CN107991542B - 一种有源天线检测装置及其检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有源天线检测装置，其中，包括有源天线、偏置电路、第一比较器、第二比较器和逻辑输出电路，所述的逻辑输出电路，用于接收第一比较器及第二比较器的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路；所述有源天线分别连接第一比较器的输入端、第二比较器的输入端和偏置电路的输入端，所述第一比较器的输出端、第二比较器的输出端均连接逻辑输出电路的输入端，所述逻辑输出电路的输出端连接偏置。本发明的一种有源天线检测装置能够实现对有源天线的状态检测，还不会影响天线性能，并且具有限流功能。本发明还公开了该检测电路的检测方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种检测装置，更具体地说，尤其涉及一种有源天线检测装置；本发明还涉及一种有源天线检测装置的检测方法。
背景技术
随着导航应用的普及，卫星导航接收机的发展也越来越成熟，由于导航卫星信号微弱，对接收机的性能和稳定性要求越来越高，都采用有源天线的方法增大信号的信噪比来提高接收机性能。为了避免天线短路的风险，需要检测天线是否有短路和开路现象发生，并在发生短路时进行限流，避免烧毁器件。一般检测往往借助检测工具如万用表等，测量天线到设备输入端是否连接正常，同时测量天线输入和地有无短路现象。使用工具进行检测，非常的繁琐。另一种检测天线的方法是使用电流检测IC芯片对天线的电流进行检测，这种检测方法成本比较高，且有可能会对天线的性能造成一定的影响，造成信号衰减。因此，亟待发明一种能够更有效的检测有源天线是否短路或者开路的检测装置。
发明内容
本发明的前一目的在于提供一种有源天线检测装置，该检测装置能够实现对有源天线的状态检测，还不会影响天线性能，并且具有限流功能。本发明的后一目的在于提供一种利用该种检测装置检测有源天线的方法。
本发明前一技术方案如下：
一种有源天线检测装置，其中，包括有源天线、偏置电路、第一比较器、第二比较器和逻辑输出电路，
所述的偏置电路，用于为有源天线提供的电流和电压进行偏置；
所述的第一比较器，用于接收偏置电压并与参考电压进行比较；
所述的第二比较器，用于接收偏置电压并与电源电压进行比较；
所述的逻辑输出电路，用于接收第一比较器及第二比较器的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路；
所述有源天线分别连接第一比较器的输入端、第二比较器的输入端和偏置电路的输入端，所述第一比较器的输出端、第二比较器的输出端均连接逻辑输出电路的输入端，所述逻辑输出电路的输出端连接偏置。
优选的，所述的第一比较器包括限流保护电路和比较电路，所述的限流保护电路包括PMOS管1M1、NMOS管1M2、NMOS管1M3、NMOS管1M4、PMOS管1M5、NMOS管1M6、PMOS管1M7和电阻R1,所述NMOS管1M3的源极接地，所述NMOS管1M3的漏极连接所述NMOS管1M2的源极，所述NMOS管1M3的栅极分别连接NMOS管1M4的栅极和漏极以及电流源I1，所述NMOS管1M4的源极接地，所述NMOS管1M3、NMOS管1M4和电流源I1构成电流镜电路；所述NMOS管1M2的栅极连接高电平VDD，所述NMOS管1M2的漏极和PMOS管1M1的漏极和PMOS管1M1的栅极连接后再与PMOS管1M5的源极连接，所述PMOS管1M1的源极连接高电平VDD，所述PMOS管1M5的栅极和NMOS管1M6的栅极均连接比较电路的反馈电平LMT；所述PMOS管1M5的漏极和NMOS管1M6的漏极连接后再与PMOS管1M7的栅极连接，所述NMOS管1M6的源极接地，所述PMOS管1M7的源极连接高电平VDD，所述PMOS管1M7的漏极与有源天线的偏置端连接，所述有源天线的偏置端通过电阻R1连接比较电路的输入端；
所述的比较电路包括PMOS管1M8、NMOS管1M9、NMOS管1M10、NMOS管1M11、PMOS管1M12、PMOS管1M13、NMOS管1M14、PMOS管1M15、PMOS管1M16、NMOS管1M17和NMOS管1M18，所述的NMOS管1M11的源极、NMOS管1M14的源极、NMOS管1M17的源极和NMOS管1M18的源极均接地，所述PMOS管1M8的源极、PMOS管1M12的源极、PMOS管1M13的源极、PMOS管1M15的源极和PMOS管1M16的源极连接高电平VDD，所述NMOS管1M11的栅极和NMOS管1M18的栅极均连接NMOS管1M4的栅极，所述电流源I1分别与NMOS管1M11、NMOS管1M18构成电流镜电路；所述PMOS管1M8的栅极和PMOS管1M12的栅极相连后与PMOS管1M8的漏极连接，所述NMOS管1M9的源极和NMOS管1M10的源极相连后与NMOS管1M11的漏极连接；所述NMOS管1M10的栅极连接一参考电压，所述NMOS管1M10漏极和PMOS管1M12的漏极均与PMOS管1M13的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M14的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M15的栅极连接，所述NMOS管1M14的漏极和NMOS管1M15的漏极连接后同时连接PMOS管1M16的栅极、NMOS管1M17的栅极以及输出反馈电平LMT，所述PMOS管1M16的漏极、NMOS管1M17的漏极连接后输出短路检测信号OUT1。
