CN108022944A - 一种阵列基板和柔性显示面板 - Google Patents

一种阵列基板和柔性显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板和柔性显示面板，该阵列基板包括：柔性衬底；位于柔性衬底上方的第一缓冲层，第一缓冲层包括多条第一凸起，任意相邻两条第一凸起之间填充有平坦层；第二缓冲层，位于第一缓冲层的背离柔性衬底的一面上且第二缓冲层包括多条第二凸起，任意相邻两条第二凸起之间填充有平坦层，其中，在垂直于柔性衬底的方向上，每条第二凸起的投影至少覆盖相邻两条第一凸起之间的部分间隙。本发明实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。

Description

一种阵列基板和柔性显示面板
技术领域
本发明实施例涉及柔性显示技术，尤其涉及一种阵列基板和柔性显示面板。
背景技术
有源矩阵OLED(AMOLED)是一种自发光显示器件，它与有源矩阵液晶显示器相比可在亮度、彩色度、对比度、视角以及响应时间等方面获得更好的画面质量。AMOLED可以采用柔性基板材料以用于柔性显示，柔性AMOLED具有使显示器产品更轻、更薄、可弯曲和不易折损的优势。目前在柔性AMOLED显示屏中，柔性AMOLED多采用PI(Polyimide，聚酰亚胺)为柔性基板的主要材料。
如图1所示，该柔性AMOLED包括PI层10、氧化硅层11、氮化硅层12、薄膜晶体管阵列13和有机发光层14。PI层10的阻水氧能力较差，因此制备柔性AMOLED产品时会通过在PI层10上方沉积无机缓冲层20来增强阻水氧能力。无机缓冲层20一般会采用SiOx11与SiNx12的叠层结构实现，总厚度在50nm～10μm之间，较厚的无机缓冲层20能够带来更好的阻水氧能力、平滑的界面以及其他特性(比如导热)的改善。
然而，柔性AMOLED产品中较厚的无机缓冲层20在改善产品性能的同时，还使得产品在单方向弯折时更容易出现膜层开裂的风险。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板和柔性显示面板，以解决现有柔性显示器在弯折时易出现膜层开裂的问题。
第一方面，本发明实施例提供了阵列基板，该阵列基板包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上方的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括多条第一凸起，任意相邻两条所述第一凸起之间填充有平坦层；
第二缓冲层，位于所述第一缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上且所述第二缓冲层包括多条第二凸起，任意相邻两条所述第二凸起之间填充有所述平坦层，其中，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影至少覆盖相邻两条所述第一凸起之间的部分间隙。
进一步地，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起之间的间隙。
进一步地，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起之间的间隙且局部覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起。
进一步地，所述平坦层为第一平坦层，所述第一平坦层包括多条间隔设置的第一平坦条，
一层所述第一平坦层的每条所述第一平坦条用于对应填充相邻两条所述第一凸起之间的间隙且该第一平坦层的背离所述柔性衬底的一面与所述第一缓冲层的表面平齐，和/或，
一层所述第一平坦层的每条所述第一平坦条用于对应填充相邻两条所述第二凸起之间的间隙且该第一平坦层的背离所述柔性衬底的一面与所述第二缓冲层的表面平齐。
进一步地，所述平坦层为第二平坦层，所述第二平坦层的面向所述柔性衬底的一面上具有多条第二平坦条，
一层所述第二平坦层的每条所述第二平坦条用于对应填充相邻两条所述第一凸起之间的间隙且该第二平坦层的背离所述柔性衬底的一面覆盖所述第一缓冲层，和/或，
一层所述第二平坦层的每条所述第二平坦条用于对应填充相邻两条所述第二凸起之间的间隙且该第二平坦层的背离所述柔性衬底的一面覆盖所述第二缓冲层。
进一步地，所述第一缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上具有多条所述第一凸起，所述第一缓冲层的面向所述柔性衬底的一面覆盖所述柔性衬底。
