CN108070904B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。

Description

成膜装置
技术领域
本发明的实施方式涉及成膜装置。
背景技术
以往，在如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等的功率器件那样需要膜厚比较厚的结晶膜的半导体元件的制造工序中，使用了使单晶薄膜在基板上气相生长从而成膜的外延生长技术。
在使用于外延生长技术的成膜装置中，在保持常压或者减压的成膜室的内部载置基板，一边使该基板旋转并对该基板进行加热，一边向成膜室内供给原料气体以及掺杂气体。由此，在基板的表面发生原料气体的热分解反应以及氢还原反应，在基板上成膜出作为薄膜的外延膜。
从设置于成膜室的上部的气体供给部导入原料气体以及掺杂气体。但是，当原料气体和掺杂气体滞留在气体供给部的供给口附近而被加热时，原料和掺杂物、反应生成物会附着在气体供给部的表面。当这样附着在气体供给部上的原料或掺杂物、反应生成物变为微粒掉落到基板上时，会造成不良。另外，即使对成膜室内进行排气或者净化，附着在气体供给部上的掺杂物、反应生成物依然会在成膜室内发生气化。在这种情况下，成膜室的排气或者净化非常耗时。
发明内容
本发明的实施方式提供一种成膜装置，其能够抑制原料、掺杂物或者反应生成物附着在气体供给部，保护气体供给部。
本实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
成膜室也可以在气体供给部的下方具有抑制气体的温度上升的温度上升抑制区域，并进一步具备第二保护罩，所述第二保护罩覆盖位于温度上升抑制区域周围的成膜室的第一侧壁部。
位于温度上升抑制区域周围的成膜室的第一侧壁部的内径可以小于位于该第一侧壁部的下方的成膜室的第二侧壁部的内径，并进一步具备第三保护罩，所述第三保护罩覆盖第一侧壁部与第二侧壁部之间的台阶部。
第一保护罩至第三保护罩也可以分别具有向成膜室内露出的第一面和与所覆盖的部分相对置的第二面，第一保护罩至第三保护罩中的任意一个在第二面上具体与所覆盖的部分相嵌合的凹凸形状。
第一保护罩也可以具有隔板，所述隔板在成膜室内向气体的供给方向延伸。
附图说明
图1是示出第一实施方式的成膜装置1的结构例的剖面图。
图2是示出腔室10的头部12的结构例的剖面图。
图3是示出腔室10的头部12以及气体供给部40的内部结构的立体图。
图4是沿着图3的4-4线的剖面图。
图5是示出第一保护罩110的结构例的俯视图。
图6是示出第二实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。
图7是第二实施方式的第一保护罩110的俯视图。
图8是示出第三实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。
图9是示出第四实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。
图10是示出第五实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，本发明并不局限于实施方式。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式的成膜装置1的结构例的剖面图。成膜装置1具备腔室10、衬套20、第一冷却部31、第二冷却部32、第三冷却部35、气体供给部40、排气部50、加热台60、支承部70、旋转机构80、下部加热器90、上部加热器95、反射器100以及保护罩110、112、114、116。
作为成膜室的腔室10能够收容基板W，例如为不锈钢制成的。通过未图示的真空泵对腔室10的内部进行减压。腔室10具有头部12和主体部13。在头部12设置有气体供给部40以及第一冷却部31、第二冷却部32。在头部12中的腔室10的内部，通过第一冷却部31、第二冷却部32抑制从气体供给部40供给的、包括原料气体、运载气体、掺杂气体的工艺气体的温度上升。因此，以下，将腔室10的头部12的内部称为温度上升抑制区域Rc。
在主体部13中的腔室10的内部设置有加热台60、旋转机构80、下部加热器90以及上部加热器95等。从气体供给部40供给的气体在主体部13的内部被加热，并在基板W的表面发生反应。由此，材料膜在基板W上外延生长。材料膜例如为SiC膜等。
