CN107809251B - 一种数模转换电路及其方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种数模转换电路及其方法、显示装置，该电路包括：分压子电路提供2m个分压信号端和2n‑m‑1个子分压信号端、第一电压选择子电路接收数字信号的第1位至第n‑m位，并将数字信号的第1位至第n‑m位转换为第一模拟信号；第二电压选择子电路接收数字信号的第n‑m+1位至第n位，并将数字信号的第n‑m+1位至第n位转换为第二模拟信号；缓冲子电路根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。本发明实施例提供的数模转换电路可以简化数模转换电路结构、减小数模转换电路的占用芯片面积，适用于高分辨率AMOLED。

Description

一种数模转换电路及其方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种数模转换电路及其方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)显示与其他显示技术相比，具有超轻薄、宽视角、低功耗、响应速度快颜色自然等优点，是下一代主流显示技术的最有利竞争者。AMOLD显示系统中，列驱动电路将数字图像信号转换成相应的模拟信号直接提供给OLED像素阵列，列驱动电路包括：移位寄存器、采样寄存器、数据锁存器、电平转换电路、数模转换电路(Digital-to-Analog Converter，简称DAC)和输出缓冲器电路等。每个列驱动电路中存在数百个甚至上千的DAC，因此，DAC的面积对整个列驱动电路的面积有很大的影响。
随着高清显示技术的发展，对显示器中的DAC的性能要求越来越高，一般通常要求在10比特以上。经发明人研究发现，目前的DAC中需要的电阻数目和参考电压点较多，导致其结构复杂、占用芯片面积也比较大，不适用于高分辨率AMOLED。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种数模转换电路及其方法、显示装置，用于解决现有技术中数模转换电路结构复杂、占用芯片面积大、不适用于高分辨率AMOLED的问题。
在一个方面，本发明实施例提供了一种数模转换电路，包括：分压子电路、第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和缓冲子电路；
所述分压子电路包括：2m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端；
所述第一电压选择子电路，与分压子电路的第i分压信号端、第i+1分压信号端和2n-m-1个子分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将所述数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；
所述第二电压选择子电路，与分压子电路的2m个分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将所述数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；
所述缓冲子电路，分别与第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和分压子电路的第i分压信号端连接，被配置为根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。
可选地，所述分压子电路还包括：具有串联连接的2m-1个电阻的电阻串、高参考电压端和低参考电压端；
所述电阻串包括2m个串联节点，按照电压由低到高依次定位为第0至第2m-1个串联节点；所述第0串联节点与所述低参考电压端相连，所述第2m-1个串联节点与所述高参考电压端相连；所述第0至第2m-1串联节点与所述第0至第2m-1分压信号端对应相连；
位于第i串联节点与第i+1串联节点之间的电阻包括：2n-m个子电阻串联连接的子电阻串；
所述子电阻串包括2n-m-1个串联子节点，按照电压从低到高依次定位为第1至第2n -m-1个串联子节点，所述第1至第2n-m-1个串联子节点与所述第1至第2n-m-1子分压信号端对应相连。
可选地，第一电压选择子电路为n-m位二进制开关树形的第一开关网络；
所述第一开关网络的各输入端连接于第i分压信号端、第i+1分压信号端和第1至第2n-m-1子分压信号端，输出端连接于缓冲子电路的正向输入端。
可选地，第二电压选择子电路为m位二进制开关树形的第二开关网络；
所述第二开关网络的各输入端连接于第0至第2m-1分压信号端，输出端连接与缓冲子电路的正向输入端。
可选地，所述第i分压信号端与所述缓冲子电路的负向信号端连接。
可选地，所述第一开关网络和第二开关网络中的开关包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
可选地，在第一开关网络中，与第i分压信号端和第1至第2n-m-1-1子分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2n-m-1至第2n-m-1子分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
在第二开关网络中，与第0至第2m-1-1分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2m-1至第2m-1分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
在另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述数模转换电路。
在另一方面，本发明实施例提供了一种采用上述数模转换电路的数模转换方法，包括：
接收数字信号的第1位至第n-m位，并将所述数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；
接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将所述数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；
根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。
可选地，所述根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号包括：
计算第一模拟信号加上第二模拟信号减去第i分压信号端的信号，生成所述数字信号对应的模拟信号。
