CN107785310B - 一种柔性基板的剥离方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种柔性基板的剥离方法，该方法包括于刚性基板的正面形成易侵蚀介质层；于易侵蚀介质层上制备柔性基板；在刚性基板的背面上制作暴露易侵蚀介质层的部分表面的沟槽以及将可溶解易侵蚀介质层的侵蚀药液通过沟槽注入易侵蚀介质层的步骤，实现了柔性基板与刚性基板的快速分离，且由于该剥离方法不会对器件造成损坏，从而提高了产品的良率。

Description

一种柔性基板的剥离方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种柔性基板的剥离方法。
背景技术
柔性显示装置是一种基于柔性基板制作形成的显示装置，由于柔性显示装置具有可卷曲、宽视角、便于携带等优点，因此具有广阔的应用前景以及良好的市场潜力。
然而，对于柔性显示装置而言，其制备过程极易发生褶皱、变形、偏移等问题，在现有的生产工艺中，通常利用刚性基板，将柔性基板材料譬如PI（聚酰亚胺） 涂布在刚性基板上加热烘烤做成柔性基板，并在所述柔性基板上制作电子或光学器件，然后通过激光照射的形式进行剥离，即在高分子基板和玻璃界面施以高强度激光，将界面的一层高分子薄层烧蚀，从而实现剥离。这种剥离方式不仅受到激光扫描尺寸的限制，而且还会在激光照射过程中损坏器件，降低产品良率，这是本领域技术人员所不期望见到的。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明公开了一种柔性基板的剥离方法，包括：
提供一刚性基板，所述刚性基板包括正面和与所述正面相对设置的背面；
于所述刚性基板的正面形成易侵蚀介质层；
于所述易侵蚀介质层上制备柔性基板；
在所述刚性基板的背面上制作沟槽，且所述沟槽暴露所述易侵蚀介质层的部分表面；以及
将可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液通过所述沟槽注入所述易侵蚀介质层，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离。
上述发明具有如下优点或者有益效果：
本发明公开了一种柔性基板的剥离方法，通过在柔性基板和刚性基板之间制作一层易与酸碱反应或被其他溶剂溶解的易侵蚀介质层，进而可以制作完成器件以后，通过可弯折管道将药液加到易侵蚀介质层处并将其侵蚀掉，以实现柔性基板与刚性基板间的快速分离，且由于该剥离方法不会对器件造成损坏，从而提高了产品的良率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明实施例中柔性基板的剥离方法的流程图；
图2～8是本发明实施例中柔性基板的剥离方法的流程结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
如图1所示，本实施例涉及一种柔性基板的剥离方法，具体的，该方法包括：
步骤S1，提供一刚性基板1，且该刚性基板1包括正面和与该正面相对设置的反面，可选的，刚性基板1的材质可为陶瓷材质或石英玻璃材质等；如图2所示的结构。
步骤S2，于刚性基板1的正面形成易侵蚀介质层2，优选的，易侵蚀介质层2的尺寸小于刚性基板1的尺寸；如图3所示的结构。
优选的，采用金属（例如Ag、Al）或者氧化锌（ZnO）等金属氧化物制备上述易侵蚀介质层2。
具体的，根据上述易侵蚀介质层2的材质，可以采用目前常用的薄膜制作方法进行制备，如PVD（磁控溅射）、CVD（(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）、涂布、溶胶凝胶等。对于金属或金属氧化物介质层，可采用磁控溅射工艺制作，也可根据介质层的结构选择多种工艺组合制作，这对本发明并无影响。
在本发明的实施例中，易侵蚀介质层2可以制作成多孔膜层，以减少后续侵蚀药液6的蚀刻时间。
可选的，易侵蚀介质层2可以是一种膜层，也可以是多种薄膜的复合层。
另外，上述易侵蚀介质层2的厚度根据后续提到的导管的尺寸及产能进行设置，其厚度应在微米级，考虑到制作工艺，易侵蚀介质层2的厚度的取值范围为0.5～10μm（例如0.5μm、3μm、7μm或者10μm等）。
步骤S3，于易侵蚀介质层2上制备柔性基板3，如图4所示的结构。
在本发明一个可选的实施例中，于易侵蚀介质层2上制备柔性基板3的步骤具体为：在易侵蚀介质层2上形成柔性衬底，并在柔性衬底上制备显示元件层（柔性衬底和显示元件层图中未标示出）。
优选的，柔性衬底为聚酰亚胺，显示元件层包括阵列层（TFT）或电子或光学器件等（例如发光层、封装层以及保护层等）。
步骤S4，在刚性基板1的背面上制作沟槽4，且沟槽4暴露易侵蚀介质层2的部分表面，优选的，可根据工艺需求自行设置沟槽4的位置和数量，以期达到更好的剥离效果，如图5所示的结构。
具体的，首先要将该正面形成有易侵蚀介质层2和柔性基板3的刚性基板1翻转，使得刚性基板1的背面朝上，之后再进行刻蚀工艺，于刚性基板1的背面上制作暴露易侵蚀介质层2的部分表面沟槽4。
步骤S5，将可溶解易侵蚀介质层2的侵蚀药液6通过沟槽4注入易侵蚀介质层2，以将柔性基板3从刚性基板1上剥离，如图6～8所示的结构。
在本发明一个可选的实施例中，上述方法中，将可溶解易侵蚀介质层2的侵蚀药液6通过沟槽4注入易侵蚀介质层2中，以将柔性基板3从刚性基板1上剥离的步骤具体为：
步骤S51，于沟槽4中插入一可弯折管道5，优选的，该可弯折管道5为导管；
步骤S52，通过可弯折管道5向易侵蚀介质层2中注入可溶解易侵蚀介质层2的侵蚀药液6，以将柔性基板3从刚性基板1上剥离；图6为刚注入侵蚀药液的结构示意图；图7为侵蚀药液已溶解部分易侵蚀介质层的结构示意图；图8为侵蚀药液已完全溶解易侵蚀介质层的结构示意图。
在此，需要说明的是，侵蚀药液6可以是酸性侵蚀药液或碱性侵蚀药液，具体根据介质层的化学性质而定；具体的，酸性侵蚀药液可以是硝酸、磷酸、醋酸、王水等的一种或两种以上的混合物。碱性侵蚀药液可以是氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液等。
综上，本发明公开的柔性基板的剥离方法，该方法包括于刚性基板的正面形成易侵蚀介质层；于易侵蚀介质层上制备柔性基板；在刚性基板的背面上制作暴露易侵蚀介质层的部分表面的沟槽以及将可溶解易侵蚀介质层的侵蚀药液通过沟槽注入易侵蚀介质层的步骤，实现了柔性基板与刚性基板的快速分离，且由于该剥离方法不会对器件造成损坏，从而提高了产品的良率。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (11)