腔室10的头部12的内径小于主体部13的内径。因此，头部12的第一侧壁部16的内径小于主体部13的第二侧壁部17的内径，由此，在头部12与主体部13之间设置有台阶部ST。在台阶部ST的下方设置有反射器100以及衬套20等。
衬套20为覆盖并保护腔室10的内壁的中空筒状部件，例如为碳制成的。衬套20覆盖上部加热器95以抑制材料膜在上部加热器95上成膜。
第一冷却部31、第二冷却部32设置在腔室10的头部12，例如构成为制冷剂(例如水)的流路。第一冷却部31、第二冷却部32通过使制冷剂在流路内流动，抑制温度上升抑制区域Rc内的气体的温度上升。另外，第一冷却部31、第二冷却部32还设置在气体供给部40的喷嘴周围。由此，能够冷却供给到温度上升抑制区域Rc的气体。并且，第一冷却部31、第二冷却部32使腔室10的头部12不被来自上部加热器95或下部加热器90的热量所加热。
第三冷却部35设置在腔室10的主体部13，与第一冷却部31、第二冷却部32同样地，例如构成为制冷剂(例如水)的流路。但是，第三冷却部35的设置目的在于使腔室10的主体部13不被来自上部加热器95或下部加热器90的热量所加热，而不在于冷却主体部13内的空间。
气体供给部40设置在与基板W的表面相对置的腔室10的上面，具有多个喷嘴。气体供给部40通过该喷嘴向腔室10的内部的温度上升抑制区域Rc供给原料气体、掺杂气体以及运载气体。
排气部50设置在腔室10的底部，向腔室10的外部排出在成膜处理中用过的气体。
加热台60为可载置基板W的圆环状部件，例如为碳制成的。支承部70为可支承加热台60的圆筒形的部件，例如与加热台60同样为碳制成的。支承部70连接到旋转机构80，构成为可通过旋转机构80进行旋转。支承部70能够使基板W与加热台60一起旋转。加热台60以及支承部70除了碳之外，还可以由例如SiC(碳化硅)、TaC(碳化钽)、W(钨)、Mo(钼)等具有1700℃以上的耐热性的材料来形成。
下部加热器90设置在加热台60以及基板W的下方且设置在支承部70的内部。下部加热器90从基板W的下方对基板W进行加热。上部加热器95沿着腔室10的主体部13的侧面设置，对主体部13的内部进行加热。上部加热器95设置在腔室10的台阶部ST的下方，从而不直接对温度上升抑制区域Rc进行加热。旋转机构80使基板W以例如900rpm以上的高速进行旋转，并且，下部加热器90以及上部加热器95将该基板W加热到1500℃以上的高温。由此，可均匀地加热基板W。
反射器100设置在腔室10的头部12与主体部13之间，例如为碳制成的。反射器100向下方反射来自下部加热器90、上部加热器95的热量。由此，使温度上升抑制区域Rc的温度不会因来自下部加热器90、上部加热器95的热量而过度升高。例如，反射器100与第一冷却部31、第二冷却部32一起发挥作用，从而使温度上升抑制区域Rc的温度低于原料气体的反应温度。反射器100除了碳之外，还可以由例如SiC(碳化硅)、TaC(碳化钽)、W(钨)、Mo(钼)等具有1700℃以上的耐热性的材料来形成。反射器100可以为1张薄板，但是为了高效地反射热量，优选设置成以适当的间隔隔开多张薄板的构造。
参照图2，对第一～第三保护罩110～116的结构进行说明。
图2是示出腔室10的头部12的结构例的剖面图。在气体供给部40设置有多个喷嘴N。喷嘴N被设置成，朝向载置于腔室10内的加热台60上的基板W的表面，并相对于该基板W的表面向大致垂直的方向(即、大致铅直方向)D1喷出原料气体、掺杂气体以及运载气体。喷嘴N从腔室10的外部向内部的温度上升抑制区域Rc导入原料气体、掺杂气体以及运载气体。喷嘴N的第一开口部OP1位于腔室10的内侧，是喷出气体的喷嘴N的开口。喷嘴N的第二开口部OP2位于腔室10的外侧，是引入气体的喷嘴N的开口。
第一保护罩110在腔室10内覆盖气体供给部40的表面。如图3所示，第一保护罩110具有与气体供给部40以及基板W相对应的大致圆形的平面形状，例如由石英等耐热性强的材料构成。第一保护罩110在与多个喷嘴N相对应的位置具有多个开口部OP110。开口部OP110的大小大于或者等于喷嘴N的第一开口部OP1的大小。由此，第一保护罩110不会阻碍从喷嘴N喷出的气体。
第二保护罩112覆盖腔室10的头部12的第一侧壁部16。第二保护罩112具有圆筒形的形状，例如由石英等耐热性强的材料构成。
第三保护罩114、116覆盖第一侧壁部16与第二侧壁部17之间的台阶部ST。台阶部ST从第一侧壁部16朝向第二侧壁部17具有R形状部分。保护罩114沿着R形状形成为曲面状，从而覆盖台阶部ST的R形状。保护罩116设置在反射器100与腔室10的内壁之间。第三保护罩114、116例如也由石英等耐热性强的材料构成。第一～第三保护罩110～116能够抑制材料膜或掺杂物、反应生成物附着在腔室10的头部12的内壁。
