CN108022715A - 薄膜电感器及制造该薄膜电感器的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种薄膜电感器及制造该薄膜电感器的方法，所述方法包括：制备具有第一表面和第二表面的载体膜，在所述第一表面上形成有第一上分离层，在所述第二表面上形成有第一下分离层。在所述第一表面上形成包括第一上线圈图案和第一上绝缘图案的第一上层。在所述第二表面上形成包括第一下线圈图案和第一下绝缘图案的第一下层。研磨所述第一上层的表面。所述第一下线圈图案的高度小于所述第一下绝缘图案的高度。

Description

薄膜电感器及制造该薄膜电感器的方法
本申请要求于2016年11月1日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0144644号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种薄膜电感器和制造该薄膜电感器的方法。
背景技术
电感器元件是电子电路中重要的无源元件并且主要被用在电子装置中的诸如直流(DC)-DC转换器的电源电路中，或者被用作用于去除噪声或构成LC谐振电路的组件。根据智能电话、平板PC等中对通信、相机、游戏等多驱动的需求，增加了对用于降低电流损耗并提高效率的功率电感器的使用。
电感器元件根据其结构可以是例如多层式电感器、绕线式电感器和薄膜式电感器等。由于电子装置已经加速小型化和薄型化，因此薄膜电感器元件已经被广泛地使用。
薄膜电感器技术已需要具有5：1或更大的高宽比的线圈。为了在包括具有高的高宽比的线圈的同时实现薄型化，应使其上形成有线圈的支撑构件变薄。
发明内容
本公开的一方面可提供一种薄膜电感器以及制造该薄膜电感器的方法，所述薄膜电感器通过使用载体膜而包括减小的厚度(例如具有40μm或更小的厚度)的支撑构件。
本公开的一方面还可提供一种制造薄膜电感器的方法，该方法通过在载体膜的相对的第一表面和第二表面上分别形成第一上层和第一下层使得在所述第一下层上形成的第一下绝缘图案被形成为具有大于第一下线圈图案的高度的高度，从而能够在执行研磨加工时提高质量。
根据本公开的一方面，一种制造薄膜电感器的方法可包括：制备具有其上形成有第一上分离层的第一表面和其上形成有第一下分离层的第二表面的载体膜。在所述第一表面上形成包括第一上线圈图案和第一上绝缘图案的第一上层，并且在所述第二表面上形成包括第一下线圈图案和第一下绝缘图案的第一下层。研磨所述第一上层的表面。所述第一下线圈图案的高度小于所述第一下绝缘图案的高度。
根据本公开的另一方面，一种薄膜电感器可包括：绝缘部，包括支撑构件并且具有包含由磁性材料形成的芯的中央部分。第一线圈图案和第二线圈图案位于所述绝缘部中并且通过穿过所述支撑构件的过孔彼此电连接，所述支撑构件介于所述第一线圈图案和所述第二线圈图案之间。上覆盖部和下覆盖部由磁性材料形成并且分别位于所述绝缘部的上部和下部上。第一线圈图案包含导电颗粒和粘合剂，并且所述第二线圈图案为镀层。
根据本公开的另一方面，一种制造薄膜电感器的方法可包括：在载体膜的上表面上形成第一上线圈图案；在所述载体膜的与所述载体膜的所述上表面相对的下表面上形成第一下线圈图案；在所述载体膜的所述下表面上在所述第一下线圈图案之间形成第一下绝缘图案，其中，所述第一下线圈图案的高度小于所述第一下绝缘图案的高度；及在所述第一上线圈图案由所述第一下绝缘图案支撑的同时研磨所述第一上线圈图案。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，将更加清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征及优点，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法的流程图；
图2至图15是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法的截面图；
图16至图24是示意性示出根据本公开的另一示例性实施例的制造薄膜电感器的方法的截面图；
