CN108153995B - 测试图形的选取方法和装置、构建光刻模型的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种测试图形的选取方法和装置，该选取方法包括根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；根据简化模型对初始测试图形进行光学仿真，得到初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形，关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。利用该选取方法选出的测试图形用于构建光刻模型，能够提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的准确度。此外，本申请还尤其涉及一种构建光刻模型的方法和装置。

Description

测试图形的选取方法和装置、构建光刻模型的方法和装置

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种测试图形的选取方法和装置，此外，本申请还尤其涉及一种构建光刻模型的方法和装置。

背景技术

光刻模型是光学仿真的基础，主要包括光学参数、光刻胶参数等等，其反映了光刻工艺中光学传输、光化学反应和物理反应的过程。

在光刻模型的构建过程中，选取的测试图形对建模效率以及最终构建得到的模型准确度有很大影响。而且，随着集成电路集成度的不断提高，工艺节点持续推进，特征尺寸也越来越小，测试图形变得越来越复杂。如此，在构建光刻模型的过程中，测试图形的选取变得尤为重要。

从设计的角度来说，测试图形作为反映实际电路版图的图形，因此，选取的测试图形需要具备较高的图形覆盖率。所谓图形覆盖率为测试图形分布与实际电路图形分布的比值。

从建模的角度来说，较多的测试图形可以提高模型的准确度，从这一角度来说，在光刻模型的构建过程中，需要选取尽可能多的测试图形，然而，过多的测试图形会使计算时间大大增加，降低建模效率。

此外，较为复杂的测试图形会使得模型构建难以收敛或者降低准确度。

发明内容

有鉴于此，本申请的第一方面提供了一种测试图形的选取方法和装置，以提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的准确度。

基于本申请的第一方面，本申请的第二方面提供了一种构建光刻模型的方法和装置。

为了达到上述发明目的，本申请采用了如下技术方案：

一种测试图形的选取方法，包括：

根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；

根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；

根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

可选地，所述根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，具体包括：

将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；

从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。

可选地，所述从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，具体包括：

从每个区域内选取最靠近该区域中心位置的初始测试图形。

可选地，所述预设参数为多个，所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布为多维空间分布。

一种构建光刻模型的方法，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述方法包括：

根据上述任一项所述的测试图形的选取方法选取关键测试图形；

利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；

利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；

利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；

判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

可选地，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型，具体包括：

将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。

可选地，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。

可选地，所述判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，还包括：

如果否，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因返回校准光学参数的步骤或者返回校准光刻胶参数的步骤。

一种测试图形的选取装置，包括：

设计单元，用于根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；

光学仿真单元，用于根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；

选取单元，用于根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

可选地，所述选取单元，具体包括：

划分子单元，用于将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；

选取子单元，用于从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。

一种构建光刻模型的装置，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述装置包括：

选取模块，用于根据上述任一项所述的测试图形的选取方法选取关键测试图形；

光学参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；

光刻胶参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；

光学仿真模块，用于利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；

判断模块，用于判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

可选地，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述光刻胶参数校准模块具体包括：

将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。

可选地，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。

可选地，所述装置还包括：

分析模块，用于当所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布未达到预设标准时，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因触发光学参数校准模块或光刻胶参数校准模块。

相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：

基于上述技术方案可知，本申请实施例提供的测试图形的选取方法根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形。该选择测试图形的方法能够从初始测试图形中选出图形覆盖率较高的测试图形作为构建光刻模型的测试图形。而且通过该方法选出的用于构建光刻模型的测试图形中去除掉了冗余的测试图形，如此，避免了选取的测试图形过多。另外，该方法也能够将图形较为复杂的测试图形排除掉，因此，利用该方法选取出的测试图形进行光刻模型的构建，能够实现对关键图形的准确模拟，提高模型准确度。而且，该方法避免了测试图形过多导致的计算时间增加，降低建模效率的问题。此外，该方法能够过滤掉图形复杂的测试图形，因此，利用该选取出的测试图形进行光刻模型的构建，可以避免出现光刻模型构建过程中难以收敛或者降低准确度的问题。

附图说明

为了清楚地理解本申请的具体实现方式，下面将描述本申请具体实施方式时用到的附图做一简要说明。显而易见地，这些附图仅是本申请的部分实施例。

图1是本申请实施例提供的测试图形的选取方法流程示意图；

图2是本申请实施例提供的初始测试图形示意图；

图3是本申请实施例提供的初始测试图形在预设参数取值范围内的分布示意图；

图4是本申请实施例提供的选取测试图形的示意图；

图5是本申请实施例提供的构建光刻模型的方法流程示意图；

图6是本申请实施例提供的测试图形的选取装置结构示意图；

图7是本申请实施例提供的构建光刻模型的装置结构示意图。

具体实施方式

在现有的光刻模型的构建过程中，测试图形的选取一般是利用已有经验从已经设计好的初始测试图形中选取。这种依靠经验选取测试图形的方法存在建模效率慢以及构建出的光刻模型不准确的问题，而且随着集成电路集成度的不断提高，工艺节点持续推进，特征尺寸也越来越小，测试图形变得越来越复杂，单单依靠经验来选取测试图形，已经不能从初始测试图形中选取出用于光刻模型构建的测试图形，以提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的准确度。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种测试图形的选取方法，该选取方法在得到初始测试图形后，会根据简化模型对该初始测试图形进行光学仿真，从而得到初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；然后，根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形，该关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

该选取测试图形的方法，能够从初始测试图形中选出图形覆盖率较高的测试图形作为构建光刻模型的测试图形。而且通过该方法选出的用于构建光刻模型的测试图形中去除掉了冗余的测试图形，如此，避免了选取的测试图形过多。另外，该方法也能够将图形较为复杂的测试图形排除掉，因此，利用该方法选取出的测试图形进行光刻模型的构建，能够实现对关键图形的准确模拟，提高模型准确度。而且，该方法避免了测试图形过多导致的计算时间增加，降低建模效率的问题。此外，该方法能够过滤掉图形复杂的测试图形，因此，利用该选取出的测试图形进行光刻模型的构建，可以避免出现光刻模型构建过程中难以收敛或者降低准确度的问题。

下面结合附图详细描述本申请实施例提供的测试图形的选取方法的具体实现方式。

请参见图1，本申请实施例提供的测试图形的选取方法包括以下步骤：

S101：根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形。

作为示例，根据设计规则人工绘制的测试图形可以如图2(a)所示。根据上一代工艺结构进行相应微缩得到的标准单位版图如图2(b)所示，图2(b)也可以看作是根据实际电路版图得到的测试图形。基于随机版图生成工具生成的测试图形如图2(c)所示。

需要说明，在本申请实施例中，设计得到的初始测试图形为多个，通常情况下，初始测试图形的数量为几百个到几千个不等。通常，按图形形状对初始测试图形进行分类，并且每类图形还会进一步按照尺寸的不同再做细分。

S102：根据简化模型对初始测试图形进行光学仿真，得到初始测试图形在预设参数取值范围内的分布。

简化模型为本领域常用的光刻模型，其包括了很多模型参数，这些模型参数中，有些参数是可以测量得到的量，有些参数是需要校准的量。

预设参数可以是由简化模型进行光学仿真后得到的仿真结果。作为示例，预设参数可以为仿真结果的属性中的任意一个或者多个属性的任意组合。此外，在本申请实施例中，预设参数可以为一个，也可以为多个。

当预设参数为一个时，初始测试图形在预设参数取值范围内的分布为一维空间分布图。当预设参数为多个时，初始测试图形在预设参数取值范围内的分布可以为多维空间分布图。以预设参数为两个为例说明，在该示例下，初始测试图形在预设参数取值范围内的分布如图3所示。

S103：根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

为了选取出图形覆盖率高的测试图形用于构建光刻模型中的参数校准，作为一可选示例，S103可以具体包括以下步骤：

S1031：将初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域。

作为示例，如图4所示，预设参数以两个为例说明，分别为参数1和参数2。设定：初始测试图形在参数1取值范围内的分布所覆盖的取值范围是从0-200，在参数2取值范围内的分布所覆盖的取值范围是从320-520。在图4中，圆形用于表示选取前的初始测试图形。

本步骤将初始测试图形在参数1取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为5个区域，将初始测试图形在参数2取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为5个区域。

需要说明，在本申请实施例中，划分的区域数量不限于上述所述的5个或5个，可以根据需要在不同的参数取值范围内划分不同数量的区域。其中，划分的区域越精细，选取得到的测试图形越有利于光刻模型的构建。

S1032：从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从各个区域中选取出的初始测试图形作为关键测试图形。

为了选取出的测试图形具有较高的图形覆盖率，本申请实施例从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从各个区域中选取出的初始测试图形作为用于构建光刻模型中的参数校准的关键测试图形。

因分布在每个区域靠近中间位置的初始测试图形能够较大程度地反映该区域内的特征，所以，作为本申请的一可选实施例，S1032可以具体为：从每个区域内选取最靠近该区域中心位置的初始测试图形，将该最靠近区域中心位置的初始测试图形作为用于构建光刻模型中的参数校准的关键测试图形。作为示例，在图4中，菱形用于表示选取后的关键测试图形。

以上为本申请实施例提供的测试图形的选取方法的具体实现方式。在该具体实现方式中，在得到初始测试图形后，会根据简化模型对该初始测试图形进行光学仿真，从而得到初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；然后，根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图，该关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

该选择测试图形的方法，能够从初始测试图形中选出图形覆盖率较高的测试图形作为构建光刻模型的测试图形。而且通过该方法选出的用于构建光刻模型的测试图形中去除掉了冗余的测试图形，如此，避免了选取的测试图形过多。另外，该方法也能够将图形较为复杂的测试图形排除掉，因此，利用该方法选取出的测试图形进行光刻模型的构建，能够实现对关键图形的准确模拟，提高模型准确度。而且，该方法能够去除掉冗余的测试图形，因此，避免了测试图形过多导致的计算时间增加，降低建模效率的问题。此外，该方法能够过滤掉图形复杂的测试图形，因此，利用该选取出的测试图形进行光刻模型的构建，可以避免出现光刻模型构建过程中难以收敛或者降低准确度的问题。

基于上述实施例提供的测试图形的选取方法的具体实施方式，本申请实施例还提供了一种构建光刻模型的方法的具体实现方式。

请参见图5，本申请实施例提供的构建光刻模型的方法包括以下步骤：

S501：根据上述任一实施例所述的测试图形选取方法选取关键测试图形。

S502：利用关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型。

作为示例，光学参数可以包括离焦位置、空间像位置、空间像模糊和掩模模糊中的至少一种。

需要说明，在本申请实施例中，利用关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数是为了保证构建出的光刻模型具有较高的空间像准确性。所谓空间像是由光源发出的光线经过光学系统传播后，在光刻胶的位置所形成的光强空间分布。

S503：利用关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型。

作为示例，光刻胶参数可以包括酸扩散长度、碱扩散长度、短程负载参数、晶圆负载参数和微缩参数中的至少一种。

需要说明，在本申请实施例中，光刻胶参数可以为多个。如果同时把所有光刻胶参数都添加到第一准光刻模型中，会导致仿真时间增加，甚至会导致过度拟合(可以理解为，校准后的模型只会对当前的图形具有较好的预测性，一旦更换图形后，结果会出现较大偏差)，进而使得光刻模型的可预测性下降。基于此，作为本申请的一具体实施例，在光刻胶参数校准的过程中，可以将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻模型中，而不是同时添加到第一准光刻胶模型中。其中，作为示例，预设顺序可以为对光刻模型影响的大小顺序，对光刻模型影响大的参数先添加到第一准光刻模型中，对光刻模型影响小的参数后添加到第一准光刻模型中。

需要说明，在本申请实施例中，若第一准光刻模型已经进行了某一光刻胶参数的校准，则后续进行光刻胶参数校准时，则要将光刻胶参数添加到已经进行过某一光刻胶参数校准的第一准光刻模型中。

作为一具体示例，当光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，预设顺序可以为物理参数-->半经验参数-->数学参数。如此，先添加物理参数，能够保证构建出的光刻模型反映关键的物理机制，添加半经验参数来完善构建出的光刻模型。

其中，物理参数通常能够反映实际的物理机制，例如可以为扩散长度，半经验参数为基于实际的物理机制并结合经验得到的参数，例如可以为加权系数，数学参数是为了仿真结果和实验结果较好拟合所添加的参数，没有明确的物理意义，例如可以为常数(在光刻模型中较少使用)。

需要说明，为了使得构建出的光刻模型更加准确，构建效率更高，在利用关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数之前，还可以根据不同光刻胶参数之间的相关性高低，将不同光刻胶参数划分为多组光刻胶参数。其中，作为本申请的一具体示例，光刻胶参数可以以其相关性高低来分组。其中，相关性高的光刻胶参数属于同一组，相关性低的光刻胶参数属于不同组。

其中，衡量不同光刻胶参数的相关性高低的标准可以以是否反映同一类效应为依据。若光刻胶参数A和B均反映同一类效应，例如均反映负显影的微缩效应，则该光刻胶参数A和B之间的相关性高，划分到同一组。若光刻胶参数A和B分别反映不同类效应，则光刻胶参数A和B的相关性低，则划分为不同组中。

按照这种分组方式得到的各个光刻胶参数组，可以按照预设顺序将各组光刻胶参数依次逐渐添加到第一准光刻模型中进行校准。具体地，可以按照其对应的效应主次顺序依次添加到第一准光刻模型中。其中，主要效应的光刻胶参数组中的光刻胶参数添加的优先级较高，次要效应的光刻胶参数组的光刻胶参数添加的优先级较低。

此外，光刻胶参数也可以按照参数自身属性的不同来分组。在该分组方式下，本申请实施例中的光刻胶参数可以划分为三组：物理参数组、半经验参数以及数学参数组。其中，物理参数组中的参数通常能够反映实际的物理机制，例如可以为扩散长度，半经验参数组中的参数基于实际的物理机制并结合经验得到的参数，例如可以为加权系数，数学参数组中的参数是为了仿真结果和实验结果较好拟合所添加的参数，没有明确的物理意义，例如可以为常数(在光刻模型中较少使用)。

作为一具体示例，当光刻胶参数组包括括物理参数组、半经验参数组和数学参数组时，预设顺序可以为物理参数组-->半经验参数组-->数学参数组。如此，先添加物理参数组，能够保证构建出的光刻模型反映关键的物理机制，添加半经验参数来完善构建出的光刻模型。

此外，在上述按照光刻胶参数之间的相关性高低对光刻胶参数进行分组时，属于同一分组内的光刻胶参数有可能为多个，则该同一分组内的多个光刻胶参数也可以依次添加到第一准光刻模型中。并且，当该同一分组内的多个光刻胶参数为多个不同属性的参数，例如，可能在同一分组内的光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，则按照物理参数-->半经验参数-->数学参数的顺序依次将同一分组内的各个参数依次添加到第一准光刻模型中。

S504：利用第二准光刻模型对初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果。

利用第二准光刻模型对所有各个初始测试图形进行光学仿真，得到每个初始测试图形的光学仿真结果。

S505：判断光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，执行S506，如果否，执行S507。

为了验证第二准光刻模型的准确性，作为示例，本申请实施例还需要获取所有各个初始测试图形的实际的光刻实验结果。将各个初始测试图形的光刻仿真结果分别与各个初始测试图形的实际的光刻实验结果进行比较，判断两者的误差分布是否达到预设标准，如果达到预设标准，则认为第二准光刻模型具有较好的可预测性，能够作为最终构建的光刻模型。

作为示例，预设标准例如可以为误差分布在-1nm至1nm之间，

S506：将上述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

S507：分析误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因返回S502或S503。

具体地，若误差分布未达到预设标准的原因是因为光学参数不准确，则返回S502，若误差分布未达到预设标准的原因是因为光刻胶参数不准确，则返回S503。

以上为本申请实施例提供的构建光刻模型的方法的具体实现方式。在该具体实现方式中，用于校准光刻模型参数的关键测试图形是根据初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从初始测试图形中选取关键测试图形。

该选取出的关键测试图形具有较高的图形覆盖率，并且避免了选取的过多冗余的测试图形，以及能够过滤掉图形复杂的测试图形。因此，利用该选取出的关键测试图形进行构建光刻模型，能够提高光刻模型的构建效率以及准确度。

以上为本申请实施例提供的测试图形的选取方法和构建光刻模型的方法的具体实施方式。

基于该具体实施方式，本申请实施例还提供了测试图形的选取装置和构建光刻模型的装置的具体实现方式。

首先，介绍测试图形的选取装置的具体实现方式。如图6所示，本申请实施例提供的测试图形的选取装置，包括以下单元：

设计单元61，用于根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；

光学仿真单元62，用于根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；

选取单元63，用于根据所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布从所述初始测试图形中选取关键测试图形，所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

作为本申请的一可选实施例，选取单元63可以具体包括：

划分子单元631，用于将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；

选取子单元632，用于从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。

下面介绍构建光刻模型的装置的具体实现方式。需要说明，光刻模型包括光学参数和光刻胶参数。

请参见图7，本申请实施例提供的构建光刻模型的装置包括：

选取模块71，用于根据上述任一实施例所述的测试图形选取方法选取关键测试图形；

光学参数校准模块72，用于利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；

光刻胶参数校准模块73，用于利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；

光学仿真模块74，用于利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；

判断模块75，用于判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

作为本申请的一具体示例，上述所示的构建光刻模型的装置还可以包括：

分析模块76，用于当光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布未达到预设标准时，分析误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因触发光学参数校准模块72或光刻胶参数校准模块73。

作为本申请的一可选实施例，光刻胶参数包括多个光刻胶参数组，所述光刻胶参数校准模块73可以具体包括：

将各个光刻胶参数组按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。

作为本申请的一可选实施例，所述多个光刻胶参数包括物理参数组、半经验参数组和数学参数组，所述预设顺序为：物理参数组-->半经验参数组-->数学参数组。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (12)

1.一种测试图形的选取方法，其特征在于，包括：

根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；

根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；

将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；

从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形；所述关键测试图形用于构建光刻模型中的参数校准。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，具体包括：

从每个区域内选取最靠近该区域中心位置的初始测试图形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设参数为多个，所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布为多维空间分布。

4.一种构建光刻模型的方法，其特征在于，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述方法包括：

根据权利要求1-3任一项所述的方法选取关键测试图形；

利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；

利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；

利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；

判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型，具体包括：

将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，还包括：

如果否，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因返回校准光学参数的步骤或者返回校准光刻胶参数的步骤。

8.一种测试图形的选取装置，其特征在于，包括：

设计单元，用于根据设计规则、实际电路版图和/或随机版图设计初始测试图形；

光学仿真单元，用于根据简化模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布；

选取单元，用于将所述初始测试图形在预设参数取值范围内的分布所覆盖的取值范围等分为若干个区域；从每个区域内选取至少一个分布在该区域内的初始测试图形，并将从每个区域中选取出的初始测试图形作为对应区域内的关键测试图形。

9.一种构建光刻模型的装置，其特征在于，所述光刻模型包括光学参数和光刻胶参数，所述装置包括：

选取模块，用于根据权利要求1-3任一项所述的方法选取关键测试图形；

光学参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准待构建光刻模型中的光学参数，得到光学参数校准后的第一准光刻模型；

光刻胶参数校准模块，用于利用所述关键测试图形校准所述第一准光刻模型中的光刻胶参数，得到光学参数和光刻胶参数校准后的第二准光刻模型；

光学仿真模块，用于利用所述第二准光刻模型对所述初始测试图形进行光学仿真，得到光学仿真结果；

判断模块，用于判断所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布是否达到预设标准，如果是，将所述第二准光刻模型作为最终构建的光刻模型。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述光刻胶参数包括多个光刻胶参数，所述光刻胶参数校准模块具体包括：

将各个光刻胶参数按照预设顺序依次添加到第一准光刻胶模型中，并依次利用所述关键测试图形校准第一准光刻模型中的光刻胶参数。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述多个光刻胶参数包括物理参数、半经验参数和数学参数，所述预设顺序为：物理参数-->半经验参数-->数学参数。

12.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

分析模块，用于当所述光学仿真结果与实际光刻实验结果之间的误差分布未达到预设标准时，分析所述误差分布未达到预设标准的原因，并根据原因触发光学参数校准模块或光刻胶参数校准模块。

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