CN107846200A - 实现负反馈的功率放大模块 - Google Patents

实现负反馈的功率放大模块 Download PDF

Info

Publication number
CN107846200A
CN107846200A CN201711010465.5A CN201711010465A CN107846200A CN 107846200 A CN107846200 A CN 107846200A CN 201711010465 A CN201711010465 A CN 201711010465A CN 107846200 A CN107846200 A CN 107846200A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amplifier
power amplifier
resistance
voltage
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711010465.5A
Other languages
English (en)
Inventor
陈维刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu West Well Technology Co Ltd
Original Assignee
Chengdu West Well Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu West Well Technology Co Ltd filed Critical Chengdu West Well Technology Co Ltd
Priority to CN201711010465.5A priority Critical patent/CN107846200A/zh
Publication of CN107846200A publication Critical patent/CN107846200A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B2001/0408Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了实现负反馈的功率放大模块,包括压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器、可变增益放大器、压控振荡器、滤波器、鉴频鉴相器、滤波器、加法器、包络检波器,所述压控衰减器接收射频信号和控制信号,所述压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器依次连接,所述末级功率放大器将射频信号输出;所述鉴频鉴相器、滤波器、压控振荡器、可变增益放大器、前置功率放大器依次连接,所述包络检波器、加法器、滤波器依次连接;本发明通过压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器的相互配合以及压控衰减器有效降低了损耗从而实现了降低整个功率放大器的衰减损耗。

