CN107925354A - 升压电路的过升压抑制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明是由控制电路(5)控制而将输入电压升压至目标的规定电压为止的升压电路(3)的过升压抑制电路,包括:探测单元(1),探测超过所述升压电路(3)的所述规定电压升压的过升压;以及升压停止单元(2),若由所述探测单元1探测出过升压,则作用于所述控制电路(5)以使所述升压电路(3)的升压动作停止,将所述升压电路(3)的输出电压箝位至高于所述规定电压、且在作为负载的外围电路元件的耐压以下。

Description

升压电路的过升压抑制电路
技术领域
本发明涉及升压电路的过升压抑制电路(overboost suppressing circuit),特别涉及可将因故障而超过了规定电压的过升压抑制到外围电路元件的耐压以下的升压电路的过升压抑制电路。
背景技术
已知根据车辆的姿态而对规定的车轮施加制动力的防侧滑装置(以下称为“ESC:Electronic Stability Control(电子稳定性控制)”)。详细地说,这种ESC是,在车辆处于过大的转向过度状态或转向不足状态而需要施加基于车辆运动控制的制动力时,进行对控制对象车轮施加制动力而使车辆的旋转运动稳定的转向过度抑制控制或转向不足抑制控制的装置(例如,参照专利文献1)。
为了实现作为车辆的滑行怠速停止功能,对ESC要求在发动机再起动造成的电池电压的下降时也向车辆侧连续输出车速信号的功能。为了提供这种功能,ESC需要向车轮转速传感器连续供给电源电压。因此,即使在这样的电池电压的下降时,对装载了升压电路的ESC的需求仍在增加,使得供给电压得到保持。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-66659号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在这样的升压电路中,假定发生输出超过规定电压而成为高电压的故障。因此,在升压电路中,即使在上述故障时,为了保证车辆行为不为危险的状态,且外围电路元件不冒烟、着火,需要探测过升压而关断或抑制输出电压的保护功能。
作为一般的保护功能,考虑由微计算机探测超过规定电压升压的高电压故障,并停止升压电路的升压动作。这种情况下,由于通过基于计算机程序的处理来进行上述高电压故障的探测及上述升压动作的停止的判断,所以无法瞬时地执行上述处理。因此,在通过微计算机探测高电压故障而使升压电路的升压动作停止为止的处理时间内,仍然继续升压,有升压电路的输出电压超过电源电压供给目的地的外围电路元件的耐电压而成为高电压的顾虑。由此,有外围电路元件也被连锁性地损坏的顾虑。
因此,本发明的目的在于,应对这样的问题,提供可将因故障而超过了规定电压的过升压抑制到外围电路元件的耐压以下的升压电路的过升压抑制电路。
解决问题的方案
为了实现上述目的,本发明的升压电路的过升压抑制电路是,由控制电路控制而将输入电压升压至目标的规定电压为止的升压电路的过升压抑制电路,包括:探测单元,探测超过所述升压电路的所述规定电压升压的过升压;以及升压停止单元,若由所述探测单元探测到过升压,则作用于所述控制电路以使所述升压电路的升压动作停止,将所述升压电路的输出电压箝位至高于所述规定电压、且在作为负载的外围电路元件的耐压以下。
发明的效果
根据本发明,可以在探测到故障造成的升压电路的过升压后实时地处理,并将超过了规定电压的过升压抑制到外围电路元件的耐压以下。
附图说明
图1是表示本发明的升压电路的过升压抑制电路的第1实施方式的电路图。
图2是表示通常考虑的升压电路的过升压保护电路的电路图。
图3是表示图2的过升压保护电路的过升压保护动作的定时(timing)图。
图4是说明本发明的升压电路的过升压抑制电路的动作的流程图。