优选的，所述的第二比较器3包括NMOS管2M1、NMOS管2M2、NMOS管2M3、NMOS管2M4、NMOS管2M5、PMOS管2M6、PMOS管2M7、PMOS管2M8、PMOS管2M9、NMOS管2M10，所述NMOS管2M1的源极接地，所述的电流源I1与NMOS管2M1的栅极和漏极连接后再与NMOS管2M2的栅极和NMOS管2M3的栅极连接，所述的电流源I1和NMOS管2M1与NMOS管2M2和NMOS管2M3构成电流镜电路，所述NMOS管2M2的源极、NMOS管2M3的源极和NMOS管2M10的源极均接地，所述PMOS管2M6的源极、PMOS管2M7的源极、PMOS管2M8的源极和PMOS管2M9的源极均连接高电平VDD，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与PMOS管2M7的栅极连接，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与NMOS管2M4的漏极连接；所述NMOS管2M4的栅极连接高电平VDD，所述NMOS管2M4的源极和NMOS管2M5的源极连接后与NMOS管2M2的漏极连接，所述NMOS管2M5的栅极连接有源天线的偏置电压，所述NMOS管2M5的漏极与PMOS管2M7的漏极连接后与PMOS管2M8的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与PMOS管2M9的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与NMOS管2M10的栅极连接，所述PMOS管2M9的漏极和NMOS管2M10的漏极连接后输出开路检测信号OUT0。
优选的，所述的短路检测信号OUT1和开路检测信号OUT0连接逻辑输出电路的信号输入端。
本发明后一技术方案如下：
一种有源天线检测装置的检测方法，包括如下检测步骤：
(1)偏置电路为有源天线提供的电流和电压进行偏置并得到偏置电压值；
(2)第一比较器将获得的偏置电压值与一个固定参考电压进行比较，判定有源天线的短路状态，输出短路检测信号；
(3)第二比较器将获得的偏置电压值与电源电压进行比较，判定有源天线的开路状态，输出开路检测信号；
(4)逻辑输出电路接收了短路检测信号和开路检测信号后转换输出最终检测结果。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果为：
1.本发明的一种有源天线检测装置，包括有源天线、偏置电路、第一比较器、第二比较器和逻辑输出电路，所述的偏置电路，用于为有源天线提供的电流和电压进行偏置；所述的第一比较器，用于接收偏置电压并与参考电压进行比较；所述的第二比较器，用于接收偏置电压并与电源电压进行比较；所述的逻辑输出电路，用于接收第一比较器及第二比较器的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路；所述有源天线分别连接第一比较器的输入端、第二比较器的输入端和偏置电路的输入端，所述第一比较器的输出端、第二比较器的输出端均连接逻辑输出电路的输入端，所述逻辑输出电路的输出端连接偏置。该检测装置能够实现对有源天线的状态检测，还不会影响天线性能，并且具有限流功能。
2.本发明的一种有源天线检测装置的检测方法，该种检测方法通过偏置电路为有源天线提供的电流和电压进行偏置并得到偏置电压值，第一比较器将偏置电压值与一个固定参考电压进行比较，得到输出短路检测信号；第二比较器将偏置电压值与电源电压进行比较，输出开路检测信号；短路检测信号和开路检测信号再由逻辑输出电路转换得到最终检测结果，电路成本低，检测结果更准确清楚。
附图说明
图1为本发明有源天线检测最终的方框图；
图2为本发明第一比较器的电路图；
图3为本发明第二比较器的电路图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，对本发明的技术方案作进一步的详细说明，但不构成对本发明的任何限制。
参照图1所示，本发明的一种有源天线检测装置，其中，包括有源天线、偏置电路1、第一比较器2、第二比较器3和逻辑输出电路4，
所述的偏置电路1，用于为有源天线提供的电流和电压进行偏置；
所述的第一比较器2，用于接收偏置电压并与参考电压进行比较；
