CN107924206A - 针对多个电压域的单个ldo - Google Patents

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Abstract

本文描述了用于为多个电压域提供经调节的电压的低压差(LDO)调节器。在一个实施例中，电压调节器包括多个传输晶体管，多个传输晶体管中的每一个被耦合在输入电源轨和多个调节器输出中的相应一个输出之间。电压调节器还包括多个平均电阻器，多个平均电阻器被配置为对多个反馈电压进行平均来生成平均反馈电压，其中多个反馈电压中的每一个反馈电压为多个调节器输出中的相应一个调节器输出提供电压反馈。电压调节器进一步包括放大器，放大器具有耦合到平均反馈电压的第一输入以及耦合到参考电压的第二输入，其中放大器被配置为以减小参考电压与平均反馈电压之间的差异的方向来驱动多个传输晶体管。

Description

针对多个电压域的单个LDO
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年8月21日在美国专利商标局提交的非临时申请号14/831,874的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各方面整体涉及电压调节器，并且更具体地涉及针对多个电压域的低压差(LDO)调节器。
背景技术
电压调节器被用于各种系统中，以向系统中的功率电路提供经调节的电压。常用的电压调节器是低压差(LDO)调节器。可以使用LDO调节器来提供稳定的经调节的电压，以从噪声输入电源电压向电路供电。LDO调节器通常包括传输晶体管以及耦合在反馈回路中的放大器，以基于稳定的参考电压来维持近似恒定的输出电压。
发明内容
为了提供对一个或多个实施例的基本理解，以下呈现了这样的实施例的简化概述。本概述不是所有预期实施例的广泛综述，并且既不旨在标识所有实施例的关键或主要元素，也不描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
根据一个方面，本文描述了电压调节器。电压调节器包括多个传输晶体管，多个传输晶体管中的每一个传输晶体管被耦合在输入电源轨和多个调节器输出中的相应一个调节器输出之间。电压调节器还包括多个平均电阻器，多个平均电阻器被配置为对多个反馈电压进行平均，以生成平均反馈电压，其中多个反馈电压中的每一个反馈电压为多个调节器输出中的相应一个调节器输出提供电压反馈。电压调节器进一步包括放大器，放大器具有耦合到平均反馈电压的第一输入和耦合到参考电压的第二输入，其中放大器被配置为以减小参考电压和平均反馈电压之间的差异的方向来驱动多个传输晶体管。
第二方面涉及用于电压调节的方法。方法包括使用相应传输晶体管从输入电源电压提供多个输出电压。方法还包括对多个反馈电压进行平均来生成平均反馈电压，其中多个反馈电压中的每一个反馈电压为多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈。方法进一步包括将平均反馈电压与参考电压进行比较，并且以减小参考电压与平均反馈电压之间的差异的方向来驱动传输晶体管。
第三方面涉及用于电压调节的装置。装置包括用于从输入电源电压提供多个输出电压的部件。装置还包括用于对多个反馈电压进行平均来生成平均反馈电压的部件，其中多个反馈电压中的每一个反馈电压为多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈。装置进一步包括用于将平均反馈电压与参考电压进行比较的部件以及用于以减小参考电压与平均反馈电压之间的差异的方向来驱动用于提供多个输出电压的所述部件的部件。
为了实现前述目的和相关目的，一个或多个实施例包括下文中充分描述并且在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了一个或多个实施例的某些示例性方面。然而，这些方面指示可以采用各种实施例的原理的各种方式中的一些，并且所描述的实施例旨在包括所有这些方面及其等同物。
附图说明
图1示出了根据本公开的某些方面的用于一个电压域的低压差(LDO)调节器的一个示例。
图2示出了根据本公开的某些方面的用于多个电压域的LDO调节器的一个示例。
图3示出了根据本公开的某些方面的包括反馈电容器的LDO调节器的一个示例。
图4示出了根据本公开的某些方面的包括栅极电阻器的LDO调节器的一个示例。
图5示出了根据本公开的某些方面的具有直接耦合到放大器输出的晶体管栅极的LDO调节器的一个示例。
图6示出了根据本公开的某些方面的包括分压器开关的LDO调节器的一个示例。
图7示出了其中可以使用根据本公开的某些方面的LDO调节器的一个示例性系统。
图8是示出根据本公开的某些方面的用于电压调节的方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图阐述的详细描述旨在作为对各种配置的描述，而不旨在表示可以实践本文所描述的概念的唯一配置。详细描述包括用于提供对各种概念的透彻理解的具体细节。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在某些情况下，为了避免混淆这些概念，以框图形式示出了众所周知的结构和组件。
图1示出了根据本公开的某些方面的低压差(LDO)调节器110的一个示例。如下面进一步讨论的，LDO调节器110被配置为从输入电源电压VDDIN提供经调节的输出电压VDD。LDO调节器110包括运算放大器120、传输晶体管M1、栅极开关130和分压器135。分压器135包括串联耦合的电阻器RFB1和RFB2。在图1的示例中，传输晶体管M1是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
传输晶体管M1具有耦合到电源轨112处的输入电源电压VDDIN的源极、耦合到放大器120的输出的栅极以及耦合到LDO调节器110的输出132的漏极。栅极开关130被耦合在输入电源电压VDDIN和传输晶体管M1的栅极之间。分压器135被耦合在LDO的输出132和接地之间。放大器120具有耦合到参考电压VREF的一个输入以及耦合到从节点137获取的反馈电压VFB的另一输入，节点137位于分压器135的电阻器RFB1和RFB2之间。可以例如通过带隙参考电路或另一稳定电压源来提供参考电压VREF。
在操作中，通过断开开关130(即，关断开关130)来启用经调节的VDD的输出。在这种情况下，放大器120以减小放大器120的输入处VREF和VFB之间的差异的方向来驱动传输晶体管M1的栅极。换言之，放大器120在强制VFB约等于VREF的方向上驱动传输晶体管M1的栅极。该反馈使得经调节的输出电压VDD近似等于：