图5是表示上述第1实施方式的过升压抑制动作的定时图。
图6是表示本发明的升压电路的过升压抑制电路的第2实施方式的电路图。
图7是表示本发明的升压电路的过升压抑制电路的第3实施方式的电路图。
图8是表示上述第3实施方式的过升压抑制动作的定时图。
具体实施方式
以下,基于附图详细地说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的升压电路的过升压抑制电路的第1实施方式的电路图。该升压电路的过升压抑制电路抑制因将电池电压升压至目标的规定电压为止的升压电路的故障造成的过升压,包括探测单元1和升压停止单元2。
这里,首先,说明升压电路3的结构。该升压电路3将电池电压VBATT升压至目标的规定电压VT为止,包括线圈4、控制电路5、二极管6、以及升压电容器7。
上述线圈4,输入端连接到电池电源,输出端连接到后述的二极管6的阳极,根据电流的通电及关断状态而积累及释放电力。
上述控制电路5控制对上述线圈4的电流的通电及关断的反复动作,例如是包括了控制单元8、驱动单元9、电压检测单元10、电源单元11、以及工作允许/禁止信号输入端子12的半导体集成电路。
这里,控制单元8生成并输出用于将后述的驱动单元9导通和截止驱动的脉宽调制(PWM)控制信号。此外,驱动单元9设在线圈4的输出端和接地(GND)间,通过来自上述控制单元8的PWM控制信号进行导通和截止驱动,从而进行对线圈4的电流的通电及关断,例如是由MOSFET或IGBT等半导体元件构成的开关元件。
而且,电压检测单元10监视升压电路3的输出电压(输出电压是被2个电阻R1、R2分压所得的分压电压),与相当于规定电压VT的基准电压(规定电压VT是相当于由2个上述电阻R1、R2分压所得的分压电压的基准电压)比较,将该差分电压输出到控制单元8。由此,上述控制单元8生成与从上述电压检测单元10输入的差分电压对应的脉冲宽度及占空比的PWM控制信号并输出到上述驱动单元9。
而且,此外,电源单元11从线圈4的输入端接受电池电压VBATT的供给,对控制单元8及电压检测单元10供给电源电压。而且,工作允许/禁止信号输入端子12是允许控制单元8的工作的工作允许信号或禁止工作的工作禁止信号的输入端子,若由输入使该输入端子为高电平(high)的工作允许信号,则控制单元8执行上述PWM控制信号的生成及输出动作,若由输入使上述输入端子为低电平的工作禁止信号,则控制单元8停止上述PWM控制信号的生成及输出动作。
上述二极管6防止在上述控制电路5的驱动单元9被导通驱动而为导通状态时,对后述的升压电容器7充电的电力反向流动而被放电,在线圈4的输出端电连接其阳极,在升压电路3的输出端电连接其阴极。
上述升压电容器7不断蓄电从线圈4释放的电力,其一端连接到二极管6的阴极(升压电路3的输出端),另一端接地。再者,在图1中,标号13是与上述二极管6不同的二极管,阴极电连接线圈4的输入端,阳极电连接电池电源的输出端。
这样构成的升压电路3如下地动作。即,通常,控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12维持为高电平(high)(被输入工作允许信号的状态)。因此,控制电路5的控制单元8进行上述PWM控制信号的生成及输出动作。由此,驱动单元9通过上述PWM控制信号而进行导通和截止驱动。
在由PWM控制信号驱动的驱动单元9的、例如开关元件导通而在线圈4中电流通电时,电力积累在线圈4中。该线圈4中积累的电力在上述开关元件关断而停止对线圈4的通电时,通过二极管6被释放,将升压电容器7充电。然后,该充电电压成为升压电路3的输出电压。
升压电路3的输出电压被在升压电路3的输出端和GND之间串联连接设置的2个电阻R1、R2(图1中R2的一端被接地)分压。然后,从这2个电阻R1、R2的连接部获取的分压电压被输入到控制电路5的电压检测单元10。
