CN108064574A - 一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明一方面公开了一种高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，本发明技术方案采用篱壁式栽培，步骤包括：(1)嫁接前大苗培育及移栽；(2)主干嫁接；(3)嫁接后侧枝的培养。共生栽培而成的树体结构指标为：树高2.5～3.0m；主干竖直段高40～50cm；主干水平段长1.8～2.3m；主干背上枝8～12个；主干背上枝间距10～15cm；主干背上枝长度＜2.0m；主干背上枝基部直径＜4cm；有效结果枝比例98％；本发明第二方面公开了该技术在樱桃嫁接栽培领域的应用。本发明改善了传统篱壁式栽培技术中樱桃背上枝生长不均衡的问题，苗木定植二年内建成，具有树体结构层级少、生长均衡，背上枝健壮、丰产早产，果品优良，便于机械化采收的特点。

Description

一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术及其应用

技术领域

本发明涉及果树嫁接栽培技术领域，尤其涉及一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术及其应用。

背景技术

甜樱桃为温带落叶中果树成熟最早的树种之一，素有“春果第一枝”的美誉。其果实色泽艳丽、玲珑剔透、形娇味美，且营养丰富，并具有颇高的医疗保健价值。

甜樱桃已经在67个国家实现了商业化种植，并形成了北美栽培区、西欧栽培区、东欧栽培区、西亚栽培区、东亚栽培区和大洋洲栽培区等6大特色嫁接栽培区域。根据联合国粮农组织统计，2013年全世界甜樱桃嫁接栽培面积40万余公顷，产量229万余吨，产值约20亿美元。我国的甜樱桃引种始于19世纪70年代，然于20世纪90年代以后，随着种植效益的不断提高、大量新品种的引进以及栽培技术的改进等，我国甜樱桃生产进入快速发展期，并成为我国北方重要的特色水果之一。。据统计2016年的全国甜樱桃种植面积约300万亩，产量达到70万吨。

甜樱桃生长旺盛，且目前栽培上多采用乔化砧木，并主要采用中心干性强的纺锤形、小冠疏层形或介于这些树形之间的其他小冠等树形，其多主枝、多侧枝、多级次、结构级次庞大繁杂，导致树体大部分营养耗散于新梢和枝干生长且由于次级较多，树形构建时间较长，前期产量低；第二、该类树形模式甜樱桃树体直立旺长、封闭，光能截获率低，树势不稳，即使选用矮化砧木，树体依然高达3m以上，樱桃树冠径3～4m，营养生长过旺、营养消耗过多，主从关系不明显，外围枝条过多、内膛枝条容易郁闭、瘦弱，易死亡、光秃、结果部位迅速外移，产量降低、品质下降等；第三、常规嫁接栽培过程中，种植行间距均较大，修剪、整形等管理及采收作业均耗时耗力；第四、传统的篱壁式栽培过程中，靠近主干基部的主枝生长控制难度大，极容易基部主枝营养生长粗过旺，容易形成徒长枝，主干前部枝条容易出现生长过弱，早衰现象明显，最终影响果实产量和品质。随着劳动力成本升高等问题的日益凸显，甜樱桃等果树的省力、高效、优质生产技术需求日趋显著。

因此，本领域的技术人员致力于开发一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术及其应用。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种解决传统主干型甜樱桃栽培生长过程中主枝生长过旺、多侧枝、多级次生长营养配比不平衡，结构级次庞大繁杂，光能截获率低，树势不稳，产量降低、品质下降等问题，同时解决传统篱壁式栽培背上枝生长势不平衡，产生结果枝间结果不平衡等问题的技术方案。

为实现上述目的，一方面本发明提供了一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术。

在本发明的较佳实施方式中，一种甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，主要步骤包括：(1)嫁接前大苗培育及移栽；(2)主干嫁接；(3)嫁接后侧枝的培养，其中，步骤(2)主干嫁接又分为五个步骤，具体步骤包括：