进一步地，所述第二缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上具有多条所述第二凸起，所述第二缓冲层的面向所述柔性衬底的一面覆盖所述柔性衬底。
进一步地，在所述第一凸起的延伸方向上，所述第一凸起按照直角折线方式、锐角折线方式、钝角折线方式或正弦波曲线方式弯折延伸。
进一步地，所述第一凸起的各个弯折角度均相等。
进一步地，在所述第二凸起的延伸方向上，所述第二凸起按照所述第一凸起的弯折方式弯折延伸。
进一步地，在所述第一凸起的排列方向上，多条所述第一凸起均匀排布且各所述第一凸起的宽度固定不变；在所述第二凸起的排列方向上，多条所述第二凸起均匀排布且各所述第二凸起的宽度固定不变。
进一步地，在所述第一凸起的排列方向上，所述第一凸起的宽度等于所述第二凸起的宽度。
进一步地，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第一缓冲层的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm。
进一步地，所述第一凸起的宽度大于或等于50nm；任意相邻两条所述第一凸起的相对侧之间的距离大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
进一步地，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第二缓冲层的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm。
进一步地，第二凸起的宽度大于或等于50nm；任意相邻两条所述第二凸起的相对侧之间的距离大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
进一步地，所述阵列基板包括至少两层所述第一缓冲层和至少两层所述第二缓冲层；其中，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层交错层叠。
进一步地，所述柔性衬底为聚酰亚胺；所述第一缓冲层为氧化硅；所述第二缓冲层为氮化硅。
第二方面，本发明实施例还提供了一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括：如上所述的阵列基板。
本发明实施例提供的阵列基板和柔性显示面板，第一缓冲层包括多条第一凸起，第二缓冲层包括多条第二凸起，则第一缓冲层在弯折受力方向上减少了弯折受力区间，第二缓冲层也在弯折受力方向上减少了弯折受力区间；第一凸起和第二凸起在叠层之间错位排布，因此第一缓冲层和第二缓冲层不在同一弯折线上重复弯折受力。由此阵列基板弯折时，在弯折受力方向上内应力分散到不同膜层，相应降低了第一缓冲层和第二缓冲层开裂几率，同时第一缓冲层和第二缓冲层的设置还有效保证了阻挡水氧的功能。本发明实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的柔性AMOLED的示意图；
图2A是本发明实施例一提供的一种阵列基板的示意图；
图2B是本发明实施例一提供的第二种阵列基板的示意图；
图3A～图3E是图2B所示阵列基板的制造流程图；
图4是本发明实施例二提供的一种阵列基板的示意图；
图5是本发明实施例三提供的一种阵列基板的示意图；
图6是本发明实施例四提供的一种阵列基板的示意图；
图7是本发明实施例五提供的一种阵列基板的示意图；
图8是本发明实施例五提供的第二种阵列基板的示意图；
图9是本发明实施例五提供的第三种阵列基板的示意图；
图10A～图10B是本发明实施例六提供的一种阵列基板的示意图；
图11A～图11B是本发明实施例六提供的第二种阵列基板的示意图；
图12是本发明实施例六提供的第三种阵列基板的示意图；
图13是本发明实施例六提供的第四种阵列基板的示意图；
图14是本发明实施例六提供的第五种阵列基板的示意图；
图15是本发明实施例七提供的一种阵列基板的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：柔性衬底；位于柔性衬底上方的第一缓冲层，第一缓冲层包括多条第一凸起，任意相邻两条第一凸起之间填充有平坦层；第二缓冲层，位于第一缓冲层的背离柔性衬底的一面上且第二缓冲层包括多条第二凸起，任意相邻两条第二凸起之间填充有平坦层，其中，在垂直于柔性衬底的方向上，每条第二凸起的投影至少覆盖相邻两条第一凸起之间的部分间隙。本发明实施例提供的阵列基板至少适用于AMOLED显示器和液晶显示器，相关从业人员可采用本发明实施例提供的阵列基板制备所需的显示产品，在本发明中不限制显示器的类型。