其中等式(1)中的RFB1和RFB2分别是电阻器RFB1和RFB2的电阻。如等式(1)所示，通过相应地设置电阻器RFB1和RFB2的电阻的比率，可以将经调节的输出电压VDD设置为期望电压。经调节的输出电压VDD可以被提供给耦合到LDO调节器110的输出132的电路(未示出)来为电路供电。
通过闭合开关130(即，接通开关130)来禁用经调节的输出电压VDD的输出。在这种情况下，开关130将传输晶体管M1的栅极推拉到VDDIN，这将传输晶体管M1关断。由于传输晶体管M1被关断，所以LDO调节器110的输出132从VDDIN解耦合。结果，电路中耦合到输出132的电容器可以通过分压器135放电和/或由于电路中的电流泄漏而放电。这可能导致LDO调节器110的输出132处的电压崩溃(collapse)到接地。
在一些应用中，可能期望提供多个电压域来为芯片上的不同电路供电。每个电压域可以具有相同的电压或不同的电压。电压域可以独立地崩溃，使得每个电路可以独立地通电和断电。期望调节每个电压域的电压，例如以为每个电压域提供稳定的电压。
提供多个电压域的一个方法是为每个电压域提供单独的LDO调节器。但是，该方法需要多个LDO调节器，这会增加功耗。对于低功耗应用来说，功耗的增加可能是不可接受的。
在另一方法中，每个电压域可以通过相应的磁头开关选择性地耦合到同一LDO调节器的输出。这通过独立地控制电压域的磁头开关来允许电压域独立地崩溃。然而，该方法的缺点是跨越磁头开关的电阻器电流(IR)的下降会增加功耗并减小提供给电压域电路的电压。
因此，期望用于提供避免以上讨论的一个或多个缺陷的多个电压域的方法和系统。
图2示出了根据本公开的某些方面的LDO调节器210。LDO调节器210被配置为从输入电源电压VDDIN为多个电压域提供经调节的电压VDD1至VDD4。通过将一个LDO调节器210用于多个电压域，与将单独的LDO调节器用于每个电压域相比，功耗显著减小。此外，如下面进一步讨论的，LDO调节器210不需要磁头开关来独立地启用/禁用电压域，由此减小LDO输出与由LDO调节器210供电的电路之间的IR压降。
LDO调节器210包括运算放大器220、多个传输晶体管M1至M4、第一多个栅极开关230-1至230-4以及第二多个栅极开关240-1至240-4。传输晶体管M1至M4中的每一个传输晶体管具有耦接至电源轨212处的输入电源电压VDDIN的源极以及耦接至LDO输出232-1至232-4中的相应一个输出的漏极。第一多个栅极开关230-1至230-4中的每一个栅极开关耦合在VDDIN与传输晶体管M1至M4中的相应一个传输晶体管的栅极之间。第二多个栅极开关240-1至240-4中的每一个栅极开关耦合在放大器220的输出与传输晶体管M1至M4中的相应一个传输晶体管的栅极之间。
LDO调节器210进一步包括多个分压器235-1至235-4，其中分压器235-1至235-4中的每一个耦合在LDO输出232-1至232-4中的相应一个LDO输出与接地之间。分压器中的每一个包括串联耦合的电阻器对。更具体地，分压器中的第一个235-1包括串联耦合的电阻器RFB1和RFB2、分压器中的第二个235-2包括串联耦合的电阻器RFB3和RFB4、分压器中的第三个235-3包括串联耦合的电阻器RFB5和RFB6、以及分压中的第四个器235-4包括串联耦合的电阻器RFB7和RFB8。电阻器RFB1至RFB8可以包括多晶硅电阻器、金属电阻器或其他类型的电阻器。分压器235-1至235-4中的每一个分压器将相应LDO输出232-1至232-4处的电压分压，以在位于相应电阻器之间的相应反馈节点237-1至237-4处生成经分压的电压。如图2所示，每个反馈节点237-1至237-4处的经分压的电压提供相应的反馈电压VFB1至VFB4。
LDO调节器210还包括多个反馈开关255-1至255-4以及多个平均电阻器RAVG1和RAVG4。反馈开关255-1至255-4中的每一个反馈开关在一个端部处耦合到反馈节点237-1至237-4中的相应一个反馈节点，并且在另一端部处耦合到平均电阻器RAVG1和RAVG4中的相应一个平均电阻器。平均电阻器RAVG1和RAVG4中的每一个平均电阻器在一个端部处耦合到反馈开关235-1到235-4中的相应一个反馈开关，并且在另一端部处耦合到公共反馈节点260。公共反馈节点260被耦合到放大器220的第一输入。如下面进一步讨论的，平均电阻器RAVG1和RAVG4被用于对反馈电压VFB1至VFB4进行平均，其中所得到的平均反馈电压VFB被输入到放大器220的第一输入。放大器220的第二输入被耦合到参考电压VREF，可以由带隙参考电路或另一稳定的电压源来提供参考电压VREF。
如上所述，LDO调节器210被配置为从输入电源电压VDDIN为四个不同的电压域提供经调节的电压VDD1至VDD4。电压域VDD1对应于LDO调节器210的开关230-1、240-1和255-1、传输晶体管M1、分压器235-1和平均电阻器RAVG1。电压域VDD2对应于LDO调节器210的开关230-2、240-2和255-2、传输晶体管M2、分压器235-2以及平均电阻器RAVG2。电压域VDD3对应于LDO调节器210的开关230-3、240-3和255-3、传输晶体管M3、分压器235-3以及平均电阻器RAVG3。最后，电压域VDD4对应于LDO调节器210的开关230-4、240-4和255-4、传输晶体管M4、分压器235-4、以及平均电阻器RAVG4。如下面进一步讨论的，电压域中的每一个可以用于为相应的电路供电。
开关230-1至230-4、240-1至240-4以及255-1至255-4允许控制器270独立地启用/禁用电压域。为了启用电压域，控制器270关断(断开)第一多个栅极开关230-1至230-4中的相应一个栅极开关、接通(闭合)第二多个栅极开关240-1至240-4中的相应一个栅极开关、并接通(闭合)反馈开关255-1至255-4中的相应一个反馈开关。为了禁用电压域，控制器270接通(闭合)第一多个栅极开关230-1至230-4中的相应一个栅极开关、关断(断开)第二多个栅极开关240-1至240-4中的相应一个栅极开关、并且关断(断开)反馈开关255-1至255-4中的相应一个反馈开关。为了便于说明，在图2中未明确示出控制器270和开关之间的单独连接。
当控制器270启用全部四个电压域时，所有电压域的反馈电压VFB1至VFB4贡献于公共反馈节点260处生成的平均反馈电压VFB。放大器220以减小VREF与放大器220输入处的平均反馈电压VFB之间的差异的方向来调节其输出电压(其驱动所有四个传输晶体管M1至M4)。换言之，放大器220以迫使平均反馈电压VFB近似等于VREF的方向来驱动传输晶体管M1至M4的栅极。在这种情况下，平均反馈电压VFB可以由下式给出：
其中等式(2)中的RAVG1至RAVG4分别是平均电阻器RAVG1和RAVG4的电阻。通过使得平均电阻器RAVG1和RAVG4的电阻大致相等，反馈电压VFB1至VFB4可以被相等地加权。备选地，如下面进一步讨论的，通过使得平均电阻RAVG1和RAVG4的电阻不同，可以对反馈电压VFB1至VFB4进行不同的加权。