(a)嫁接面选择和主干前端切面制备；

(b)主干后端切面制备；

(c)完成嫁接；

(d)嫁接部位封闭处理；

(e)调整嫁接绑扎带。

进一步地，在嫁接前树形的构建完成的第二年，确定嫁接的相邻两树体中第一株树体的主干前端部位、第二株树体的主干后端部位和嫁接位置，嫁接位置位于第一株树体的主干前端部位和第二株树体的主干后端部位接近水平段的重合处，位于第二株树体的主干上；将第一株树体的主干前端部位的芽处保留1cm后竖直切除，使用嫁接刀切入并深达木质部分，然后将嫁接刀朝向第一株树体的主干前端的方向，斜向上削，削除的厚度为主干前端树枝直径的1/2，长度为8～10cm，经过嫁接刀切削形成的面就是主干前端切面。

进一步地步骤(b)主干后端切面制备的具体操作方法为；在嫁接前树形的构建完成的第二年，在第二株树体的嫁接位置处，用嫁接刀从第二株树体主干后端部位的弯曲部靠近第二株树体主枝水平段的位置向第二株树体主干前端斜向削，获得一个8～10cm长的平面，削至木质部后做一个1mm深度的垂直标记，经过嫁接刀切削形成的面就是主干后端切面。

进一步地，步骤(c)完成嫁接的具体操作程序为：将第一株树体的主干前端切面和第二株树体上的主干后端切面紧密贴合，并朝向不同方向交替设置3～4个绑扎带固定，为了保护第一株树体上主干前端部分的前端芽，将绑扎带靠近前端芽，在前端芽的前方固定绑扎带；绑扎带与树体之间保留1～2mm缝隙，使主干前端切面紧贴主干后端切面，形成嫁接面。

进一步地，步骤(d)封闭处理的具体操作方法为：将嫁接愈合剂涂抹在嫁接面周围的缝隙以及绑扎带的内侧缝隙内，同时防止嫁接愈合剂渗入嫁接面，完全封闭嫁接面后，调紧所述绑扎带；经过嫁接，为了避免树梢被风吹动后晃动剥离所述嫁接面，所述主干前端部分的所述前端芽经过生长后需修剪至15～20cm，同时直接剪掉主干前端芽生成的侧芽。

进一步地，步骤(e)调整扎带的具体操作方法为：①大苗移栽前使用营养钵培养，行距50～100cm，株距30～50cm，培养至株高300～350cm；②以300～350cm的间距开栽植沟，栽植沟的宽度70～90cm、深度40～60cm；栽植沟底部中心再开宽度20～25cm、深度15～20cm的排水沟；③在栽植沟底部及两侧壁整体覆盖厚0.05～0.08mm的塑料膜，覆盖两侧壁的塑料膜上部外延覆盖地面10cm宽度；④栽植沟底的排水沟内布置外径小于15cm，间隔10cm分布有0.5mm孔洞的排水管，排水管位于塑料膜上方，排水管上覆盖无纺布，排水管末端通至排水渠；⑤栽植沟内填入土壤和有机肥的混合物，并高出地面15～20cm；⑥按照130～180cm的间距顺行向倾斜定植甜樱桃苗到栽植沟中，主干与地面夹角30～45°，不定干；⑦定植甜樱桃苗后，顺行向间隔5～7m树立钢管立柱，钢管立柱的长度为320cm、外径为50mm、壁厚为4.5mm，钢管立柱埋置深度80～100cm，钢管立柱顺行向对穿打孔，根据打孔位置穿拉三道14#或12#镀锌钢丝做支架；⑧将定植时主干固定于第一道钢丝；⑨去除背下芽，按一定间距选留背上抽生枝条进行主枝培养；⑩选定主枝长至第二道、第三道钢丝高度时分别进行相应绑缚，以保证主枝直立成形。

进一步地，步骤④中，有机肥：土＝6～8:1。

进一步地，步骤⑥中，打孔位置分别距栽植沟平面40cm、100cm和160cm，孔径为5mm。

进一步地，步骤⑧中，背上抽生枝条的选留间距为10～15cm。

进一步地，步骤(3)所述嫁接后侧枝的培养是指在将水平诱引过的主干前端树枝和主干后端树枝嫁接完成后形成骨骼枝的过程中，随着顶端优势逐渐减弱，甜樱桃自定芽时期开始发芽，仅保留主干前端树枝上生长力并不强的芽，同时在经过冬季修剪之后应保留一些在第二年春天有生长潜力的芽。