本发明实施例提供一种数模转换电路及其方法、显示装置，其中，该数模转换电路包括：分压子电路、第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和缓冲子电路；分压子电路包括：2m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端；第一电压选择子电路，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；第二电压选择子电路，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；缓冲子电路，被配置为根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。本发明实施例提供的数模转换电路，采用分段模式，通过上述四个子电路的相互配置，仅需要2m+2n -m-1分压信号端和2m+2n-m-2个电阻，即可以输出2n个不同电压的模信号，可以简化数模转换电路结构、减小数模转换电路的占用芯片面积，适用于高分辨率AMOLED。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明实施例技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明实施例的技术方案，并不构成对本发明实施例技术方案的限制。
图l为现有技术中电阻串分压式10bit DAC的结构示意图；
图2为现有技术中两级DAC的第一级电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的数模转换电路的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的数模转换电路的结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的第一电压选择子电路的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的数模转换方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明实施例的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语一直出该词前面的元件或误检涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
目前，一般使用于显示器的数模转换电路DAC主要由电流舵式和电阻串分压式。其中，电流舵式DAC虽然具有高速、高精度等优点，但当其用于驱动信号向传输线传输时，为了抑制传输信号的反射，必须使电流舵式DAC的输出阻抗等于传输线的特征阻抗，导致功耗较大。电阻串分压式DAC虽然具有结构简单、噪声小、线性度好等优点，但是电阻串分压式DAC的精度主要由电阻串的匹配性决定。
图1为现有技术中电阻串分压式l0bit DAC的结构示意图，如图1所示，电阻串分压式10bit DAC一般包括：电阻串以及十位二进制开关网络。其中，电阻串包括1024个串联的阻值相同的电阻Rx(x＝0、1、2...1023)，电阻串包括1025个串联节点，十位二进制选择开关网络包括2046个开关。电阻串中的串联节点分别与十位二进制选择开关网络的各信号输入端对应连接，数字信号B0～B9通过控制十位二进制开关网络从电阻串中选择对应的参考电压，实现数字信号到模拟信号的转换。由于上述10bit DAC中需要的电阻数目为1024个，需要的参考电压点为1024个，导致其结构复杂，并且该10bit DAC一般在芯片中占用面积高大60％-70％，导致占用芯片面积较大，不适用于高分辨率AMOLED。
为了解决上述问题，一些采用两级结构的10bit DAC被提出来。图2为现有技术中两级DAC的第一级电路的结构示意图，如图2所示，两级结构的10bit DAC的第一级包括：一个全局电阻串和一个相邻电压选择器，相邻电压的选择通过两个单电压选择电路实现，其作用是分别从全局电阻串中选择相邻的两个电压值VL和VH，第二级电路可以通过电阻串分压或电容分压等方式实现精确分压。对于第一级为n-m位的DAC，第一级由两组n-m位的单电压选择电路组成。图2是以n＝10，m＝3为例进行说明的，虽然两级结构的DAC的电阻数量为电阻串分压式10bit DAC的1/4，虽然电阻数量少了一些，但是参考电压点数并没有减少，其结构仍复杂，占用芯片面积较大，不适用于高分辨率AMOLED。
为了解决现有技术中数模转换电路结构复杂、占用芯片面积大、不适用于高分辨率AMOLED的问题，本发明实施例提供了一种数模转换电路及其方法、显示装置。
实施例一
图3为本发明实施例提供的数模转换电路的结构示意图之一，如图3所示，本发明实施例提供的数模转换电路包括：分压子电路10、第一电压选择子电路20、第二电压选择子电路30和缓冲子电路40。
在本实施例中，分压子电路10包括：2m个分压信号端(图中未示出)，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端。
具体的，分压子电路为全局电阻串，需要说明的是，n的取值与显示器中的DAC的性能要求有关，若显示器中的DAC的性能要求在10bit，则n＝10。另外，m的取值大于等于0，且小于等于n。
第一电压选择子电路20，与分压子电路10的第i分压信号端、第i+1分压信号端和2n-m-1个子分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号。
若数字信号为10位二进制序列D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0，D0～D9＝0或1，其中，D0为数字信号的第1位，D1为数字信号的第2位，D3为数字信号的第3位，依次类推，D9为数字信号的第10位。
具体的，第一电压选择子电路转换数字信号的第1位至第n-m位，即第一电压选择子电路转换的为低灰阶数字信号。
可选地，i大于等于1，且小于等于2m，本发明并不限定i的具体取值范围，优选地，i为2m-1-1。
第二电压选择子电路30，与分压子电路10的2m个分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号。
具体的，第二电压选择子电路转换数字信号的第n-m+1位至第n位，即第二电压选择子电路转换的为高灰阶数字信号。
缓冲子电路40，分别与第一电压选择子电路10、第二电压选择子电路20和分压子电路30的第i分压信号端连接，被配置为根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。
具体的，缓冲子电路的输入端还与向数模转换电路的模拟信号输出端连接。
具体的，缓冲子电路根据第一模拟信号加第二模拟信号减去第i分压信号端的信号生成数字信号。需要说明的是，本发明实施例中的缓冲子电路集成了加法器的功能，从而节省一个运放的面积。
本发明实施例提供的数模转换电路包括：分压子电路、第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和缓冲子电路；分压子电路包括：2m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端；第一电压选择子电路，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；第二电压选择子电路，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；缓冲子电路，被配置为根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。本发明实施例提供的数模转换电路，采用分段模式，通过上述四个子电路的相互配置，仅需要2m+2n-m-1分压信号端和2m+2n-m-2个电阻，即可以输出2n个不同电压的模拟信号，可以简化数模转换电路结构、减小数模转换电路的占用芯片面积，适用于高分辨率AMOLED。
在具体实施时，图4为本发明实施例提供的数模转换电路的结构示意图之二，图4是以n＝10，m＝7为例进行说明的，在本发明实施例提供的数模转换电路中，如图4所示，分压子电路10还包括：具有串联连接的2m-1个电阻的电阻串、高参考电压端和低参考电压端，电阻串包括2m个串联节点，按照电压由低到高依次定位为第0至第2m-1个串联节点；第0串联节点与低参考电压端相连，第2m-1个串联节点与高参考电压端相连；第0至第2m-1串联节点与第0至第2m-1分压信号端对应相连。
具体的，如图4中，电阻串中包括127个阻值相同的电阻Rx(x＝0、1…126)和128个串联节点Ni(i＝0、1…、127)。
位于第i串联节点与第i+1串联节点之间的电阻包括：2n-m个子电阻串联连接的子电阻串；子电阻串包括2n-m-1个串联子节点(图中未示出)，按照电压从低到高依次定位为第1至第2n-m-1个串联子节点，第1至第2n-m-1个串联子节点与第1至第2n-m-1子分压信号端对应相连。
可选地，2n-m个子电阻的电阻均相同。
具体的，第0至第2m-1个串联节点对应的信号的电位分别为V0、V1、V2...V2m-1。
可选地，第i分压信号端与缓冲子电路的负向信号端连接。
可选地，图5为本发明实施例提供的第一电压选择子电路的结构示意图，如图5所示，第一电压选择子电路为n-m位二进制开关树形的第一开关网络。需要说明的是图5是以n＝10，m＝7为例进行说明的，即图5表示的是3位二进制开关树形的第一网络开关。
可选地，第一开关网络的各输入端连接于第i分压信号端、第i+1分压信号端和第1至第2n-m-1子分压信号端，输出端连接于缓冲子电路的正向输入端。
具体的，根据数字信号的第0位至第n-m位转换为第一模拟信号，例如，以i＝63为例进行说明，当D2D1D0依次为000、001、……110、111时，输出分别为如表1所示：
表1
D2D1D0 V
000 V63
001 V63+1/8(V64-V63)
010 V63+2/8(V64-V63)
011 V63+3/8(V64-V63)
100 V63+4/8(V64-V63)
101 V63+5/8(V64-V63)
110 V63+6/8(V64-V63)
111 V63+7/8(V64-V63)
可选地，第一开关网络中的开关包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。需要说明的是，在第一开关网络中，与第i分压信号端和第1至第2n-m-1-1子分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2n-m-1至第2n-m-1子分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
可选地，第二电压选择子电路为m位二进制开关树形的第二开关网络，第二开关网络的各输入端连接于第0至第2m-1分压信号端，输出端连接与缓冲子电路的正向输入端。
具体的，根据数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号，例如，当D9D8D7D6D5D4D3依次分别为0000000、0000001……1111110、111111输出分别为V0、V1……V126、V127。
可选地，第二开关网络中的开关包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，需要说明的是，在第二开关网络中，与第0至第2m-1-1分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2m-1至第2m-1分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
在本实施例中，第一电压选择子电路和第二电压选择子电路中采用P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS管，代替传输门作为开关，且高灰阶用PMOS管，保证了全范围传输，在改进基础上再次减小一半的开关数，进一步地，减少了占用芯片的面积。
可选地，如图4所示，以n＝10，m＝3，i＝63为例进行说明，缓冲子电路40有多个输入分别为：第一电压选择子电路10的输出INPUT2，第二电压选择子电路20的输出INPUT1，第i分压信号端的信号INPUT3，因此输出VOUT为INPUT1+(INPUT2-INPUT3)，故最终输出为INPUT1+N/8(V64-V63)，其中，N为0～7的整数，INPUT1由高7bit灰阶电压选出，N值由低3bit决定，从而实现10bit的精度。
实施例二
基于上述实施例的发明构思，图6为本发明实施例提供的数模转换方法的流程图，该数模转换方法采用实施例一提供的数模转换电路实施，数模转换电路包括：分压子电路、第一电压转换子电路、第二电压转换子电路和缓冲子电路，分压子电路包括：2m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端，如图6所示，本发明实施例提供的数模转换方法具体包括以下步骤：
步骤100、接收数字信号的第1位至第n-m位，并将数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号。
步骤200、接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号。
步骤300、根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号。
具体的，步骤300中的根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号包括：计算第一模拟信号加上第二模拟信号减去第i分压信号端的信号，生成数字信号对应的模拟信号。
其中，数模转换电路为实施例一提供的数模转换电路，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