控制电路5中,将输入到上述电压检测单元10的上述分压电压与上述基准电压比较,在分压电压低于基准电压时,即升压电路3的输出电压低于规定电压VT时,生成对应于从电压检测单元10输出的差分电压的PWM控制信号并输出到上述驱动单元9。由此,驱动单元9进行与上述PWM控制信号对应的开关动作,使升压电路3进行升压动作,将升压电路3的输出电压升压至规定电压VT为止。
另一方面,上述分压电压高于基准电压时,即升压电路3的输出电压高于规定电压VT时,控制单元8停止PWM控制信号的输出,并停止驱动单元9的开关动作。由此,升压电路3的升压动作被停止。这样一来,通过反复执行升压电路3的升压及升压停止动作,升压电路3的输出电压被保持为规定电压VT
接着,说明本发明的升压电路3的过升压抑制电路。本发明的升压电路3的过升压抑制电路包括如前所述的探测单元1和升压停止单元2而构成。
上述探测单元1设置为将输入端电连接上述升压电路3的输出端。该探测单元1用于探测因故障造成超过升压电路3的规定电压VT升压的过升压,是将作为输入端的阴极电连接升压电路3的输出端的齐纳二极管。作为该齐纳二极管,选择其击穿电压高于升压电路3的规定电压VT,且为电源电压供给目的地(负载)的外围电路元件的耐压以下。再者,上述过升压是如故障时那样超过上述规定电压VT的波动的容许值的升压,不是如通常时那样在上述规定电压VT的波动的容许值内的升压。
将输入端电连接上述探测单元1的输出端,并且将输出端电连接上述控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12来设置升压停止单元2。若在上述探测单元1中探测到故障造成的过升压,则该升压停止单元2作用于上述控制电路5而使升压电路3的升压动作停止,将升压电路3的输出电压箝位到高于规定电压VT、且上述外围电路元件的耐压以下,例如由半导体开关元件构成。
详细地说,上述升压停止单元2是,将发射极接地,将集电极电连接控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12,并且将基极电连接在作为探测单元1的齐纳二极管的阳极和GND之间串联连接设置的电阻R3、R4(图1中R4的一端被接地)的连接部而可以对基极施加偏置电压的半导体开关元件14,例如由NPN型晶体管构成。
接着,说明这样构成的升压电路3的过升压抑制电路的动作。
因故障造成升压电路3的升压超过规定电压VT而成为过升压,在用于监视升压电压的分压电压的获取的分压电阻R1、R2的电阻R1断线,或分压电阻R1、R2劣化而分压比变化、或电压检测单元10的输入端因导电性异物等造成对GND短路的情况下发生。
作为对上述那样的升压电路3的过升压故障的保护电路,通常考虑图2所示的电路结构。即,其为通过在升压电路3的输出端和GND之间串联连接设置的分压电阻R5、R6(图2中R6的一端被接地),例如由微计算机15检测输出电压被分压后的分压电压,在因电路故障而升压电路3的输出超过规定电压VT而上升,上述分压电压超过了探测过升压(以下,称为“故障”)的阈值(预先设定的设定电压VS)的情况下,使控制电路5停止升压动作的结构。
但是,在这样的结构中,通过计算机程序处理来执行从基于微计算机15的故障的判定至使控制电路5停止升压动作的一系列的处理,所以从故障的探测至升压动作的停止为止产生时滞。因此,如图3(b)所示,在从故障的探测(时刻t1)至升压动作的停止(时刻t2)为止处理时间内,升压电路3的升压动作仍然连续进行,其结果,如该图(a)所示升压电路3的升压电压会超过外围电路元件的耐电压而有损坏外围电路元件的顾虑。
因此,本发明的升压电路3的过升压抑制电路,设为应对处理上述问题而实时地执行故障的探测和升压电路3的升压动作的停止。以下,参照图4所示的流程图来详细地说明本发明的升压电路3的过升压抑制电路的第1实施方式的动作。