为了更清楚的说明本发明实施例提供的阵列基板，在此通过以下具体实施例对本发明实施例提供的阵列基板进行描述。本领域技术人员可以理解，本发明以下实施例图示出的阵列基板结构仅为阵列基板的局部结构，阵列基板还包括其他结构如薄膜晶体管阵列、驱动电路等结构，在此不再赘述。
如图2A所示，为本发明实施例一提供的一种阵列基板的示意图。本实施例提供的阵列基板，具体包括：柔性衬底110；位于柔性衬底110上方的第一缓冲层120，第一缓冲层120包括多条第一凸起121，任意相邻两条第一凸起121之间填充有平坦层；第二缓冲层130，位于第一缓冲层120的背离柔性衬底110的一面上且第二缓冲层130包括多条第二凸起131，任意相邻两条第二凸起131之间填充有平坦层，其中，在垂直于柔性衬底110的方向上，每条第二凸起131的投影覆盖相邻两条第一凸起121之间的部分间隙。
为了提高阻挡水氧的功能，本发明实施例一还提供一种阵列基板，该阵列基板与图2A所示阵列基板的区别在于，如图2B所示在垂直于柔性衬底110的方向上，每条第二凸起131的投影覆盖与其对应的相邻两条第一凸起121之间的间隙。显然，图2B所示阵列基板的阻挡水氧功能优于图2A所示阵列基板。
在此可选柔性衬底110为聚酰亚胺、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。聚酰亚胺具有优良的机械性能，其抗张强度在100Mpa以上，冲击强度也能够达到200KJ/m2；聚碳酸酯是一种强韧的热塑性树脂，具有高强度、高弹性系数和高冲击强度；聚对苯二甲酸乙二醇酯具有良好的力学性能，冲击强度是其他薄膜的3～5倍，耐折性好，因此聚酰亚胺、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种或组合均可以作为柔性衬底110。本领域技术人员可以理解，柔性衬底的材料包括但不限于以上三种及其组合，在其他实施例中柔性衬底还可选包括聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种，任意一种能够作为柔性衬底的材料均落入本发明的保护范围。在本实施例中可选柔性衬底110为聚酰亚胺。
在本实施例中可选柔性衬底110的厚度大于或等于10μm且小于或等于50μm。本领域技术人员可以理解，阵列基板应用在不同产品中时，柔性衬底的厚度等参数不同，因此相关从业人员可根据产品所需自行设置或选取柔性衬底的厚度等参数，在本发明中不进行具体限制。
在此第一缓冲层120位于柔性衬底110上方且第一缓冲层120包括多条第一凸起121，相应的任意相邻两条第一凸起121之间存在间隙，在本实施例中可选第一缓冲层120由多条间隔设置的第一凸起121组成。为了便于在第一缓冲层120上方层叠设置第二缓冲层130，在此在任意相邻两条第一凸起121之间填充平坦层。第一缓冲层120包括多条第一凸起121，因此在弯折受力方向上第一缓冲层120的弯折受力区间减小，降低了第一缓冲层120开裂的风险。在本实施例中可选第一缓冲层120为氧化硅，氧化硅(SiOx)具有优良的阻隔性能，因此第一缓冲层120的设置还有效阻隔从柔性衬底110的底部入侵的水氧。
在此第二缓冲层120位于第一缓冲层120的背离柔性衬底110的一面上且第二缓冲层130包括多条第二凸起131，相应的任意相邻两条第二凸起131之间存在间隙，在本实施例中可选第二缓冲层130由多条间隔设置的第二凸起131组成，在此任意相邻两条第二凸起131之间填充有平坦层。具体的，在垂直于柔性衬底110的方向上，每条第二凸起131的投影至少覆盖相邻两条第一凸起121之间的部分间隙。在本实施例中可选如图2A所示第二凸起131的投影覆盖相邻两条第一凸起121之间的部分间隙，如图2B所示第二凸起131的投影与相邻两条第一凸起121之间的间隙的投影重叠。
第二缓冲层130包括多条第二凸起131，因此在弯折受力方向上第二缓冲层130的弯折受力区间减小，降低了第二缓冲层130开裂的风险。此外第一缓冲层120和第二缓冲层130叠层之间错位排布，则第一缓冲层120和第二缓冲层130不会在同一弯折线(弯折线与弯折受力方向垂直)上重复弯折受力，即相邻膜层错位受力，显著降低了第一缓冲层120和第二缓冲层130的开裂几率。在本实施例中可选第二缓冲层130为氮化硅，氮化硅是一种原子晶体，原子之间直接相连、结构致密且具有高熔点和高阻隔性能，因此位于第一凸起121的间隙上方的第二凸起131能够有效阻隔从相邻两条第一凸起121的间隙中入侵的水氧。
