CN108121169A - 远紫外线对准标记的形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例阐述一种在不使用光刻方法的情况下在远紫外线空白掩模的顶部层上或顶部层中形成对准标记的方法。举例来说，所述方法可包括通过以下方式在远紫外线空白掩模的顶部层上形成金属结构：在远紫外线掩模的顶部层上分配六羰基铬蒸气，并将六羰基铬蒸气暴露至电子束。使六羰基铬蒸气分解以在靠近六羰基铬蒸气与电子束相互作用之处的区域处形成金属结构。在另一实例中，所述方法可包括使用蚀刻器开孔及蚀刻工艺在远紫外线空白掩模的顶部层中形成图案化结构。

Description

远紫外线对准标记的形成方法
技术领域
本发明实施例涉及远紫外线(extreme ultraviolet，EUV)对准标记(alignmentmark)的形成方法及具有对准标记的装置。
背景技术
空白光掩模(photomask blank)(空白掩模(mask blank))是在半导体光刻(lithography)工艺期间用作电路图案化模板(template)的掩模版(reticle)及掩模(mask)的基础材料。空白掩模上存在的缺陷会在后续光刻(photolithography)步骤期间增加晶片上的图案缺陷率(defectivity)。因此，在掩模制作期间减少缺陷对于良率及生产量的提高来说是重要的。
发明内容
根据本发明的一些实施例，一种远紫外线对准标记的形成方法包括：提供远紫外线空白掩模，所述远紫外线空白掩模包括衬底材料、反射性多层、吸收层、及顶部层；将所述远紫外线空白掩模边缘对准于沉积室中的平台；在无抗蚀剂的(resistless)情况下在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上形成金属结构，其中所述形成包括：在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上分配六羰基铬蒸气；将所述六羰基铬蒸气暴露至电子束；以及分解所述六羰基铬蒸气，以在靠近所述六羰基铬蒸气与所述电子束相互作用之处的区域处形成所述金属结构。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各个方面。需指出，根据行业中的惯例，未按比例绘制各种特征。实际上，为清晰论述起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1是根据一些实施例的远紫外线(EUV)空白掩模的等距(isomeric)视图。
图2是根据一些实施例的一种在远紫外线(EUV)空白掩模上制作对准标记的无掩模(maskless)方法的流程图。
图3是根据一些实施例的具有金属对准标记的远紫外线(EUV)空白掩模的等距视图。
图4是根据一些实施例的蚀刻器开孔(etcher aperture)的俯视图。
图5是根据一些实施例的一种在远紫外线(EUV)空白掩模上制作对准标记的方法的流程图。
图6是根据一些实施例的远紫外线(EUV)空白掩模的等距视图，其中蚀刻器开孔在远紫外线(EUV)空白掩模上方。
图7是根据本发明一些实施例的对准标记形成方法的剖视图，其中蚀刻器开孔位于远紫外线(EUV)空白掩模上方。
图8是根据一些实施例的具有经蚀刻对准标记的远紫外线(EUV)空白掩模的等距视图。
图9是根据一些实施例的具有经蚀刻对准标记的远紫外线(EUV)空白掩模的剖视图。
具体实施方式
以下公开内容提供诸多不同的实施例或实例，以用于实作所提供主题的不同特征。下文阐述部件及配置的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且并非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中在第二特征之上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征直接接触的实施例，且还可包括其中可形成位于第一特征与第二特征之间的其他特征以使得第一特征与第二特征不直接接触的实施例。另外，本公开内容可在各种实例中对参考编号及/或字母进行重复使用。此种重复使用本身并不规定所述各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，为易于说明，本文中可使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对性用语来阐述一个组件或特征与图中所说明的另一(其他)组件或特征之间的关系。空间相对性用语旨在除图中所绘示取向外还囊括元件在使用或操作中的不同取向。装置可具有另外的取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文所用的空间相对性用语可同样地据此加以解释。
本文所用的用语“标称(nominal)”是指在产品或工艺的设计阶段所设定的部件或工艺操作的特性或参数的所期望值或目标值以及高于及/或低于所期望值的范围。值的范围通常归因于制造工艺中的轻微变化或公差。
本文所用的用语“垂直”意指标称上(nominally)垂直于衬底的表面。
本公开内容中所述的先进光刻工艺、方法及材料可用于包括鳍型场效晶体管(fin-type field effect transistor，FinFET)在内的诸多应用中。举例来说，以上公开内容非常适合于，可将鳍图案化以在各特征之间形成相对紧密的间隔。另外，根据本公开内容可对形成鳍型场效晶体管的鳍中所用的间隔壁进行处理。
掩模版(reticle)及光掩模(photomask)各自包括将在晶片上的光刻胶(抗蚀剂)涂层中重现的图案图像(pattern image)。抗蚀剂是由于曝光至紫外(ultraviolet，UV)光或远紫外(EUV)光而在显影溶液中经历溶解度变化的化合物。抗蚀剂可为一个或多个层的堆叠。掩模版包括部分晶片的图案图像，所述图案图像在整个晶片上是步进的及重复的。待曝光的掩模版的图案图像也被称为“一个照射区(a shot)”，且可包括若干管芯的图案。掩模版用于步进重复步进器(step-and-repeat stepper)以及步进扫描系统(step-and-scansystem)。相比之下，光掩模或掩模包括用于完整的晶片管芯阵列的图案图像且所述图案在单次曝光中经由1:1图像转移进行转移。使用掩模版(而非掩模)的一些好处是能够利用掩模版上较大的图案大小(例如，4:1及5:1)而以亚微米状态(submicron regime)将图案印刷在晶片上，以及能够对各别管芯的对准及聚焦进行调整，此在由于膜不均匀性或工艺不均匀性而在整个晶片上存在形貌差异时是有利的。
重复成像工艺对掩模版提出了严格要求。举例来说，在一个照射区中包括四个产品管芯的特定层的图像的掩模版中，掩模版上的单个缺陷能够造成产品故障从而将良率降低25％。因单个缺陷引起的此种大的良率损失要求对掩模版上的缺陷零容忍。因为掩模版缺陷及变化可在晶片上重复地重现，因此需要对掩模版缺陷率进行严格控制，并经由检验过程不断地监测，所述检验过程周期性地进行以在重复使用掩模版之前对掩模版的状况进行检查。
利用与在典型晶片光刻处理中所用的技术相似的技术来制作掩模版及掩模。举例来说，掩模版或掩模制作工艺是从空白掩模开始，所述空白掩模包括不透明膜(顶部层)，所述不透明膜通常为铬或含铬的化合物并沉积在低热膨胀率(low thermal expansion，LTE)材料或石英衬底上。在空白掩模上施加抗蚀剂涂层。在根据电路图案将抗蚀剂曝光之后，接着将被曝光的抗蚀剂显影以暴露出不透明材料的一些部分。然后对不透明材料的被暴露部分进行蚀刻。最后，将剩余的抗蚀剂剥离，从而留下在经蚀刻的不透明材料上已重现的电路图案。可使用电子束(electron-beam，e-beam)写入器来实现掩模版图案化，所述电子束写入器是根据电路设计的经适当格式化的布局来对空白掩模上的抗蚀剂进行曝光的工具。电子束可提供高分辨率(resolution)图案。但电子束具有其缺点：速度及复杂性。
当将掩模版安装在掩模版平台上时，将每一个掩模版对准于曝光工具的投影光学器件。一旦对准，便接着将带有晶片的晶片平台对准于掩模版。在逐个区块(field-by-field)对准期间，步进机步进至晶片上的每一个照射区位置、聚焦、对准，且然后在晶片上的照射区内曝光图案。由于对于将掩模版与晶片图案在例如几纳米内对准所需要的控制，步进机对准系统的具体细节对于每一个制造商来说是独特的。
空白掩模缺陷在后续光刻操作期间会增大晶片上的图案缺陷率。尤其，在空白掩模为复杂的多层结构的情况下对于远紫外线光刻来说，在重现主图案之前针对缺陷对空白掩模进行详细检验。空白掩模上的预定位置处的对准标记充当参考座标以供通过检验工具来确定及记录缺陷位置。一旦识别出缺陷，便使用对准标记作为参考点来记录缺陷的座标(缺陷记录(defect registration))。当空白掩模继续进行主图案化步骤时，使用缺陷的所记录座标来对主图案进行移位，从而在主图案的非关键区域上(例如(举例来说)在“虚设(dummy)”区域中)重现缺陷。
可使用与上述空白掩模上的图案重现工艺相似的制作方法在主图案形成之前形成对准标记。举例来说，在空白掩模上施加抗蚀剂涂层。根据对准标记图案在具体预定位置将抗蚀剂曝光，且接着将被曝光的抗蚀剂显影。此会暴露出空白掩模的顶部层的一些部分。然后对空白掩模的顶部层的被暴露部分进行蚀刻。利用湿式清洁工艺将剩余的抗蚀剂剥离，所述湿式清洁工艺会溶解剩余的经显影抗蚀剂且留下在空白掩模的经蚀刻顶部层中重现的对准标记图案。换句话说，对准标记的形成需要组合使用另外的光刻与蚀刻操作。由于重复进行此种后续光刻及蚀刻工艺，因此对于对准标记的形成以及然后对于主图案的转移来说，因所涉及的大量处理步骤而使得缺陷产生概率较高。另外，处理时间增加，因而会影响制造时间及制造成本。
根据本发明的各种实施例提供不需要掩模、抗蚀剂施加、曝光、或抗蚀剂图案化来形成对准标记的工艺。因此，需要的处理操作减少且在处理期间产生的缺陷颗粒减少，因而会减少制造时间及制造成本。
图1是根据一些实施例的远紫外线(EUV)空白掩模100的等距视图。远紫外线空白掩模100包括低热膨胀率衬底材料110、反射性多层120、吸收层130及硬掩模顶部层140。在一些实施例中，低热膨胀率衬底材料110是具有氮化铬(CrN)背面薄膜(图中未示出)的经氧化钛(TiO2)掺杂的氧化硅(SiO2)非晶玻璃。在一些实施例中，反射性多层120是总堆叠厚度为约280nm的钼/硅(Mo/Si)双层的多层堆叠。在吸收层130与反射性多层120之间安置有薄的钌(Ru)缓冲层/覆盖层(图中未示出)以保护反射性多层120。保护性缓冲层的厚度是约3.5nm。在一些实施例中，吸收层130是厚度为约60nm的硼氮化钽(TaBN)。在一些实施例中，硬掩模顶部层140是由厚度为约6nm的铬(Cr)或含铬的化合物(例如(举例来说)氮化铬(CrN)或氮氧化铬(CrON))制成。所属领域中的普通技术人员应理解，所提供的层厚度不应被视为进行限制，因为这些层厚度可有所变化。
图2是根据一些实施例的一种在远紫外线(EUV)空白掩模上制作对准标记的无掩模方法200的流程图。在一些实施例中，无掩模方法200是非光刻式(non-photolithographic)对准标记方法。方法200不需要使用掩模及抗蚀剂在远紫外线空白掩模上产生对准标记。因此，方法200被认为是“无掩模的(maskless)”及“无抗蚀剂的(resistless)”。可在方法200的各种操作之间执行另外的制作操作，且仅为了清晰起见会省略所述另外的制作操作。根据本发明的无掩模及无抗蚀剂的对准标记制作工艺并非仅限于制作方法200。
举例来说而非进行限制，方法200可在具有两列(column)的双光束(dual-beam)平台工具中进行：一列用于产生电子束且另一列用于产生离子束。作为另外一种选择，方法200可在扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)或扫描透射式电子显微镜(scanning transmission electron microscope，STEM)中进行。
可使用材料的电子束诱导沉积(e-beam induced deposition，EBID)来产生不会影响下伏表面的低能量沉积。此与离子束诱导沉积(ion-beam induced deposition，IBID)相反，离子束诱导沉积由于使用离子取代更小及更轻的电子而能量更大。电子束诱导沉积工艺的空间分辨率(空间准确度)可低于1nm。电子束诱导沉积工艺需要高真空(例如，10-5托至10-6托)环境来确保电子-物质碰撞不会离开反应表面进行，且电子在到达反应表面之前不会损失大量的动能。
方法200始于操作202，在操作202中将远紫外线空白掩模(例如，图1所示远紫外线空白掩模100)边缘对准于(edge-aligned to)沉积室的平台。在边缘对准工艺期间，将空白掩模及平台二者的边缘相对于彼此对齐。此种对齐对于工艺的其余部分来说保持固定。
在操作204中，经由气体入口将前体蒸气引入到所期望沉积位点(site)附近的远紫外线空白掩模的顶表面(例如，图1所示硬掩模顶部层140)上。气体入口是直径可根据前体的蒸气压力进行调整以在沉积工艺期间提供恒定的前体流量的孔口。举例来说而非进行限制，前体可为六羰基铬(hexacarbonylchromium，Cr(CO)6)，在将六羰基铬引入到沉积位点上之前将六羰基铬预加热成蒸气。预加热会产生足够的蒸气压力以在整个沉积工艺期间得到一致的前体流量。前体分子被物理地吸附在气体入口附近的空白掩模表面上，但在此阶段不会进行分解。物理吸附确保前体分子不与衬底进行化学相互作用且分解。
在操作206中，电子束与被物理吸附的前体分子相互作用并分解所述前体分子以形成铬金属结构(对准标记)。电子束能量可具有介于10keV与300keV之间的范围；然而，此能量范围可能对于前体离解来说是高的。因此，大部分离解是经由低能量电子与被物理吸附的分子相互作用而进行。举例来说，大部分离解是经由低能量电子与二次电子或反向散射(backscattered)(非弹性散射(inelastically scattered))电子相互作用而进行。因此，金属结构(对准标记)可具有比电子束光点(spot)大小(size)大的横向大小，电子束光点大小可小至0.045nm。此种现象被称为“邻近效应(proximity effect)”且归因于二次电子、反向散射电子及前向散射(forward scattered)(如果光束存在于已沉积的材料上)电子，所述二次电子、反向散射电子及前向散射(如果光束存在于已沉积的材料上)电子有助于沉积且不被严格地局限为所进入电子束的电子。视电子束的能量而定，这些电子可在距离电子束撞击点最多几微米处离开衬底，且因此材料沉积未必局限于辐照光点。为了克服此问题，可应用补偿算法。
当电子束在远紫外线空白掩模的表面上扫描时，在电子束的路径与六羰基铬物理吸附分子交叉且彼此相互作用时，会发生铬金属沉积。因此，铬金属沉积可选择性地在电子束与被物理吸附的六羰基铬分子相互作用的位点上进行。
前体分子的重复的物理吸附及分解会导致铬材料在电子束扫描区中积聚。沉积速率相依于各种处理参数，例如(举例来说)前体的分压、衬底温度、电子束参数及所施加的电流密度。沉积速率可为大约10nm/s。
另外，通过对电子束的运动进行控制，可产生任何形状的铬金属结构或金属对准标记。所述扫描可由计算机控制以提高精度。此工艺中的一些参数是电子束大小、电子束电流以及前体蒸气流量及分压。所属领域中的普通技术人员应理解，可使用与此种沉积技术兼容的其他金属来形成对准标记。
在此示例性实施例中，金属对准标记(金属结构)形成于远紫外线空白掩模100的硬掩模顶部层140之上，且具有约70nm的高度，同时其覆盖面积标称上为约50μm×50μm。由于对准标记的大小够大，由二次电子、反向散射电子及前向散射电子引起的邻近效应不再是所关心的问题。前述尺寸并非旨在进行限制，且可具有更大或更小的对准标记，只要在空白掩模检验期间实现正确的缺陷记录即可。在此上下文中，正确的缺陷记录是参照对准标记成功地识别缺陷的座标。
图3是根据一些实施例的具有金属对准标记310(金属结构)的远紫外线空白掩模300的等距视图。远紫外线空白掩模300相似于远紫外线空白掩模100，且具有金属沉积对准标记310。在一些实施例中，沉积对准标记310位于远紫外线空白掩模100的顶部层140之上而不是在顶部层140中进行蚀刻。可使用例如无掩模及无抗蚀剂制作方法200来形成对准标记310。在一些实施例中，对准标记310的数目为两个或更多个(例如，三个对准标记)。在一些实施例中，每一个对准标记310的尺寸为约50μm×50μm，其中每一个对准标记310具有约70nm的高度。所属领域中的普通技术人员应理解，对准标记的数目、对准标记的大小、形状及在远紫外线空白掩模上的位置可依据在空白掩模检验期间进行的缺陷记录要求而不同。
图4是根据一些实施例的蚀刻器开孔400的俯视图。蚀刻器开孔400包括延伸穿过其整个厚度的开口410。在其中经由在远紫外线坯的顶部层140中进行蚀刻来转移开口410的图案以形成相似大小及形状的图案化结构(对准标记)的蚀刻工艺期间，可使用蚀刻器开孔400作为蚀刻掩模或遮罩(shadow mask)。在一些实施例中，蚀刻器开孔400可由石英制成。然而，可使用与蚀刻工艺兼容的其他合适的材料。在一些实施例中，示例性蚀刻器开孔400具有至少3个具有所期望形状的开口410。在一些实施例中，蚀刻器开孔400具有约2mm的厚度。然而，可依据蚀刻工艺参数而使用更厚或更薄的蚀刻器开孔。在一些实施例中，蚀刻器开孔400具有标称上相同于远紫外线空白掩模100的尺寸。所属领域中的普通技术人员应理解，开口410的数目、开口410的形状、横向尺寸及在蚀刻器开孔400上的位置可依据在空白掩模检验期间的缺陷记录要求而不同。
图5是根据一些实施例的一种在远紫外线空白掩模上制作对准标记的方法500的流程图。方法500可用于使用蚀刻器开孔400来制作对准标记。在一些实施例中，方法500不需要施加抗蚀剂在远紫外线空白掩模的顶部层中蚀刻对准标记的图案。因此，方法500被认为是“无抗蚀剂的”。可在方法500的各种操作之间执行其他制作操作，且仅为了清晰起见而省略了所述其他制作操作。对准标记的无抗蚀剂制作工艺并非仅限于示例性方法500。
方法500始于操作510，在操作510中在远紫外线空白掩模100的顶部上将蚀刻器开孔400对准或居中。此操作会确保蚀刻器开孔400相对于远紫外线空白掩模100的位置，以在远紫外线空白掩模100的顶部硬掩模层中的所期望预定位置形成对准标记。可在蚀刻工艺开始之前例如在蚀刻室中执行所述对准或居中工艺。
在操作520中，将蚀刻器开孔400置于远紫外线空白掩模100的顶部层上方，以在蚀刻器开孔400与所述顶部层之间形成间隙。图6是置于远紫外线空白掩模100上方的蚀刻器开孔400的等距视图，在蚀刻器开孔400与远紫外线空白掩模100之间具有间隙610。图7是沿着图6所示平面620的剖视图，且显示间隙610。远紫外线空白掩模100与蚀刻器开孔400之间的间隙610是可相依于蚀刻工艺条件(例如(举例来说)气体化学成分、空白掩模温度及等离子体源的射频(radio frequency，RF))来调整的参数。蚀刻器开孔400与远紫外线空白掩模100的相对位置在蚀刻操作期间是固定的以避免不良的对准标记界定。不良的对准标记界定可在空白掩模检验期间产生缺陷记录问题。举例来说而非进行限制，蚀刻器开孔400与远紫外线空白掩模100之间的距离可标称上为约2mm。在操作520期间，顶部层140中的大范围底切(extensive undercut)将会产生不良形状的对准标记，此可导致缺陷记录错误。因此，所述底切是不期望的，除非对顶部层140中的底切进行控制且所述底切在整个对准标记上是均匀的。
在操作530中，反应性离子蚀刻(reactive ion etching，RIE)会移除顶部层140的位于开口410下方的区域，直至移除被暴露的顶部层140且在顶部层140中形成对准标记(经蚀刻的图案化结构)。在一些实施例中，反应性离子蚀刻是充分各向异性的(anisotropic)以避免大范围底切。在一些实施例中，反应性离子蚀刻为定时的(timed)。在一些实施例中，反应性离子蚀刻使用终点探测(终点式(end-pointed))，此意味着蚀刻工艺被配置成当顶部层140的位于开口410下方的区域已被充分移除且暴露出吸收层130的一些部分时自动停止。
终点探测之所以是可能的，是因为顶部层140及吸收层130是由不同的材料制成。因此，对于既定蚀刻化学成分，这些层具有不同的蚀刻速率。举例来说，顶部层140可具有比吸收层130显著高的蚀刻速率(例如，大于2:1)。顶部层140可由铬或含铬的化合物(例如(举例来说)CrN及CrON)制成。另一方面，吸收层130可为TaBN。当顶部层140被移除且暴露出吸收层130时，蚀刻速率骤然降低。由原位(in-situ)计量设备(例如(举例来说)光学发射式显微镜)来探测蚀刻速率的此种降低。由于可将光学发射式显微镜整合至蚀刻室中，因此对蚀刻工艺进行实时监测是可能的。
依据顶部层140的厚度均匀性而定，反应性离子蚀刻可为定时的、终点式的或定时与终点式的组合。举例来说而非进行限制，反应性离子蚀刻可在工艺开始期间为定时的，而在趋近工艺结束时为终点式的。在一些实施例中，反应性离子蚀刻化学成分是氯系(chlorine-based)。所属领域中的普通技术人员应理解，其他蚀刻化学成分也是可能的，且可基于顶部层140的材料与下伏吸收层130的材料之间的选择性比率来进行蚀刻化学成分的选择。在操作530期间，在一些实施例中，仅移除顶部层140的直接暴露至等离子体的区域，例如(举例来说)位于开口410正下方的区域。
蚀刻工艺是充分各向异性的，以使得顶部层140中的经蚀刻对准标记(图案化结构)具有与蚀刻器开孔400中的开口410相比相似的或略大的大小。在一些实施例中，各向异性反应性离子蚀刻会确保存在可忽略的底切或根本不存在底切。远紫外线空白掩模100与蚀刻器开孔400之间的间隙610以及反应性离子蚀刻工艺条件将会影响反应性离子蚀刻工艺的各向异性以及所形成图案化结构或对准标记的所得形状/大小。所属领域中的普通技术人员应理解，前述参数可据此进行修改以确保经由顶部层140中的蚀刻来形成准确的对准标记。
此时，已通过对顶部层140的一些部分进行蚀刻而形成了图案化结构，即对准标记。在蚀刻移除工艺已完成之后，从远紫外线空白掩模100的顶部移除蚀刻器开孔400。作为另外一种选择，蚀刻器开孔400保持就位，而从蚀刻室移除远紫外线空白掩模100。
在操作540中，依据整合方案而定，可执行可选的湿式清洁工艺或干式清洁工艺，以移除因蚀刻工艺而留下的任何残留物或清洁掉表面上的颗粒以准备进行下一操作。
图8是根据一些实施例的具有经蚀刻图案化结构或对准标记810的远紫外线空白掩模800的等距视图，远紫外线空白掩模800相似于示例性远紫外线空白掩模100。可使用示例性无抗蚀剂方法500来形成对准标记810。对准标记810在顶部层140中表现为深度与顶部层140的厚度相等的经蚀刻“沟槽(trench)”。在一些实施例中，对准标记810的数目为至少三个。在一些实施例中，对准标记810的尺寸为约50μm×50μm(长度×宽度)。然而，此不应被视为进行限制，而是也可为更小或更大的对准标记。所属领域中的普通技术人员应理解，对准标记的数目、对准标记的形状、尺寸及在远紫外线空白掩模的顶部层140中的位置可与本文的公开内容不同。
图9是沿着图8所示远紫外线空白掩模800的平面820截取的远紫外线空白掩模900的剖视图。在此视图中，对准标记810在顶部层140中表现为开口。由于顶部层140与吸收层130之间的蚀刻选择性差异，对准标记810之下的吸收层130在反应性离子蚀刻工艺期间不会凹陷或以其他方式被损坏。如果顶部层140与吸收层130之间的选择性为不良的(例如，小于2:1)，则对准标记810将延伸至吸收层130中。
可使用与空白掩模上的图案重现工艺相似的制作方法在主图案形成之前形成对准标记。举例来说，对准标记的形成可需要组合使用另外的光刻与蚀刻操作。由于这样重复地进行光刻工艺及蚀刻工艺来实行对准标记形成及主图案转移，因此缺陷的概率会由于所涉及的大量处理步骤而增加。另外，由于重复进行光刻工艺及蚀刻工艺，制造时间也会增加。
本发明的实施例通过提供无掩模及/或无抗蚀剂方法及元件结构解决了这些缺陷及时间问题。无掩模及/或无抗蚀剂工艺可包括：经由金属沉积(例如，直接地)在远紫外线空白掩模的顶部层上形成对准标记以形成金属结构，或通过经由蚀刻器开孔对远紫外线空白掩模的顶部层进行蚀刻以形成图案化结构来形成对准标记。无掩模及/或无抗蚀剂工艺尤其会简化对准标记的形成，且不会涉及成本高及耗时的光刻工艺步骤。光刻工艺步骤可为缺陷的来源。根据本发明的实施例的若干好处包括处理步骤得到简化及减少、在处理期间颗粒的产生减少、以及通过工具生产量改善而使总制造成本降低。且通过有利于探测以及修复掩模或掩模版缺陷，晶片缺陷率也会有益地降低。
在一个实施例中，一种方法包括远紫外线空白掩模，所述远紫外线空白掩模包括衬底材料、反射性多层、吸收层、及顶部层。将所述远紫外线空白掩模边缘对准于沉积室中的平台。在无抗蚀剂的情况下在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上形成金属结构。所述形成所述金属结构包括：在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上分配六羰基铬蒸气；以及将所述六羰基铬蒸气暴露至电子束。分解所述六羰基铬蒸气，以在靠近所述六羰基铬蒸气与所述电子束相互作用之处的区域处形成所述金属结构。
在上述方法中，所述金属结构包括铬。
在上述方法中，所述远紫外线空白掩模的所述顶部层包括铬、或含铬的化合物。
在上述方法中，所述电子束具有介于10keV至300keV范围内的能量及至少0.045nm的光点大小。
在上述方法中，所述金属结构包括多个对准标记。
在上述方法中，所述多个对准标记包括至少三个对准标记。
在上述方法中，所述多个对准标记中的每一个对准标记具有约70nm的高度。
在上述方法中，所述多个对准标记中的每一个对准标记具有至少10μm×10μm的面积。
在另一实施例中，一种方法包括远紫外线空白掩模，所述远紫外线空白掩模包括：衬底材料；反射性多层，安置于衬底材料之上；吸收层，安置于所述反射性多层之上；以及顶部层，安置于所述吸收层之上。在无抗蚀剂的情况下在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层中形成图案化结构。所述形成所述图案化结构包括具有多个开口的蚀刻器开孔，其中将所述蚀刻器开孔对准于所述远紫外线空白掩模。将所述蚀刻器开孔置于所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上方，以允许在所述蚀刻器开孔与所述远紫外线空白掩模的所述顶部层之间具有间隙。经由所述蚀刻器开孔的所述开口来蚀刻所述远紫外线空白掩模的所述顶部层，以在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层中形成经蚀刻的图案化结构并暴露出部分所述吸收层。所述图案化结构形成于所述蚀刻器开孔的所述多个开口下方所述远紫外线空白掩模的所述顶部层中。清洁工艺移除因对所述顶部层进行所述蚀刻而产生的残留物。
在上述方法中，所述蚀刻器开孔与所述远紫外线空白掩模的所述顶部层之间的所述间隙标称上为2mm。
在上述方法中，所述蚀刻所述远紫外线空白掩模的所述顶部层包括使用反应性离子蚀刻工艺来蚀刻所述远紫外线空白掩模的所述顶部层，其中所述反应性离子蚀刻工艺包括计时蚀刻、终点蚀刻、或其组合。
在上述方法中，所述反应性离子蚀刻工艺包括实质上各向异性的工艺，以使所述远紫外线空白掩模的所述顶部层中的底切最小化。
在上述方法中，所述反应性离子蚀刻工艺包括氯系化学成分。
在上述方法中，所述反应性离子蚀刻工艺对所述远紫外线空白掩模的所述顶部层实质上具有选择性。
在上述方法中，所述远紫外线空白掩模的所述顶部层包括铬或含铬的化合物且具有6nm的标称厚度。
在上述方法中，所述吸收层包括硼氮化钽。
在上述方法中，所述蚀刻器开孔中的所述多个开口包括至少三个开口。
在上述方法中，所述蚀刻器开孔包括石英。
在另一实施例中，一种装置包括：反射性多层，安置于衬底材料之上；吸收层，安置于所述反射性多层之上；顶部层，安置于所述吸收层之上；以及多个对准标记。所述对准标记中的每一个对准标记形成于所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上或所述顶部层中。
在上述装置中，所述多个对准标记中的每一个对准标记具有70nm的标称厚度及6nm的标称深度。
应理解，旨在使用具体实施方式部分而非本发明的摘要部分来解释权利要求。本发明的摘要部分可述及由本发明人所设想的本发明的一个或多个实施例而非所有可能的实施例，且因此，并不旨在以任何方式限制随附权利要求书。
以上公开内容概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的普通技术人员可更佳地理解本发明的各个方面。所属领域中的普通技术人员应理解，其可容易地使用本发明作为基础来设计或修改其他工艺及结构以实施本文所介绍实施例的相同目的及/或实现本文所介绍实施例的相同优点。所属领域中的普通技术人员也应意识到，此种等效构造并不背离本发明的精神及范围，且他们可在不背离本发明的精神及范围的条件下对本文做出各种变化、替代及变更。

Claims (1)

1.一种远紫外线对准标记的形成方法，其特征在于，包括：
提供远紫外线空白掩模，所述远紫外线空白掩模包括衬底材料、反射性多层、吸收层、及顶部层；
将所述远紫外线空白掩模边缘对准于沉积室中的平台；
在无抗蚀剂的情况下在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上形成金属结构，其中所述形成包括：
在所述远紫外线空白掩模的所述顶部层上分配六羰基铬蒸气；
将所述六羰基铬蒸气暴露至电子束；以及
分解所述六羰基铬蒸气，以在靠近所述六羰基铬蒸气与所述电子束相互作用之处的区域处形成所述金属结构。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11360384B2 (en) 2018-09-28 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating and servicing a photomask
DE102019124781B4 (de) 2018-09-28 2024-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zum herstellen und behandeln einer fotomaske

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4543270A (en) * 1984-06-20 1985-09-24 Gould Inc. Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser
US4778693A (en) * 1986-10-17 1988-10-18 Quantronix Corporation Photolithographic mask repair system
US5686206A (en) * 1993-06-04 1997-11-11 International Business Machines Corporation Method for the repair of lithographic masks
DE19632116A1 (de) * 1996-08-08 1998-02-12 Siemens Ag Chiperkennungsvorrichtung
RU2269608C1 (ru) * 2004-09-20 2006-02-10 ФГОУ ВПО Рязанская государственная сельскохозяйственная академия им. проф. П.А. Костычева Способ нанесения хромового покрытия на стальные детали
CN1847983A (zh) * 2005-04-04 2006-10-18 中国科学院微电子研究所 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法
CN1875469A (zh) * 2003-08-26 2006-12-06 纳米墨水公司 将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法
CN101002513A (zh) * 2004-02-25 2007-07-18 纳米墨水公司 图案化导电材料的测微直写方法及其在修复平板显示器的应用
CN102165372A (zh) * 2008-09-26 2011-08-24 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法
US20140332814A1 (en) * 2013-05-08 2014-11-13 The University Of Houston System Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors sns2 and sns at designed locations
TW201513218A (zh) * 2013-09-26 2015-04-01 Varian Semiconductor Equipment 處理基板的方法與形成三維裝置的方法
CN105706002A (zh) * 2013-12-19 2016-06-22 应用材料公司 带有简化光学元件的远紫外线(euv)基板检查系统及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007039161A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Schott Ag Mask blanc and photomasks having antireflective properties
TWI444757B (zh) * 2006-04-21 2014-07-11 Asahi Glass Co Ltd 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩
JP2010206177A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9529268B2 (en) 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
US9256123B2 (en) 2014-04-23 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making an extreme ultraviolet pellicle
US9184054B1 (en) 2014-04-25 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
WO2016136563A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6722665B2 (ja) * 2015-06-30 2020-07-15 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4543270A (en) * 1984-06-20 1985-09-24 Gould Inc. Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser
US4778693A (en) * 1986-10-17 1988-10-18 Quantronix Corporation Photolithographic mask repair system
US5686206A (en) * 1993-06-04 1997-11-11 International Business Machines Corporation Method for the repair of lithographic masks
DE19632116A1 (de) * 1996-08-08 1998-02-12 Siemens Ag Chiperkennungsvorrichtung
CN1875469A (zh) * 2003-08-26 2006-12-06 纳米墨水公司 将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法
CN101002513A (zh) * 2004-02-25 2007-07-18 纳米墨水公司 图案化导电材料的测微直写方法及其在修复平板显示器的应用
RU2269608C1 (ru) * 2004-09-20 2006-02-10 ФГОУ ВПО Рязанская государственная сельскохозяйственная академия им. проф. П.А. Костычева Способ нанесения хромового покрытия на стальные детали
CN1847983A (zh) * 2005-04-04 2006-10-18 中国科学院微电子研究所 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法
CN102165372A (zh) * 2008-09-26 2011-08-24 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法
US20140332814A1 (en) * 2013-05-08 2014-11-13 The University Of Houston System Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors sns2 and sns at designed locations
TW201513218A (zh) * 2013-09-26 2015-04-01 Varian Semiconductor Equipment 處理基板的方法與形成三維裝置的方法
CN105706002A (zh) * 2013-12-19 2016-06-22 应用材料公司 带有简化光学元件的远紫外线(euv)基板检查系统及其制造方法

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Publication number Publication date
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US10345695B2 (en) 2019-07-09
US20180149963A1 (en) 2018-05-31
US20190332004A1 (en) 2019-10-31
US10859906B2 (en) 2020-12-08

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