首先,步骤S1是升压电路3故障,输出电压超过规定电压VT而升压的情况。这种情况下,若上述输出电压高于上述规定电压VT,超过被设定为外围电路元件的耐压以下的设定电压Vs(图5的时刻t1),则进至步骤S2。
在步骤S2中,探测单元1进行导通驱动,探测升压电路3的过升压的故障。详细地说,若升压电路3的输出电压超过例如作为探测单元1的齐纳二极管的击穿电压(设定电压Vs)(齐纳二极管被导通驱动),则在齐纳二极管中流动从阴极向阳极的反向电流。而且,将该状态称为基于探测单元1的故障探测。
在步骤S3中,升压停止单元2进行驱动而停止升压电路3的升压动作。详细地说,若探测单元1(齐纳二极管)被导通驱动而上述反向电流通过分压电阻R3、R4流动,则在作为升压停止单元2的半导体开关元件14的基极上被施加偏置电压。由此,半导体开关元件14被导通驱动,集电极电压为低电平(low)。即,成为工作禁止信号输入到控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12的状态。
上述探测单元1被导通驱动,在升压停止单元2被导通驱动的期间,上述控制电路5的控制单元8停止PWM控制信号的生成及输出。由此,停止升压电路3的升压动作。在升压电路3的升压动作的停止中,积累在升压电容器7中的电力没有补充充电,而因外围电路的驱动被消耗,升压电路3的输出下降。而且,若升压电路3的输出低于上述设定电压Vs,即,若升压电路3的输出低于齐纳二极管的击穿电压,则进至步骤S4。
在步骤S4中,探测单元1被截止驱动,齐纳二极管的反向电流停止。由此,升压停止单元2的半导体开关元件14的基极上没有被施加偏置电压,所以升压停止单元2被截止驱动。通过升压停止单元2的截止驱动,控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12为高电平(high),成为输入了工作允许信号的状态。然后,进至步骤S5。
在步骤S5中,再开始控制电路5的控制单元8中的PWM控制信号的生成及输出动作,再开始基于该PWM控制信号的升压电路3的升压动作。由此,升压电路3的输出电压再开始上升。
若升压电路3的输出电压再次超过上述设定电压VS,则返回到步骤S2并顺序执行探测单元1的导通驱动、步骤S3的升压电路3的升压动作的停止、步骤S4的探测单元1的截止驱动、步骤S5的升压动作的再开始。而且,以后反复执行这一系列的动作。由此,升压电路3的输出被保持(箝位)为高于规定电压VT、且作为负载的外围电路元件的耐压以下的设定电压VS。这样,即使在升压电路3的故障时,该输出电压仍被箝位在外围电路元件的耐压以下,所以可以防止外围电路元件被损坏。
再者,图5表示以下情况:如该图(a)所示,若升压电路3的输出电压超过设定电压VS而探测单元1通过导通驱动检测到故障(时刻t1),则如该图(b)所示,升压停止单元2立即执行升压停止动作。此外,该图(b)表示升压电路3的输出电压达到了设定电压VS的时刻t1以后的本发明的过升压抑制电路的工作状态,该图(a)表示根据过升压抑制电路的动作及非动作,升压电路3的输出电压以上述设定电压Vs为基准反复上升及下降,其结果,将升压电路3的输出电压大致箝位为设定电压VS
图6是表示本发明的升压电路3的过升压抑制电路的第2实施方式的概略结构图。以下,说明第2实施方式。在这里,说明与第1实施方式不同的部分。
在上述第2实施方式中,与第1实施方式不同的部分是升压停止单元2的结构。第2实施方式中的升压停止单元2包括:根据探测单元1的导通和截止驱动而进行导通和截止驱动的第1开关元件16;通过该第1开关元件16的导通和截止驱动而被驱动的第2开关元件17;以及通过该第2开关元件17的导通和截止驱动而被驱动的第3开关元件18。