在此可选在垂直于柔性衬底110的方向上，第一缓冲层120的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm；第一凸起121的宽度B1大于或等于50nm；任意相邻两条第一凸起121的相对侧之间的距离W1大于或等于10nm且小于或等于1000nm。在此可选在垂直于柔性衬底110的方向上，第二缓冲层130的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm；第二凸起131的宽度B2大于或等于50nm；任意相邻两条第二凸起131的相对侧之间的距离W2大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
对于图2A所示阵列基板，其第二凸起131的投影覆盖相邻两条第一凸起121之间的部分间隙，因此第二凸起131的宽度B2小于相邻两条第一凸起121的相对侧之间的距离W1，任意相邻两条第二凸起131的相对侧之间的距离W2大于第一凸起121的宽度B1。对于图2B所示阵列基板，其第二凸起131的投影与相邻两条第一凸起121之间的间隙投影重叠，因此第二凸起131的宽度B2等于相邻两条第一凸起121的相对侧之间的距离W1；任意相邻两条第二凸起131的相对侧之间的距离W2等于第一凸起121的宽度B1。
已知相邻两条第一凸起121的间隙填充有平坦层，以及相邻两条第二凸起131的间隙填充有平坦层，第一缓冲层120和第二缓冲层130层叠设置，因此可选用于填充凸起间隙的平坦层为第一平坦层140。在本实施例中可选第一平坦层140包括多条间隔设置的第一平坦条141，一层第一平坦层140的多条第一平坦条141与每相邻两条第一凸起121的间隙分别对应，一层第一平坦层140的多条第一平坦条141与每相邻两条第二凸起131的间隙分别对应。一层第一平坦层140的每条第一平坦条141用于对应填充相邻两条第一凸起121之间的间隙且该第一平坦层140的背离柔性衬底110的一面与第一缓冲层120的表面平齐，以及，一层第一平坦层140的每条第一平坦条141用于对应填充相邻两条第二凸起131之间的间隙且该第一平坦层141的背离柔性衬底110的一面与第二缓冲层130的表面平齐。在本发明中不限制平坦层的材料，任意一种平坦化层材料均适用于本发明。
以图2B所示阵列基板为例，在本实施例中可选采用图3A～图3E所示的流程图进行说明。
如图3A所示提供一柔性衬底110，在此不具体限制柔性衬底的材质。
如图3B所示可选采用PECVD工艺在柔性衬底110上沉积形成第一缓冲层120，然后通过光刻工艺，经过曝光、显影和刻蚀的步骤获得设定的第一缓冲层120的图形，在本实施例中具体的获取多条间隔设置的第一凸起121，在本发明中形成第一缓冲层和第一凸起的工艺包括但不限于以上示例，任意一种能够形成所需第一缓冲层和第一凸起的工艺均落入本发明的保护范围。
如图3C所示可选采用PECVD工艺在第一缓冲层120上沉积平坦化材料以形成第一平坦层140，第一平坦层140填充任意相邻两条第一凸起121之间的间隙，在本发明中不限制形成第一平坦层的工艺。
如图3D所示可选采用PECVD工艺第一平坦层140上沉积形成第二缓冲层130，然后通过光刻工艺，经过曝光、显影和刻蚀的步骤获得设定的第二缓冲层130的图形，在本实施例中具体的获取多条间隔设置的第二凸起131，其中，每条第二凸起131的投影覆盖相邻两条第一凸起121之间的间隙，在本发明中任意一种能够形成所需第二缓冲层和第二凸起的工艺均落入本发明的保护范围。
如图3E所示可选采用PECVD工艺在第二缓冲层130上沉积平坦化材料以形成第一平坦层140，该层第一平坦层140填充任意相邻两条第二凸起131之间的间隙，在本发明中不限制形成第一平坦层的工艺。
本领域技术人员可以理解，第一缓冲层、第二缓冲层和第一平坦层的厚度、宽度和间距等参数以及形成工艺包括但不限于以上示例，相关从业人员可根据产品所需以及生产条件自行设置相关参数和选定相关形成工艺，在本发明中不进行具体限制。
本发明实施例提供的阵列基板，第一缓冲层包括多条第一凸起，第二缓冲层包括多条第二凸起，则第一缓冲层在弯折受力方向上减少了弯折受力区间，第二缓冲层也在弯折受力方向上减少了弯折受力区间；第一凸起和第二凸起在叠层之间错位排布，因此第一缓冲层和第二缓冲层不在同一弯折线上重复弯折受力。由此阵列基板弯折时，在弯折受力方向上内应力分散到不同膜层，相应降低了第一缓冲层和第二缓冲层开裂几率，同时第一缓冲层和第二缓冲层的设置还有效保证了阻挡水氧的功能。本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
在上述实施例的基础上，本发明实施例二还提供一种阵列基板，该阵列基板与上述实施例所述阵列基板的区别在于，如图4所示在垂直于柔性衬底110的方向上，每条第二凸起131的投影覆盖与其对应的相邻两条第一凸起121之间的间隙且局部覆盖与其对应的相邻两条第一凸起121。在本实施例中第二凸起131的宽度B2大于相邻两条第一凸起121的相对侧之间的距离W1；可选第二凸起131的宽度B2大于或等于50nm；任意相邻两条第二凸起131的相对侧之间的距离W2大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
本实施例提供的阵列基板中第二凸起131的投影局部覆盖与其对应的相邻两条第一凸起121，因此相比与实施例一，第一缓冲层120和第二缓冲层130能够更加高效的阻隔从柔性衬底110入侵的水氧，避免部分水氧从第一凸起121和第二凸起131错位的间隙中入侵阵列基板的薄膜晶体管阵列层造成对阵列基板性能的影响。
本领域技术人员可以理解，第二凸起的宽度大于或等于50nm且小于或等于任意相邻两条第一凸起的相背离侧之间的距离，即第二凸起的投影仅能局部覆盖与其对应的相邻两条第一凸起，或者第二凸起的投影仅与其对应的相邻两条第一凸起的间隙重叠，而第二凸起的投影不能完全覆盖与其对应的相邻两条第一凸起。根据第二凸起和第一凸起的错位排布方式，本领域技术人员可自行设置第二凸起和第一凸起的宽度、间距和厚度等参数，在本发明中不进行具体限制。
本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
在上述任意实施例的基础上，本发明实施例三还提供一种阵列基板，该阵列基板与上述任意实施例所述阵列基板的区别在于，平坦层为第二平坦层。在本实施例中以图4所示阵列基板为基础进行描述，如图5所示可选平坦层为第二平坦层150，第二平坦层150的面向柔性衬底110的一面上具有多条第二平坦条151，一层第二平坦层150的多条第二平坦条151与每相邻两条第一凸起121的间隙分别对应，一层第二平坦层150的多条第二平坦条151与每相邻两条第二凸起131的间隙分别对应。一层第二平坦层150的每条第二平坦条151用于对应填充相邻两条第一凸起121之间的间隙且该第二平坦层150的背离柔性衬底110的一面覆盖第一缓冲层120，以及，一层第二平坦层150的每条第二平坦条151用于对应填充相邻两条第二凸起131之间的间隙且该第二平坦层150的背离柔性衬底110的一面覆盖第二缓冲层130。
本实施例中第二平坦层150为连续膜层结构以及多条第二平坦条151为间隔结构。在此第一缓冲层120上形成第二平坦层150，该层第二平坦层150的第二平坦条151填充相邻两条第一凸起121之间的间隙；以及第二缓冲层130上形成第二平坦层150，该层第二平坦层150的第二平坦条151填充相邻两条第二凸起131之间的间隙。在本实施例中第二平坦层150的背离柔性衬底110的一面为连续的膜层结构并覆盖柔性衬底110，便于在第二平坦层150上形成其他膜层结构。
若阵列基板中包括多层第一缓冲层120和多层第二缓冲层130，第一缓冲层120和第二缓冲层130叠层排布，则在第二平坦层150上形成第二缓冲层130并形成第二缓冲层130图形时，不会对第一缓冲层120的膜层产生影响，以及在第二平坦层150上形成第一缓冲层120并形成第一缓冲层120图形时，也不会对第二缓冲层130的膜层产生影响。
本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
在上述任意实施例的基础上，本发明实施例四还提供一种阵列基板，该阵列基板与上述任意实施例所述阵列基板的区别在于，平坦层包括至少一层第一平坦层和至少一层第二平坦层。在本实施例中以图4所示阵列基板为基础进行描述，如图6所示可选阵列基板包括：至少一层第一平坦层140，第一平坦层140包括多条间隔设置的第一平坦条141，第一平坦层140的多条第一平坦条141与每相邻两条第一凸起121的间隙分别对应，第一平坦层140的每条第一平坦条141用于对应填充相邻两条第一凸起121之间的间隙，第一平坦层141的背离柔性衬底110的一面与第一缓冲层120的表面平齐。在其他实施例中还可选至少一层第一平坦层的每条第一平坦条用于填充相邻两条第二凸起之间的间隙且第一平坦层的背离柔性衬底的一面与第二缓冲层的表面平齐。
还包括：至少一层第二平坦层150，第二平坦层150的面向柔性衬底110的一面上具有多条第二平坦条151，第二平坦层150的多条第二平坦条151与每相邻两条第二凸起131的间隙分别对应，第二平坦层150的每条第二平坦条151用于对应填充相邻两条第二凸起131之间的间隙，第二平坦层150的背离柔性衬底110的一面覆盖第二缓冲层130。在其他实施例中还可选至少一层第二平坦层的每条第二平坦条用于填充相邻两条第一凸起之间的间隙且第二平坦层的背离柔性衬底的一面覆盖第一缓冲层。
