CN107863317B - 带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路。其中，带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，包括步骤(1)：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；步骤(2)：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；步骤(3)：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；步骤(4)：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。其提高了超薄THz薄膜电路机械强度，满足了精密组装操作需求。
Description
技术领域
本发明属于薄膜电路加工领域，尤其涉及一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路。
背景技术
太赫兹(简称THz)在电磁波谱中的频率范围大致为0.1THz-10THz。THz波具有独特的瞬态性、宽带性、相干性和低能性。近年来，THz波以其独特的性能和广泛的潜在应用价值而越来越受到世界各国的关注，随着应用研究的不断深入和交叉学科领域的不断扩大，THz波的研究与应用将迎来一个蓬勃发展的阶段。
目前太赫兹模块主要使用波导或超薄基片薄膜电路导波结构。为了提高高频微波性能，国内外一般采用低介电常数基板材料，如石英、聚酰亚胺、聚四氟乙烯等。同时为了降低损耗采用的介质厚度也很薄，如典型的介质厚度为50μm及其以下。早在1996年，美国J.L.Hesler博士设计的585GHz混频器，其中使用的石英基片厚度为38μm，电路宽度为0.114mm，镀金厚度为2～3μm。Virginia Diodes Inc.(VDI)是享誉世界的亚毫米波与太赫兹产品提供商，拥有目前全球最好的太赫兹砷化镓肖特基平板二极管制造技术。由于具有先进的加工工艺和微组装工艺，VDI的毫米波模块的技术指标要远优于国际上同类产品，但在超薄薄膜集成电路方面，未见相关文献报道。同时，国际上几家著名的薄膜电路制造公司，如美国ATP、UltraSource、ATC、DITF等，他们最薄石英基片电路产品的加工能力，如表1所示。目前这些公司都没有50μm及以下厚度这种超薄石英基片的薄膜电路产品，可以说这种50μm及以下超薄厚度的基片薄膜电路的工程化生产还处于实验或不成熟阶段。
表1国外几家著名公司的最薄石英基片电路产品加工能力单位：μm
针对超薄介质薄膜电路加工工艺难点，国外公司目前主要采用基片背面减薄的方案加工，即：先将石英基片清洗干净、溅射沉积种子层，然后在超薄石英基片上进行平面集成电路图形加工，包括光刻电路图形、图形电镀和刻蚀，完成上述操作后，接着通过将超薄薄膜电路基片与承载基片临时键合形成键合体，对超薄薄膜电路基片进行研磨减薄。让后通过化学方法将超薄石英基片与承载基片形成的临时键合体分离，得到形成高精度微细加工电路图形结构的超薄石英基片，再进行超薄石英薄膜电路的外形划切，最后进行拣片和检验工作。随着薄膜电路基片厚度的不断的降低，采用背面减薄工艺方法加工的薄膜电路的机械强度也会越来越差，给后续精密组装带来操作夹取困难、电路易碎裂等问题，对于介质厚度少于30μm的薄膜电路，目前普通的组装手段已经无法实现装配。
综上所述，现有技术中对于超薄THz薄膜电路由于基片厚度薄，电路机械强度差，带来的精密组装操作夹取困难、电路易碎裂等问题，尚缺乏有效的解决方案。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其采用光刻电镀的方法在电路背面制作局部加强金属层，在降低介质厚度满足电路性能需求的同时，增加电路介质基片的机械强度，满足精密组装需求。
本发明的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，包括：
步骤(1)：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；
步骤(2)：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；
步骤(3)：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；
步骤(4)：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。
在所述步骤1中，第一衬底要有好表面光洁度和平整度，同时要容易被化学腐蚀液去除；
带有超薄介质第一衬底制作工艺流程为：
第一衬底需用经过抛光后的铝板、石英基板、硅片等容易化学腐蚀平整性好的材料。采用成膜工艺在衬底上制作低损耗介质层。
进一步的，所述步骤(1)中，采用旋涂和化学气相沉积的成膜工艺在第一衬底上形成一层低介电常数、低介质损耗、超薄介质膜。
进一步的，所述步骤(1)中，采用薄膜工艺，依次经过真空镀膜、光刻、电镀、腐蚀这些操作，在超薄介质薄膜上制作THz薄膜电路图形。