图25是示意性示出根据本公开的另一示例性实施例的薄膜电感器的截面图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
制造薄膜电感器的方法
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法的流程图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法可包括以下步骤。在步骤S110中，制备载体膜，载体膜具有相对的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面上形成有分离层。在步骤S120中，在载体膜的两个表面上形成包括第一线圈图案和第一绝缘图案的第一层。在步骤S130中，在第一层上形成包括第二线圈图案和第二绝缘图案的第二层。在步骤S140中，将第一主体和第二主体与载体膜分开。在最后步骤S150中，形成芯和外电极。
可使用如图2所示的载体膜执行根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法。将参照图2描述根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中使用的载体膜。
参照图2，载体膜10可具有第一表面1和第二表面2并且包括基板层11和分别设置在基板层11的两个表面上的第一分离层12a和12b。
第一分离层12a和12b可通过粘合层粘合到基板层11的两个表面。
基板层11可包括纸、无纺布或诸如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯等的合成树脂。
第一分离层12a和12b可由导电金属形成。例如，第一分离层12a和12b可由从由铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)组成的组中选择的任意一种或者它们的合金形成，但不局限于此。
基板层11的厚度可以为大约18μm。
优选地，第一分离层12a和12b可具有大约12μm的厚度，在该厚度时可以执行封孔法(tenting method)。然而，第一分离层12a和12b可根据形成环氧树脂分隔件的方法形成为具有1.5μm至12μm的厚度。
在如上所述分开第一主体和第二主体(S140)时，载体膜10可被分为两个部分，从而可将第一分离层12a和12b与基板层11分离。
粘合层的粘合力可通过预定因素(例如，热或者紫外(UV)光)劣化。
可使用UV光来执行分开第一主体和第二主体(S140)，其中，在粘合层上使用在照射UV光时产生气体的粘合剂。在分开分离层12a和12b时，可通过照射UV光以在粘合层中产生气体并改变粘合层的体积来劣化粘合力。
在使用发泡粘合剂时，可使用热来分开第一主体和第二主体(S140)。在分开第一分离层12a和12b时，通过向粘合层施加热在粘合层中产生气泡，从而在粘合剂的表面上形成凹凸并可劣化粘合性质。
在步骤S140中分开第一主体和第二主体时，可通过上述方法将第一分离层12a和12b与基板层11分开。
在使用载体膜10时，可通过单个工艺通过在载体膜10的两个表面上形成包括第一线圈图案和第一绝缘层的第一层、在载体膜10的两个表面上形成包括第二线圈图案和第二绝缘层的第二层、然后分离第一主体和第二主体来形成两个主体100a和100b。
如上所述，由于根据示例性实施例的制造薄膜电感器的方法使用包括第一分离层12a和12b的载体膜10，因此可通过单个工艺来制造两个主体。因此，根据示例性实施例的制造薄膜电感器的方法可通过简化制造工艺而能够批量生产。
在制备载体膜10(S110)之后，可形成第一层(S120)。
图3至图6是示出用于形成第一层(S120)的工艺的示图。
参照图3，可在第一表面1上形成包括第一线圈图案22a和第一绝缘图案21a的第一层20a，并且可在第二表面2上形成包括第一线圈图案22b和第一绝缘图案21b的第一层20b。
将详细地描述每个工艺。首先，可形成第一绝缘图案21a和21b使得第二表面2上的第一绝缘图案21b的高度大于第一表面1上的第一绝缘图案21a的高度(S121)。
也就是说，可形成第一绝缘图案21a和21b，使得第一绝缘图案21a的高度t1a小于第一绝缘图案21b的高度t1b(S121)。
t1b和t1a的比可以是1.1至5。
在第一绝缘图案21a的高度t1a小于第一绝缘图案21b的高度t1b的条件下，t1a可以是25μm至175μm，并且t1b可以是50μm至200μm，但t1a和t1b不局限于此。
第一绝缘图案21a和21b可以由例如干膜抗蚀剂(DFR)的光刻胶形成，但不局限于此。
接下来，可按照线圈图案形状去除第一绝缘图案21a和21b的部分以暴露第一分离层12a和12b(S122)。当第一绝缘图案21a和21b由光刻胶形成时，可通过按照线圈图案形状曝光、显影并去除光刻胶来按照线圈图案形状去除第一绝缘图案21a和21b的部分以暴露第一分离层12a和12b。
可分别在第一绝缘图案21a和21b的按照线圈图案形状被去除了的部分中形成第一线圈图案22a和22b(S123)。
可使用导电膏形成第一线圈图案22a和22b。
导电膏可包含导电颗粒和粘合剂，其中，导电颗粒可由从由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)和镍(Ni)组成的组中选择的任意一种或者它们的混合物形成。然而，导电膏不局限于此。
第一线圈图案22a和22b可形成为大约为1：1的高宽比。由于第一线圈图案22a和22b的高度通过如下所述的研磨进行调整，因此第一线圈图案22a和22b可形成为比目标高度稍高。
第一线圈图案22a的高度t2a可以与第一线圈图案22b的高度t2b相似，但是不局限于此。
第一线圈图案22b的高度t2b可以小于第一绝缘图案21b的高度t1b。如上所述，由于第一绝缘图案21a的高度t1a小于第一绝缘图案21b的高度t1b，因此在第一线圈图案22a和22b的高度彼此相似时，第一线圈图案22b的高度t2b可小于第一绝缘图案21b的高度t1b并且第一线圈图案22a的高度t2a可大于第一绝缘图案21a的高度t1a。
如图4所示，可研磨第一层的表面(S124)。
在根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中，由于第一线圈图案22b的高度t2b小于第一绝缘图案21b的高度t1b，因此在研磨第一层(S124)时，第一绝缘图案21b可稳定地固定到底部，以提高第一层的表面的研磨质量。
可利用研磨机G来执行第一层20a的研磨(S124)，但不局限于此。
在研磨第一层20a的表面之后，可研磨第一层20b的表面(S125)，例如，可使第一绝缘图案21b和第一线圈图案22b具有彼此相同的高度。由于第一层20a的表面已被研磨，因此还可提高第一层20b的表面的研磨质量。
在执行研磨之后，可以去除第一绝缘图案(S126)。可根据第一绝缘图案中使用的材料通过合适的方法执行第一绝缘图案的去除(S126)。
参照图5，在去除第一绝缘图案21a和21b之后，可形成第一绝缘层23a和23b以覆盖在执行第一绝缘图案21a和21b的去除后剩余的第一线圈图案22a和22b。
可分别在第一绝缘层23a和23b上设置第一种子层24a和24b。
第一绝缘层23a和23b可以是其上分别设置有种子层的树脂层或者积膜，但不局限于此。
第一种子层24a和24b的厚度可以是1.5至5μm，并且最好是2μm。
第一绝缘层23a和23b的位于第一线圈图案22a和22b上的部分可具有足以使以下将描述的第二线圈图案与第一线圈图案22a和22b绝缘的最小厚度。例如，第一绝缘层23a和23b的位于第一线圈图案22a和22b上的部分可具有与不发生绝缘击穿的厚度相对应的5至40μm的厚度。
其上设置有种子层的树脂层可以是覆铜树脂层(RCC)层。当第一绝缘层23a和23b为RCC层时，可通过V压法或者真空层压法在第一绝缘层23a和23b上形成种子层。相比之下，当第一绝缘层23a和23b为积膜时，在施加膜之后，需要另外地使用化学镀铜工艺形成种子层24a和24b。
参照图6，可在第一种子层24a和24b以及第一绝缘层23a和23b中形成用于连接上线圈图案和下线圈图案的第一过孔25a和25b。
可通过在CO2激光工艺之后执行去胶渣(desmearing)工艺形成第一过孔25a和25b。优选的是，在CO2激光工艺之后使用湿式去胶渣工艺执行去胶渣工艺，但去胶渣工艺不局限于此，而是可以执行干式去胶渣工艺。
在第二层的绝缘图案是环氧树脂分隔件时，可通过在去胶渣工艺之后执行等离子预处理来提高其上设置有环氧树脂分隔件的表面与环氧树脂分隔件的紧密粘合力。
在形成第一层(S120)之后，可形成第二层(S130)。可通过在第一层20a上形成包括第二线圈图案32a和第二绝缘图案31a的第二层30a以及在第一层20b上形成包括第二线圈图案32b和第二绝缘图案31b的第二层30b来形成第二层。
图7和图8示出了根据本公开的示例性实施例的用于形成第二层(S130)的工艺，并且是示出使用环氧树脂分隔件的方法的示图。
在下文中，将参照图7和图8详细地描述第二层(S130)。
参照图7，可分别在第一绝缘层23a和23b上形成第二绝缘图案31a和31b(S131)。可分别通过部分地去除第二绝缘图案31a和31b以按照线圈图案形状暴露种子层24a和24b(S132)。
第二绝缘图案31a和31b可以是环氧树脂分隔件。
可通过真空层压法施加环氧树脂膜(其是能够形成精细图案的化学放大光刻胶(chemical amplification photoresist))，然后将环氧树脂膜曝光、显影并干燥来形成在根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中使用的环氧树脂分隔件。
环氧树脂分隔件可形成为具有使以下将要描述的第二线圈图案具有5∶1或更大的高宽比的高度和间距。例如，环氧树脂分隔件可形成为具有使第二线圈图案将具有5∶1至20∶1的高宽比的高度和间距。
参照图8，可分别在第二绝缘图案31a和31b之间形成第二线圈图案32a和32b(S133)。
可使用镀覆法形成第二线圈图案32a和32b(S133)。
第二线圈图案32a和32b可具有5∶1至20∶1的高宽比。
可通过在种子层24a和24b上镀覆铜(Cu)来形成第二线圈图案32a和32b。
在形成第二层(S130)之后，可分开第一主体和第二主体(S140)。在分开第一主体和第二主体(S140)时，可通过将第一层20a与第一分离层12a分开来形成第一主体100a，并且可通过将第一层20b与第一分离层12b分开来形成第二主体100b(S141)。可蚀刻留在第一主体100a和第二主体100b上的第一分离层12a和12b(S142)。
参照图9和图10，可通过将第一层20a与第一分离层12a分开来形成第一主体100a，并且可通过将第一层20b与第一分离层12b分开来形成第二主体100b。
可使用分离设备来执行如上所述的分离。
由于第一分离层12a和12b可留在分开的第一主体100a和第二主体100b上，因此可通过蚀刻去除剩余的第一分离层12a和12b。
因此，在第一线圈图案22a和22b的端部可存在蚀刻表面。
在分离第一主体和第二主体(S140)之后，可执行最后步骤(S150)。
将关于第一主体100a描述最后步骤(S150)，但最后步骤(S150)也可适用于第二主体100b。
最后步骤(S150)可包括以下步骤。在步骤S151中，去除第一绝缘层23a和第二绝缘图案31a的一部分。在步骤S152中，可使用积膜形成围绕第一线圈图案和第二线圈图案的绝缘部，并且可在第一线圈图案和第二线圈图案的中央部分形成通孔。在步骤S153中，可通过在第一主体的上部和下部上压制磁性片来形成上覆盖部和下覆盖部，并可形成外电极。
图10至图15示出最后步骤(S150)的工艺。
在下文中，将参照图10至图15详细地描述最后步骤(S150)。
图10示出分开的第一主体100a中剩余的第一绝缘层23a、第一种子层24a和第二绝缘图案31a。
如图11所示，除支撑构件15外，可利用CO2激光等去除第一绝缘层23a、第一种子层24a和第二绝缘图案31a的剩余部分。具体地，可通过蚀刻去除第一种子层24a的一部分。支撑构件15可由第一绝缘层23a在使用CO2激光去除后剩余的一部分形成，即，由第一绝缘层23a形成支撑构件15。
支撑构件15可具有40μm或更小的厚度。
如图12所示，可形成绝缘部40以围绕支撑构件15、设置在支撑构件15的表面上的第一线圈图案22a和设置在支撑构件15的相对表面上的第二线圈图案32a。
根据现有技术，使用亚苯基通过化学气相沉积(CVD)法形成绝缘部。但是在根据本公开的示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中，可通过真空层压诸如ABF膜(Ajinomotobuild-up film)的积膜形成绝缘部40。当使用积膜形成绝缘部40时，与使用亚苯基的CVD法相比较，可提高与线圈的紧密粘合力和与由磁性材料形成的覆盖部的紧密粘合力。
参照图13，在形成绝缘部40之后，可在第一线圈图案22a和第二线圈图案32a的中央部分形成通孔41。在形成通孔41时，还可部分地去除围绕第一线圈图案22a和第二线圈图案32a的绝缘部40。
可使用CO2激光等形成通孔41。可通过使绝缘部40部分地留在第一线圈图案22a和第二线圈图案32a的周围部分(包括通孔41)中来提高与稍后将使用磁性材料形成的芯和覆盖部的紧密粘合力。
可考虑到电感器的效率和电感来确定将保留的绝缘部40的厚度，否则电感器的效率和电感会显著地减小。
如图14所示，可通过在通孔41中填充磁性材料形成芯51。可使用磁性材料形成上覆盖部52和下覆盖部53。
可通过堆叠和压制磁性片来形成芯51以及上覆盖部52和下覆盖部53。
如图15所示，可在第一主体100a的外表面上形成第一外电极61和第二外电极62。
第一外电极61和第二外电极62可分别电连接到第一线圈图案22a和第二线圈图案32a的端部。
图16至图24是示意性示出根据本公开的另一示例性实施例的制造薄膜电感器的方法的截面图。
在根据本公开的另一示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中，由于制备载体膜(S110)和形成第一层(S120)的步骤与上述制造薄膜电感器的方法中的制备载体膜(S110)和形成第一层(S120)的步骤相同，因此，省略制备载体膜(S110)和形成第一层(S120)的步骤的重复描述。
在形成第一层(S120)之后，可形成第二层(S130)。可通过在第一层20a上形成包括第二线圈图案32a’和第二绝缘图案31a’的第二层30a并在第一层20b上形成包括第二线圈图案32b’和第二绝缘图案31b’的第二层30b来形成第二层。
图16和图17是示出根据本公开的另一示例性实施例的使用光刻胶形成第二层(S130)的工艺的示图。
在下文中，将参照图16和图17详细地描述形成第二层(S130)的步骤。
参照图16，可分别在第一绝缘层23a和23b上形成第二绝缘图案31a’和31b’(S131)，并且可分别通过部分地去除第二绝缘图案31a’和31b’以按照线圈图案形状暴露种子层24a和24b(S132)。
第二绝缘图案31a’和31b’可由光刻胶形成。
在根据本公开的另一示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中使用的光刻胶可以通过施加干膜抗蚀剂(DFR)并且将施加DFR曝光、显影并干燥而形成。在使用干膜抗蚀剂时，具有以下优点：与使用环氧树脂分隔件相比可降低成本并且可利用现有设备和工艺。
参照图17，可分别在第二绝缘图案31a’和31b’之间形成第二线圈图案32a’和32b’(S133)。
可使用镀覆法形成第二线圈图案32a’和32b’。
可通过在种子层24a和24b上镀覆铜(Cu)形成第二线圈图案32a’和32b’。
在形成第二层(S130)之后，可分开第一主体和第二主体(S140)。在分开第一主体和第二主体(S140)时，可通过将第一层20a与第一分离层12a分开来形成第一主体100a，并且可通过将第一层20b与第一分离层12b分开来形成第二主体100b(S141)。可蚀刻留在第一主体100a和100b上的第一分离层12a和12b(S142)。
参照图18和图19，可通过将第一层20a与第一分离层12a分开来形成第一主体100a并且可通过将第一层20b与第一分离层12b分开来形成第二主体100b。
可使用分离设备来执行上述分离。
由于第一分离层12a和12b可留在分开的第一主体100a和第二主体100b上，因此可通过蚀刻去除剩余的第一分离层12a和12b。
因此，在第一线圈图案22a和22b的一个表面上可存在蚀刻表面。
在分开第一主体和第二主体(S140)之后，可执行最后步骤(S150)。
将关于第一主体100a描述最后步骤(S150)，但最后步骤(S150)也可适用于第二主体100b。
最后步骤(S150)可包括以下步骤。在步骤S151中，可去除第一绝缘层23a和第二绝缘图案31a’的一部分。在步骤S152中，可使用积膜形成围绕第一线圈图案和第二线圈图案的绝缘部，并且可在第一线圈图案和第二线圈图案的中央部分形成通孔。在步骤S153中，可通过在第一主体的上部和下部上压制磁性片来形成上覆盖部和下覆盖部，并可形成外电极。
图19至图24示出了最后步骤(S150)。
在下文中，将参照图19至图24详细地描述最后步骤(S150)。
图19示出分开的第一主体100a中剩余的第一绝缘层23a、第一种子层24a和第二绝缘图案31a’。
如图20所示，除支撑构件15外，可利用CO2激光等去除第一绝缘层23a、第一种子层24a和第二绝缘图案31a’的剩余部分。具体地，可通过蚀刻去除第一种子层24a的一部分。支撑构件15可由第一绝缘层23a在使用CO2激光去除后剩余的一部分形成，即，由第一绝缘层23a形成支撑构件15。
支撑构件15可具有40μm或更小的厚度。
如图21所示，可形成绝缘部40以围绕支撑构件15、设置在支撑构件15的表面上的第一线圈图案22a和设置在支撑构件15的相对表面上的第二线圈图案32a’。
根据现有技术，使用亚苯基通过化学气相沉积(CVD)法形成绝缘部。但是在根据本公开的另一示例性实施例的制造薄膜电感器的方法中，可通过真空层压诸如ABF膜(Ajinomoto build-up film)的积膜形成绝缘部40。当使用积膜形成绝缘部40时，与使用亚苯基的CVD法相比较，可提高与线圈的紧密粘合力和与由磁性材料形成的覆盖部的紧密粘合力。
参照图22，在形成绝缘部40之后，可在第一线圈图案22a和第二线圈图案32a’的中央部分形成通孔41。在形成通孔41时，还可部分地去除围绕第一线圈图案22a和第二线圈图案32a’的绝缘部40。
可使用CO2激光等形成通孔41。可通过使绝缘部40部分地留在第一线圈图案22a和第二线圈图案32a’的周围部分(包括通孔41)中来提高与稍后将使用磁性材料形成的芯和覆盖部的紧密粘合力。
可考虑到电感器的效率和电感来确定将保留的绝缘部40的厚度，否则电感器的效率和电感会显著地减小。
如图23所示，可通过在通孔41中填充磁性材料形成芯51。可使用磁性材料形成上覆盖部52和下覆盖部53。
可通过堆叠和压制磁性片来形成芯51以及上覆盖部52和下覆盖部53。
如图24所示，可在第一主体100a的外表面上形成第一外电极61和第二外电极62。
第一外电极61和第二外电极62可分别电连接到第一线圈图案22a和第二线圈图案32a’的端部。
薄膜电感器
图25是示意性示出根据本公开的另一示例性实施例的薄膜电感器1000的截面图。
参照图25，根据另一示例性实施例的薄膜电感器1000可包括绝缘部140，绝缘部140包括支撑构件115并且具有中央部分，由磁性材料形成的芯151设置在中央部分中。第一线圈图案122和第二线圈图案132可设置在绝缘部140中并且可通过穿过支撑构件115的过孔133彼此电连接，并且支撑构件115介于第一线圈图案122和第二线圈图案132之间。上覆盖部152和下覆盖部153可设置在绝缘部140的上部和下部上并且可由磁性材料形成。第一线圈图案122可包含导电颗粒和粘合剂，并且第二线圈图案132可以是镀层。
由于第一线圈图案122包含导电颗粒和粘合剂，因此第一绝缘图案21a和21b(见图3)和第一线圈图案可具有彼此相似的物理性质。
因此，在研磨(lapping)时，能够提高待制造的电感器的平坦度，并且能够显著地减小电感器的厚度偏差。相比之下，当第一线圈图案为镀层时，由于第一线圈图案与第一绝缘图案21a和21b(见图3)之间的物理性质存在大的差异，因此在研磨后厚度偏差会增大。
因为第一线圈图案122包含导电颗粒和粘合剂并且第二线圈图案132为镀层，所以可减少形成第一线圈图案122的时间和成本，可使用环氧树脂分隔件使第二线圈图案132形成为具有高的高宽比。由于绝缘部140使用积膜形成而不是使用亚苯基的CVD法形成，因此与使用亚苯基的CVD法相比可减少工艺时间和成本。
省略在上述制造薄膜电感器的方法中描述的构造的重复描述。
支撑构件115的厚度可以为40μm或更小。
通常，在薄膜电感器中，为了解决诸如元件的弯曲等问题，在制造过程中，支撑构件被形成为具有60μm或更大的厚度。
在使用具有高的高宽比的线圈以提高薄膜电感器的性能时，对元件的高度上的限制会限制增加线圈的高度的能力。
然而，由于根据本公开的另一实施例的薄膜电感器是使用载体膜制造的，因此支撑构件115的厚度可以是40μm或更小，因此，尽管元件的高度受限，但可通过增加线圈的高度而提高薄膜电感器的磁性质。
支撑构件115的厚度的下限值可以是足以保持绝缘性质的值。例如，当支撑构件115的厚度为5μm或更大时，可充分地保持绝缘性质。
第二线圈图案132的高宽比(h2/w2)可以是5至20。也就是说，第二线圈图案132的高度和宽度之间的比可以是5∶1至20∶1。
根据本公开的另一示例性实施例的薄膜电感器1000可通过具有5或更大的高宽比(h2/w2)的第二线圈图案132来获得高的电感。
第一线圈图案122的宽度w1可以等于第二线圈图案132的宽度w2，第二线圈图案132的高度h2可以大于第一线圈图案122的高度h1。
如上所述，根据本公开的示例性实施例的薄膜电感器及制造该薄膜电感器的方法的优点在于：薄膜电感器可具有厚度为40μm或更小的支撑构件。
此外，根据本公开的示例性实施例，第一层可形成在用于制造薄膜电感器的载体膜的第一表面和第二表面上，并且在载体膜的同一表面上，第一绝缘图案中的一个可形成为具有比第一线圈图案的高度大的高度，从而在执行研磨加工时可提高质量。
虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和变型。

Claims (19)

1.一种制造薄膜电感器的方法，所述方法包括：
(a)制备具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的载体膜，所述第一表面上形成有第一上分离层，并且所述第二表面上形成有第一下分离层；
(b)在所述第一表面上形成第一上层并在所述第二表面上形成第一下层，所述第一上层包括第一上线圈图案和第一上绝缘图案，所述第一下层包括第一下线圈图案和第一下绝缘图案；及
(c)研磨所述第一上层的表面，
其中，所述第一下线圈图案的高度小于所述第一下绝缘图案的高度。
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法在研磨所述第一上层的所述表面之后还包括：
(d)研磨所述第一下层的表面，使得所述第一下线圈图案和所述第一下绝缘图案具有彼此相同的高度。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法在研磨所述第一下层的所述表面之后还包括：
(e)去除所述第一上绝缘图案和所述第一下绝缘图案；及
(f)在所述第一表面上形成第一上绝缘层以覆盖所述第一上线圈图案并且在所述第二表面上形成第一下绝缘层以覆盖所述第一下线圈图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一上绝缘层和所述第一下绝缘层均为其表面上设置有种子层的树脂层或积膜。
5.根据权利要求3所述的方法，所述方法在形成所述第一上绝缘层并形成所述第一下绝缘层之后还包括：
(g)在所述第一上层上形成第二上层并在所述第一下层上形成第二下层，所述第二上层包括第二上线圈图案和第二上绝缘图案，所述第二下层包括第二下线圈图案和第二下绝缘图案。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一上线圈图案和所述第一下线圈图案由包含导电颗粒和粘合剂的导电膏形成，并且
所述第二上线圈图案和所述第二下线圈图案通过镀覆法形成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二上绝缘图案和所述第二下绝缘图案为环氧树脂分隔件，并且
所述第二上线圈图案和所述第二下线圈图案具有5∶1或更大的高宽比。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二上绝缘图案和所述第二下绝缘图案由光刻胶形成。
9.根据权利要求5所述的方法，所述方法在形成所述第二上层并形成所述第二下层之后还包括：
(h)通过将所述第一上层与所述第一上分离层分开来形成第一主体，并且通过将所述第一下层与所述第一下分离层分开来形成第二主体；及
(i)蚀刻留在所述第一主体和所述第二主体上的所述第一上分离层和所述第一下分离层。
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：
关于所述第一主体，
(j)去除所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘图案的一部分；
(k)使用积膜形成围绕所述第一上线圈图案和所述第二上线圈图案的绝缘部；
(l)在所述第一上线圈图案和所述第二上线圈图案的中央部分中形成通孔；及
(m)通过在所述第一主体的上部和下部上压制磁性片形成上覆盖部和下覆盖部。
11.一种薄膜电感器，包括：
绝缘部，包括支撑构件并且具有中央部分，所述中央部分包括由磁性材料形成的芯；
位于所述绝缘部中的第一线圈图案和第二线圈图案，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案通过穿过所述支撑构件的过孔彼此电连接，所述支撑构件介于所述第一线圈图案和所述第二线圈图案之间；及
上覆盖部和下覆盖部，由磁性材料形成并且分别位于所述绝缘部的上部和下部上，
其中，所述第一线圈图案包含导电颗粒和粘合剂，并且所述第二线圈图案为镀层。
12.根据权利要求11所述的薄膜电感器，其中，所述支撑构件具有40μm或更小的厚度。
13.根据权利要求11所述的薄膜电感器，其中，所述第二线圈图案具有5∶1或更大的高宽比。
14.根据权利要求11所述的薄膜电感器，其中，所述第二线圈图案的高度大于所述第一线圈图案的高度。
15.根据权利要求11所述的薄膜电感器，其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案包含铜。
16.一种制造薄膜电感器的方法，所述方法包括：
在载体膜的上表面上形成第一上线圈图案；
在所述载体膜的与所述载体膜的所述上表面相对的下表面上形成第一下绝缘图案；
在所述载体膜的所述下表面上在所述第一下绝缘图案之间形成第一下线圈图案，其中，所述第一下线圈图案的高度小于所述第一下绝缘图案的高度；及
在所述第一上线圈图案由所述第一下绝缘图案支撑的同时研磨所述第一上线圈图案。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
在所述第一上线圈图案上形成第一上绝缘层；
在所述第一上绝缘层上通过镀覆形成第二上线圈图案；
将所述第一上线圈图案、所述第一上绝缘层和所述第二上线圈图案与所述载体膜分开，
其中，所述第一上线圈图案由导电颗粒和粘合剂形成。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述第二上线圈图案被形成为以40μm或更小的距离与所述第一上线圈图案分开，并且
所述第二上线圈图案被形成为具有5∶1或更大的高宽比。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一上绝缘层为其表面上设置有种子层的树脂层或积膜。
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