CN108169171B - 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法 - Google Patents

一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108169171B
CN108169171B CN201711291796.0A CN201711291796A CN108169171B CN 108169171 B CN108169171 B CN 108169171B CN 201711291796 A CN201711291796 A CN 201711291796A CN 108169171 B CN108169171 B CN 108169171B
Authority
CN
China
Prior art keywords
refractive index
surface plasmon
plasmon resonance
metal
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711291796.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108169171A (zh
Inventor
吴绍龙
李孝峰
秦琳玲
李刘晶
李亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou University
Original Assignee
Suzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou University filed Critical Suzhou University
Priority to CN201711291796.0A priority Critical patent/CN108169171B/zh
Publication of CN108169171A publication Critical patent/CN108169171A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108169171B publication Critical patent/CN108169171B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Abstract

本发明公开了一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,其特征在于:其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有与背景物质折射率相关的表面等离子激元共振峰位,据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰,实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。

Description

一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法
技术领域
本发明涉及微纳结构的制备及微纳光学,属光信息技术领域,特别涉及一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法。
背景技术
近年来,金属微纳结构及其光学性能的研究引起了极大关注,其在光探测、光电能量转换与储存、化学传感等领域均被证明具有良好的应用前景。其中,基于金属微纳结构阵列而构筑的超表面具有可调制的光学性能,通过调制表面等离子激元共振峰位可以实现宽光谱的理想吸收、也可实现波长可调的窄带吸收。Maiken H.Mikkelsen等在《先进材料》上报道了在金薄膜基底上可控地排列胶体的银纳米块(colloidal Ag nanocubes),通过在银纳米块与金薄膜基底间引入纳米量级的聚合物隔离层,实现了可见光到近红外波段的可调窄带的完美吸收。Andrea R.Tao等开展了类似的研究工作,通过控制银纳米块阵列的间隙而实现了近红外波段的可调窄带的完美吸收。表面等离子共振的吸收峰位除了与金属材质、尺寸和形状有关外,还与金属纳米结构周围介质的折射率密切相关。基于此,可以利用共振峰位的移动来探测介质层、背景氛围的折射率。Anatoli Ianoul等将银纳米块分散于不同溶剂中,通过测试这些溶液的消光谱可以总结出消光谱峰位与溶剂折射率的关系,进而可以由所测试光谱峰位推算出溶液的折射率;此外,他们还在不同基底上利用自装置技术得到了朗缪尔单层膜,通过测试分析这些被银纳米块覆盖基底的消光谱可以推算出基底的折射率。
发明内容
本发明目的是:克服现有技术存在的不足,解决现有技术中存在的问题,提供一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层构筑的叠层结构所具有的表面等离子激元共振特征峰来实现背景折射率低成本、高准确度、快速测试。
本发明的技术方案为:
一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,其特征在于:其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有特征的表面等离激元共振峰位,据此可以测试出背景折射率。
优选的,所述基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法的具体流程如下:1)在清洗干净的玻璃基底沉积50~100纳米的金属薄膜;2)在金属薄膜表面旋涂聚合物薄膜;3)采用微量注射泵往水面注入聚苯乙烯球的水和乙醇的混合溶液,待聚苯乙烯球完全覆盖水面后停止注射并静置12小时;4)将在水面排布好的聚苯乙烯球阵列转移至聚合物/金属薄膜覆盖的玻璃基底上;5)在60℃的氮气氛围下热处理30分钟;6)在氧等离子氛围下刻蚀10~30分钟,使得聚苯乙烯球直径减小;7)再次沉积30~60纳米的金属薄膜;8)化学法去除聚苯乙烯球后,在50℃的氮气氛围下热处理30分钟,得到金属微/纳米孔阵列、聚合物薄膜层和金薄膜层的超表面结构。