Description

实现负反馈的功率放大模块
技术领域
本发明涉及放大器,具体涉及实现负反馈的功率放大模块。
背景技术
射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。射频功率放大器是对输出功率、激励电平、功耗、失真、效率、尺寸和重量等问题作综合考虑的电子电路。在发射系统中,射频功率放大器输出功率的范围可以小至mW,大至数kW,但是这是指末级功率放大器的输出功率。为了实现大功率输出,末前级就必须要有足够高的激励功率电平。
射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,是研究射频功率放大器的关键。而对功率晶体管的要求,主要是考虑击穿电压、最大集电极电流和最大管耗等参数。为了实现有效的能量传输,天线和放大器之间需要采用阻抗匹配网络。现有技术中的功率放大器衰减损耗较高,使得信号失真较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术中的功率放大器衰减损耗较高,使得信号失真较大,目的在于提供实现负反馈的功率放大模块,降低功率放大器的衰减损耗。
本发明通过下述技术方案实现:
实现负反馈的功率放大模块,包括压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器、可变增益放大器、压控振荡器、滤波器、鉴频鉴相器、滤波器、加法器、包络检波器,所述压控衰减器接收射频信号和控制信号,所述压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器依次连接,所述末级功率放大器将射频信号输出;所述鉴频鉴相器、滤波器、压控振荡器、可变增益放大器、前置功率放大器依次连接,所述包络检波器、加法器、滤波器依次连接;所述压控衰减器用于功率放大器输出功率的调节;所述前置功率放大器用于高线性度和高增益;所述驱动级功率放大器用于提高信号驱动功率;所述末级功率放大器用于信号的进一步放大。
本发明能够达到输出功率大于53dB,输入信号在3dB附近,功率放大器整体增益需要大于50dB。本发明采用三级放大结构,分别为前置、驱动和末级放大器,较小的输入信号首先经过压控可调衰减器,该电路主要用于功率放大器输出功率的调节。输入信号经过三级电路放大后,在输出端经过耦合器后输出。耦合信号经过衰减和检波后得到电压信号,进而得到控制信号对放大器的输出进行控制。每一级放大电路的增益依次为15dB、25dB、20dB,第一级放大器一般主要考虑高增益和高线性度,此外工作带宽应该宽。本发明的功率放大器主要用于微波源开发,因此对线性指标等要求较低,主要考虑的是充分获得较高的放大器的工作效率和输出功率。第二级放大器的功能是得到较大的信号驱动功率来满足末级芯片的输入要求,最后信号经末级放大得到要求的输出功率。如果获得5dB的负反馈,功率放大器输出端的交调失真将下降5dB,同时系统的增益也要下降5dB。因此序号系统提供足够高的增益,现有晶体管的增益随着频率增加而下降,很难获得高环路增益。
进一步地,前置功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻Rg1、电阻Rg2、电解电容C1、放大器U1、放大器U2和放大器U3,所述放大器U2采用INA121,所述放大器U3采用INA128,所述放大器U2的1引脚连接电阻R1,所述电阻R1与电阻R2串联,所述电阻R2与放大器U2的8引脚连接;所述电阻Rg1一端连接在电阻R1与放大器U2连接的线路上,其另一端与电解电容C1的负极连接,所述电解电容C1的正极连接在电阻R2与放大器U2连接的线路上;所述放大器U1的正向输入端连接在电阻R1与电阻R2连接的线路上;放大器U2的5引脚与放大器U3的2引脚连接,所述放大器U2的6引脚与放大器U3的3引脚连接,所述电阻Rg2连接在放大器U3的引脚和8引脚之间。前置功率放大器采用了两个仪表放大器共同构成的前置放大电路,由于隔直电容与电阻Rg1串联,前置功放采用INA121可以降低成本。
进一步地,驱动级功率放大器采用RA07H4047M。
本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:本发明通过压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器的相互配合以及压控衰减器有效降低了损耗从而实现了降低整个功率放大器的衰减损耗。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明前置功率放大器结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。
实施例
如图1至图2所示,实现负反馈的功率放大模块,包括压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器、可变增益放大器、压控振荡器、滤波器、鉴频鉴相器、滤波器、加法器、包络检波器,所述压控衰减器接收射频信号和控制信号,所述压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器依次连接,所述末级功率放大器将射频信号输出;所述鉴频鉴相器、滤波器、压控振荡器、可变增益放大器、前置功率放大器依次连接,所述包络检波器、加法器、滤波器依次连接;所述压控衰减器用于功率放大器输出功率的调节;所述前置功率放大器用于高线性度和高增益;所述驱动级功率放大器用于提高信号驱动功率;所述末级功率放大器用于信号的进一步放大。驱动级功率放大器采用RA07H4047M。
前置功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻Rg1、电阻Rg2、电解电容C1、放大器U1、放大器U2和放大器U3,所述放大器U2采用INA121,所述放大器U3采用INA128,所述放大器U2的1引脚连接电阻R1,所述电阻R1与电阻R2串联,所述电阻R2与放大器U2的8引脚连接;所述电阻Rg1一端连接在电阻R1与放大器U2连接的线路上,其另一端与电解电容C1的负极连接,所述电解电容C1的正极连接在电阻R2与放大器U2连接的线路上;所述放大器U1的正向输入端连接在电阻R1与电阻R2连接的线路上;放大器U2的5引脚与放大器U3的2引脚连接,所述放大器U2的6引脚与放大器U3的3引脚连接,所述电阻Rg2连接在放大器U3的引脚和8引脚之间。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.实现负反馈的功率放大模块,其特征在于,包括压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器、可变增益放大器、压控振荡器、滤波器、鉴频鉴相器、滤波器、加法器、包络检波器,所述压控衰减器接收射频信号和控制信号,所述压控衰减器、前置功率放大器、驱动级功率放大器和末级功率放大器依次连接,所述末级功率放大器将射频信号输出;所述鉴频鉴相器、滤波器、压控振荡器、可变增益放大器、前置功率放大器依次连接,所述包络检波器、加法器、滤波器依次连接;所述压控衰减器用于功率放大器输出功率的调节;所述前置功率放大器用于高线性度和高增益;所述驱动级功率放大器用于提高信号驱动功率;所述末级功率放大器用于信号的进一步放大。
2.根据权利要求1所述的实现负反馈的功率放大模块,其特征在于,所述前置功率放大器包括电阻R1、电阻R2、电阻Rg1、电阻Rg2、电解电容C1、放大器U1、放大器U2和放大器U3,所述放大器U2采用INA121,所述放大器U3采用INA128,所述放大器U2的1引脚连接电阻R1,所述电阻R1与电阻R2串联,所述电阻R2与放大器U2的8引脚连接;所述电阻Rg1一端连接在电阻R1与放大器U2连接的线路上,其另一端与电解电容C1的负极连接,所述电解电容C1的正极连接在电阻R2与放大器U2连接的线路上;所述放大器U1的正向输入端连接在电阻R1与电阻R2连接的线路上;放大器U2的5引脚与放大器U3的2引脚连接,所述放大器U2的6引脚与放大器U3的3引脚连接,所述电阻Rg2连接在放大器U3的引脚和8引脚之间。
3.根据权利要求1所述的实现负反馈的功率放大模块,其特征在于,所述驱动级功率放大器采用RA07H4047M。
CN201711010465.5A 2017-10-26 2017-10-26 实现负反馈的功率放大模块 Pending CN107846200A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711010465.5A CN107846200A (zh) 2017-10-26 2017-10-26 实现负反馈的功率放大模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711010465.5A CN107846200A (zh) 2017-10-26 2017-10-26 实现负反馈的功率放大模块

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107846200A true CN107846200A (zh) 2018-03-27

Family

ID=61662956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711010465.5A Pending CN107846200A (zh) 2017-10-26 2017-10-26 实现负反馈的功率放大模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107846200A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202197251U (zh) * 2011-07-21 2012-04-18 北京瑞德艾迪科技有限公司 一种功率放大系统
CN102488513A (zh) * 2011-12-05 2012-06-13 中国人民解放军第四军医大学 基于偶极(电荷)源时空模型的脑电源定位装置
EP1293075B1 (en) * 2000-10-25 2013-04-24 ST-Ericsson SA Modulator which uses amplitude restoration
US20140084995A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Broadcom Corporation Envelope detector with enhanced linear range
CN104836536A (zh) * 2015-04-30 2015-08-12 中国科学院微电子研究所 一种基于负反馈的功率放大器结构
CN105119576A (zh) * 2015-08-26 2015-12-02 中国电子科技集团公司第二十七研究所 一种s频段连续波固态高功放装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1293075B1 (en) * 2000-10-25 2013-04-24 ST-Ericsson SA Modulator which uses amplitude restoration
CN202197251U (zh) * 2011-07-21 2012-04-18 北京瑞德艾迪科技有限公司 一种功率放大系统
CN102488513A (zh) * 2011-12-05 2012-06-13 中国人民解放军第四军医大学 基于偶极(电荷)源时空模型的脑电源定位装置
US20140084995A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Broadcom Corporation Envelope detector with enhanced linear range
CN104836536A (zh) * 2015-04-30 2015-08-12 中国科学院微电子研究所 一种基于负反馈的功率放大器结构
CN105119576A (zh) * 2015-08-26 2015-12-02 中国电子科技集团公司第二十七研究所 一种s频段连续波固态高功放装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8649744B2 (en) Radio-frequency transmitter, such as for broadcasting and cellular base stations
KR20080034421A (ko) 비선형 증폭기를 이용한 고효율 rf 송신기 시스템
WO2013033837A1 (en) Radio-frequency circuit having a transcoupling element
CN106374860A (zh) 一种基于电压合成结构的Doherty功率放大器
CN104393843A (zh) 采用多级式辅路放大器的Doherty功率放大器
JP6904506B2 (ja) ドハティ型増幅器
CN207304495U (zh) 一种损耗较低的功率放大器
CN101834571A (zh) 高效线性功率放大电路
CN106505901B (zh) 一种线性-谐振复合式超高频逆变器
Zhao et al. Analysis and design of CMOS Doherty power amplifier using voltage combining method
CN205195694U (zh) 一种s波段低噪声接收前端
CN107846200A (zh) 实现负反馈的功率放大模块
CN102570991A (zh) 射频功率放大器的输出匹配电路
Nguyen et al. Linearity performance of multi-stage TWT amplifiers: Cascade vs. series
CN110855245A (zh) 一种毫米波/太赫兹功率倍频电路
CN107659274A (zh) 具有压控衰减功能的功率放大模块
CN206850729U (zh) 超宽带小型固化功率放大器
JP2017527239A (ja) 広帯域無線周波数電力増幅器
CN201726363U (zh) 提高功率放大器线性度和功率附加效率的电路
CN107210715A (zh) 功率放大设备
CN107846198A (zh) 低损耗功率放大装置
CN207304504U (zh) 一种高衰减值的压控衰减器
CN109802640A (zh) 一种射频功率放大器
CN112087204A (zh) 功分器及利用负载调制技术提升功放回退区效率的方法
Probst et al. High frequency power amplifier for wideband wireless communication systems

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180327