本领域技术人员可以理解，第一平坦层和第二平坦层的叠层排布方式包括但不限于以上示例，本领域相关从业人员可根据产品所需和工艺条件自行设置第一平坦层和第二平坦层的叠层排布方式，在本发明中不进行具体限制。
本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
在上述任意实施例的基础上，本发明实施例五还提供一种阵列基板，该阵列基板与上述任意实施例所述阵列基板的区别在于，第一缓冲层和/或第二缓冲层为连续膜层结构。
在本实施例中以图4所示阵列基板为基础进行描述，如图7所示可选阵列基板中，第一缓冲层120的背离柔性衬底110的一面上具有多条第一凸起121，第一缓冲层120的面向柔性衬底110的一面覆盖柔性衬底110。如图7所示第一缓冲层120为连续膜层结构以及第一缓冲层120的多条第一凸起121为间隔设置，本实施例中第一缓冲层120的连续膜层结构有效阻隔了从柔性衬底110入侵的水氧。
在本实施例中以图4所示阵列基板为基础进行描述，如图8所示可选阵列基板中，第二缓冲层130的背离柔性衬底110的一面上具有多条第二凸起131，第二缓冲层130的面向柔性衬底110的一面覆盖柔性衬底110。如图8所示第二缓冲层130为连续膜层结构以及第二缓冲层130的多条第二凸起131为间隔设置，本实施例中第二缓冲层130的连续膜层结构有效阻隔了从柔性衬底110和第一缓冲层120入侵的水氧。
在本实施例中以图4所示阵列基板为基础进行描述，如图9所示可选阵列基板中，第一缓冲层120的背离柔性衬底110的一面上具有多条第一凸起121，第一缓冲层120的面向柔性衬底110的一面覆盖柔性衬底110；以及第二缓冲层130的背离柔性衬底110的一面上具有多条第二凸起131，第二缓冲层130的面向柔性衬底110的一面覆盖柔性衬底110。如图9所示第一缓冲层120为连续膜层结构以及第一缓冲层120的多条第一凸起121为间隔设置，第二缓冲层130为连续膜层结构以及第二缓冲层130的多条第二凸起131为间隔设置，则本实施例中第一缓冲层120和第二缓冲层130的连续膜层结构有效阻隔了从柔性衬底110入侵的水氧。
本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
上述任意实施例从侧视结构对阵列基板的结构进行了描述。在以下实施例六中，从阵列基板的俯视结构对阵列基板的结构进行描述。
在本实施例中可选如图10A所示，在第一凸起121的延伸方向上，第一凸起121按照直线延伸，其中，任意相邻两个第一凸起121之间填充有平坦材料160。如图10B所示还可选在第二凸起131的延伸方向上，第二凸起131按照第一凸起121的弯折方式弯折延伸，即在此第二凸起131按照直线延伸，任意相邻两个第二凸起131之间填充有平坦材料160。在本实施例中可选阵列基板的叠层结构如图10B所示俯视图以及沿A-A'的侧视结构如图2B所示。本领域技术人员可以理解，第一缓冲层的膜层断续方式不同、第二缓冲层的膜层断续方式不同、平坦材料按照第一平坦层和/或第二平坦层的方式填充，均可以形成不同的阵列基板结构，即叠层结构不同，图10B沿A-A'的侧视结构还可如图2A～图9任一所示，在此不再赘述。
在本实施例中还可选如图11A所示，在第一凸起121的延伸方向上，第一凸起121按照钝角折线方式弯折延伸，其中，任意相邻两个第一凸起121之间填充有平坦材料160。在此如图11B所示还可选第二凸起131按照第一凸起121的弯折方式弯折延伸，即在此第二凸起131按照钝角折线方式弯折延伸，任意相邻两个第二凸起131之间填充有平坦材料160。
在本实施例中还可选如图12所示，在第一凸起121的延伸方向上，第一凸起121按照锐角折线方式弯折延伸，其中，任意相邻两个第一凸起121之间填充有平坦材料160。在此还可选第二凸起(未示出)按照第一凸起121的弯折方式弯折延伸，即在此第二凸起按照锐角折线方式弯折延伸，任意相邻两个第二凸起之间填充有平坦材料。
在本实施例中还可选如图13所示，在第一凸起121的延伸方向上，第一凸起121按照直角折线方式弯折延伸，其中，任意相邻两个第一凸起121之间填充有平坦材料160。在此还可选第二凸起(未示出)按照第一凸起121的弯折方式弯折延伸，即在此第二凸起按照直角折线方式弯折延伸，任意相邻两个第二凸起之间填充有平坦材料。
