CN107767814B - 像素电路、显示装置和双栅驱动晶体管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素电路、显示装置和双栅驱动晶体管，其中像素电路包括：阈值电压补偿单元，分别与外部控制单元的数据端和第一控制端、双栅驱动晶体管的第一栅极和源极电连接；迁移率补偿单元，分别与外部控制单元的侦测信号端和第二控制端、双栅驱动晶体管的源极电连接；发光控制单元，分别与外部控制单元的数据端和第三控制端、双栅驱动晶体管的第二栅极和源极、发光器件电连接，外部控制单元对阈值电压补偿单元和迁移率补偿单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行阈值电压补偿，并对迁移率补偿单元和发光控制单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行迁移率补偿和控制发光器件发光。由此，可实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿。

Description

像素电路、显示装置和双栅驱动晶体管
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素电路、一种显示装置和一种双栅驱动晶体管。
背景技术
目前，随着显示面板的大力发展，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)以其高的对比度和低的功耗成为未来面板行业的趋势所在。
传统的OLED像素电路为2T1C的驱动结构，具体如图1所示，但是由于驱动晶体管的不稳定性，需要对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。通常对阈值电压进行补偿的方式包括内部补偿和外部补偿，但是不管是内部补偿还是外部补偿，要实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿是非常困难的，因为驱动晶体管的迁移率很难测得，通常需要复杂的电路结构或者复杂的控制时序才能实现。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种像素电路，不仅能够实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，有效改善由于阈值电压漂移和迁移率变化导致的显示不均匀的问题，而且补偿方式简单可靠。
本发明的第二个目的在于提出一种显示装置。
本发明的第三个目的在于提出一种双栅驱动晶体管。
为实现上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种像素电路，包括：第一电源端、双栅驱动晶体管、阈值电压补偿单元、迁移率补偿单元和发光控制单元，所述双栅驱动晶体管的漏极与所述第一电源端电连接；所述阈值电压补偿单元分别与外部控制单元的数据端、所述外部控制单元的第一控制端、所述双栅驱动晶体管的第一栅极和所述双栅驱动晶体管的源极电连接；所述迁移率补偿单元分别与所述外部控制单元的侦测信号端、所述外部控制单元的第二控制端和所述双栅驱动晶体管的源极电连接；所述发光控制单元分别与所述外部控制单元的数据端、所述外部控制单元的第三控制端、所述双栅驱动晶体管的第二栅极、所述双栅驱动晶体管的源极和发光器件电连接，其中，所述外部控制单元通过所述数据端、所述第一控制端、所述侦测信号端和所述第二控制端对所述阈值电压补偿单元和所述迁移率补偿单元进行控制，以对所述双栅驱动晶体管进行阈值电压补偿，并通过所述侦测信号端、所述第二控制端、所述数据端和所述第三控制端对所述迁移率补偿单元和所述发光控制单元进行控制，以对所述双栅驱动晶体管进行迁移率补偿，并控制所述双栅驱动晶体管驱动所述发光器件发光。
根据本发明实施例的像素电路，双栅驱动晶体管的漏极与第一电源端电连接，阈值电压补偿单元分别与外部控制单元的数据端、外部控制单元的第一控制端、双栅驱动晶体管的第一栅极和双栅驱动晶体管的源极电连接，迁移率补偿单元分别与外部控制单元的侦测信号端、外部控制单元的第二控制端和双栅驱动晶体管的源极电连接，发光控制单元分别与外部控制单元的数据端、外部控制单元的第三控制端、双栅驱动晶体管的第二栅极、双栅驱动晶体管的源极和发光器件电连接。其中，外部控制单元通过数据端、第一控制端、侦测信号端和第二控制端对阈值电压补偿单元和迁移率补偿单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行阈值电压补偿，并通过侦测信号端、第二控制端、数据端和第三控制端对迁移率补偿单元和发光控制单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行迁移率补偿，并控制双栅驱动晶体管驱动发光器件发光。由此，不仅能够实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，有效改善由于阈值电压漂移和迁移率变化导致的显示不均匀的问题，而且补偿方式简单可靠。