另外，腔室10在气体供给部40的下方具有抑制气体的温度上升的温度上升抑制区域Rc。温度上升抑制区域Rc为腔室10的头部12的内部空间，为了抑制从喷嘴N导入的气体的温度上升而设置了该温度上升抑制区域Rc。在位于温度上升抑制区域Rc周围的腔室10的第一侧壁部16设置有第一冷却部31。第一冷却部31使用制冷剂(例如水)通过第一侧壁部16抑制温度上升抑制区域Rc的温度上升。进一步，在位于腔室10的上部的气体供给部40内设置有第二冷却部32。第二冷却部32也使用制冷剂(例如水)冷却通过气体供给部40供给到温度上升抑制区域Rc的气体。另外，第二冷却部32设置在喷嘴N的周围，也冷却通过喷嘴N的气体。
由此，在腔室10的头部12的温度上升抑制区域Rc中，抑制原料气体、掺杂气体以及运载气体的温度上升。例如，在成膜SiC的情况下，作为原料气体，气体供给部40向腔室10内供给硅烷气体以及丙烷气体。另外，例如在形成P型SiC膜的情况下，作为掺杂气体，气体供给部40向腔室10内供给TMA(Tri-Methyl-Aluminum：三甲基铝)气体。作为运载气体，例如使用氢、氩等。在温度上升抑制区域Rc中，将温度上升抑制到低于硅烷气体以及丙烷气体的反应温度(例如400℃)。由此，能够抑制SiC膜等的材料膜附着在腔室10的头部12的内壁和气体供给部40的内壁。此外，温度上升抑制以及冷却是指，除了降低气体的温度之外，还包括抑制气体的温度上升的程度(上升率)。因此，即使气体的温度在温度上升抑制区域Rc中上升，只要其温度上升率与不存在温度上升抑制区域Rc的情况相比低即可。
另一方面，例如下部加热器90以及上部加热器95将基板W加热到1500℃以上的高温。气体供给部40向被加热的基板W的表面供给硅烷气体、丙烷气体以及TMA气体。由此，硅烷气体以及丙烷气体在基板W的表面发生反应，SiC膜在基板W的表面上外延生长。此时，TMA作为掺杂物掺杂在SiC膜中，从而形成P型SiC膜。
图3是示出腔室10的头部12以及气体供给部40的内部结构的立体图。图4是沿着图3的4-4线的剖面图。此外，在此省略了第一～第三保护膜110～116的图示。
如图3所示，在气体供给部40设置有多个喷嘴N。在气体供给部40内，在喷嘴N的周围设置有第二冷却部32。第二冷却部32例如具有空间或者流路，从而能够存积或者流通水等的制冷剂。在气体供给部40，除了喷嘴N之外，还设置有用于计测基板W的温度的测温窗41。在测温窗41的上方配置有未图示的放射温度计，放射温度计通过测温窗41计测基板W的表面温度。基板W的温度数据被反馈到下部加热器90、上部加热器95，能够将基板W维持在预期温度。
如图4所示，在腔室10的头部12的第一侧壁部16设置有第一冷却部31。第一冷却部31例如具有空间或者流路，从而能够存积或者流通水等的制冷剂。
图5是示出第一保护罩110的结构例的俯视图。第一保护罩110具有大致圆形的形状，并具有开口部OP110。开口部OP110与气体供给部40的喷嘴N相对应地设置。第一保护罩110进一步具有比开口部OP110小的多个孔H110。孔H110大致均匀地设置在第一保护罩110的面内，例如能够进行外周净化气体的整流。另外，在第一保护罩110的外周设置有突出部PR110。突出部PR110支承于第二保护罩112或者腔室10的第一侧壁部16，是为了将第一保护罩110固定在气体供给部40的正下方而设置的。
这样，本实施方式的成膜装置1具备第一保护罩110，所述第一保护罩110在腔室10内覆盖气体供给部40的表面，在与多个喷嘴N相对应的位置具有多个开口部OP110。由此，不会阻碍来自气体供给部40的气体的供给，能够抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在气体供给部40的内壁，保护气体供给部40。
另外，成膜装置1进一步具备第二保护罩112，所述第二保护罩112覆盖位于温度上升抑制区域Rc周围的腔室10的第一侧壁部16。由此，能够抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在腔室10的内壁，保护第一侧壁部16。
进一步，成膜装置1进一步具备第三保护罩114、116，所述第三保护罩114、116覆盖台阶部ST。由此，能够抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在腔室10的内壁的台阶部ST，保护台阶部ST。