1.一种柔性基板的剥离方法，包括：
提供一刚性基板，所述刚性基板包括正面和与所述正面相对设置的背面；
于所述刚性基板的正面形成易侵蚀介质层；
于所述易侵蚀介质层上制备柔性基板；
在所述刚性基板的背面上制作沟槽，且所述沟槽暴露所述易侵蚀介质层的部分表面；以及
将可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液通过所述沟槽注入所述易侵蚀介质层，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离。
2.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，采用金属或者金属氧化物制备所述易侵蚀介质层。
3.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，制备所述易侵蚀介质层的厚度为0.5～10μm。
4.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，制备所述易侵蚀介质层为多孔膜层。
5.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述侵蚀药液为酸性侵蚀药液或碱性侵蚀药液。
6.如权利要求5所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述酸性侵蚀药液为硝酸、磷酸、醋酸、王水中的任一种或两种以上的混合物。
7.如权利要求5所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述碱性侵蚀药液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
8.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，于所述易侵蚀介质层上制备柔性基板的步骤具体为：在所述易侵蚀介质层上形成柔性衬底，并在所述柔性衬底上制备显示元件层。
9.如权利要求8所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述显示元件层包括阵列层、发光层、封装层以及保护层。
10.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述方法中，所述将可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液通过所述沟槽注入所述易侵蚀介质层中，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离的步骤具体为：
于所述沟槽中插入一可弯折管道；
通过所述可弯折管道向所述易侵蚀介质层中注入所述可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离。
11.如权利要求10所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述可弯折管道为导管。
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