在真空镀膜步骤中，超薄低损耗介质要经过超声清洗后，通过磁控溅射镀膜在表面形成一层复合金属薄膜，层结构为TiW/Au。
光刻包括涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜这些步骤，其中：
在涂胶步骤中，用匀胶机在金属薄膜上涂覆一层均匀的正性光刻胶，涂胶转速一般为3500转～4500转/分，涂胶厚度1.1-1.3μm。
在前烘步骤中，需要在100℃烘箱内加热2.5～3min；挥发掉光刻胶部分溶剂；
在曝光步骤中，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光12s；
在显影步骤中，将曝光后的基片在显影液中浸泡35秒，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除；
在坚膜步骤中，对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热2～3min。
在电镀步骤中，采用柠檬酸金钾镀金液直流电镀金，对THz图形电路进行电镀金加厚，电流密度是3～5mA/cm2；镀层厚度：2μm～3μm。形成最终THz电路图形。
在腐蚀步骤中，采用离子刻蚀机，去除非图形部分金层，然后用钛钨腐蚀液去除非图形部分钛钨层，形成需要THz电路图形。
进一步的，采用粘接剂把电路图形正面粘接到第二衬底上，并确保粘接平整。
其中第二衬底材料要有好的平整性，同时耐化学腐蚀性能要好。
其中，粘接剂可以为石蜡、火漆等容易被有机溶解去除的粘接剂。
采用粘接剂把带有电路图形一面电路粘接到一平整的第二衬底上，保证粘接的电路与第二衬底基板保证水平，粘接过程要加热并充分挤压粘接剂中残留的气泡。第二衬底基板一般采用聚四氟乙烯、不锈钢等难腐蚀的材料。
进一步的，采用化学腐蚀液去除第一衬底，使THz薄膜电路转移至第二衬底上，选用的化学腐蚀液只能腐蚀去除第一衬底，不能对第二衬底造成腐蚀。
例如第一衬底选用石英，第二衬底选用铜板。应采用氢氟酸腐蚀，因为氢氟酸对铜板没有腐蚀性。再例如，第一衬底选用铝板，第二衬底选用不锈钢，采用盐酸腐蚀第一衬底，保证第二衬底不被腐蚀。
进一步的，所述步骤(3)中，采用真空镀膜方法在THz薄膜电路介质背面沉积一层金属薄膜，然后采用光刻和电镀方法制作局部加强金属支撑层。
采用光刻和电镀方法制作局部加强金属支撑层的工艺流程为：
涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—电镀—去胶—腐蚀。
在光刻前烘步骤，需要在100℃烘箱内加热4-5min；挥发掉光刻胶部分溶剂。
在光刻曝光步骤，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光55s，曝光时候要与正面电路图形进行位置对准以保证金属支撑位置尺寸精度。
在光刻显影步骤，将曝光后的基片在显影液中浸泡3.5分钟，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除。
在光刻坚膜步骤，是对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热6～7min。
下面以溅射TiW/Cu金属薄膜，局部加强金属支撑层以金属铜为例：
在电镀步骤，采用硫酸铜镀铜液直流电镀铜，电流密度是25～30mA/cm2，镀层厚度：20μm～22μm。
在去胶步骤，采用等离子去胶机，去除光刻胶。
在腐蚀步骤中，采用铜腐蚀液和钛钨腐蚀液去除非图形部分铜层和Tiw层，形成最终铜金属支持。
进一步的，所述步骤(4)中，采用高精度划片机，对THz薄膜电路进行划切分割操作。
进一步的，所述步骤(4)中，去除粘接剂，使THz薄膜电路与第二衬底分离。
具体地，可采用加热及有机溶解去除粘接剂，使THz薄膜电路与第二衬底分离。
进一步的，所述步骤(4)中，对THz薄膜电路进行去清洗操作，形成最终带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路。
采用薄膜加工工艺制作金属支持层，电镀金属层厚度为20-30微米。采用局部图形电镀方法，并通过光刻的方法与正面图形电路进行对准(超薄介质薄膜厚度很薄且透明，可以通过正面图形定位标识进行光刻对准定位)保证金属撑层图形位置，确保电路性能指标。
本发明还提供了一种薄膜电路。
本发明的一种薄膜电路，采用上述任一所述的带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法加工而成。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)本发明的带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，解决超薄THz薄膜电路由于基片厚度薄，电路机械强度差，带来的精密组装操作夹取困难、电路易碎裂等问题，通过增加基片衬底，粘接、腐蚀等工序实现超薄基片电路刻蚀，通过采用在电路背面制作局部加强金属层，在降低介质厚度满足电路性能需求的同时，提高超薄THz薄膜电路机械强度，满足了精密组装操作需求。