通过相应地设置相应分压器的电阻器比率，可以将每个电压域设置为期望的电压电平。因此，可以通过独立设置分压器235-1至235-4的电阻器比率来独立地设置电压域的电压电平。例如，通过调整分压器的电阻器，可以精确地设置分压器的电阻器比率。
当控制器270禁用一个或多个电压域时，被禁用的电压域的反馈电压VFB1至VFB4对平均反馈电压VFB没有贡献。这是因为被禁用的电压域的反馈开关255-1至255-4被关断(断开)，这将被禁用的电压域的分压器235-1至235-4与公共反馈节点260隔离。
另外，放大器220的输出不驱动被禁用的电压域的传输晶体管M1至M4的栅极。这是因为被禁用的电压域的第二栅极开关240-1至240-4被关断(断开)，从而将被禁用的电压域的传输晶体管M1至M4的栅极与放大器220的输出隔离。在这种情况下，放大器220以强制被启用的电压域的平均反馈电压近似等于VREF的方向来驱动被启用的电压域的传输晶体管M1至M4的栅极。
此外，被禁用的电压域的传输晶体管M1至M4被关断，由此将被禁用的电压域与输入电源电压VDDIN解耦合。这是因为被禁用的电压域的第一栅极开关230-1至230-4被接通。结果，被禁用的电压域的第一栅极开关230-1至230-4将相应传输晶体管M1至M4的栅极推拉到VDDIN，从而关断相应传输晶体管M1至M4。由于被禁用的电压域与VDDIN解耦，所以允许被禁用的电压域崩溃到接地。
因此，LDO调节器210支持多个独立可崩溃的电压域。与将单独的LDO用于电压域相比，这显著降低了功耗。此外，LDO调节器210不需要单独的磁头开关来独立地启用/禁用电压域。这是因为LDO调节器210的传输晶体管M1至M4被用于独立地启用/禁用电压域。换言之，传输晶体管M1至M4执行磁头开关的功能，不需要单独的磁头开关。因此，不必增加LDO输出处的电压来解决单独磁头开关中的IR压降。
图2示出了四个电压域的示例。然而，应理解，本公开不限于该示例。通常，LDO调节器210可以被配置为针对两个、三个或多于四个的电压域提供经调节的电压。对于每个电压域，LDO调节器可以包括第一栅极开关、第二栅极开关、传输晶体管、分压器、反馈开关以及平均电阻器。
如图2所示，LDO调节器210使用单个反馈回路来调节不同电压域的电压电平。这可以导致交叉调节，其中一个电压域处的纹波或其他噪声被耦合到其他电压域。例如，一个电压域处的电流负载瞬变可能导致一个电压域的电压电平下垂。电压下垂可以被反馈到放大器220，使得放大器220响应于电压下垂而调节其他电压域的电压电平。结果，一个电压域处的电压下垂可能干扰其他电压域。
平均电阻器RAVG1和RAVG4减小交叉调节。这是因为平均电阻器RAVG1和RAVG4将电压域的反馈电压VFB1至VFB4进行平均来生成输入到放大器220的反馈电压VFB。进行平均减小了单个电压域处的波纹或其他噪声对反馈电压VFB的影响，并且因此减小了对其他电压域的影响。在某些方面，电压域中的一个电压域可能倾向于比其他电压域噪声更大。例如，与耦合到其他电压域的电路相比，噪声更大的电压域可以被耦合到倾向于产生更大电流负载的电路。
通过将一个或多个电容器放置在LDO调节器210的反馈回路中也可以减少交叉调节。在这点上，图3示出了其中LDO调节器310进一步包括耦合到公共反馈节点260的反馈电容器CFB的一个示例。反馈电容器CFB以及平均电阻器RAVG1和RAVG4形成低通RC滤波器，低通RC滤波器衰减来自一个或多个的电压域的瞬态噪声。这减少了瞬态噪声对输入到放大器220的反馈电压VFB的影响，并因此减小了对其他电压域的影响。反馈电容器CFB的电容可以被选择使得低通RC滤波器的截止频率基本上对感兴趣的瞬态噪声进行衰减。
如图3所示，LDO调节器310还可以包括耦合到分压器235-1至235-4的相应反馈节点237-1至237-4的反馈电容器CFB1至CFB4。反馈电容器CFB1至CFB4在LDO调节器310的反馈回路中提供附加的极点，以衰减来自一个或多个电压域的瞬态噪声。尽管图3示出了其中反馈电容器被耦合到反馈节点237-1至237-4中的每一个的示例，但是应理解，本公开不限于该示例。例如，如果电压域中的一个电压域倾向于比其他电压域噪声更大，则LDO调节器310可以仅包括反馈电容器CFB1至CFB4中对应于噪声电压域的一个。通常，LDO调节器310可以包括用于电压域的任何子集的反馈电容器。
在图2所示的示例中，当相应的第一栅极开关240-1和240-4闭合时，传输晶体管M1至M4中的每一个的栅极可以具有在放大器220的输出处看到的电容负载。结果，当电压域被控制器270启用或禁用时，可以改变在放大器220的输出处看到的总电容负载。例如，当电压域被启用时，相应传输晶体管的栅极的电容负载被添加到由放大器220的输出所看到的总电容负载，并且当电压域被禁用时，相应传输晶体管的栅极的电容负载可以从输出放大器所看到的总电容负载消失。当启用和/或禁用一个或多个电压域时，在放大器220的输出处看到的电容负载的变化可能不利地改变LDO调节器210的环路动态特性，甚至导致最坏的情况，LDO调节器210中的不稳定。
为了解决该问题，栅极电阻器可以被耦合到传输晶体管M1至M4的栅极，以基本上掩蔽其来自放大器220的输出的电容负载。在这点上，图4示出了根据某些方面的LDO调节器410，其中LDO调节器410还包括多个栅极电阻器RG1至RG4。如图4所示，栅极电阻器RG1至RG4中的每一个栅极电阻器被耦合在传输晶体管M1至M4中的相应一个传输晶体管的栅极与第一栅极开关240-1至240-4中的相应一个栅极开关之间。栅极电阻器RG1至RG4中的每一个被配置为从放大器220的输出基本上掩蔽相应传输晶体管的栅极的电容负载。当一个或多个电压域由控制器270启用和/或禁用时，这减少了放大器220的输出处的负载变化，从而减少LDO调节器410的环路动态特性变化。
在某些方面，当启用LDO调节器时，电压域中的一个可以一直导通。例如，图5示出了LDO调节器510的一个示例，其中当LDO调节器510被启用时，电压域VDD1被一直导通。换言之，在该示例中，不存在电压域VDD1被禁用，而其他电压域VDD2至VDD4中的一个或多个电压域被启用的使用情况。在该示例中，在不需要图4中所示的第二栅极开关240-1及栅极电阻器RG1的情况下，对应于第一电压域VDD1的传输晶体管M1的栅极可以被直接耦合到放大器220的输出。在该示例中，不需要第二栅极开关240-1，因为当LDO调节器510被启用时，第一电压域VDD1总是导通的。此外，不需要栅极电阻器RG1。这是因为当LDO调节器510被启用时，传输晶体管M1的栅极的电容负载总是被放大器210的输出看到，并且因此不会使得LDO调节器510的回路动态特性在LDO调节器510的操作期间改变。
在某些方面，可以省略对应于始终导通的电压域VDD1的反馈开关255-1。在这种情况下，相应分压器235-1的反馈节点237-1可以被直接耦合到相应的平均电阻器RAVG1。
可以通过接通放大器220来启用LDO调节器510，并且通过关断放大器220来禁用LDO调节器510。在某些方面，当LDO调节器510被禁用时，放大器220的输出可以被拉高，以确保全部传输晶体管M1至M4被关断，并且因此确保所有的电压域与电源电压VDDIN解耦合。在这些方面，可以省略第一栅极开关230-1。
应理解，本公开的各方面不限于以上示例。例如，当LDO调节器510被启用时，其他电压域VDD2和VDD4中的任一个(而不是电压域VDD1或者除了电压域VDD1之外)可以一直导通。在这种情况下，一直导通的电压域的传输晶体管的栅极可以被直接耦合到放大器220的输出。
图6示出了根据某些方面的LDO调节器610，其中LDO调节器610进一步包括多个分压器开关610-1至610-4。分压器开关610-1至610-4中的每一个可以被耦合在分压器235-1至235-4中的相应一个分压器与接地之间。如下面进一步讨论的，当相应电压域被控制器270禁用时，每个分压器开关允许相应电压域保持电荷。
在操作中，当电压域被启用时，控制器270可以接通(闭合)相应的分压器开关，从而将相应的分压器耦合到接地。因此，LDO调节器的操作对于被启用的电压域不发生改变。当电压域被禁用时，控制器270可以关断(断开)相应的分压器开关，由此将相应的分压器与接地解耦合。这允许电压域通过将放电路径(通过相应分压器到接地)禁用来保持电荷。允许电压域保持电荷可以允许耦合到电压域的电路保持逻辑状态和/或减少重新启用电压域所需的电荷量。这假设耦合到电压域的电路的电流泄漏相对较低。
应理解，本公开的各方面不限于以上示例。例如，LDO调节器610可以包括仅用于电压域的子集而不是所有电压域的分压器开关。
图7示出了其中可以使用根据本公开的某些方面的LDO调节器710的一个示例性系统705。在该示例中，LDO调节器710被配置为将电源轨712处的输入电源电压VDDIN转换成经调节电压VDD1至VDD4，以分别在四个不同电压域中向电路720-1至720-4供电。可以使用图2-图6所示的任何LDO调节器来实现LDO调节器710。
在该示例中，系统705可以是包括电池725以及耦合在电池725与LDO调节器710之间的开关调节器730的电池供电系统(例如，便携式设备中)。开关调节器730可以被配置为将电池725的电压VBAT下转换为输入电源电压VDDIN。在该示例中，开关调节器730被用于将电池电压VBAT下转换到VDDIN，以利用开关调节器730的相对高的效率。LDO调节器710被用于将来自开关调节器730的电源电压VDDIN分别转换到用于向电路720-1至720-4供电的经调节的电压VDD1至VDD4。这是因为来自开关调节器730的电源电压VDDIN可能噪声太大而不能直接为电路720-1至720-4供电(例如，由于开关调节器720中的开关噪声)。在该情况下，LDO调节器710将噪声电源电压VDDIN转换成相对稳定的电压VDD1至VDD4，以向电路720-1至720-4供电。如上所述，使用LDO调节器710的另一优点在于，LDO调节器可以允许独立设置(例如，通过相应地设置相应分压器的电阻器比率)电压VDD1至VDD4。这允许电路720-1至720-4以不同的电压电平进行操作。
系统705还包括被配置为管理到电路720-1至720-4的功率的功率管理器750。例如，功率管理器750可以被配置为当电路不被使用时断开电路，以保持电池寿命。功率管理器750可以通过指示LDO调节器710的控制器270禁用对应的电压域来做到这一点。当需要电路时，功率管理器750可以通过指示控制器270重新启用对应的电压域来将电路恢复供电。因此，功率管理器750可以通过指示控制器270相应地启用/禁用对应的电压域来独立地控制到电路720-1至720-4的功率。如果电路720-1至720-4的所有电路断电，则电源管理器750可以例如通过关断LDO调节器710中的放大器220来禁用LDO调节器710。电路720-1至720-4可以包括任何类型的电路，包括但不限于一个或多个医疗传感器、一个或多个处理器、一个或多个存储器设备、一个或多个模拟电路、或其任何组合。
在某些方面，电路720-1至720-4中的一个或多个中的晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))可以在其阈值电压附近操作。这可以例如通过将对应的电压域的电压电平设置在阈值电压附近来完成。电压电平可以略低于和/或略高于阈值电压(例如，低于阈值电压的125％)。在其阈值电压附近操作晶体管以降低的速度为代价减小功耗。因此，在不需要高速度的低功率应用中，晶体管可以在其阈值电压附近进行操作。在其阈值电压附近操作晶体管的另一益处是可以减少电流负载瞬变，从而减少对应电压域上的纹波。较小的电压纹波减小了上述电压域之间交叉调节的影响。因此，对于低功耗应用来说，交叉调节可能不是问题。
应理解，本公开的各方面不限于以上示例。例如，当电池电压VBAT接近电压域的电压时，可以省略开关调节器730。
图8是根据本公开的某些方面的用于电压调节的方法800的流程图。可以由图2-图6中所示的任何LDO调节器来执行方法800。
在步骤810处，使用相应传输晶体管从输入电源电压提供多个输出电压。例如，可以从输入电源电压(例如，VDDIN)提供输出电压(例如，VDD1至VDD4)来为不同电压域中的电路供电。
在步骤820处，多个反馈电压被平均来生成平均反馈电压，其中多个反馈电压中的每一个反馈电压为多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈。例如，可以使用平均电阻器(例如，RAVG1至RAVG4)对反馈电压(例如，VFB1至VFB4)进行平均。
在步骤830处，将平均反馈电压与参考电压进行比较。例如，可以通过放大器(例如，放大器220)将平均反馈电压(例如，VFB)与参考电压(例如，VREF)进行比较。
在步骤840处，以减小参考电压和平均反馈电压之间的差异的方向来驱动传输晶体管。例如，可以由放大器(例如，放大器220)以减小放大器输入处的平均反馈电压和参考电压之间的差异的方向来驱动传输晶体管(例如，传输晶体管M1至M4)的栅极。
本领域技术人员将理解，结合本文公开所描述的各种示例性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地图示硬件和软件的这种可互换性，上面已根据其功能整体描述了各种示例性组件、块、模块、电路和步骤。这样的功能是以硬件还是软件来实现取决于施加在整个系统上的特定应用和设计约束。本领域技术人员可以针对每个特定应用以各种方式来实现所描述的功能，但是这样的实现决策不应被解释为导致脱离本公开的范围。