通过第一冷却部31以及第二冷却部32抑制位于气体供给部40的正下方的温度上升抑制区域Rc的温度上升。例如，温度上升抑制区域Rc被冷却到其原料气体的反应温度(例如400℃)以下。因此，原料气体和掺杂气体难以在温度上升抑制区域Rc发生反应。由此，能够进一步抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在腔室10的头部12的内壁以及气体供给部40的内壁。
另一方面，在主体部13设置有下部加热器90以及上部加热器95，能够快速加热原料气体和掺杂气体。由此，能够使材料膜在载置于主体部13内的基板W的表面上外延生长。
接下来，对本实施方式的成膜方法进行简单说明。
首先，将基板W送入腔室10内，并载置于加热台60上。
接下来，使用上部加热器95以及下部加热器90以150℃/分左右的速率将基板W加热到1500℃以上。
接下来，旋转机构80使基板W旋转，气体供给部40向腔室10内供给原料气体(例如硅烷气体以及丙烷气体)以及掺杂气体(例如TMA气体)。由此，在基板W上形成薄膜(例如SiC外延膜)。此时，由于在气体供给部40的下方设置有温度上升抑制区域Rc，因此反应生成物(包括掺杂物)几乎不会附着在腔室10的头部12的内壁以及气体供给部40。
另一方面，在主体部13设置有下部加热器90以及上部加热器95，将原料气体和掺杂气体加热到1500℃以上。由此，能够使均匀的材料膜在载置于主体部13内的基板W的表面上外延生长。
之后，对腔室10内进行降温，并供给净化气体。然后，从腔室10中移出基板W。
(第二实施方式)
图6是示出第二实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于，第一保护罩110具备隔板PT110。隔板PT110设置在与气体供给部40相对置的对置面的相反一侧的面上，并向气体的供给方向D1延伸。不特别限定隔板PT110的长度，可以根据从喷嘴N喷出气体的喷出速度任意设定。第二实施方式的其他结构可以与第一实施方式的相对应的结构相同。
图7是第二实施方式的第一保护罩110的俯视图。根据第二实施方式，隔板PT110被设置成隔开各个开口部OP110。因此，隔板PT110被设置成与开口部OP110的配置相匹配。
例如，图7所示的开口部OP110以与喷嘴N相对应的方式设置在同心圆C1～C3上。同心圆C1～C3是以中心C为中心的同心圆，在从基板W的表面的上方观察时，中心C基本与基板W的中心一致。同心圆C1～C3中的同心圆C1距离中心C最近，同心圆C2距离中心C第二近，同心圆C3距离中心C最远。此外，同心圆C1～C3为虚拟的圆，实际上并未制作在第一保护罩110上。另外，也不特别限定同心圆的个数。
在同心圆C1上，例如大致均匀地排列有两个开口部OP110。在同心圆C2上大致均匀地排列有四个开口部110。在同心圆C2上彼此相邻的开口部OP110之间的距离均相等。进一步，在同心圆C3上大致均匀地排列有8个开口部OP110。在同心圆C3上彼此相邻的开口部OP110之间的距离均相等。这样，开口部OP110大致均匀地配置在同心圆上。此外，也不特别限定设置在第一保护罩110上的开口部OP110的配置和个数，与喷嘴N的配置和个数相对应即可。
隔板PT110具备隔板部PT110_1、PT110_2以及隔板部PT110_3～PT110_5，该隔板部PT110_1、PT110_2具有以中心C为中心的同心圆形状，该隔板部PT110_3～PT110_5以中心C为中心呈放射状延伸。隔板部PT110_1设置在同心圆C1与C2之间，隔开位于同心圆C1上的两个开口部OP110与位于同心圆C2上的四个开口部OP110。隔板部PT110_2设置在同心圆C2与C3之间，隔开位于同心圆C2上的四个开口部OP110与位于同心圆C3上的8个开口部OP110。
隔板部PT110_3被设置成，分别对半隔开位于同心圆C1上的两个开口部OP110、位于同心圆C2上的四个开口部OP110以及位于同心圆C3上的8个开口部OP110。隔板部PT110_4被设置成，进一步分别对半隔开被隔板部PT110_3隔开的、位于同心圆C2上的两个开口部OP110以及被隔板部PT110_3隔开的、位于同心圆C3上的四个开口部OP11。隔板部PT110_5被设置成，进一步分别对半隔开被隔板部PT110_3以及PT110_4隔开的、位于同心圆C3上的两个开口部OP110。