所述的第二比较器3，用于接收偏置电压并与电源电压进行比较；
所述的逻辑输出电路4，用于接收第一比较器2及第二比较器3的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路1；
所述有源天线分别连接第一比较器2的输入端、第二比较器3的输入端和偏置电路1的输入端，所述第一比较器2的输出端、第二比较器3的输出端均连接逻辑输出电路4的输入端，所述逻辑输出电路4的输出端连接偏置电路1，逻辑输出电路4接收第一比较器2和第二比较器3的输出信号后，转换输出最终检测结果，同时输出反馈信号到偏置电路1，以实现限流保护。
参照图2所示，所述的第一比较器2包括限流保护电路和比较电路，所述的限流保护电路包括PMOS管1M1、NMOS管1M2、NMOS管1M3、NMOS管1M4、PMOS管1M5、NMOS管1M6、PMOS管1M7和电阻R1,所述NMOS管1M3的源极接地，所述NMOS管1M3的漏极连接所述NMOS管1M2的源极，所述NMOS管1M3的栅极分别连接NMOS管1M4的栅极和漏极以及电流源I1，所述NMOS管1M4的源极接地，所述NMOS管1M3、NMOS管1M4和电流源I1构成基本电流镜电路，为比较电路提供稳定的尾电流；所述NMOS管1M2的栅极连接高电平VDD，所述NMOS管1M2的漏极和PMOS管1M1的漏极和PMOS管1M1的栅极连接后再与PMOS管1M5的源极连接，所述PMOS管1M1的源极连接高电平VDD，所述PMOS管1M5的栅极和NMOS管1M6的栅极均连接比较电路的反馈电平LMT；所述PMOS管1M5的漏极和NMOS管1M6的漏极连接后再与PMOS管1M7的栅极连接，所述NMOS管1M6的源极接地，所述PMOS管1M7的源极连接高电平VDD，所述PMOS管1M7的漏极与有源天线的偏置端连接，所述有源天线的偏置端通过电阻R1连接比较电路的输入端。偏置电路1为有源天线提供电流和电源偏置后得到偏置电压值，比较电路实现将有源天线的偏置电源值和一个低参考电压作比较，如可采用600mV参考电压。
所述的比较电路包括PMOS管1M8、NMOS管1M9、NMOS管1M10、NMOS管1M11、PMOS管1M12、PMOS管1M13、NMOS管1M14、PMOS管1M15、PMOS管1M16、NMOS管1M17和NMOS管1M18，所述的NMOS管1M11的源极、NMOS管1M14的源极、NMOS管1M17的源极和NMOS管1M18的源极均接地，所述PMOS管1M8的源极、PMOS管1M12的源极、PMOS管1M13的源极、PMOS管1M15的源极和PMOS管1M16的源极连接高电平VDD，所述NMOS管1M11的栅极和NMOS管1M18的栅极均连接NMOS管1M4的栅极，所述电流源I1分别与NMOS管1M11、NMOS管1M18构成电流镜电路；所述PMOS管1M8的栅极和PMOS管1M12的栅极相连后与PMOS管1M8的漏极连接，所述NMOS管1M9的源极和NMOS管1M10的源极相连后与NMOS管1M11的漏极连接；所述NMOS管1M10的栅极连接一参考电压，所述NMOS管1M10漏极和PMOS管1M12的漏极均与PMOS管1M13的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M14的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M15的栅极连接，所述NMOS管1M14的漏极和NMOS管1M15的漏极连接后同时连接PMOS管1M16的栅极、NMOS管1M17的栅极以及输出反馈电平LMT，所述PMOS管1M16的漏极、NMOS管1M17的漏极连接后输出短路检测信号OUT1。输出电平经NMOS管1M14，PMOS管1M15组成的反相器反相后得到检测状态的反馈信号，反馈给第一比较器电路2中的限流保护电路，该信号再经NMOS管1M17、PMOS管1M16组成的反相器反相得到检测信号OUT1。通过PMOS管1M1和NMOS管1M2获得限流保护电压，PMOS管1M5、NMOS管1M6作为开关管接收检测反馈信号，PMOS管1M5在短路时导通，达到改变有源天线偏置，起到限流保护的作用。
参照图3所示，所述的第二比较器3包括NMOS管2M1、NMOS管2M2、NMOS管2M3、NMOS管2M4、NMOS管2M5、PMOS管2M6、PMOS管2M7、PMOS管2M8、PMOS管2M9、NMOS管2M10，所述NMOS管2M1的源极接地，所述的电流源I1与NMOS管2M1的栅极和漏极连接后再与NMOS管2M2的栅极和NMOS管2M3的栅极连接，所述的电流源I1和NMOS管2M1与NMOS管2M2和NMOS管2M3构成电流镜电路，为第二比较器3提供稳定尾电流。