可以使用通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、电路现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或其被设计为执行本文所述功能的任何组合来实现或执行结合本文公开描述的各种示例性逻辑块、模块和电路。通用处理器可以是微处理器，备选地，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合(例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器的组合、一个或多个微处理器与DSP核心的组合、或者任何其他这样的配置)。
提供对本公开的先前描述，以使得本领域任何技术人员能够制作或使用本公开。对于本领域的技术人员，本公开的各种修改将是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可将本文所限定的一般原理应用于其他变型。因此，本公开不旨在限于本文所描述的示例，而是应被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

Claims (26)

1.一种电压调节器，包括：
多个传输晶体管，所述多个传输晶体管中的每一个传输晶体管被耦合在输入电源轨和多个调节器输出中的相应一个调节器输出之间；
多个平均电阻器，被配置为对多个反馈电压进行平均以生成平均反馈电压，其中所述多个反馈电压中的每一个反馈电压为所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出提供电压反馈；以及
放大器，具有耦合到所述平均反馈电压的第一输入以及耦合到参考电压的第二输入，其中所述放大器被配置为以减小所述参考电压和所述平均反馈电压之间的差异的方向来驱动所述多个传输晶体管。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个分压器，其中所述分压器中的每一个分压器被配置为将所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出的电压划分为相应的分压，并且所述多个反馈电压中的每一个反馈电压对应于所述分压中的相应一个分压。
3.根据权利要求2所述的电压调节器，还包括：至少一个反馈电容器，被耦合到所述多个分压器中的至少一个分压器。
4.根据权利要求2所述的电压调节器，其中所述多个分压器中的每一个分压器包括串联耦合的两个电阻器，并且所述多个分压器中的每一个分压器的所述分压由位于所述相应电阻器之间的节点提供。
5.根据权利要求2所述的电压调节器，还包括多个分压器开关，其中所述多个分压器开关中的每一个分压器开关被配置为基于来自控制器的相应控制信号，将所述多个分压器中的相应一个分压器选择性地耦合到接地。
6.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括：电容器，被耦合在所述平均电阻器的公共节点与接地之间。
7.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述传输晶体管中的每一个传输晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，所述p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管具有被耦合到所述输入电源轨的源极以及被耦合到所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出的漏极。
8.根据权利要求7所述的电压调节器，其中所述放大器被配置为驱动所述传输晶体管的栅极。
9.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个栅极开关，其中所述多个栅极开关中的每一个栅极开关被耦合在所述输入电源轨和所述多个传输晶体管中的相应一个传输晶体管的栅极之间。
10.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个栅极开关，其中所述多个栅极开关中的每一个栅极开关被耦合在所述放大器的输出与所述多个传输晶体管中的相应一个传输晶体管的栅极之间。
11.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个反馈开关，其中所述多个反馈开关中的每一个反馈开关被配置为：基于来自控制器的相应控制信号来控制所述多个反馈电压中的相应一个反馈电压是否贡献于所述平均反馈电压。
12.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述多个平均电阻器中的至少一个平均电阻器具有与所述多个平均电阻器中的另一个平均电阻器的电阻不同的电阻。
13.一种用于电压调节的方法，包括：
使用相应传输晶体管从输入电源电压提供多个输出电压；
对多个反馈电压进行平均以生成平均反馈电压，其中所述多个反馈电压中的每一个反馈电压为所述多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈；
将所述平均反馈电压与参考电压进行比较；以及
以减小所述参考电压与所述平均反馈电压之间的差异的方向来驱动所述传输晶体管。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：通过使用相应分压器对所述输出电压中的所述相应一个输出电压进行划分来生成所述多个反馈电压中的每一个反馈电压。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用一个或多个反馈电容器对所述反馈电压中的一个或多个反馈电压上的瞬态噪声进行衰减。
16.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用反馈电容器对所述平均反馈电压上的瞬态噪声进行衰减。
17.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用一个或多个栅极电阻器来基本上掩蔽所述传输晶体管中一个或多个传输晶体管的栅极电容性负载。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：当对应于所述输出电压中的所述相应一个输出电压的电压域被禁用时，防止所述多个反馈电压中的一个反馈电压贡献于所述平均反馈电压。
19.根据权利要求13所述的方法，其中对所述多个反馈电压进行平均包括：对所述多个反馈电压中的至少一个反馈电压比所述多个反馈电压中的另一个反馈电压更多地进行加权。
20.一种用于电压调节的装置，包括：