这样，隔板PT110被设置成隔开多个开口部OP110的每一个。由此，即使在分别由与多个开口部OP110相对应的多个喷嘴N供给不同种类的气体的情况下，隔板PT110也能够抑制这些气体在第一保护罩110和气体供给部40附近混合。其结果是，能够抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在第一保护罩110以及气体供给部40。进一步，第二实施方式能够得到与第一实施方式相同的效果。
此外，在第二实施方式中，隔板PT110被设置成隔开各个开口部OP110。但是，也可以对多个开口部OP110的每一个设置隔板PT110。例如在同种气体通过多个开口部OP110的情况下，可以不在该多个开口部OP110之间设置隔板PT110。
另外，在分别与同心圆C1、C2、C3相对应的喷嘴N中改变了运载气体的流量时，隔板PT110也可以隔开多个开口部OP110。即、在气体供给部40根据距离基板W的中心的距离改变混合气体的流量的情况下，隔板PT110也可以分别隔开多个开口部OP110。由此，在基板W上形成的材料膜的膜厚被控制为同心圆状，便于调整其膜厚。
(第三实施方式)
图8是示出第三实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。第三实施方式的第二保护罩112在与腔室10的第一侧壁部16的内面SF12相对置的面上具有凹凸形状。与此伴随地，腔室10的第一侧壁部16的内面SF12也在与第二保护罩112相对置的面上具有凹凸形状。第二保护罩112的凹凸与第一侧壁部16的凹凸以相互交错嵌入的方式嵌合。即、第二保护罩112的凸部嵌入到第一侧壁部16的凹部，第二保护罩112的凹部收容第一侧壁部16的凸部。由此，第二保护罩112与第一侧壁部16的对置面积增大，能够通过第一冷却部31更加有效地抑制温度上升抑制区域Rc中的气体的温度上升。即、通过将第二保护罩112与第一侧壁部16各自的对置面设置成凹凸形状，增大它们的对置面积，由此能够提升第一冷却部31的冷却效果。
在第三实施方式中，将第二保护罩112与第一侧壁部16各自的对置面设置成凹凸形状。但是，第一保护罩110与气体供给部40的对置面和/或第三保护罩114、116与腔室10的内壁的对置面也可以同样地设置成凹凸形状，从而相互交错嵌入。通过将第一保护罩110与气体供给部40的对置面设置成凹凸形状，第二冷却部32能够高效地冷却供给到温度上升抑制区域Rc的气体。通过将第三保护罩114、116与腔室10的内壁的对置面设置成凹凸形状，第一冷却部31能够高效地消除反射器100的热量。
(第四实施方式)
图9是示出第四实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。第四实施方式的成膜装置1进一步具备观察窗200，所述观察窗200设置于第一侧壁部16，可观察第二保护罩以及温度上升抑制区域Rc。观察窗200贯穿第一侧壁部16以及第一冷却部31抵达第二保护罩112跟前。操作员能够通过观察窗200对第二保护罩112的状况进行局部性观察。例如，在第二保护罩112由透明的石英形成的情况下，操作员通过从观察窗200观察第二保护罩112，能够得知在第二保护罩112上是否附着有反应生成物(包括掺杂物)。另外，在第二保护罩112由透明的石英形成的情况下，操作员能够通过观察窗200以及第二保护罩112观察腔室10内的温度上升抑制区域Rc的状况。
(第五实施方式)
图10是示出第五实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。
第五实施方式的成膜装置1进一步具备第四保护罩118，所述第四保护罩118设置在喷嘴N的内面。第四保护罩118局部性地覆盖喷嘴N的第一开口部OP1侧的内面。
如图10所示，在第五实施方式中，在气体的供给方向D1的剖面中，喷嘴N的侧面的至少一部分相对于气体的供给方向D1倾斜。即、喷嘴N的内面的至少一部分具有锥体。例如，喷嘴N在从喷嘴N的中间部Nc到第一开口部OP1的侧面具有锥体TP。第一开口部OP1位于腔室10的内侧，是喷出气体的喷嘴N的开口。第二开口部OP2位于腔室10的外侧，是引入气体的喷嘴N的开口。中间部Nc可以位于第一开口部OP1与第二开口部OP2之间的任意位置。
第四保护罩118被设置成，覆盖喷嘴N的第一开口部OP1附近的锥体部分。由此，能够抑制反应生成物(包括掺杂物)附着在喷嘴N的内面。
不特别限定喷嘴N的形状。因此，喷嘴N也可以不具有锥体。或者，喷嘴N也可以在其中途具有截流孔(未图示)。另外，第四保护罩118既可以局部性地覆盖喷嘴N的内面，也可以覆盖其整体。第四保护罩118只要形成为与喷嘴N的内面的形状相匹配即可。
也可以任意组合上述第一～第五实施方式中的两个以上的实施方式。由此，成膜装置1能够得到多个实施方式的效果。
也可以任意组合上述第一～第五实施方式。由此，能够得到组合了实施方式的效果。
虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但是这些实施方式是作为例子提出的，并非旨在限定发明的保护范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，在不偏离发明宗旨的范围内，可以进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的保护范围或宗旨中，并且，包含在权利要求书所记载的发明和其等同的保护范围内。

Claims (10)

1.一种成膜装置，其具备：
成膜室，可收容基板并且具有头部和主体部；
气体供给部，设置在所述成膜室的上部，具有向所述基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；
加热器，对所述基板进行加热，包括设置在所述成膜室的侧面并且从所述基板的上部进行加热的上部加热器、以及设置在所述基板的下方并且从所述基板的下方进行加热的下部加热器；以及
第一保护罩，以覆盖所述气体供给部的下部表面的方式设置在所述多个喷嘴的下方，并具有多个开口部，
所述成膜室具有设置在所述第一保护罩的下方并且抑制所述气体的温度上升的温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域是所述成膜室的所述头部的内部，
所述多个喷嘴经由所述多个开口部向所述温度上升抑制区域导入所述气体，
位于所述温度上升抑制区域周围的所述成膜室的第一侧壁部的内径小于位于该第一侧壁部的下方的所述成膜室的第二侧壁部的内径，
所述上部加热器设置在所述第一侧壁部与所述第二侧壁部之间的台阶部的下方，从而不直接对所述温度上升抑制区域进行加热，
在所述成膜室的所述主体部中，在所述台阶部的下方设置有覆盖所述上部加热器并抑制材料膜在所述上部加热器上成膜的衬套。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
进一步具备第二保护罩，所述第二保护罩覆盖位于所述温度上升抑制区域周围的所述成膜室的第一侧壁部。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
进一步具备第三保护罩，所述第三保护罩覆盖所述台阶部。
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
进一步具备第三保护罩，所述第三保护罩覆盖所述台阶部。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩至第三保护罩分别具有向所述成膜室内露出的第一面和与所覆盖的部分相对置的第二面，
所述第一保护罩至第三保护罩中的任意一个在所述第二面上具有与所述所覆盖的部分相嵌合的凹凸形状。
6.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩至第三保护罩分别具有向所述成膜室内露出的第一面和与所覆盖的部分相对置的第二面，
所述第一保护罩至第三保护罩中的任意一个在所述第二面上具有与所述所覆盖的部分相嵌合的凹凸形状。
7.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩至第三保护罩分别具有向所述成膜室内露出的第一面和与所覆盖的部分相对置的第二面，
所述第一保护罩至第三保护罩中的任意一个在所述第二面上具有与所述所覆盖的部分相嵌合的凹凸形状。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩具有隔板，所述隔板在所述成膜室内向所述气体的供给方向延伸。
9.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩具有隔板，所述隔板在所述成膜室内向所述气体的供给方向延伸。
10.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一保护罩具有隔板，所述隔板在所述成膜室内向所述气体的供给方向延伸。
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