优选的,所采用金属为金、银、铝、铂、铑或钌。
优选的,所述金属第一次沉积采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射方法实现;而第二次沉积采用电子束蒸镀方法实现。
优选的,聚苯乙烯球的自组装阵列使用“自下而上”法;而金属微纳结构通过“自上而下”法,用物理法沉积金属和化学法去除聚苯乙烯球得到。
优选的,聚苯乙烯球初始直径为1~3微米,减小后聚苯乙烯球的直径为初始值的50~80%。
优选的,水和乙醇混合液中乙醇和水的质量比是1:1,聚苯乙烯球的质量百分比为25%。
优选的,所述介质层薄膜为5~30纳米的聚甲基丙烯酸甲酯。
本发明的优点:
1、本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰,实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
2、本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,结合“自上而下”法和“自下而上”法制备金属微纳结构、介质层薄膜和金属薄膜的叠层结构,利用该结构对表面等离子激元共振的可控调节和峰位特征,实现对背景物质折射率的低成本、高准确度的测试。
3、本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,制备工艺简单,成本低,适合大面积、批量制备;灵敏度高,测试结果稳定,受外界干扰小。
4、本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,所采用的聚苯乙烯球的合成技术成熟、成本低;微米尺寸的聚苯乙烯球的自组装排列成功率高、可实现大面积(米级)的排列;金属微纳结构的实现成本低、可控性强;表面等离子激元共振特征峰位明显、受外界干扰小,对应测试结果稳定、可靠。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
图1是本发明所述基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法的流程中叠层结构变化示意图。
图2是不同背景折射率下对应的反射谱图。
图3是表面等离子激元共振峰位与背景折射率对应关系图。
图4是转移至基底的紧密排列的聚苯乙烯球阵列的俯视扫描电镜图。
图5是直径减小后的聚苯乙烯球阵列的俯视扫描电镜图。
图6是在聚甲基丙烯酸甲酯和金属薄膜基底上制得的金微米孔阵列的俯视扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合附图及优选实施方式对本发明技术方案进行详细说明。
本发明公开一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有特征的等离激元共振峰位,据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰,实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
优选的,所述基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法的具体流程如下:1)在清洗干净的玻璃基底沉积50~100纳米的金属薄膜;2)在金属薄膜表面旋涂聚合物薄膜;本实施例中涂聚合物薄膜用10纳米的聚甲基丙烯酸甲酯,也就是PMMA;3)采用微量注射泵往水面注入聚苯乙烯球的水和乙醇的混合溶液,待聚苯乙烯球完全覆盖水面后停止注射并静置12小时;4)将在水面排布好的聚苯乙烯球阵列转移至聚合物和金属薄膜覆盖的玻璃基底上;得到如图1中的1-1所示结构;5)在60℃的氮气氛围下热处理30分钟;6)在400瓦的氧等离子氛围下刻蚀10~30分钟,使得聚苯乙烯球直径减小,得到如图1中的1-2所示结构;7)再次沉积30~60纳米的金属薄膜,得到如图1中的1-3所示结构;8)化学法去除聚苯乙烯球后,在50℃的氮气氛围下热处理30分钟,得到金属微/纳米孔阵列、聚合物薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,得到如图1中的1-4所示结构。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,制备工艺简单,成本低,适合大面积、批量制备;灵敏度高,测试结果稳定,受外界干扰小。
优选的,聚苯乙烯球初始直径为1~3微米,减小后直径为初始值的50%~80%,测试或计算在已知的不同背景折射率对应的反射谱,典型结果如图2所示,据此可以总结出表面等离子激元共振峰位与背景折射率的对应关系(如图3所示)。若某一次测试所得特征共振峰位于1742纳米,则可以推断出背景折射率为1.34。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,所采用的聚苯乙烯球合成技术成熟、成本低;微米尺寸的聚苯乙烯球的自组装排列成功率高、可实现大面积(米级)的排列;金属微纳结构的实现成本低、可控性强;表面等离子激元共振特征峰位明显、受外界干扰小,对应测试结果稳定、可靠。
聚苯乙烯球阵列采用自组装排列而得;金属微纳结构通过“金属薄膜的物理法沉积和聚苯乙烯球化学法的去除”而得到。本发明结合“自上而下”法和“自下而上”法制备金属微纳结构、介质层薄膜和金属薄膜的叠层结构,利用该结构对表面等离子激元共振的可控调节和峰位特征,可以实现对背景物质折射率的低成本、高准确度的测试。
以下是优选的一个实施例:
1)将玻璃基底分别置于乙醇、去离子水中,超声15分钟;
2)使用磁控溅射沉积100纳米厚的金薄膜;
3)使用旋涂方法在金薄膜表面得到一层厚度为10纳米的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜;
4)将聚甲基丙烯酸甲酯/金薄膜覆盖的玻璃基底平躺放入容器,并往容器中注入一定量的水,使得水面高度高出玻璃基底2厘米;
5)将直径为1微米的聚苯乙烯球分散于水和乙醇(体积比1:1)混合液(聚苯乙烯球的质量百分比为25%),使用微量注射泵以2微升/分的速率将聚苯乙烯球的水和乙醇混合液注入至步骤4)所指的容器水表面,使得PS完全覆盖水面;
6)移开微量注射泵,静置12小时后,排干容器中的水,使得水表面的聚苯乙烯球逐渐降至聚甲基丙烯酸甲酯和金薄膜覆盖的玻璃基底表面;
7)静止24小时,在60℃的氮气氛围下热处理30分钟,得到图4所示结构;
8)在氧等离子氛围下刻蚀聚苯乙烯球,使得直径减小至0.75微米,得到图5所示结构;
9)在四氢呋喃溶液中浸泡12小时去除聚苯乙烯球;
10)在50℃的氮气氛围下热处理30分钟,最终得到金微米孔阵列/PMMA薄膜层/金薄膜层的超表面结构,得到图6所示结构。
11)在待测氛围下(如水、苯、丙醇)测试所得金微米孔阵列/PMMA薄膜层/金薄膜层的超表面结构的反射率,根据表面等离子激元共振的特征峰位推断出背景氛围物质的折射率。
本发明采用聚苯乙烯球自组装排列所得阵列为模板以制备金属微纳结构,该技术成本低,可适合大面积、大产量制备金属微纳结构;基于金属微纳结构/介质层薄膜/金属薄膜的叠层结构所具有的特征表面等离子激元共振峰位的移动,来探测背景折射率的大小。
本发明尚有多种实施方式,凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:所述折射率测试器以聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳米孔阵列、聚合物薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有特征的表面等离子激元共振峰位,据此可以测试出背景物质的折射率;
所述基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法的具体制作流程如下:1)在清洗干净的玻璃基底表面沉积50~100纳米的金属薄膜;2) 在金属薄膜表面旋涂聚合物薄膜,所述聚合物薄膜为5~30纳米的聚甲基丙烯酸甲酯;3) 将聚甲基丙烯酸甲酯/金属薄膜覆盖的玻璃基底平躺放入容器,并往容器中注入一定量的水,使得水面高度高出玻璃基底;4) 采用微量注射泵往水面注入聚苯乙烯球的水和乙醇的混合溶液,待聚苯乙烯球完全覆盖水面后停止注射并静置12小时;5) 排干容器中的水,使得水表面排布好的聚苯乙烯球逐渐降至聚甲基丙烯酸甲酯和金属薄膜覆盖的玻璃基底表面;6) 在60℃的氮气氛围下热处理30分钟;7) 在氧等离子氛围下刻蚀10~30分钟,使得聚苯乙烯球直径减小;8) 再次沉积30~60纳米的金属薄膜;9) 化学法去除聚苯乙烯球,然后在50℃的氮气氛围下热处理30分钟,得到金属微纳米孔阵列、聚合物薄膜层和金属薄膜层的叠层结构;
在进行折射率测试时,先对制备的金属微纳米孔阵列、聚合物薄膜层和金属薄膜层的叠层结构在已知的不同背景折射率下对应的反射谱进行测试并计算,总结出表面等离子激元共振峰位与背景折射率的对应关系;然后在未知背景折射率下测试反射谱,由反射谱的低谷位置而推算出未知背景折射率的大小。
2.根据权利要求1所述的基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:所述金属为金、银、铝、铂、铑或钌。
3.根据权利要求1所述的基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:聚苯乙烯球的自组装阵列使用“自下而上”法;而金属微纳米孔阵列通过“自上而下”法,用物理法沉积金属和化学法去除聚苯乙烯球得到。
4.根据权利要求1所述的基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:所述聚苯乙烯球的初始直径为1~3微米,减小后的直径为初始值的50%~80%。
5.根据权利要求1所述的基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:金属第一次沉积采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射方法实现;而第二次沉积采用电子束蒸镀方法实现。
6.根据权利要求1所述的基于表面等离子激元共振的折射率测试器的制作方法,其特征在于:水和乙醇混合液中乙醇和水的质量比是1:1,聚苯乙烯球占混合液的质量百分比为25%。
CN201711291796.0A 2017-12-08 2017-12-08 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法 Active CN108169171B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711291796.0A CN108169171B (zh) 2017-12-08 2017-12-08 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711291796.0A CN108169171B (zh) 2017-12-08 2017-12-08 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108169171A CN108169171A (zh) 2018-06-15
CN108169171B true CN108169171B (zh) 2020-12-25