上述第1开关元件16具有与上述第1实施方式中的升压停止单元2的半导体开关元件14相同的结构,将发射极接地,将基极通过电阻R3、R4的电阻R3电连接作为探测单元1的齐纳二极管的阳极,将集电极通过电阻R7电连接后述的第2开关元件17的基极,例如由NPN型晶体管构成。
上述第2开关元件17,将发射极接地,将基极通过电阻R7而电连接上述第1开关元件16的集电极,并且在基极和GND间插入电阻R8,而且,在基极和电池电源(线圈4的输入端)之间包括上拉电阻R11。此外,第2开关元件17将集电极通过用于对后述的第3开关元件18的基极施加偏置电压的电阻R9、R10的电阻R10而电连接第3开关元件18的基极来设置,例如适用NPN型晶体管。由此,第2开关元件17在除了探测单元1的升压电路3的故障探测动作时之外,通过上述上拉电阻R11而将基极电压维持为高电平(high)并总是导通驱动。
上述第3开关元件18是,将发射极连接到电池电源(线圈4的输入端),集电极连接到控制电路5的电源单元11,并且将基极电连接在电池电源(线圈4的输入端)和第2开关元件17的集电极之间串联连接设置的电阻R9、R10(图6中R10的一端连接到第2开关元件17的集电极)的连接部而可以对基极施加偏置电压那样构成的、例如PNP型晶体管。
接着,说明这样构成的第2实施方式的动作。
在升压电路3的输出没有达到用于探测故障的设定电压VS时(故障探测动作时以外之时),探测单元1截止驱动,升压停止单元2的第1开关元件16也截止驱动。因此,升压停止单元2的第2开关元件17通过上拉电阻R11而施加基极电压,进行导通驱动,流过通过第3开关元件18的电阻R9、R10的集电极电流。由此,通过流过上述电阻R9、R10的电流,对第3开关元件18的基极施加电压,第3开关元件18也导通驱动。因此,电池电压VBATT通过该第3开关元件18供给到控制电路5的电源单元11,所以控制电路5的各单元被驱动,如前述那样执行升压电路3的升压动作。
另一方面,升压电路3发生故障,输出电压超过规定电压VT而上升(图4的步骤S1),若超过用于探测故障的设定电压VS,则探测单元1导通驱动(图4的步骤S2),在齐纳二极管中流动反向电流。由此,通过流过第1开关元件16的电阻R3、R4的电流,对第1开关元件16的基极施加偏置电压,第1开关元件16导通驱动。
若第1开关元件16导通驱动,则第1开关元件16的集电极电位为低电平(low),第2开关元件17的基极电压降低。因此,第2开关元件17截止驱动。由此,第2开关元件17的集电极电流被关断,所以对第3开关元件18的基极不施加偏置电压,第3开关元件18也截止驱动。因此,对控制电路5的电源单元11的电源供给被关断而控制电路5的驱动被截止驱动,停止升压电路3的升压动作(图4的步骤S3)。
若升压电路3中升压动作的停止状态继续,则升压电容器7中积累的电力被消耗而升压电路3的输出电压降低。然后,若升压电路3的输出电压低于设定电压VS,则探测单元1被截止驱动(图4的步骤S4)。由此,升压停止单元2对控制电路5的电源供给恢复并再开始升压电路3的升压动作(图4的步骤S5)。
在上述第2实施方式中,也与第1实施方式同样,反复执行图4所示的步骤S2~S5。其结果,图5(a)所示,即使在故障时升压电路3的输出电压也被维持(箝位)为高于规定电压VT、且大致为作为负载的外围电路元件的耐压以下的设定电压VS
再者,上述第2实施方式中控制电路5可以具有、也可以没有工作允许/禁止信号输入端子12。在第2实施方式中控制电路5具有工作允许/禁止信号输入端子12的情况下,上述工作允许/禁止信号输入端子12总是设定为高电平(high)即可。
图7是表示本发明的升压电路3的过升压抑制电路的第3实施方式的电路图。以下,说明第3实施方式。这里,说明与第1实施方式不同的部分。
第3实施方式是在第1实施方式进行追加,包括作为判定故障的故障判定电路的、例如微计算机19。
详细地说,上述微计算机19将升压电路3的故障时的输出电压的箝位状态仅监视预先设定的时间,若箝位状态经过设定时间,则使升压电路3的升压动作完全停止。
