CN108133911A - 一种用于保护集成电路芯片的密封环结构 - Google Patents

一种用于保护集成电路芯片的密封环结构 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其结构包括固定基板、塑料体、LED标志、辅助引脚、突出部、引脚、固定孔、第一密封环、第二密封环、介质层、稳固支撑件、密封环本体、集成电路、金属线、内侧块、开口，本发明的有益效果：通过将密封环本体的至少一个侧边设为双边结构，并且在与芯片上的集成电路相邻接的至少一个内侧边上设有至少1个开口，实现了既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等。

Description

一种用于保护集成电路芯片的密封环结构
技术领域
本发明是一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，属于集成电路芯片领域。
背景技术
集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置密封环。密封环可以防止任何裂痕(例如，因切割集成电路时的应力所导致的裂痕侵入集成电路内部的电路区域。此外，密封环亦可避免湿气渗入，或是避免其它化学物质进入而损坏集成电路内部的电路区域。
但是，现有的密封环可靠性存在一定风险，尤其在一些苛刻的环境条件下，水气可经由密封环的中断处进入集成电路芯片的内部使芯片加速老化，会导致芯片内部器件的损伤。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，以解决现有的密封环可靠性存在一定风险，尤其在一些苛刻的环境条件下，水气可经由密封环的中断处进入集成电路芯片的内部使芯片加速老化，会导致芯片内部器件的损伤的问题。
为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其结构包括固定基板、塑料体、LED标志、辅助引脚、突出部、引脚、固定孔，所述的引脚设有两个以上且尺寸一致，所述的塑料体后端采用螺母固定设于固定基板前端，所述的LED标志后端采用粘接方式固定粘贴于塑料体前端，所述的辅助引脚采用焊接方式固定设于塑料体前端两端，所述的塑料体与辅助引脚采用间隙配合，所述的突出部与辅助引脚为一体化成型结构，所述的突出部与辅助引脚采用过盈配合连接，所述的塑料体前端左下角固定设有固定孔的凹槽，所述的固定孔与塑料体为一体化成型结构，所述的固定孔与塑料体采用间隙配合，所述的引脚均水平焊接于塑料体底部，所述的塑料体与引脚采用过盈配合连接，所述的塑料体由第一密封环、第二密封环、介质层、稳固支撑件组成，所述的第一密封环与第二密封环的截面均为长方形，所述的第二密封环固定环绕于第一密封环内且之间设有间隔，所述的第一密封环与第二密封环之间固定设有多个稳固支撑件，所述的稳固支撑件与第一密封环与第二密封环采用过盈配合连接，所述的稳固支撑件的截面为三角形结构，所述的介质层固定填充于稳固支撑件内的空隙，所述的介质层与稳固支撑件采用间隙配合，所述的第二密封环由密封环本体、集成电路、金属线、内侧块、开口组成，所述的密封环本体内固定设有内侧块，所述的内侧块之间固定设有开口，所述的开口与内侧块采用间隙配合，所述的集成电路设有两个以上且尺寸一致，所述的集成电路固定设于密封环本体内且相嵌合，所述的集成电路通过金属线与内侧块连接，所述的集成电路与金属线采用电连接。
进一步地，所述的集成电路由电极、金属层、介层插塞、接触插塞、内层介电层、基层、金属介电层、区域、蚀刻终止层、第一钝化层、第二钝化层、焊垫、感应原件组成。
进一步地，所述的电极与金属层尺寸一致，所述的电极水平设于第一钝化层内，所述的电极与感应原件相贯通。
进一步地，所述的电极与感应原件采用电连接，所述的电极与金属层通过介层插塞连接。
进一步地，所述的金属层与介层插塞固定设有蚀刻终止层，所述的蚀刻终止层设有两个以上且垂直设于集成电路内。
进一步地，所述的接触插塞固定设于金属层下方且采用过盈配合连接，所述的区域固定设于基层内部，所述的第二钝化层固定设于第一钝化层上方且相嵌合。
进一步地，所述的金属介电层固定设于金属层与焊垫之间，所述的金属介电层与金属层与焊垫采用电连接，所述的焊垫固定设于第二钝化层内。
有益效果
本发明一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，通过将密封环本体的至少一个侧边设为双边结构，并且在与芯片上的集成电路相邻接的至少一个内侧边上设有至少1个开口，实现了既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明一种用于保护集成电路芯片的密封环结构的结构示意图；
图2为本发明一种用于保护集成电路芯片的密封环结构的塑料体内部结构图；
图3为本发明塑料体的第二密封环内部结构图；
图4为本发明集成电路内部结构图。