进一步地，经过培育两年的苗在定植时如果没有芽的话，应通过刻芽或者将单侧间隔15cm的新芽作为侧枝的候补，要充分地保障侧枝的数量。

第二方面，本发明提供了一种甜樱桃共生篱壁式嫁接共生栽培技术的应用，在樱桃嫁接栽培中的应用。

技术效果

该嫁接共生栽培模式下的甜樱桃树体结构次级少，主要由相邻两个树体主枝前端，与和它的延长方向相同的水平诱引过的邻接树的主枝后端嫁接而形成整片树形结构，成形快；无徒长枝、发育枝等枝类组成，有效结果枝率98％；定植当年即在主枝后端形成花芽，树体增长良好，树势强；枝条分布合理，密度适中，树体行间通风透光性好，果实品质好；树体行向构成篱壁模式，适宜高度密植，单位面积产出效益高；树体结构均一，适宜机械化或辅助机械化进行修剪、喷药及采摘等。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1是本发明的一个较佳实施例的定植多年甜樱桃篱壁式栽培模式示意图，其中

1嫁接位置；

图2是本发明的一个较佳实施例的定植一年甜樱桃篱壁式栽培模式生长示意图；

图3是本发明的一个较佳实施例的嫁接方法示意图，其中

2主干前端部位，3主干后端部位，4主干前端切面，5主干后端切面。

具体实施方式

实施例1

嫁接前树形的构建：

如图2所示，嫁接前树形的构建主要分为以下步骤：

1.开挖甜樱桃栽植沟：在果园按照300cm的间距，人工或机械开挖宽80cm、深40cm的栽植沟，再于栽植沟底部中心再开宽度25cm、深度15～20cm的排水沟。

2.铺设隔离物：在栽植沟底部及两侧壁整体覆盖厚0.05～0.08mm的塑料膜，覆盖两侧壁的塑料膜上部外延覆盖地面10cm宽度。

3.铺设排水管路：于栽植沟底的排水沟内布置外径小于15cm，间隔10cm分布有0.5mm孔洞的排水管，排水管位于塑料膜上方，排水管上覆盖无纺布，且其末端通至公共排水渠。

4.培肥土壤：按照每米沟长50升(公斤)的量施用优质有机肥。将有机肥与挖沟产生的土壤充分混合。

5.栽植沟的回填：将有机肥与挖沟产生的土壤充分混合后回填入栽植沟，并高出地面15～20cm，上表面宽度1500cm。

6.栽植甜樱桃苗：大苗移栽前使用营养钵培养，行距50～100cm,株距30～50cm，培养至株高300～350cm，秋冬至翌年春季发芽前，按照200cm的株距定植甜樱桃苗到回填后的栽植沟中。

7.安置篱壁架材：将带有三个5mm孔径的3.2m长镀锌钢管架间距4m栽植于甜樱桃栽植垄上，栽植深度距栽植沟平面80cm，打孔位置从钢管下至上的距离依次为120cm、180cm、240cm。根据打孔位置每行横拉三道14#镀锌钢丝。

8.主干固定：将定植时主干绑缚固定于第一道钢丝。

9.树形构建：定植当年，去除背下芽，萌芽前，背上辅助刻芽，间距10～15cm选留所抽生的枝条作为主枝培养，新梢长至第二道、第三道钢丝高度分别进行绑缚，保证条直立生长；生长季进行摘心，控制旺长，适时进行控水，控制树势，促进成花。

实施例2

主枝部嫁接及嫁接后侧枝的培育：

主枝部嫁接示意图如图1，3所示，等到甜樱桃篱壁式树形构栽植后的第二年春季，进行相邻树体间主干部嫁接，嫁接位置1位于嫁接位置位于第一株树体主干前端部位末端和第二株树体主干后端部位的接近水平段相重合的位置，即将第一株树体主干前端(在架子下15～20cm水平诱引)与和它的延长方向相同的水平诱引过的邻接树的二株树体主干后端部位进行嫁接，主要分为以下步骤：

(a)嫁接位置的选择和主干前端切面的处理，具体操作方法为：在甜樱桃嫁接前树形的构建好的第二年，确定嫁接的相邻两树体的第一株树体的主干前端部位2、第二株树体主干后端部位3以及嫁接位置1，嫁接位置1位于第一株树体的主干前端部位2和第二株树体的主干后端部位3相重合接近水平段的第二株树体的主干后端部位3上；将第一株树体的主干前端树枝部位2部分的前端芽处保留1cm后竖直切除，使用嫁接刀在切至木质部分，将刀朝向主干前端方向，斜向上削，削除的厚度为主干前端树枝直径的1/2，长度大约8cm，形成主干前端切面4。