另外，根据本发明上述实施例的像素电路还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的一个实施例，所述阈值电压补偿单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述数据端电连接，所述第一晶体管的控制极与所述第一控制端电连接；第一电容，所述第一电容的一端分别与所述第一晶体管的第二极和所述双栅驱动晶体管的第一栅极电连接，所述第一电容的另一端与所述双栅驱动晶体管的源极电连接。
根据本发明的一个实施例，所述迁移率补偿单元包括：第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述侦测信号端电连接，所述第二晶体管的控制极与所述第二控制端电连接，所述第二晶体管的第二极分别与所述双栅驱动晶体管的源极和所述第一电容的另一端电连接。
进一步地，所述外部控制单元在通过所述第一控制端和所述第二控制端控制所述第一晶体管和所述第二晶体管均导通时，还输出第一数据电压至所述数据端和输出第一侦测电压至所述侦测信号端，以在通过所述第一控制端和所述第二控制端控制所述第一晶体管和所述第二晶体管均断开时，在所述第一数据电压和所述第一侦测电压的共同作用下将所述双栅驱动晶体管的阈值电压存储至所述第一电容。
根据本发明的一个实施例，所述第一数据电压大于所述双栅驱动晶体管的阈值电压，所述第一侦测电压为零。
根据本发明的一个实施例，所述发光控制单元包括：第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述数据端电连接，所述第三晶体管的控制极与所述第三控制端电连接；第二电容，所述第二电容的一端分别与所述第三晶体管的第二极和所述双栅驱动晶体管的第二栅极电连接，所述第二电容的另一端与所述双栅驱动晶体管的源极和所述发光器件的一端电连接，其中，所述发光器件的另一端与第二电源端电连接。
进一步地，所述外部控制单元在通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管导通时，还输出第二数据电压至所述数据端并保持第一预设时间，并在所述第一预设时间内先输出第二侦测电压至所述侦测信号端再使所述侦测信号端处于悬空状态，以对所述侦测信号端充电；所述外部控制单元在通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管断开时，还检测所述侦测信号端的充电电压，并根据所述充电电压获取迁移率，以及根据所述迁移率获取迁移率补偿值；所述外部控制单元通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管导通时，还将所述迁移率补偿值写入所述双栅驱动晶体管的源极，并将第三数据电压写入所述双栅驱动晶体管的第二栅极，以在控制所述发光器件发光的同时对所述双栅驱动晶体管进行迁移率补偿。
根据本发明的一个实施例，所述第二数据电压和所述第二侦测电压之和小于所述发光器件发光所需电压。
为实现上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种显示装置，其包括上述的像素电路。
根据本发明实施例的显示装置，通过上述的像素电路，不仅能够实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，有效改善由于阈值电压漂移和迁移率变化导致的显示不均匀的问题，而且补偿方式简单可靠。
为实现上述目的，本发明第三方面实施例提出了一种双栅驱动晶体管，包括：遮光金属层，所述遮光金属层设置在基板上，所述遮光金属层作为所述双栅驱动晶体管的第二栅极；缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光金属层和所述基板上；有机半导体层，所述有机半导体层设置在所述缓冲层上；绝缘层，所述绝缘层设置在所述有机半导体层上；栅极层，所述栅极层设置在所述绝缘层上，所述栅极层作为所述双栅驱动晶体管的第一栅极；打孔层，所述打孔层设置在所述缓冲层、所述有机半导体层、所述绝缘层和所述栅极层上，所述打孔层包括第一通孔和第二通孔；源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层分别设置在所述打孔层上，并且所述源极层通过所述第一通孔与所述有机半导体层的一端相连通，所述漏极层通过所述第二通孔与所述有机半导体层的另一端相连通。
根据本发明实施例的双栅驱动晶体管，通过将栅极层作为双栅驱动晶体管的一个栅极，将遮光金属层作为双栅驱动晶体管的另一个栅极，使得双栅驱动晶体管的开发成本和生产成本大大降低，而且相较于通过两个串联连接的驱动晶体管来实现双栅的功能，有效降低了整个晶体管的结构，降低了占用面积。
附图说明
图1是传统的2T1C像素电路的结构示意图；
图2是根据本发明实施例的像素电路的方框示意图；
图3是根据本发明一个实施例的像素电路的结构示意图；
图4是图3所示的像素电路的控制时序图；
图5是根据本发明实施例的显示装置的方框示意图；以及
图6是根据本发明实施例的双栅驱动晶体管的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参照附图来描述本发明实施例的像素电路、显示装置和双栅驱动晶体管。在描述本发明实施例的像素电路之前，先来详细说明下为什么传统的2T1C像素电路会因阈值电压漂移和迁移率变化导致显示不均匀。
具体地，如图1所示，在传统的2T1C像素电路中，包括开关晶体管M1、驱动晶体管M2和存储电容Cst，其中，开关晶体管M1用于控制数据线Data上数据电压的输入，驱动晶体管M2用于控制有机发光二极管OLED的发光电流，存储电容Cst用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。