所述NMOS管2M2的源极、NMOS管2M3的源极和NMOS管2M10的源极均接地，所述PMOS管2M6的源极、PMOS管2M7的源极、PMOS管2M8的源极和PMOS管2M9的源极均连接高电平VDD，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与PMOS管2M7的栅极连接，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与NMOS管2M4的漏极连接；所述NMOS管2M4的栅极连接高电平VDD，所述NMOS管2M4的源极和NMOS管2M5的源极连接后与NMOS管2M2的漏极连接，所述NMOS管2M5的栅极连接有源天线的偏置电压，所述NMOS管2M5的漏极与PMOS管2M7的漏极连接后与PMOS管2M8的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与PMOS管2M9的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与NMOS管2M10的栅极连接，所述PMOS管2M9的漏极和NMOS管2M10的漏极连接后输出开路检测信号OUT0。电流源I1和NMOS管2M1、NMOS管2M2、NMOS管2M3构成电流镜电路，为第二比较器3提供稳定尾电流；其与NMOS管2M4、NMOS管2M5、PMOS管2M6、PMOS管2M7、PMOS管2M8构成核心比较电路，输出端经PMOS管2M9和NMOS管2M10组成的反相器反相，得到开路检测信号OUT0。
所述的短路检测信号OUT1和开路检测信号OUT0连接逻辑输出电路的信号输入端。
一种有源天线检测装置的检测方法，包括如下检测步骤：
(1)偏置电路1为有源天线提供的电流和电压进行偏置并得到偏置电压值。
(2)第一比较器2将获得的偏置电压值与一个固定参考电压VREF进行比较，判定有源天线的短路状态，可采用600mV参考电压，输出短路检测信号OUT1。
(3)第二比较器3将获得的偏置电压值与电源电压进行比较，判定有源天线的开路状态，输出开路检测信号OUT0。
(4)逻辑输出电路4接收了短路检测信号OUT1和开路检测信号OUT0后转换输出最终检测结果。本发明的一种有源天线检测装置的检测方法检通过偏置电路为有源天线提供的电流和电压进行偏置后得到偏置电压值，第一比较器将偏置电压值与一个固定参考电压进行比较，得到输出短路检测信号；第二比较器将偏置电压值与电源电压进行比较，输出开路检测信号；短路检测信号和开路检测信号再由逻辑输出电路转换得到最终检测结果，电路成本低，检测结果更准确清楚。
所述有源天线短路时，通过反馈信号改变天线的偏置电压可以实现限流保护的功能。具体实施状态包括：
状态1：如果偏置电压值<600mV，则判断为有源天线短路，输出短路检测信号OUT1＝1，同时通过反馈电平LMT＝0将PMOS管1M5打开，NMOS管1M6关闭，限制对有源天线输出的偏置电流；
状态2：如果偏置电压值>600mV，则判断为有源天线没有短路，输出短路检测信号OUT1＝0；
状态3：如果偏置电压值<电源电压-10mV，则判断为有源天线正常工作，输出开路检测信号OUT0＝1；
状态4：如果偏置电压值>电源电压-10mV，则判断为有源天线开路，输出开路检测信号OUT0＝0。
本发明的一种有源天线检测装置的输出结果及有源天线状态如表1所示：
表1有源天线检测装置输出结果及有源天线状态
| OUT1 | OUT0 | 有源天线状态 |
| 1 | 0 | 短路 |
| 1 | 1 | 短路 |
| 0 | 0 | 开路 |
| 0 | 1 | 正常 |
由表1可以看出，本发明的一种有源天线检测装置，当OUT1输出为高电平时，判定有源天线短路；当OUT1和OUT0输出电平同时为低电平时，判定有源天线开路；当OUT1为低电平，OUT0为高电平时，有源天线正常工作。本发明的一种有源天线检测装置能够实现对有源天线的状态检测，检测结果更准确清楚，还不会影响天线性能，并且具有限流功能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡在本发明的精神和原则范围内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种有源天线检测装置，其特征在于，包括有源天线、偏置电路(1)、第一比较器(2)、第二比较器(3)和逻辑输出电路(4)，
所述的偏置电路(1)，用于为有源天线提供的电流和电压进行偏置；
所述的第一比较器(2)，用于接收偏置电压并与参考电压进行比较；
所述的第二比较器(3)，用于接收偏置电压并与电源电压进行比较；
所述的逻辑输出电路(4)，用于接收第一比较器(2)及第二比较器(3)的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路(1)；
所述有源天线分别连接第一比较器(2)的输入端、第二比较器(3)的输入端和偏置电路(1)的输入端，所述第一比较器(2)的输出端、第二比较器(3)的输出端均连接逻辑输出电路(4)的输入端，所述逻辑输出电路(4)的输出端连接偏置电路(1)。
