在所述被控清洗槽的过滤管道内，用于感测温度信号，其中，所述温度信号携带有所述过滤管道所流清洗液的温度信息；
所述控制器用于接收所述温度传感器感测的所述温度信号，并根据所述温度信号生成第四调节信号；
所述调节设备包括第二控制开关，所述第二控制开关和调温设备连接，用于接收所述第四调节信号，并根据所述第四调节信号调节所述调温设备的工作状态，以对所述被控清洗槽内的清洗液温度进行调节，其中，所述调温设备为用于对所述控清洗槽内的清洗液进行调温的设备。
7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括报警设备，所述报警设备和所述控制器通信连接，其中，
所述控制器还用于根据所述参数信号生成报警信号；
所述报警设备用于接收所述控制器生成的报警信号，并根据所述报警信号进行报警。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述感测设备包括漏液传感器，其中，
所述漏液传感器安装在所述被控清洗槽的底板外侧，用于感测漏液信号，其中，所述漏液信号表示所述被控清洗槽是否漏液；
所述控制器用于接收所述漏液传感器感测的所述漏液信号，并在所述漏液信号表示所述被控清洗槽漏液的情况下，生成所述报警信号，以使所述报警设备根据所述报警信号进行报警。
9.一种控制方法，其特征在于，应用于控制器，包括：
通过第一通信链路接收参数信号，其中，所述参数信号为感测设备感测目标工艺的参数信号，所述目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺，所述第一通信链路为所述感测设备和所述控制器之间的通信链路；
根据所述参数信号生成调节信号，并将所述调节信号通过第二通信链路发送给调节设备，以使所述调节设备根据所述调节信号对所述目标工艺进行调节，其中，所述第二通信链路为所述控制器和所述调节设备之间的通信链路。
10.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括清洗槽和权利要求1-8中任一项所述的控制系统，其中，
所述清洗槽上安装有所述控制系统中的感测设备和调节设备，所述晶圆清洗装置通过所述控制系统对目标工艺进行调节，其中，所述目标工艺为所述清洗槽实施晶圆清洗的工艺。
CN201711425986.7A 2017-12-25 2017-12-25 控制系统、方法及晶圆清洗装置 Pending CN108172533A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711425986.7A CN108172533A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 控制系统、方法及晶圆清洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711425986.7A CN108172533A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 控制系统、方法及晶圆清洗装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108172533A true CN108172533A (zh) 2018-06-15

Family

ID=62520929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711425986.7A Pending CN108172533A (zh) 2017-12-25 2017-12-25 控制系统、方法及晶圆清洗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108172533A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112222078A (zh) * 2020-09-22 2021-01-15 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备
CN112259472A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法
CN112687574A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗状态的监测系统及监测方法
CN114281049A (zh) * 2021-12-29 2022-04-05 苏州赛美特科技有限公司 半导体清洗设备的控制系统、方法、电子设备及存储介质
WO2022077960A1 (zh) * 2020-10-13 2022-04-21 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗设备和清洗方法
WO2023098475A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备
CN112259472B (zh) * 2020-10-13 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210855A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多路漏液检测器
CN101359578A (zh) * 2007-08-05 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法及装置
CN102784788A (zh) * 2012-08-28 2012-11-21 常州捷佳创精密机械有限公司 硅片清洗槽液位控制及补液装置
CN103592979A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 清洗液流量控制系统及控制方法
CN107086188A (zh) * 2016-09-09 2017-08-22 深圳市新纶科技股份有限公司 一种晶元清洗装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210855A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多路漏液检测器
CN101359578A (zh) * 2007-08-05 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法及装置
CN103592979A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 清洗液流量控制系统及控制方法
CN102784788A (zh) * 2012-08-28 2012-11-21 常州捷佳创精密机械有限公司 硅片清洗槽液位控制及补液装置
CN107086188A (zh) * 2016-09-09 2017-08-22 深圳市新纶科技股份有限公司 一种晶元清洗装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687574A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗状态的监测系统及监测方法
CN112687574B (zh) * 2019-10-17 2023-03-24 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗状态的监测系统及监测方法
CN112222078A (zh) * 2020-09-22 2021-01-15 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备
CN112222078B (zh) * 2020-09-22 2022-07-19 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备
CN112259472A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法
WO2022077960A1 (zh) * 2020-10-13 2022-04-21 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗设备和清洗方法
US11869779B2 (en) 2020-10-13 2024-01-09 Changxin Memory Technologies, Inc. Wafer cleaning equipment and cleaning method
CN112259472B (zh) * 2020-10-13 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法
WO2023098475A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备
CN114281049A (zh) * 2021-12-29 2022-04-05 苏州赛美特科技有限公司 半导体清洗设备的控制系统、方法、电子设备及存储介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108172533A (zh) 控制系统、方法及晶圆清洗装置
US10865124B1 (en) Piston valve with annular passages
US10865123B1 (en) Valve control apparatus
US20120285894A1 (en) System and method for the treatment of wastewater
US20060254619A1 (en) Commerical kitchenware washers and related methods
CN103008283A (zh) 一种电子元器件清洗装置
CN106937850A (zh) 洗碗机及洗碗机控制系统
CN105446374A (zh) 水箱控制方法及系统
WO2021042738A1 (zh) 一种智能超声波酒陈化方法
CN207076693U (zh) 一种化学教学仪器清洗装置
CN103711177A (zh) 一种基于无线的多水井远程智能控制供水系统
CN209264359U (zh) 一种智能水质采样与留样装置
CN210610946U (zh) 一种超声波果蔬清洗机
CN203002685U (zh) 一种电子元器件清洗装置
CN204543735U (zh) 智能陶瓷过滤机
CN101293155B (zh) 循环水在线自动反冲洗过滤装置
CN106178964B (zh) 一种纳滤膜清洗装置
CN110788979A (zh) 一种长坡面面板混凝土无线智能温控养护系统和方法
CN209885353U (zh) 一种带自清洁功能的过滤装置
CN206794264U (zh) 一种超声波清洗器
CN207734030U (zh) 一种煮面装置
US10822250B1 (en) Valve control apparatus
CN206925052U (zh) 一种cip清洗液的配置装置
CN205697656U (zh) 一种智能杯具清洗装置
JP2003251159A (ja) ろ過膜モジュールの薬品洗浄方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180615