图中：固定基板-1、塑料体-2、LED标志-3、辅助引脚-4、突出部-5、引脚-6、固定孔-7、第一密封环-201、第二密封环-202、介质层-203、稳固支撑件-204、密封环本体-2021、集成电路-2022、金属线-2023、内侧块-2024、开口-2025、电极-20221、金属层-20222、介层插塞-20223、接触插塞-20224、内层介电层-20225、基层-20226、金属介电层-20227、区域-20228、蚀刻终止层-20229、第一钝化层-202210、第二钝化层-202211、焊垫-202212、感应原件-202213。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
请参阅图1-图4，本发明提供一种用于保护集成电路芯片的密封环结构技术方案：其结构包括固定基板1、塑料体2、LED标志3、辅助引脚4、突出部5、引脚6、固定孔7，所述的引脚6设有两个以上且尺寸一致，所述的塑料体2后端采用螺母固定设于固定基板1前端，所述的LED标志3后端采用粘接方式固定粘贴于塑料体2前端，所述的辅助引脚4采用焊接方式固定设于塑料体2前端两端，所述的塑料体2与辅助引脚4采用间隙配合，所述的突出部5与辅助引脚4为一体化成型结构，所述的突出部5与辅助引脚4采用过盈配合连接，所述的塑料体2前端左下角固定设有固定孔7的凹槽，所述的固定孔7与塑料体2为一体化成型结构，所述的固定孔7与塑料体2采用间隙配合，所述的引脚6均水平焊接于塑料体2底部，所述的塑料体2与引脚6采用过盈配合连接，所述的塑料体2由第一密封环201、第二密封环202、介质层203、稳固支撑件204组成，所述的第一密封环201与第二密封环202的截面均为长方形，所述的第二密封环202固定环绕于第一密封环201内且之间设有间隔，所述的第一密封环201与第二密封环202之间固定设有多个稳固支撑件204，所述的稳固支撑件204与第一密封环201与第二密封环202采用过盈配合连接，所述的稳固支撑件204的截面为三角形结构，所述的介质层203固定填充于稳固支撑件204内的空隙，所述的介质层203与稳固支撑件204采用间隙配合，所述的第二密封环202由密封环本体2021、集成电路2022、金属线2023、内侧块2024、开口2025组成，所述的密封环本体2021内固定设有内侧块2024，所述的内侧块2024之间固定设有开口2025，所述的开口2025与内侧块2024采用间隙配合，所述的集成电路2022设有两个以上且尺寸一致，所述的集成电路2022固定设于密封环本体2021内且相嵌合，所述的集成电路2022通过金属线2023与内侧块2024连接，所述的集成电路2022与金属线2023采用电连接，所述的集成电路2022由电极20221、金属层20222、介层插塞20223、接触插塞20224、内层介电层20225、基层20226、金属介电层20227、区域20228、蚀刻终止层20229、第一钝化层202210、第二钝化层202211、焊垫202212、感应原件202213组成，所述的电极20221与金属层20222尺寸一致，所述的电极20221水平设于第一钝化层202210内，所述的电极20221与感应原件202213相贯通，所述的电极20221与感应原件202213采用电连接，所述的电极20221与金属层20222通过介层插塞20223连接，所述的金属层20222与介层插塞20223固定设有蚀刻终止层20229，所述的蚀刻终止层20229设有两个以上且垂直设于集成电路2022内，所述的接触插塞20224固定设于金属层20222下方且采用过盈配合连接，所述的区域20228固定设于基层20226内部，所述的第二钝化层202211固定设于第一钝化层202210上方且相嵌合，所述的金属介电层20227固定设于金属层20222与焊垫202212之间，所述的金属介电层20227与金属层20222与焊垫202212采用电连接，所述的焊垫202212固定设于第二钝化层202211内。
本专利所述的电极20221在电池中一般指与电解质溶液发生氧化还原反应的位置。电极有正负之分，一般正极为阴极，获得电子，发生还原反应，负极则为阳极，失去电子发生氧化反应。电极可以是金属或非金属，只要能够与电解质溶液交换电子，即成为电极。
在进行使用时，通过于第一密封环201及第二密封环202之间固定连接多个稳固支撑件204，而后通过将密封环本体2021的至少一个侧边设为双边结构，并且在与芯片上的集成电路2022相邻接的至少一个内侧边上设有至少1个开口2025，实现了既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路2022的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，加工方便，具有极强的实用性，大大地加强了芯片密封环的抗破裂强度，而且芯片密封环结构简单，成本较低，可广泛推广使用。