用于从输入电源电压提供多个输出电压的部件；
用于对多个反馈电压进行平均来生成平均反馈电压的部件，其中所述多个反馈电压中的每一个反馈电压为所述多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈；
用于将所述平均反馈电压与参考电压进行比较的部件；以及
用于以减小所述参考电压与所述平均反馈电压之间的差异的方向来驱动用于提供所述多个输出电压的所述部件的部件。
21.根据权利要求20所述的装置，还包括：用于通过对所述输出电压中的所述相应一个输出电压进行划分而生成所述多个反馈电压中的每一个反馈电压的部件。
22.根据权利要求20所述的装置，还包括：用于对所述反馈电压中的一个或多个反馈电压上的瞬态噪声进行衰减的部件。
23.根据权利要求20所述的装置，还包括：用于对所述平均反馈电压上的瞬态噪声进行衰减的部件。
24.根据权利要求20所述的装置，还包括：用于基本上掩蔽用于从用于驱动的所述部件提供所述多个输出电压的所述部件的电容性负载的部件。
25.根据权利要求20所述的装置，还包括：用于当对应于所述输出电压中的所述相应一个输出电压的电压域被禁用时、防止所述多个反馈电压中的一个反馈电压贡献于所述平均反馈电压的部件。
26.根据权利要求20所述的装置，其中用于对所述多个反馈电压进行平均的所述部件对所述多个反馈电压中的至少一个反馈电压比所述多个反馈电压中的另一个反馈电压更多地进行加权。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108445950A (zh) * 2018-04-20 2018-08-24 华中科技大学 一种多输出ldo电路以及基于ldo的多电压输出方法
CN109725673A (zh) * 2019-02-13 2019-05-07 西安交通大学 一种全集成多输出堆叠式低压差线性稳压器
CN112014628A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 亚德诺半导体国际无限责任公司 高精度开关电容器mosfet电流测量技术
CN112327987A (zh) * 2020-11-18 2021-02-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备
CN112578836A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 电压调节器电路以及提供供电电压的方法
WO2021068103A1 (en) * 2019-10-08 2021-04-15 Alibaba Group Holding Limited System and method for efficient power delivery
US11442482B2 (en) 2019-09-30 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low-dropout (LDO) regulator with a feedback circuit

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9651978B2 (en) * 2015-04-17 2017-05-16 Intel Corporation Apparatus and method for power management with a two-loop architecture
JP6689152B2 (ja) * 2016-07-21 2020-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10491205B2 (en) 2017-12-15 2019-11-26 Qualcomm Incorporated Comparator for globally distributed regulators
US10177660B1 (en) 2017-12-15 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Globally distributed regulators
IT201800001967A1 (it) * 2018-01-26 2019-07-26 System Spa Amplificatore per il pilotaggio di un carico capacitivo
US10444780B1 (en) 2018-09-20 2019-10-15 Qualcomm Incorporated Regulation/bypass automation for LDO with multiple supply voltages
US10591938B1 (en) 2018-10-16 2020-03-17 Qualcomm Incorporated PMOS-output LDO with full spectrum PSR
US10545523B1 (en) 2018-10-25 2020-01-28 Qualcomm Incorporated Adaptive gate-biased field effect transistor for low-dropout regulator
CN109656292B (zh) * 2018-11-06 2020-07-31 源创芯动科技(宁波)有限公司 电压调节器及片上系统
US11656676B2 (en) * 2018-12-12 2023-05-23 Intel Corporation System, apparatus and method for dynamic thermal distribution of a system on chip
US10509428B1 (en) * 2019-04-29 2019-12-17 Nxp Usa, Inc. Circuit with multiple voltage scaling power switches
US11372436B2 (en) 2019-10-14 2022-06-28 Qualcomm Incorporated Simultaneous low quiescent current and high performance LDO using single input stage and multiple output stages
KR20220006831A (ko) 2020-07-09 2022-01-18 삼성전자주식회사 스마트 카드의 내부 전압 생성 회로 및 이를 포함하는 스마트 카드