(2)本发明通过采用光刻电镀方法来定义局部加强金属铜层图形尺寸，保证了图形尺寸加工精度，提高了薄膜电路高频性能。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
图1是本发明的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法流程图。
图2是本发明实施例公开的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路工艺流程图。
图3(a)本发明实施例公开的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路侧视图。
图3(b)本发明实施例公开的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路背面俯视图。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
术语解释部分：
超薄THz薄膜的定义为：用于THz频段薄膜电路，一般采用低介电常数基板材料，如石英、聚酰亚胺、聚四氟乙烯等。同时为了降低损耗采用的介质厚度也很薄，如典型的介质厚度为50μm及其以下。
如图1和图2所示，本发明的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，包括步骤1～步骤4。
实施例1：
具体地，以制作的介质为聚酰亚胺，第一衬底为石英，第二衬底为铜板，局部加强金属支撑层为局部加强金属铜支撑层为例：
步骤1：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；其中，在该步骤中，选用聚酰亚胺为介质，石英基版为第一衬底，选用的石英基板要具有很好的表面光洁度和平整度，石英厚度为0.254mm，尺寸为50mm×50mm；
采用旋涂的方法，在石英基板上形成一层聚酰亚胺薄膜；
选取305IIB型的聚酰亚胺(PI)胶，匀胶时的摊胶转速为500转，时间3～5s，匀胶转速1000转，时间25s，涂胶厚度10μm左右；
涂胶后对聚酰亚胺薄膜进行烘焙，使聚酰亚胺胶亚胺化以形成稳定的聚酰亚胺薄膜，烘培分为三个温区，180℃1小时，250℃2小时，300℃2小时。
在所述步骤1中，采用薄膜工艺制作电路图形的工艺流程为：
真空镀膜—涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—电镀—去胶—腐蚀。
在真空镀膜步骤中，聚酰亚胺薄膜经过超声清洗后，通过磁控溅射镀膜在表面形成一次复合金属薄膜，复合金属薄膜的层结构为TiW/Au。
在涂胶步骤中，用匀胶机在镀膜基片上涂覆一层均匀的正性光刻胶，涂胶转速一般为3500转～4500转/分，涂胶厚度1.1-1.3μm。
在前烘步骤中，需要在100℃烘箱内加热2.5～3min；挥发掉光刻胶部分溶剂；
在曝光步骤中，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光12s；
在显影步骤中，将曝光后的基片在显影液中浸泡35秒，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除；
在坚膜步骤中，对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热2～3min；
在电镀步骤中，采用柠檬酸金钾镀金液直流电镀金，对THz图形电路进行电镀金加厚，电流密度是3～5mA/cm2；镀层厚度：2μm～3μm。形成最终THz电路图形。
在去胶步骤中，等离子去胶机，去除光刻胶；
在腐蚀步骤中，采用离子刻蚀机，去除非图形部分金层，然后用钛钨腐蚀液去除非图形部分钛钨层，形成需要THz电路图形。
步骤2：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；
具体地，在所述步骤2中，采用粘接剂把带有电路图形正面面的THz薄膜电路粘接到金属基板上。
其中，粘接剂先用石蜡，第二衬底我们选用铜板。
采用石蜡把带有电路图形正面电路粘接到一平整的金属铜板基板上，保证粘接的电路与铜基板保证水平，粘接过程要加热并充分挤压石蜡粘接剂中残留的气泡。室温下冷却石蜡，使石蜡达到最大的粘接强度。
在所述步骤2中，采用氢氟酸腐蚀液去除石英基板，使聚酰亚胺THz薄膜电路转移至金属铜基板上，由于氢氟酸不腐蚀铜，对铜板不会造成腐蚀。
步骤3：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层，如图3(a)和图3(b)所示。
具体地，在所述步骤3中，采用金属铜为金属支撑层，先采用溅射镀膜方法在聚酰亚胺背面溅射一层TiW/Cu复合薄膜，然后采用光刻电镀方法制作局部加强金属支撑层，具体工艺流程为：
涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—电镀—去胶—腐蚀。
在光刻涂胶步骤为，利用匀胶机在聚酰亚胺THz薄膜电路背面涂覆一层均匀的AZ4620型正性光刻胶，其中，匀胶机涂胶时转速为800转/分，涂胶厚度24μm左右；
在光刻前烘步骤，需要在100℃烘箱内加热4-5min；挥发掉光刻胶部分溶剂。
在光刻曝光步骤，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光55s，曝光时候要与正面电路图形定位标示进行位置对准以保证金属支撑位置尺寸精度。由于聚酰亚胺为透明材质，可以保证图形背面曝光图形与正面图形位置准确度。
在光刻显影步骤，将曝光后的基片在显影液中浸泡3.5分钟，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除。
在光刻坚膜步骤，是对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热6～7min。
在电镀步骤，采用硫酸铜镀铜液直流电镀铜，电流密度是25～30mA/cm2，镀层厚度：20μm～22μm。
在去胶步骤，采用等离子去胶机，去除光刻胶。
在腐蚀步骤中，采用铜腐蚀液和钛钨腐蚀液去除非图形部分铜层和Tiw层，形成最终铜金属支持。
步骤4：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。
在所述步骤4中，选用树脂刀划切THz薄膜电路，以减少电路边缘的崩裂。
具体地，采用加热及丙酮有机溶解去除粘接剂，使THz薄膜电路与金属铜基板分离。
在具体实施中，该方法还包括：对THz薄膜电路进行去清洗操作，最终形成带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路。
其中，对THz薄膜电路进行去有机溶剂等离子水清洗操作，形成最终10μm厚，电路背面局部带有20μm厚铜金属支撑的超薄THz薄膜电路。
实施例2：
具体地，以制作的介质二氧化硅，第一衬底为铝，第二衬底为不锈钢，局部加强金属支撑层为金属金为例：
步骤1：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；
其中，在该步骤中，选用二氧化硅为介质，铝板板为第一衬底，选用的铝板基板要具有很好的表面光洁度和平整度，铝板厚度为0.5mm，尺寸为60mm×60mm；
采用化学气相沉积的方法，在铝板基板上形成二氧化硅介质薄膜；
二氧化硅介质厚度5μm左右；
在所述步骤1中，采用薄膜工艺制作电路图形的工艺流程为：
真空镀膜—涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—电镀—去胶—腐蚀。
在真空镀膜步骤中，二氧化硅介质要经过超声清洗后，通过磁控溅射镀膜在表面形成一次复合金属薄膜，复合金属薄膜的层结构为TiW/Au。
在涂胶步骤中，用匀胶机在镀膜基片上涂覆一层均匀的正性光刻胶，涂胶转速一般为3500转～4500转/分，涂胶厚度1.1-1.3μm。
在前烘步骤中，需要在100℃烘箱内加热2.5～3min；挥发掉光刻胶部分溶剂；
在曝光步骤中，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光12s；
在显影步骤中，将曝光后的基片在显影液中浸泡35秒，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除；
在坚膜步骤中，对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热2～3min；
在电镀步骤中，采用柠檬酸金钾镀金液直流电镀金，对THz图形电路进行电镀金加厚，电流密度是3～5mA/cm2；镀层厚度：2μm～3μm。形成最终THz电路图形。
在去胶步骤中，等离子去胶机，去除光刻胶；
在腐蚀步骤中，采用离子刻蚀机，去除非图形部分金层，然后用钛钨腐蚀液去除非图形部分钛钨层，形成需要THz电路图形。
步骤2：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；
具体地，在所述步骤2中，采用粘接剂把带有电路图形THz薄膜电路正面粘接到不锈钢基板上。
其中，粘接剂为火漆。
采用火漆把带有电路图形正一面电路粘接到一平整的不锈钢基板上，保证粘接的电路与不锈钢板保证水平，粘接过程要加热并充分挤压火漆粘接剂中残留的气泡。室温下冷却火漆，使火漆达到最大的粘接强度。
在所述步骤2中，采用盐酸腐蚀液去除铝基板，使二氧化硅THz薄膜电路转移至不锈钢板上，由于盐酸酸不腐蚀不锈钢，对不锈钢板不会造成腐蚀。
步骤3：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；
具体地，在所述步骤3中，采用金属金为金属支撑层，先采用溅射镀膜工艺在二氧化硅介质背面制作TiW/Au薄膜，然后采用光刻电镀方法制作局部加强金属支撑层，具体工艺流程为：
涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—电镀—去胶—腐蚀。
在光刻涂胶步骤为，利用匀胶机在二氧化硅THz薄膜电路背面涂覆一层均匀的AZ4620型正性光刻胶，其中，匀胶机涂胶时转速为800转/分，涂胶厚度24μm左右；
在光刻前烘步骤，需要在100℃烘箱内加热4-5min；挥发掉光刻胶部分溶剂。
在光刻曝光步骤，使用光刻机配合光刻掩膜胶版对光刻胶图形部分进行紫外线曝光55s，曝光时候要与正面电路图形定位标示进行位置对准以保证金属支撑位置尺寸精度。由于二氧化硅为透明材质，可以保证图形背面曝光图形与正面图形位置准确度。
在光刻显影步骤，将曝光后的基片在显影液中浸泡3.5分钟，把基片上已曝光过的正性光刻胶去除。
在光刻坚膜步骤，是对光刻胶进一步烘培去除溶剂，需要在110℃烘箱内加热6～7min。
下面以局部加强金属支撑层以金属金为例：
在电镀步骤，采用柠檬酸金钾镀金液直流电镀金，电流密度是3～5mA/cm2；镀层厚度：20μm～21μm。
在去胶步骤，采用等离子去胶机，去除光刻胶。
在腐蚀步骤中，采用金腐蚀液和钛钨腐蚀液去除非图形部分金层和Tiw层，形成最终金金属支持。
步骤4：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。
在所述步骤4中，选用树脂刀划切THz薄膜电路，以减少电路边缘的崩裂。
具体地，采用加热及酒精有机溶解去除粘接剂，使THz薄膜电路与不锈钢基板分离。
在具体实施中，该方法还包括：对THz薄膜电路进行去清洗操作，最终形成带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路。
其中，对THz薄膜电路进行去有机溶剂等离子水清洗操作，形成最终5μm厚，电路背面局部带有20μm厚金金属支撑的超薄THz薄膜电路。
本发明还提供了一种薄膜电路。
本发明的一种薄膜电路，采用如图1所示的带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法加工而成。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (10)
1.一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，包括：
步骤(1)：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；
步骤(2)：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；
步骤(3)：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；
步骤(4)：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。
2.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(1)中，采用旋涂或化学气相沉积的成膜工艺在第一衬底上形成一层低介电常数、低介质损耗和超薄的介质膜。
3.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(1)中，采用薄膜工艺，依次经过真空镀膜、光刻、电镀、腐蚀这些操作，在超薄介质薄膜上制作THz薄膜电路图形。
4.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，采用粘接剂把电路图形正面粘接到第二衬底上，并确保粘接平整。
5.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，采用化学腐蚀液去除第一衬底，使THz薄膜电路转移至第二衬底上，选用的化学腐蚀液只能腐蚀去除第一衬底，不能对第二衬底造成腐蚀。
6.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(3)中，采用真空镀膜方法在THz薄膜电路介质背面沉积一层金属薄膜，然后采用光刻和电镀方法制作局部加强金属支撑层。
7.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(4)中，采用高精度划片机，对THz薄膜电路进行划切分割操作。
8.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(4)中，去除粘接剂，使THz薄膜电路与第二衬底分离。
9.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，所述步骤(4)中，对THz薄膜电路进行去清洗操作，形成最终带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路。
10.一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法加工而成。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201711105174.4A CN107863317B (zh) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | 带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路 |
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