本发明实施例提供的数模转换方法，采用数模转换电路实现，具体包括：接收数字信号的第1位至第n-m位，并将数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；根据第一模拟信号、第二模拟信号和第i分压信号端的信号生成数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号，本发明实施例提供的数模转换方法，采用数模转换电路实施，采用分段模式，通过上述四个子电路的相互配置，仅需要2m+2n-m-1分压信号端和2m+2n-m-2个电阻，即可以输出2n个不同电压的模拟信号，可以简化数模转换电路结构、减小数模转换电路的占用芯片面积，适用于高分辨率AMOLED。
实施例三
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括数模转换电路。
其中，数模转换电路为实施例一提供的数模转换电路，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
显示装置可以包括显示面板，数模转换电路可以设置于显示面板上。优选地，该显示装置可以为：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。在不冲突的情况下，本发明的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明实施例所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明实施例而采用的实施方式，并非用以限定本发明实施例。任何本发明实施例所属领域内的技术人员，在不脱离本发明实施例所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明实施例的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种数模转换电路，其特征在于，包括：分压子电路、第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和缓冲子电路；
所述分压子电路包括：2m个分压信号端，按电压由低到高依次定位为第0至第2m-1分压信号端；第i分压信号端与第i+1分压信号端之间包括：2n-m-1个子分压信号端，按电压由低到高依次定位为第1至第2n-m-1子分压信号端；
所述第一电压选择子电路，与分压子电路的第i分压信号端、第i+1分压信号端和2n-m-1个子分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第1位至第n-m位，并将所述数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；
所述第二电压选择子电路，与分压子电路的2m个分压信号端连接，被配置为接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将所述数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；
所述缓冲子电路，分别与第一电压选择子电路、第二电压选择子电路和分压子电路的第i分压信号端连接，被配置为计算第一模拟信号加上第二模拟信号减去第i分压信号端的信号，生成所述数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号；
其中，m的取值大于等于0，且小于等于n；i大于等于1，且小于等于2m；n的取值由所述数模转换电路的性能要求确定。
2.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，所述分压子电路还包括：具有串联连接的2m-1个电阻的电阻串、高参考电压端和低参考电压端；
所述电阻串包括2m个串联节点，按照电压由低到高依次定位为第0至第2m-1个串联节点；所述第0串联节点与所述低参考电压端相连，所述第2m-1个串联节点与所述高参考电压端相连；所述第0至第2m-1串联节点与所述第0至第2m-1分压信号端对应相连；
位于第i串联节点与第i+1串联节点之间的电阻包括：2n-m个子电阻串联连接的子电阻串；
所述子电阻串包括2n-m-1个串联子节点，按照电压从低到高依次定位为第1至第2n-m-1个串联子节点，所述第1至第2n-m-1个串联子节点与所述第1至第2n-m-1子分压信号端对应相连。
3.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，第一电压选择子电路为n-m位二进制开关树形的第一开关网络；
所述第一开关网络的各输入端连接于第i分压信号端、第i+1分压信号端和第1至第2n -m-1子分压信号端，输出端连接于缓冲子电路的正向输入端。
4.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，第二电压选择子电路为m位二进制开关树形的第二开关网络；
所述第二开关网络的各输入端连接于第0至第2m-1分压信号端，输出端连接与缓冲子电路的正向输入端。
5.根据权利要求1所述的数模转换电路，其特征在于，所述第i分压信号端与所述缓冲子电路的负向信号端连接。
6.根据权利要求3所述的数模转换电路，其特征在于，所述第一开关网络包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.根据权利要求4所述的数模转换电路，其特征在于，所述第二开关网络中的开关包括：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.根据权利要求6所述的数模转换电路，其特征在于，在第一开关网络中，与第i分压信号端和第1至第2n-m-1-1子分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2n-m-1至第2n-m-1子分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求7所述的数模转换电路，其特征在于，
在第二开关网络中，与第0至第2m-1-1分压信号端相连接的开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，与第2m-1至第2m-1分压信号端相连接的开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一所述的数模转换电路。
11.一种数模转换方法，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一所述的数模转换电路执行如下操作：
接收数字信号的第1位至第n-m位，并将所述数字信号的第1位至第n-m位转换为第一模拟信号；
接收数字信号的第n-m+1位至第n位，并将所述数字信号的第n-m+1位至第n位转换为第二模拟信号；
计算第一模拟信号加上第二模拟信号减去第i分压信号端的信号，生成所述数字信号对应的模拟信号，并向数模转换电路的模拟信号输出端输出模拟信号；
其中，m的取值大于等于0，且小于等于n；i大于等于1，且小于等于2m；n的取值由所述数模转换电路的性能要求确定。
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