本发明解决现有的密封环可靠性存在一定风险，尤其在一些苛刻的环境条件下，水气可经由密封环的中断处进入集成电路芯片的内部使芯片加速老化，会导致芯片内部器件的损伤的问题，本发明通过上述部件的互相组合，实现了既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，加工方便，具有极强的实用性，大大地加强了芯片密封环的抗破裂强度，而且芯片密封环结构简单，成本较低，可广泛推广使用。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其结构包括固定基板(1)、塑料体(2)、LED标志(3)、辅助引脚(4)、突出部(5)、引脚(6)、固定孔(7)，其特征在于：
所述的引脚(6)设有两个以上且尺寸一致，所述的塑料体(2)后端采用螺母固定设于固定基板(1)前端，所述的LED标志(3)后端采用粘接方式固定粘贴于塑料体(2)前端，所述的辅助引脚(4)采用焊接方式固定设于塑料体(2)前端两端，所述的塑料体(2)与辅助引脚(4)采用间隙配合，所述的突出部(5)与辅助引脚(4)为一体化成型结构，所述的突出部(5)与辅助引脚(4)采用过盈配合连接，所述的塑料体(2)前端左下角固定设有固定孔(7)的凹槽，所述的固定孔(7)与塑料体(2)为一体化成型结构，所述的固定孔(7)与塑料体(2)采用间隙配合，所述的引脚(6)均水平焊接于塑料体(2)底部，所述的塑料体(2)与引脚(6)采用过盈配合连接；
所述的塑料体(2)由第一密封环(201)、第二密封环(202)、介质层(203)、稳固支撑件(204)组成；
所述的第一密封环(201)与第二密封环(202)的截面均为长方形，所述的第二密封环(202)固定环绕于第一密封环(201)内且之间设有间隔，所述的第一密封环(201)与第二密封环(202)之间固定设有多个稳固支撑件(204)，所述的稳固支撑件(204)与第一密封环(201)与第二密封环(202)采用过盈配合连接，所述的稳固支撑件(204)的截面为三角形结构，所述的介质层(203)固定填充于稳固支撑件(204)内的空隙，所述的介质层(203)与稳固支撑件(204)采用间隙配合；
所述的第二密封环(202)由密封环本体(2021)、集成电路(2022)、金属线(2023)、内侧块(2024)、开口(2025)组成；
所述的密封环本体(2021)内固定设有内侧块(2024)，所述的内侧块(2024)之间固定设有开口(2025)，所述的开口(2025)与内侧块(2024)采用间隙配合，所述的集成电路(2022)设有两个以上且尺寸一致，所述的集成电路(2022)固定设于密封环本体(2021)内且相嵌合，所述的集成电路(2022)通过金属线(2023)与内侧块(2024)连接，所述的集成电路(2022)与金属线(2023)采用电连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的集成电路(2022)由电极(20221)、金属层(20222)、介层插塞(20223)、接触插塞(20224)、内层介电层(20225)、基层(20226)、金属介电层(20227)、区域(20228)、蚀刻终止层(20229)、第一钝化层(202210)、第二钝化层(202211)、焊垫(202212)、感应原件(202213)组成。
3.根据权利要求2所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的电极(20221)与金属层(20222)尺寸一致，所述的电极(20221)水平设于第一钝化层(202210)内，所述的电极(20221)与感应原件(202213)相贯通。
4.根据权利要求2所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的电极(20221)与感应原件(202213)采用电连接，所述的电极(20221)与金属层(20222)通过介层插塞(20223)连接。
5.根据权利要求2所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的金属层(20222)与介层插塞(20223)固定设有蚀刻终止层(20229)，所述的蚀刻终止层(20229)设有两个以上且垂直设于集成电路(2022)内。
6.根据权利要求2所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的接触插塞(20224)固定设于金属层(20222)下方且采用过盈配合连接，所述的区域(20228)固定设于基层(20226)内部，所述的第二钝化层(202211)固定设于第一钝化层(202210)上方且相嵌合。
7.根据权利要求2所述的一种用于保护集成电路芯片的密封环结构，其特征在于：所述的金属介电层(20227)固定设于金属层(20222)与焊垫(202212)之间，所述的金属介电层(20227)与金属层(20222)与焊垫(202212)采用电连接，所述的焊垫(202212)固定设于第二钝化层(202211)内。
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