2.根据权利要求1所述的一种有源天线检测装置，其特征在于，所述的第一比较器(2)包括限流保护电路和比较电路，所述的限流保护电路包括PMOS管1M1、NMOS管1M2、NMOS管1M3、NMOS管1M4、PMOS管1M5、NMOS管1M6、PMOS管1M7和电阻(R1),所述NMOS管1M3的源极接地，所述NMOS管1M3的漏极连接所述NMOS管1M2的源极，所述NMOS管1M3的栅极分别连接NMOS管1M4的栅极和漏极以及电流源(I1)，所述NMOS管1M4的源极接地，所述NMOS管1M3、NMOS管1M4和电流源(I1)构成电流镜电路；所述NMOS管1M2的栅极连接高电平(VDD)，所述NMOS管1M2的漏极和PMOS管1M1的漏极和PMOS管1M1的栅极连接后再与PMOS管1M5的源极连接，所述PMOS管1M1的源极连接高电平(VDD)，所述PMOS管1M5的栅极和NMOS管1M6的栅极均连接比较电路的反馈电平(LMT)；所述PMOS管1M5的漏极和NMOS管1M6的漏极连接后再与PMOS管1M7的栅极连接，所述NMOS管1M6的源极接地，所述PMOS管1M7的源极连接高电平(VDD)，所述PMOS管1M7的漏极与有源天线的偏置端连接，所述有源天线的偏置端通过电阻(R1)连接比较电路的输入端；
所述的比较电路包括PMOS管1M8、NMOS管1M9、NMOS管1M10、NMOS管1M11、PMOS管1M12、PMOS管1M13、NMOS管1M14、PMOS管1M15、PMOS管1M16、NMOS管1M17和NMOS管1M18，所述的NMOS管1M11的源极、NMOS管1M14的源极、NMOS管1M17的源极和NMOS管1M18的源极均接地，所述PMOS管1M8的源极、PMOS管1M12的源极、PMOS管1M13的源极、PMOS管1M15的源极和PMOS管1M16的源极连接高电平(VDD)，所述NMOS管1M11的栅极和NMOS管1M18的栅极均连接NMOS管1M4的栅极，所述电流源(I1)分别与NMOS管1M11、NMOS管1M18构成电流镜电路；所述PMOS管1M8的栅极和PMOS管1M12的栅极相连后与PMOS管1M8的漏极连接，所述NMOS管1M9的源极和NMOS管1M10的源极相连后与NMOS管1M11的漏极连接；所述NMOS管1M10的栅极连接一参考电压，所述NMOS管1M10漏极和PMOS管1M12的漏极均与PMOS管1M13的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M14的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与PMOS管1M15的栅极连接，所述NMOS管1M14的漏极和PMOS管1M15的漏极连接后同时连接PMOS管1M16的栅极、NMOS管1M17的栅极以及输出反馈电平(LMT)，所述PMOS管1M16的漏极、NMOS管1M17的漏极连接后输出短路检测信号(OUT1)。
3.根据权利要求2所述的一种有源天线检测装置，其特征在于，所述的第二比较器(3)包括NMOS管2M1、NMOS管2M2、NMOS管2M3、NMOS管2M4、NMOS管2M5、PMOS管2M6、PMOS管2M7、PMOS管2M8、PMOS管2M9、NMOS管2M10，所述NMOS管2M1的源极接地，所述的电流源(I1)与NMOS管2M1的栅极和漏极连接后再与NMOS管2M2的栅极和NMOS管2M3的栅极连接，所述的电流源(I1)和NMOS管2M1与NMOS管2M2和NMOS管2M3构成电流镜电路，所述NMOS管2M2的源极、NMOS管2M3的源极和NMOS管2M10的源极均接地，所述PMOS管2M6的源极、PMOS管2M7的源极、PMOS管2M8的源极和PMOS管2M9的源极均连接高电平(VDD)，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与PMOS管2M7的栅极连接，所述PMOS管2M6的栅极和漏极均与NMOS管2M4的漏极连接；所述NMOS管2M4的栅极连接高电平(VDD)，所述NMOS管2M4的源极和NMOS管2M5的源极连接后与NMOS管2M2的漏极连接，所述NMOS管2M5的栅极连接有源天线的偏置电压，所述NMOS管2M5的漏极与PMOS管2M7的漏极连接后与PMOS管2M8的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与PMOS管2M9的栅极连接，所述NMOS管2M3的漏极和PMOS管2M8的漏极均与NMOS管2M10的栅极连接，所述PMOS管2M9的漏极和NMOS管2M10的漏极连接后输出开路检测信号(OUT0)。
4.根据权利要求3所述的一种有源天线检测装置，其特征在于，所述的短路检测信号(OUT1)和开路检测信号(OUT0)连接逻辑输出电路(4)的信号输入端。
5.权利要求1至3任一所述的一种有源天线检测装置的检测方法，其特征在于，包括如下检测步骤：
(1)偏置电路(1)为有源天线提供的电流和电压进行偏置并得到偏置电压值；
(2)第一比较器(2)将获得的偏置电压值与一个固定参考电压进行比较，判定有源天线的短路状态，输出短路检测信号(OUT1)；
(3)第二比较器(3)将获得的偏置电压值与电源电压进行比较，判定有源天线的开路状态，输出开路检测信号(OUT0)；
(4)逻辑输出电路(4)接收了短路检测信号(OUT1)和开路检测信号(OUT0)后转换输出最终检测结果。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711233216.2A CN107991542B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 一种有源天线检测装置及其检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN201711233216.2A CN107991542B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 一种有源天线检测装置及其检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107991542A CN107991542A (zh) | 2018-05-04 |
| CN107991542B true CN107991542B (zh) | 2018-09-25 |
Family
ID=62034439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711233216.2A Active CN107991542B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 一种有源天线检测装置及其检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107991542B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109270362A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-01-25 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种稳定且相关性好的rf测试装置 |
| CN109444639A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-08 | 京信通信系统（中国）有限公司 | 馈线状态检测设备、方法及装置 |
| TWI679430B (zh) * | 2019-01-04 | 2019-12-11 | 啓碁科技股份有限公司 | 電子裝置 |
| CN110058092B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-04-19 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 天线检测电路、芯片及终端设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201489075U (zh) * | 2009-08-19 | 2010-05-26 | 成都成电亿赛科技股份有限公司 | Gps有源天线通断检测装置 |
| CN101741482A (zh) * | 2009-12-07 | 2010-06-16 | 深圳市远望谷信息技术股份有限公司 | 天线、接收电路及解码电路的检测方法及电路 |
| CN103267911B (zh) * | 2013-04-26 | 2015-08-12 | 苏州德诚物联科技有限公司 | Rfid标签天线的非接触式测试系统及方法 |
| CN203387520U (zh) * | 2013-08-05 | 2014-01-08 | 上海华测导航技术有限公司 | 实现超宽带多信道天线驻波检测及报警功能的系统 |
| CN204028275U (zh) * | 2014-08-13 | 2014-12-17 | 惠州华阳通用电子有限公司 | 一种收音自动天线供电状态检测电路 |
| DE102015001002B4 (de) * | 2015-01-27 | 2018-12-27 | Kathrein Se | Nahfeldmessung von aktiven Antennensystemen |
-
2017
- 2017-11-30 CN CN201711233216.2A patent/CN107991542B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107991542A (zh) | 2018-05-04 |
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