在本实施例中还可选如图14所示，在第一凸起121的延伸方向上，第一凸起121按照正弦波曲线方式弯折延伸(局部示例)，其中，任意相邻两个第一凸起121之间填充有平坦材料160。在此还可选第二凸起(未示出)按照第一凸起121的弯折方式弯折延伸，即在此第二凸起按照正弦波曲线方式弯折延伸，任意相邻两个第二凸起之间填充有平坦材料。
在本实施例中，可选第一凸起121的各个弯折角度均相等；在第一凸起121的排列方向上，多条第一凸起121均匀排布且各第一凸起121的宽度固定不变；在第二凸起131的排列方向上，多条第二凸起131均匀排布且各第二凸起131的宽度固定不变；在第一凸起的排列方向上，第一凸起的宽度等于第二凸起的宽度。
本领域技术人员可以理解，基于每条第二凸起的投影覆盖相邻两条第一凸起之间的间隙，第二凸起的弯折延伸方式优选与第一凸起的弯折延伸方向相似，但在其他实施例中也可选在保证每条第二凸起的投影覆盖相邻两条第一凸起之间的间隙的基础上，第二凸起的弯折方式与第一凸起的弯折方式有差别。
本领域技术人员可以理解，第一凸起的各弯折角度也可以不同，优选第一凸起为均匀排布，但在其他实施例中也可选第一凸起不均匀排布，在本发明中也不限制第二凸起的各弯折角度以及排布方式。在本实施例中也可选第一凸起具有至少两种不同的线宽度，和/或，第二凸起具有至少两种不同的线宽度。在实际产品生产中，相关从业人员可根据产品所需自行设定第一凸起和/或第二凸起的各弯折角度和线宽等参数，以及其排布方式，在本发明中不进行具体限制。
本发明实施例提供的阵列基板，第一缓冲层包括多条第一凸起，第二缓冲层包括多条第二凸起，则第一缓冲层在弯折受力方向上减少了弯折受力区间，第二缓冲层也在弯折受力方向上减少了弯折受力区间；第一凸起和第二凸起在叠层之间错位排布，因此第一缓冲层和第二缓冲层不在同一弯折线上重复弯折受力。由此阵列基板弯折时，在弯折受力方向上内应力分散到不同膜层，相应降低了第一缓冲层和第二缓冲层开裂几率，同时第一缓冲层和第二缓冲层的设置还有效保证了阻挡水氧的功能。本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
在上述任意实施例的基础上，本发明实施例七还提供一种阵列基板，该阵列基板包括至少两层第一缓冲层和至少两层第二缓冲层，在垂直于柔性衬底的方向上，第一缓冲层和第二缓冲层交错层叠。在本实施例中仅以图4所示阵列基板为例进行描述，如图15所示该阵列基板包括至少两层第一缓冲层120和至少两层第二缓冲层130，其中，在垂直于柔性衬底110的方向上，第一缓冲层120和第二缓冲层130交错层叠。在本实施例中优选有4-6层缓冲层，但在本发明中不限制缓冲层的数量，本领域技术人员可根据产品所需自行设置缓冲层数量。
本实施例提供的阵列基板，在缓冲层总厚度改变较小的情况下，通过各缓冲层的断续叠层来优化各缓冲层的内应力，使得产品在弯折时对应的弯折区域内弯折受力范围限制在一定区域，使各缓冲层错位错层受力，降低了缓冲层开裂几率。
本发明实施例还提供一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括如上任意实施例所述的阵列基板。在本实施例中可选柔性显示面板为柔性AMOLED显示器。本领域技术人员可以理解，上述任意实施例仅示出了阵列基板的部分结构，实际生产中阵列基板还包括其他膜层结构，如位于第二缓冲层上方的薄膜晶体管阵列层，位于薄膜晶体管阵列层上方的有机发光层等，在本发明中阵列基板的未示出的膜层结构与现有技术相似，在此不再赘述。本领域技术人员可以理解，柔性显示面板还包括阵列基板之外的其他结构，如盖板等，其其他结构与现有技术类似，在此不进行具体说明和限制。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上方的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括多条第一凸起，任意相邻两条所述第一凸起之间填充有平坦层；
第二缓冲层，位于所述第一缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上且所述第二缓冲层包括多条第二凸起，任意相邻两条所述第二凸起之间填充有所述平坦层，其中，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影至少覆盖相邻两条所述第一凸起之间的部分间隙。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起之间的间隙。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述柔性衬底的方向上，每条所述第二凸起的投影覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起之间的间隙且局部覆盖与其对应的相邻两条所述第一凸起。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层为第一平坦层，所述第一平坦层包括多条间隔设置的第一平坦条，
一层所述第一平坦层的每条所述第一平坦条用于对应填充相邻两条所述第一凸起之间的间隙且该第一平坦层的背离所述柔性衬底的一面与所述第一缓冲层的表面平齐，和/或，
一层所述第一平坦层的每条所述第一平坦条用于对应填充相邻两条所述第二凸起之间的间隙且该第一平坦层的背离所述柔性衬底的一面与所述第二缓冲层的表面平齐。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层为第二平坦层，所述第二平坦层的面向所述柔性衬底的一面上具有多条第二平坦条，
一层所述第二平坦层的每条所述第二平坦条用于对应填充相邻两条所述第一凸起之间的间隙且该第二平坦层的背离所述柔性衬底的一面覆盖所述第一缓冲层，和/或，
一层所述第二平坦层的每条所述第二平坦条用于对应填充相邻两条所述第二凸起之间的间隙且该第二平坦层的背离所述柔性衬底的一面覆盖所述第二缓冲层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上具有多条所述第一凸起，所述第一缓冲层的面向所述柔性衬底的一面覆盖所述柔性衬底。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缓冲层的背离所述柔性衬底的一面上具有多条所述第二凸起，所述第二缓冲层的面向所述柔性衬底的一面覆盖所述柔性衬底。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一凸起的延伸方向上，所述第一凸起按照直角折线方式、锐角折线方式、钝角折线方式或正弦波曲线方式弯折延伸。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸起的各个弯折角度均相等。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二凸起的延伸方向上，所述第二凸起按照所述第一凸起的弯折方式弯折延伸。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一凸起的排列方向上，多条所述第一凸起均匀排布且各所述第一凸起的宽度固定不变；在所述第二凸起的排列方向上，多条所述第二凸起均匀排布且各所述第二凸起的宽度固定不变。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一凸起的排列方向上，所述第一凸起的宽度等于所述第二凸起的宽度。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第一缓冲层的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸起的宽度大于或等于50nm；任意相邻两条所述第一凸起的相对侧之间的距离大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第二缓冲层的厚度大于或等于10nm且小于或等于500nm。
16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第二凸起的宽度大于或等于50nm；任意相邻两条所述第二凸起的相对侧之间的距离大于或等于10nm且小于或等于1000nm。
17.根据权利要求1-16任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括至少两层所述第一缓冲层和至少两层所述第二缓冲层；其中，在垂直于所述柔性衬底的方向上，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层交错层叠。
18.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性衬底为聚酰亚胺；所述第一缓冲层为氧化硅；所述第二缓冲层为氮化硅。
19.一种柔性显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-18任一项所述的阵列基板。
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