更详细地说,微计算机19从在升压电路3的输出端和GND之间串联连接的分压电阻R5、R6的连接部输入将输出电压分压的分压电压,将该分压电压与用于故障判定的基准电压(大致等于设定电压VS的分压电压)进行比较,若分压电压超过基准电压则判定故障(图8(c)的时刻t1)。
同时,将升压电路3的故障时的输出电压的箝位状态监视上述设定时间,若箝位状态经过设定时间(图8(c)的时刻t3),则通过电阻R12对作为升压停止单元2的半导体开关元件14的基极输出规定电压,对基极施加偏置电压。由此,与探测单元1的动作没有关系地导通驱动半导体开关元件14,将控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12设定为低电平(low)而使升压电路3的升压动作完全停止。
伴随升压电路3的升压动作的完全停止,如图8(a)所示,升压电路3的输出电压下降到直至电池电压VBATT为止。由此,探测单元1被截止驱动,如该图(b)所示,本发明的过升压抑制电路明显成为非动作状态。
即,若探测单元1被截止驱动,则在上述第1实施方式中,升压停止单元2被截止驱动而再开始升压电路3的升压动作,而在上述第3实施方式中,在图8(c)所示的时刻t3以后,升压停止单元2通过微计算机19而被导通驱动,所以控制电路5的工作允许/禁止信号输入端子12维持被设定为低电平(low)的状态。然后,如该图(a)所示,升压电路3的升压动作被保持停止。
这样,根据上述第3实施方式,即使在升压电路3中发生故障,也可以将输出电压保持为外围电路元件的耐压以下,并且可以由微计算机19明确地判别电路故障而使升压电路3及外围电路转移到安全的状态。
再者,在电路故障明确的情况下,上述微计算机19也可以在完全地停止升压电路3的升压动作的同时,一边将图8(d)所示车辆的警告灯亮灯来通知异常,一边停止怠速停止功能。
此外,上述第3实施方式中,说明了将判定故障的故障判定电路追加在第1实施方式中的情况,但本发明不限于此,也可以在第2实施方式中追加故障判定电路。
本发明的升压电路的过升压抑制电路,不限于适用在ESC中所装载的升压电路中,也可以适用于用于将输入电压升压至规定电压VT为止的任何升压电路。
标号说明
1...探测单元
2...升压停止单元
3...升压电路
5...控制电路
12...工作允许/禁止信号输入端子
19...微计算机(故障判定电路)

Claims (5)

1.一种升压电路的过升压抑制电路,是由控制电路控制而将输入电压升压至目标的规定电压为止的升压电路的过升压抑制电路,其特征在于,包括:
探测单元,探测超过所述升压电路的所述规定电压升压的过升压;以及
升压停止单元,若由所述探测单元探测到过升压,则作用于所述控制电路以使所述升压电路的升压动作停止,将所述升压电路的输出电压箝位至高于所述规定电压、且在作为负载的外围电路元件的耐压以下。
2.如权利要求1所述的升压电路的过升压抑制电路,其特征在于,
所述探测单元是其击穿电压高于所述规定电压、且在所述外围电路元件的耐压以下的齐纳二极管。
3.如权利要求1所述的升压电路的过升压抑制电路,其特征在于,
所述控制电路包括允许或禁止该控制电路的工作的信号的输入端子,
若由所述探测单元探测到过升压,所述升压停止单元对所述控制电路的所述输入端子输出禁止所述控制电路的工作的信号。
4.如权利要求1所述的升压电路的过升压抑制电路,其特征在于,
若由所述探测单元探测到过升压,则所述升压停止单元关断向所述控制电路的电源电压的供给。
5.如权利要求1所述的升压电路的过升压抑制电路,其特征在于,还包括:
故障判定电路,若所述升压电路的过升压的箝位状态连续,则判定所述升压电路的故障。
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