(b)主干后端切面的处理，具体操作方法为；在嫁接位置1处，用嫁接刀从第二株树体的主干后端部位3向前端斜向削去，获得一个8cm长的平面，削至木质部后做一个1mm深度的垂直标记，形成主干后端切面5。

(c)完成嫁接，具体操作方法为：将相邻两树体的第二株树体的主干后端部位3的主干后端切面5和第一株树体的主干前端部位2标记处的主干前端切面4紧密贴合，并朝向不同方向交替设置3～4个绑扎带固定，为了保护第一株树体主干前端部分的前端芽，将绑扎带靠近前端芽，在前端芽的前方束紧绑扎带，使第一株树体的主干前端部位2紧贴第二株树体的主干后端部位3。

(d)封闭处理，具体操作方法为：将愈合剂涂抹绑扎带与树枝固定部分之间的缝隙以及绑扎带内侧，愈合剂不能够渗入主干后端切面5和主干前端切面4形成的嫁接面，从而使嫁接面完全封闭，嫁接后，主干前端部分的芽可能长出新梢，为了避免树梢被风吹动后晃动将嫁接面剥离，应摘除新梢的幼芽，同时直接剪掉主干前端芽生成的侧芽。

(e)调整嫁接绑扎带，具体操作方法为：六个月之后依次调整绑扎带的位置，重新束紧防止绑扎带压迫树枝；嫁接的第一年中以要每月1～2次的频率一定期反复进行调整操作，第二年可以将绑扎带减少至两个，以每月1～2次的频率进行调整轻轻地固定为佳，第三年及以后如果能够完全愈合，则需要拆掉绑扎带。

嫁接后侧枝的培育，在前端树枝和基部树枝嫁接完成后形成骨骼枝的过程中，随着顶端优势逐渐减弱，植物自定芽时期开始发芽，仅保留主干前端树枝上生长力并不强的芽；同时在经过冬季修剪之后可以保留一些在第二年春天有生长潜力的所述芽。

培育两年的苗在定植时如果部分区段没有芽的话，应通过刻芽或者将单侧间隔15cm的新梢作为侧枝的候补，要充分地保障侧枝的数量。

后续树形管理：修成的标准化树体结构指标为：树高2.5～3.0m；主干竖直段高40～50cm；主干水平段长1.8～2.3m；主干背上枝8～12个；主干背上枝角度90°；主干背上枝间距10～15cm；主干背上枝长度＜2.0m；主干背上枝基部直径＜4cm；有效结果枝比例98％，后续培养的过程中注意去除衰弱枝、下垂枝、病虫枝，3～4年轮流回缩主枝，抽生新枝，复壮树势，保证丰产稳产。

以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims (10)

1.一种高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，主要步骤包括：

(1)嫁接前大苗培育及移栽；(2)主干嫁接；(3)嫁接后侧枝的培养，其中，步骤(2)主干嫁接又分为五个步骤，具体步骤包括：

(a)所述嫁接面选择和主干前端切面制备；

(b)主干后端切面制备；

(c)完成嫁接；

(d)嫁接部位封闭处理；

(e)调整嫁接绑扎带。

2.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(a)中所述嫁接面确定和所述主干前端切面制备的具体操作方法为：在嫁接前树形的构建完成的第二年，确定嫁接的相邻两树体中第一株树体的所述主干前端部位、第二株树体的所述主干后端部位和嫁接位置，所述嫁接位置位于所述第一株树体的所述主干前端部位和所述第二株树体的所述主干后端部位接近水平段的重合处，位于所述第二株树体的所述主干上；将所述第一株树体的所述主干前端部位的芽处保留1cm后竖直切除，使用嫁接刀切入并深达木质部分，然后将所述嫁接刀朝向所述第一株树体的所述主干前端的方向，斜向上削，削除的厚度为所述主干前端树枝直径的1/2，长度为8～10cm，经过所述嫁接刀切削形成的面就是所述主干前端切面。

3.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(b)所述主干后端切面制备的具体操作方法为；在嫁接前树形的构建完成的第二年，在所述第二株树体的所述嫁接位置处，用所述嫁接刀从所述第二株树体主干后端的弯曲部靠近所述第二株树体主枝水平段的位置向所述第二株树体主干前端斜向削，获得一个8～10cm长的平面，削至木质部后做一个1mm深度的垂直标记，经过所述嫁接刀切削形成的面就是所述主干后端切面。

4.如权利要求1所述的种高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(c)所述完成嫁接的具体操作程序为：将所述第一株树体的所述主干前端切面和所述第二株树体上的所述主干后端切面紧密贴合，并朝向不同方向交替设置3～4个绑扎带固定，为了保护所述第一株树体上所述主干前端部分的所述前端芽，将所述扎带靠近所述前端芽，在所述前端芽的前方固定所述绑扎带；所述绑扎带与所述树体之间保留1～2mm缝隙，使所述主干前端切面紧贴所述主干后端切面，形成所述嫁接面。

5.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(d)所述封闭处理的具体操作方法为：将嫁接愈合剂涂抹在所述嫁接面周围的缝隙以及所述绑扎带的内侧缝隙内，同时防止所述嫁接愈合剂渗入所述嫁接面，完全封闭所述嫁接面后调紧所述绑扎带；经过嫁接，为了避免树梢被风吹动后晃动剥离所述嫁接面，所述主干前端部分的所述前端芽经过生长后需修剪至15～20cm，同时直接剪掉所述主干前端芽生成的侧芽。

6.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(e)所述调整绑扎带的具体操作方法为：六个月之后调整所述绑扎带的位置，重新束紧防止所述绑扎带压迫树枝；嫁接的第一年中以每月1～2次的频率定期进行调整操作，第二年将所述绑扎带减少至两个，轻轻地固定为佳，以每月1～2次的频率定期进行调整操作，第三年或以后所述嫁接面完全愈合后则需要拆除所述绑扎带。

7.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(1)所述嫁接前大苗培育及移栽的步骤包括：①所述大苗移栽前使用营养钵培养，行距50～100cm,株距30～50cm，培养至株高300～350cm；②以300～350cm的间距开栽植沟，所述栽植沟的宽度70～90cm、深度40～60cm；所述栽植沟底部中心再开宽度20～25cm、深度15～20cm的排水沟；③在所述栽植沟底部及两侧壁整体覆盖厚0.05～0.08mm的塑料膜，覆盖两侧壁的所述塑料膜上部外延覆盖地面10cm宽度；④所述栽植沟底的排水沟内布置外径小于15cm，间隔10cm分布有0.5mm孔洞的排水管，所述排水管位于所述塑料膜上方，所述排水管上覆盖无纺布，所述排水管末端通至排水渠；⑤所述栽植沟内填入土壤和有机肥的混合物，并高出地面15～20cm，；⑥按照130～180cm的间距顺行向倾斜定植所述甜樱桃苗到所述栽植沟中，主干与地面夹角30～45°，不定干；⑦定植所述甜樱桃苗后，顺行向间隔5～7m树立钢管立柱，所述钢管立柱的长度为320cm、外径为50mm、壁厚为4.5mm，所述钢管立柱埋置深度80～100cm，所述钢管立柱顺行向对穿打孔，根据所述打孔位置穿拉三道14#或12#镀锌钢丝做支架；⑧将定植时主干固定于第一道钢丝；⑨去除背下芽，按一定间距选留背上抽生枝条进行主枝培养；⑩选定主枝长至第二道、第三道钢丝高度时分别进行相应绑缚，以保证所述主枝直立成形。

8.如权利要求7所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤⑧中，所述背上抽生枝条的选留间距为10～15cm。

9.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接共生栽培技术，其特征在于，步骤(3)所述嫁接后侧枝的培养是指在将水平诱引过的所述主干前端树枝和所述主干后端树枝嫁接完成后形成骨骼枝的过程中，随着顶端优势逐渐减弱，甜樱桃自定芽时期开始发芽，仅保留所述主干前端树枝上生长力并不强的芽，同时在经过冬季修剪之后应保留一些在第二年春天有生长潜力的芽。

10.如权利要求1所述的高效的甜樱桃篱壁式嫁接栽培技术在樱桃嫁接栽培中的应用。