US11467613B2 (en) * 2020-07-15 2022-10-11 Semiconductor Components Industries, Llc Adaptable low dropout (LDO) voltage regulator and method therefor
CN114204774A (zh) * 2020-08-31 2022-03-18 北京比特大陆科技有限公司 跨电压域的供电电路和印刷电路板
US12074514B2 (en) * 2020-09-18 2024-08-27 Intel Corporation Two stage multi-input multi-output regulator
CN114518777B (zh) * 2020-11-19 2024-09-13 启碁科技股份有限公司 具有可动态配置反馈电压的电压调节电路
CN115145348A (zh) * 2021-03-31 2022-10-04 蓝碧石科技株式会社 半导体装置以及电压生成方法
US11625054B2 (en) * 2021-06-17 2023-04-11 Novatek Microelectronics Corp. Voltage to current converter of improved size and accuracy
CN113691101B (zh) * 2021-07-16 2023-04-25 苏州浪潮智能科技有限公司 一种多负载运行下的电压校准电路及电源供电系统
US11803203B2 (en) * 2021-09-13 2023-10-31 Silicon Laboratories Inc. Current sensor with multiple channel low dropout regulator
FR3129004A1 (fr) * 2021-11-05 2023-05-12 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Circuit d’alimentation
WO2023107841A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-15 Qualcomm Incorporated Neural-network-based power management for neural network loads
US20240012438A1 (en) * 2022-07-05 2024-01-11 Mediatek Inc. Electronic system using a power regulator with reduced inrush current
US20240036597A1 (en) * 2022-07-29 2024-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low-dropout (ldo) regulator with a feedback circuit

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208485A (en) * 1991-10-24 1993-05-04 The Boeing Company Apparatus for controlling current through a plurality of resistive loads
US20050040799A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Dialog Semiconductor Gmbh Frequency compensation scheme for low drop out voltage regulators using adaptive bias
US20070252564A1 (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Atmel Corporation Method and circuit for a voltage supply for real time clock circuitry based on voltage regulated charge pump
US20100109435A1 (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Uti Limited Partnership Linear Voltage Regulator with Multiple Outputs
US7919954B1 (en) * 2006-10-12 2011-04-05 National Semiconductor Corporation LDO with output noise filter
US8884642B2 (en) * 2011-02-11 2014-11-11 Etron Technology, Inc. Circuit having an external test voltage
US20150042296A1 (en) * 2013-06-28 2015-02-12 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Voltage regulator soft start
US20150061623A1 (en) * 2013-09-04 2015-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Voltage regulator of low-drop-output type and operation method of the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55136872A (en) * 1979-04-11 1980-10-25 Nec Corp Multiple-outputs switching regulator
JP3738280B2 (ja) * 2000-01-31 2006-01-25 富士通株式会社 内部電源電圧生成回路
GB2440356A (en) * 2006-07-25 2008-01-30 Wolfson Microelectronics Plc Power Management Circuit
US8232677B2 (en) * 2007-01-05 2012-07-31 Ati Technologies Ulc Cascaded multi-supply power supply
JP5703671B2 (ja) * 2010-10-05 2015-04-22 富士通セミコンダクター株式会社 電源コントローラ、および電子機器
US9018576B2 (en) * 2011-05-10 2015-04-28 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Low drop-out regulator with distributed output network
US9766678B2 (en) * 2013-02-04 2017-09-19 Intel Corporation Multiple voltage identification (VID) power architecture, a digital synthesizable low dropout regulator, and apparatus for improving reliability of power gates
US9823719B2 (en) * 2013-05-31 2017-11-21 Intel Corporation Controlling power delivery to a processor via a bypass
KR102161826B1 (ko) * 2013-11-13 2020-10-06 삼성전자주식회사 전압 컨버터, 이를 포함하는 무선 전력 수신 장치 및 무선 전력 전송 시스템
US9285813B2 (en) * 2014-05-20 2016-03-15 Freescale Semiconductor, Inc. Supply voltage regulation with temperature scaling

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208485A (en) * 1991-10-24 1993-05-04 The Boeing Company Apparatus for controlling current through a plurality of resistive loads
US20050040799A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Dialog Semiconductor Gmbh Frequency compensation scheme for low drop out voltage regulators using adaptive bias
US20070252564A1 (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Atmel Corporation Method and circuit for a voltage supply for real time clock circuitry based on voltage regulated charge pump
US7919954B1 (en) * 2006-10-12 2011-04-05 National Semiconductor Corporation LDO with output noise filter
US20100109435A1 (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Uti Limited Partnership Linear Voltage Regulator with Multiple Outputs
US8884642B2 (en) * 2011-02-11 2014-11-11 Etron Technology, Inc. Circuit having an external test voltage
US20150042296A1 (en) * 2013-06-28 2015-02-12 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Voltage regulator soft start
US20150061623A1 (en) * 2013-09-04 2015-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Voltage regulator of low-drop-output type and operation method of the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108445950A (zh) * 2018-04-20 2018-08-24 华中科技大学 一种多输出ldo电路以及基于ldo的多电压输出方法
CN109725673A (zh) * 2019-02-13 2019-05-07 西安交通大学 一种全集成多输出堆叠式低压差线性稳压器
CN112014628A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 亚德诺半导体国际无限责任公司 高精度开关电容器mosfet电流测量技术
CN112014628B (zh) * 2019-05-31 2023-06-23 亚德诺半导体国际无限责任公司 高精度开关电容器mosfet电流测量技术
CN112578836A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 电压调节器电路以及提供供电电压的方法
US11442482B2 (en) 2019-09-30 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low-dropout (LDO) regulator with a feedback circuit
WO2021068103A1 (en) * 2019-10-08 2021-04-15 Alibaba Group Holding Limited System and method for efficient power delivery
CN114503049A (zh) * 2019-10-08 2022-05-13 阿里巴巴集团控股有限公司 用于高效供电的系统和方法
CN112327987A (zh) * 2020-11-18 2021-02-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备
CN112327987B (zh) * 2020-11-18 2022-03-29 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备

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