Family

ID=62524721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711291796.0A Active CN108169171B (zh) 2017-12-08 2017-12-08 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108169171B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110595570B (zh) * 2019-10-23 2021-05-18 云南师范大学 一种应用金属表面等离激元的液位显示装置
CN111192891B (zh) * 2020-01-15 2023-08-04 宁波飞芯电子科技有限公司 硅光检测器、测距方法及装置
CN112816443A (zh) * 2021-02-04 2021-05-18 苏州大学 一种电信号直接读出的光学传感装置及其制备方法
CN114411105B (zh) * 2021-12-08 2023-11-07 华南师范大学 一种高质量金属纳米点阵列的制备方法
KR20230161161A (ko) * 2022-05-18 2023-11-27 주식회사 케이티앤지 발열체 및 이를 포함하는 에어로졸 발생 장치
CN115248469B (zh) * 2022-07-11 2023-09-12 中国科学院上海技术物理研究所 一种长波红外宽波段吸收结构

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991338A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 中国科学院物理研究所 一种兼有干涉效应和等离子振荡效应的传感器及其用途
CN102747320A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 武汉大学 贵金属纳米颗粒阵列的制备方法
CN102798615A (zh) * 2011-05-23 2012-11-28 中国科学院微电子研究所 一种基于周期性纳米结构的生物传感器及其制备方法
CN103808691A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器
CN103996719A (zh) * 2014-05-16 2014-08-20 中国科学技术大学 基于介质-介质-金属结构的超材料光学传感器及其制备方法
CN104198434A (zh) * 2014-08-20 2014-12-10 中山大学 一种垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器及其制备方法
CN105084307A (zh) * 2015-07-15 2015-11-25 西安交通大学 一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法
CN106206867A (zh) * 2016-07-21 2016-12-07 中北大学 三明治型金属超结构的红外辐射光源及制作方法
CN206489286U (zh) * 2017-02-13 2017-09-12 中北大学 基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204237731U (zh) * 2014-05-09 2015-04-01 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 纳米微球单层薄膜的大面积自组装制备装置
CN105206175B (zh) * 2015-10-23 2018-06-29 浙江大学 基于图案化金属纳米复合材料的防伪标识及其制作方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991338A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 中国科学院物理研究所 一种兼有干涉效应和等离子振荡效应的传感器及其用途
CN102798615A (zh) * 2011-05-23 2012-11-28 中国科学院微电子研究所 一种基于周期性纳米结构的生物传感器及其制备方法
CN102747320A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 武汉大学 贵金属纳米颗粒阵列的制备方法
CN103808691A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器
CN103996719A (zh) * 2014-05-16 2014-08-20 中国科学技术大学 基于介质-介质-金属结构的超材料光学传感器及其制备方法
CN104198434A (zh) * 2014-08-20 2014-12-10 中山大学 一种垂直透射型局域等离子谐振折射率传感器及其制备方法
CN105084307A (zh) * 2015-07-15 2015-11-25 西安交通大学 一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法
CN106206867A (zh) * 2016-07-21 2016-12-07 中北大学 三明治型金属超结构的红外辐射光源及制作方法
CN206489286U (zh) * 2017-02-13 2017-09-12 中北大学 基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN108169171A (zh) 2018-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108169171B (zh) 一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及其制作方法
CN103293142B (zh) 一种柔性的表面增强拉曼光谱基底及其制备方法
Xu et al. Surface plasmon resonance of silver nanoparticles on vanadium dioxide
US20150049332A1 (en) Gold nanoisland arrays
CN101776604A (zh) 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法
CN103011068B (zh) 一种金属纳米环的溶液法制备方法
CN103938158A (zh) 一种自组装球型阵列的sers基底及制备方法
CN108982474A (zh) 一种基于金属-介质复合等离激元共振结构的表面增强拉曼活性基底及其制备方法
Chen et al. Molecularly imprinted sol-gel/Au@ Ag core-shell nano-urchin localized surface plasmon resonance sensor designed in reflection mode for detection of organic acid vapors
Kang et al. Near-infrared optical extinction of indium tin oxide structures prepared by nanosphere lithography
CN110044866B (zh) 一种横向纳米腔阵列结构sers基底及其制备方法
CN109795979B (zh) 具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法
CN108611604B (zh) 一种基于高介电材料的经济型高精密表面增强拉曼活性基底的制造方法
CN112147724B (zh) 基于Mxene的宽频和广角完美吸收体及其制备方法
CN109581553A (zh) 一种可见光波段超材料完美吸收体及其自组装制备方法
CN107119252B (zh) 一种硅基表面增强拉曼基底的制备方法
Chang et al. Subwavelength antireflective Si nanostructures fabricated by using the self-assembled silver metal-nanomask
CN111122543A (zh) 一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法
Ou et al. Structural and optical properties of textured silicon substrates by three-step chemical etching
CN105158825B (zh) 一种抗反射结构及其构筑方法
CN115537745A (zh) 用于半导体表面增强拉曼散射的多彩薄膜及其制法与应用
CN112981324B (zh) 一种液相纳米红外光谱等离激元共振增强基底及其制备方法和应用
Cheng et al. Atomic layer deposition assisted fabrication of large-scale metal nanogaps for surface enhanced Raman scattering
Tian et al. Fabrication and characterisation of TiO2 anti‐reflection coatings with gradient index
CN115975239B (zh) 皱状纳米碗@纳米颗粒等离激元薄膜及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant