CN107833868B - 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 - Google Patents
基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107833868B CN107833868B CN201711065253.7A CN201711065253A CN107833868B CN 107833868 B CN107833868 B CN 107833868B CN 201711065253 A CN201711065253 A CN 201711065253A CN 107833868 B CN107833868 B CN 107833868B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- integrated circuit
- layers
- periodic
- optical
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统,包括集成电路区,以及位于集成电路周围的光制冷区。本发明提供的周期性电介质结构的集成电路制冷系统,可利用参数不同的结构分别形成光子带隙和声子带隙,局域光子缺陷模式和声子缺陷模式,形成光机耦合腔。通过对光子和声子缺陷模式的局域,最终实现光子和声子的高效耦合。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路和硅基微纳光子器件技术领域,尤其是一种周期性电介质结构的集成电路制冷系统。
背景技术
随着通信电子产品及设备向高速高频化、高集成度、小型化方向发展促使电子元器件集成度不断提高,相应的使得电子元器件内部功率密度不断突破新高,使得电子元器件发热量越来越大,影响了电子元器件的工作寿命。高温不但对其介电材料、孔内镀层和表面焊接点存在直接威胁,而且还间接影响到高频信号的传输质量。
传统的解决方法是通过散热来降低器件的温度,按照散热方式可以分成主动式散热和被动式散热两种。主动式散热方式就是通过使用热传导材料(例如:铝,铜)制成的散热片将电子元器件散发的热量直接传导出来,然后借助热辐射、自然对流自然地将热量散发至周围环境中去,其散热效果和散热片的大小成正比。被动式散热就是通过散热设备将散热片发出的热量带走,其散热效率得到提高。但是传统散热方法器件集成度不高,设备稳定性不好,且成本较高。
随着新世纪现代物理学的发展,人们开始探索介观,甚至宏观物体的量子现象。腔光机力学(Cavity Optomechanics)作为探索介观量子物理的方向,近年来受到了广泛关注并迅速发展。声子是物质晶格机械振动的量子化描述,腔光机力学研究光子-声子的相互作用,在腔光机系统中同时支持光学模式和机械模式,光通过光力影响机械振动,机械振动又反过来通过改变光模,实现光模和机械模式的相互作用,也就是光子和声子的相互耦合。光机晶体是一种具有一定周期结构的微纳器件,同时支持光子和声子能带。这使得光机晶体可以同时操控光子和声子,利用光机晶体微腔同时局域和调控光子-声子,甚至可以将介观/宏观尺度的片上系统致冷至量子基态,即不含声子的“超冷”真空态,这一结果是十分诱人的。
利用光机晶体腔来实现集成电路系统的制冷具有美好的研究前景,但在实验研究上仍有许多待解决的问题。例如:如何增强光子和热声子的耦合强度等。
发明内容
本发明是为了解决如何利用不同设计参数的光机耦合腔,最终实现光子和声子的高效耦合,从而实现高效制冷。
为解决上述技术问题,本发明一种基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统。通过在多层集成电路层周围引入周期性介质结构,形成光机耦合腔,将所述层产生的热转换为光能输出,所述热的所述转换可沿着所述层的全部长度。
本发明具体是这样实现的:
一种基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统,包括:
集成电路区,以及位于集成电路周围的光制冷区。
更进一步的方案是:
所述的光制冷区为横向光机晶体腔,所述的横向光机晶体腔包括:硅衬底、二氧化硅隔离层、硅平板、顶层二氧化硅层和空气隔离区;
所述硅衬底,用于承载整个横向光机晶体腔;
所述二氧化硅隔离层,用于隔离所述硅衬底和硅平板;
所述硅平板,位于所述二氧化硅隔离层之上,所述硅平板包括不同大小的空气孔阵列,其用于局域光子和热声子缺陷模式,实现光子和热声子的耦合;其中集成电路区位于硅平板的中间;
所述顶层二氧化硅层,位于所述硅平板之上,其与所述二氧化硅隔离层配合以保护所述硅平板;
所述空气隔离区,位于横向光机晶体腔的下部,且位于硅衬底与硅平板之间。
其中,所述空气孔沿集成电路区两侧对称分布,且空气孔的半径从外至内依次减小;
所述硅平板的波导宽度为300nm-800nm,厚度为200nm-500nm;
所述二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层的厚度为300nm~3μm。
采用电子束曝光和干法刻蚀工艺在所述硅平板上形成输入波导区、横向光机晶体腔、输出波导区。
更进一步的方案是:
所述的光制冷区为纵向DBR腔,包括:多层周期性介质层和位于多层周期性介质层之间的集成电路区;
所述多层周期性介质层,由交替的多层高折射率和低折射率材料组成;
所述集成电路区为多层集成电路层,采用3D裸片堆叠技术;
所述裸片包括有源表面和衬底;
所述有源表面将多个层间电路通道耦合在一起;
所述层间电路通道在所述裸片间隙之间形成;
所述衬底,用于支撑电路结构。
其中,所述多层周期性介质层厚度为300nm-400nm;多层周期性介质层是由AlN(XX1)和GaN(XX2)两种材料交替而成,其折射率分别为2.30(n1)和2.43(n2)。
区别于背景技术,本发明提供的周期性电介质结构的集成电路制冷系统,可利用参数不同的结构分别形成光子带隙和声子带隙,局域光子缺陷模式和声子缺陷模式,形成光机耦合腔。通过对光子和声子缺陷模式的局域,最终实现光子和声子的高效耦合。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔制冷系统示意图;
图2是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的三维孔结构单元;
图3是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的示意图;
图4是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的光子能带图;
图5是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的声子能带图;
图6是本发明实施例2提供的纵向DBR腔制冷系统示意图;
图7是本发明实施例2提供的纵向DBR腔的周期介质层结构;
图8是本发明实施例2提供的集成电路层结构示意图;
图9是本发明实施例2提供的纵向DBR腔的光子能带图;
图10是本发明实施例2提供的纵向DBR腔的声子能带图。
具体实施方式
为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例1
请参阅图1至图3,图3为本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的示意图,所述光机晶体腔包括:硅衬底1、二氧化硅隔离层2、硅平板3、顶层二氧化硅层4和空气隔离区5。
所述硅衬底1,用于承载整个光机晶体腔。
所述二氧化硅隔离层2,用于隔离所述硅衬底1和硅平板3。
所述硅平板3,位于所述二氧化硅隔离层2之上,所述硅平板包括不同大小的空气孔阵列,其用于局域光子和热声子缺陷模式,实现光子和热声子的耦合;
所述顶层二氧化硅层4,位于所述硅平板3之上,其与所述二氧化硅隔离层2配合以保护所述硅平板3。
所述空气隔离区5,位于所述二氧化硅隔离层2和顶层二氧化硅层4之间。
图2是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔的三维孔结构单元,通过改变不同几何结构参数,最终实现光子和声子的高效耦合,从而实现高效制冷。
图1是本发明实施例1提供的横向光机晶体腔制冷系统示意图,其光子能带和声子能带请参阅图4和图5。
可选的,所述硅平板3的波导宽度为300nm-800nm。
可选的,所述二氧化硅层4的厚度为300nm~3μm。
可选的,采用电子束曝光和干法刻蚀工艺在所述硅平板上形成输入波导区、光机晶体腔区、输出波导区。
实施例2
请参阅图6至图8,图7为本发明实施例2提供的纵向DBR腔的周期介质层结构,包括:高折射率介质层6,低折射率介质层8、集成电路层7。
图8为本发明实施例2提供的集成电路层结构示意图,采用3D裸片堆叠技术;
所述裸片11包括有源表面9和衬底10;
所述有源表面将多个层间电路通道12耦合在一起;
所述层间电路通道在所述裸片间隙之间形成;
所述衬底,用于支撑电路结构。
图6为本发明实施例2提供的纵向DBR腔制冷系统示意图,其光子能带和声子能带请参阅图9和图10。
可选的,所述多层周期性介质层厚度为300nm-400nm。
可选的,所述多层周期性介质层是由AlN(XX1)和GaN(XX2)两种材料交替而成,其折射率分别为2.30(n1)和2.43(n2)。
基于上述描述,本发明提供的周期性电介质结构的集成电路制冷系统,可利用结构类似但参数不同来分别形成光子带隙和声子带隙,局域光子缺陷模式和声子缺陷模式,形成光机耦合腔。通过对光子和声子缺陷模式的局域,最终实现光子和声子的高效耦合。
尽管这里参照本发明的解释性实施例对本发明进行了描述,上述实施例仅为本发明较佳的实施方式,本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,应该理解,本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式,这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。
Claims (2)
1.一种基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统,其特征在于,包括:
集成电路区,以及位于集成电路周围的光制冷区,所述的光制冷区具有以下结构:
所述的光制冷区为纵向DBR腔,包括:多层周期性介质层和位于多层周期性介质层之间的集成电路区;所述多层周期性介质层,由交替的多层高折射率和低折射率材料组成;所述集成电路区为多层集成电路层,采用3D裸片堆叠技术,裸片包括有源表面和衬底;所述有源表面将多个层间电路通道耦合在一起;所述层间电路通道在所述裸片间隙之间形成;所述衬底,用于支撑电路结构。
2.根据权利要求1所述的基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统,其特征在于:
所述多层周期性介质层厚度为300nm-400nm;多层周期性介质层是由AlN和GaN两种材料交替而成,其折射率分别为2.30和2.43。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711065253.7A CN107833868B (zh) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711065253.7A CN107833868B (zh) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107833868A CN107833868A (zh) | 2018-03-23 |
CN107833868B true CN107833868B (zh) | 2020-01-31 |
Family
ID=61650466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711065253.7A Active CN107833868B (zh) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107833868B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107833868B (zh) * | 2017-11-02 | 2020-01-31 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999052341A3 (en) * | 1998-04-10 | 1999-12-23 | Univ California | Optical refrigerator using reflectivity tuned dielectric mirror |
CN2408572Y (zh) * | 1999-12-23 | 2000-11-29 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 | 用于大规模集成电路冷却的激光制冷器 |
US6378321B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor-based optical refrigerator |
CN101588019A (zh) * | 2009-06-19 | 2009-11-25 | 北京工业大学 | 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 |
CN102456779A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-05-16 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 一种高散热led芯片的制作方法 |
CN102494434A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 大连海事大学 | 一种反斯托克斯荧光制冷方法 |
CN103728692A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-16 | 清华大学 | 一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔 |
CN105423598A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-23 | 龚炳新 | 光制冷和制热机 |
CN107221574A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-09-29 | 中山德华芯片技术有限公司 | 应用于多结太阳能电池的复合dbr结构及其制备方法 |
CN107833868A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-03-23 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
CN107845627A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-27 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 多接近度检测光传感器 |
-
2017
- 2017-11-02 CN CN201711065253.7A patent/CN107833868B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999052341A3 (en) * | 1998-04-10 | 1999-12-23 | Univ California | Optical refrigerator using reflectivity tuned dielectric mirror |
CN2408572Y (zh) * | 1999-12-23 | 2000-11-29 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 | 用于大规模集成电路冷却的激光制冷器 |
US6378321B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor-based optical refrigerator |
CN101588019A (zh) * | 2009-06-19 | 2009-11-25 | 北京工业大学 | 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 |
CN102456779A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-05-16 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 一种高散热led芯片的制作方法 |
CN102494434A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 大连海事大学 | 一种反斯托克斯荧光制冷方法 |
CN103728692A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-16 | 清华大学 | 一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔 |
CN105423598A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-23 | 龚炳新 | 光制冷和制热机 |
CN107221574A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-09-29 | 中山德华芯片技术有限公司 | 应用于多结太阳能电池的复合dbr结构及其制备方法 |
CN107845627A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-27 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 多接近度检测光传感器 |
CN107833868A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-03-23 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107833868A (zh) | 2018-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102452613B1 (ko) | 안테나 어셈블리 및 안테나 어셈블리를 포함하는 장치 | |
Lau et al. | 3D LED and IC wafer level packaging | |
US20130026509A1 (en) | Three-dimensional led substrate and led lighting device | |
CN107833868B (zh) | 基于周期性电介质结构的光制冷集成电路系统 | |
KR102253473B1 (ko) | 회로기판 | |
TW201724638A (zh) | 帶有用於裝置對裝置通訊的嵌入式基體空腔之微電子裝置 | |
KR102295105B1 (ko) | 회로기판 및 회로기판 제조방법 | |
KR102116986B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
US20130133864A1 (en) | Heat distribution structure, manufacturing method for the same and heat-dissipation module incorporating the same | |
US20110266580A1 (en) | Light source comprising a light recycling device and corresponding light recycling device | |
CN103368065A (zh) | 一种固态激光器阵列的封装结构及其封装方法 | |
CN105305206A (zh) | 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉 | |
KR20140005079U (ko) | 높은 방열 특성을 갖는 전각도 발광 소자 | |
CA2398221A1 (en) | Spontaneous emission enhanced heat transport method and structures for cooling, sensing, and power generation | |
CN111836513A (zh) | 散热器组件、制造散热器组件的方法以及电气装置 | |
TW201703289A (zh) | 包括量子點的經密封裝置及用於製作相同物的方法 | |
CN107147006A (zh) | 基于石墨烯和脊型波导的表面等离子激光器 | |
Xie et al. | 580-nm-thick vertical-structure light-emitting diode for visible light communication | |
KR20100097201A (ko) | 저잡음 냉각 장치 | |
JP2014503124A (ja) | チップスケールパッケージの発光装置 | |
JP2014154884A (ja) | 三次元一体型光電集積回路 | |
KR101362122B1 (ko) | 초고속 광 송수신 모듈 | |
US20230221083A1 (en) | Radiative heatsink | |
CN110690645A (zh) | 激光器阵列驱动装置及其封装方法 | |
KR101525653B1 (ko) | 3차원 집적회로 구조체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |