CN207304504U - 一种高衰减值的压控衰减器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高衰减值的压控衰减器，包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，所述电解电容C2的正极接地，其负极与直流电源V1的正极连接；所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接，所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上，其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上；二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接，所述电阻R4和电阻R5串联。本实用新型将π型衰减器中的电阻更换为二极管，改进后的π型衰减器为基础实现了降低损耗的目的。

Description

一种高衰减值的压控衰减器

技术领域

本实用新型涉及放大器，具体涉及一种高衰减值的压控衰减器。

背景技术

射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。射频功率放大器是对输出功率、激励电平、功耗、失真、效率、尺寸和重量等问题作综合考虑的电子电路。在发射系统中，射频功率放大器输出功率的范围可以小至mW，大至数kW，但是这是指末级功率放大器的输出功率。为了实现大功率输出，末前级就必须要有足够高的激励功率电平。

射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率，是研究射频功率放大器的关键。而对功率晶体管的要求，主要是考虑击穿电压、最大集电极电流和最大管耗等参数。为了实现有效的能量传输，天线和放大器之间需要采用阻抗匹配网络。现有技术中的功率放大器衰减损耗较高，使得信号失真较大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中的功率放大器衰减损耗较高，使得信号失真较大，目的在于提供一种高衰减值的压控衰减器，降低功率放大器的衰减损耗。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种高衰减值的压控衰减器，包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，所述电解电容C2的正极接地，其负极与直流电源V1的正极连接；所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接，所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上，其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上；二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接，所述电阻R4和电阻R5串联，所述二极管D2的阳极与电阻R4连接电阻R5端的另一端连接；所述电阻R5连接电阻R4端的另一端连接二极管D4的阳极，所述二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接；所述电解电容C3的阳极连接在二极管D1与二极管D2连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R8一端连接在电解电容C3与二极管D1连接的线路上；所述电解电容C4的阳极连接在二极管D3与二极管D4连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R7一端连接在电解电容C4与二极管D3连接的线路上；电阻R6一端连接在电阻R4与电阻R5连接的线路上，其另一端与直流电源V2的正极，其负极接地；所述电解电容C6的负极连接在二极管D2与电阻R4连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极；所述电解电容C5的负极连接在二极管D4与电阻R5连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极。

本实用新型的压控衰减器以π型衰减器为基础，二极管选用的是HSMP-3814管，由两个负极项链的低失真二极管组成，每个二极管都具有较好的线性度和较低的截止频率，由于寄生电感的影响，压控衰减器上限工作频率约为3GHz。π型衰减电路中的电阻用两个二极管代替可以简化偏置网络，此外还可以提高最大衰减值，代替电阻的两个二极管反向连接，相位相差180度，能够消除信号中的偶次谐波失真。电阻R4和电阻R5为相对应二极管的偏流电阻，其电阻值选取需要足够大来降低插入损耗，其余电阻用于调节二极管间的电流分配。

进一步地，电解电容C2容值为1000uF，电解电容C3容值为220pF，电解电容C4容值为220pF，电解电容C5容值为1000pF、电解电容容值为1000pF。

进一步地，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均采用HSMP-3814管。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本实用新型将π型衰减器中的电阻更换为二极管，改进后的π型衰减器为基础实现了降低损耗的目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例

如图1所示，一种高衰减值的压控衰减器，包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，所述电解电容C2的正极接地，其负极与直流电源V1的正极连接；所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接，所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上，其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上；二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接，所述电阻R4和电阻R5串联，所述二极管D2的阳极与电阻R4连接电阻R5端的另一端连接；所述电阻R5连接电阻R4端的另一端连接二极管D4的阳极，所述二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接；所述电解电容C3的阳极连接在二极管D1与二极管D2连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R8一端连接在电解电容C3与二极管D1连接的线路上；所述电解电容C4的阳极连接在二极管D3与二极管D4连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R7一端连接在电解电容C4与二极管D3连接的线路上；电阻R6一端连接在电阻R4与电阻R5连接的线路上，其另一端与直流电源V2的正极，其负极接地；所述电解电容C6的负极连接在二极管D2与电阻R4连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极；所述电解电容C5的负极连接在二极管D4与电阻R5连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极。

所述电解电容C2容值为1000uF，电解电容C3容值为220pF，电解电容C4容值为220pF，电解电容C5容值为1000pF、电解电容容值为1000pF。所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均采用HSMP-3814管。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种高衰减值的压控衰减器，其特征在于，包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，所述电解电容C2的正极接地，其负极与直流电源V1的正极连接；所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接，所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上，其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上；二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接，所述电阻R4和电阻R5串联，所述二极管D2的阳极与电阻R4连接电阻R5端的另一端连接；所述电阻R5连接电阻R4端的另一端连接二极管D4的阳极，所述二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接；所述电解电容C3的阳极连接在二极管D1与二极管D2连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R8一端连接在电解电容C3与二极管D1连接的线路上；所述电解电容C4的阳极连接在二极管D3与二极管D4连接的线路上，其阴极接地；所述电阻R7一端连接在电解电容C4与二极管D3连接的线路上；电阻R6一端连接在电阻R4与电阻R5连接的线路上，其另一端与直流电源V2的正极，其负极接地；所述电解电容C6的负极连接在二极管D2与电阻R4连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极；所述电解电容C5的负极连接在二极管D4与电阻R5连接的线路上，其阳极连接直流电源V2的负极。

2.根据权利要求1所述的一种高衰减值的压控衰减器，其特征在于，所述电解电容C2容值为1000uF，电解电容C3容值为220pF，电解电容C4容值为220pF，电解电容C5容值为1000pF、电解电容容值为1000pF。

3.根据权利要求1所述的一种高衰减值的压控衰减器，其特征在于，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均采用HSMP-3814管。