上述的2T1C像素电路在一帧时间内包括两个阶段，其中，第一阶段为数据写入阶段，在该阶段内，行扫描线Scan为高电平，此时开关晶体管M1导通(开关晶体管M1高电平有效)，数据线Data上的数据电压经开关晶体管M1的漏源极之间的通道写入到存储电容Cst的一端，并同时作用于驱动晶体管M2的栅极，驱动晶体管M2导通，驱动有机发光二极管OLED发光；第二阶段为显示维持阶段，在该阶段内，行扫描线Scan为低电平，此时开关晶体管M1断开，数据线Data与存储电容Cst之间的通道被关断，此时在存储电容Cst的作用下，驱动晶体管M2保持导通并维持有机发光二极管OLED发光，直至下一帧时间到来。其中，在有机发光二极管OLED发光时，流过有机发光二极管OLED的电流IOLED＝(1/2)Cox(μW/L)(VData-VOLED-VARVSS-Vth)2，其中，Cox、μ、W和L分别为驱动晶体管的单位面积沟道电容、沟道迁移率、沟道宽度和沟道长度，VData为数据线Data上的数据电压，VOLED为有机发光二极管的管压降，VARVSS为直流电源低压端的电压，Vth为驱动晶体管的阈值电压。
从上述公式可以看出，流过有机发光二极管OLED的电流IOLED与驱动晶体管的阈值电压Vth和沟道迁移率μ均有关，其中，驱动晶体管的阈值电压Vth在驱动晶体管的寿命过程中存在不稳定性，而且沟道迁移率μ也会随着时间而发生退化，所以这两者都将对流过有机发光二极管OLED的电流IOLED产生影响，进而导致显示不均匀的情况发生。
为了有效解决上述情况的发生，本发明提出了一种像素电路，通过该像素电路可以实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，以保证显示的均匀性。
图2是根据本发明实施例的像素电路的方框示意图。如图2所示，本发明实施例的像素电路包括：第一电源端ELVDD、双栅驱动晶体管DT、阈值电压补偿单元10、迁移率补偿单元20和发光控制单元30。
其中，双栅驱动晶体管DT的漏极与第一电源端ELVDD电连接；阈值电压补偿单元10分别与外部控制单元(图中未具体示出)的数据端DATA、外部控制单元的第一控制端G1、双栅驱动晶体管DT的第一栅极和双栅驱动晶体管DT的源极电连接；迁移率补偿单元20分别与外部控制单元的侦测信号端Sense、外部控制单元的第二控制端G2和双栅驱动晶体管DT的源极电连接；发光控制单元30分别与外部控制单元的数据端DATA、外部控制单元的第三控制端G3、双栅驱动晶体管DT的第二栅极、双栅驱动晶体管DT的源极和发光器件OLED电连接。其中，外部控制单元通过数据端DATA、第一控制端G1、侦测信号端Sense和第二控制端G2对阈值电压补偿单元10和迁移率补偿单元20进行控制，以对双栅驱动晶体管DT进行阈值电压补偿，并通过侦测信号端Sense、第二控制端G2、数据端DATA和第三控制端G3对迁移率补偿单元20和发光控制单元30进行控制，以对双栅驱动晶体管DT进行迁移率补偿，并控制双栅驱动晶体管DT驱动发光器件OLED发光。
具体而言，在本发明的实施例中，可以采用具有双栅极的驱动晶体管结构(简称双栅驱动晶体管)来代替原有的驱动晶体管，该类晶体管可以在原有驱动晶体管的结构上进行改进来获得，例如，可以利用现有驱动晶体管的顶栅的遮光金属层作为驱动晶体管的另一个金属电极，以构成双栅驱动晶体管的底栅，其中，顶栅为双栅驱动晶体管的第一栅极，底栅为双栅驱动晶体管的第二栅极。然后，利用双栅驱动晶体管的两个栅极分别进行阈值电压补偿和迁移率补偿，从而实现对阈值电压和迁移率的同时补偿。
例如，可将像素电路显示的一帧时间划分为多个阶段，在其中某一阶段，通过阈值电压补偿单元10和迁移率补偿单元20相互配合，并通过双栅驱动晶体管DT的第一栅极来实现对双栅驱动晶体管DT的阈值电压补偿，而在另一阶段，通过迁移率补偿单元20和发光控制单元30相互配合，并通过双栅驱动晶体管DT的第二栅极来实现对双栅驱动晶体管DT的迁移率补偿，然后在阈值电压补偿和迁移率补偿的共同作用下控制发光器件OLED进行发光，从而实现同时对双栅驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，保证了显示的均匀性。
下面结合本发明的具体示例来详细说明如何进行阈值电压补偿和迁移率补偿。
根据本发明的一个实施例，如图3所示，阈值电压补偿单元10包括：第一晶体管T1和第一电容C1，其中，第一晶体管T1的第一极与数据端DATA电连接，第一晶体管T1的控制极与第一控制端G1电连接；第一电容C1的一端分别与第一晶体管T1的第二极和双栅驱动晶体管DT的第一栅极电连接，第一电容C1的另一端与双栅驱动晶体管DT的源极电连接。
迁移率补偿单元20包括：第二晶体管T2，第二晶体管T2的第一极与侦测信号端Sense电连接，第二晶体管T2的控制极与第二控制端G2电连接，第二晶体管T2的第二极分别与双栅驱动晶体管DT的源极和第一电容C1的另一端电连接。
其中，外部控制单元在通过第一控制端G1和第二控制端G2控制第一晶体管T1和第二晶体管T2均导通时，还输出第一数据电压Vdata1至数据端DATA和输出第一侦测电压Vsense1至侦测信号端Sense，以在通过第一控制端G1和第二控制端G2控制第一晶体管T1和第二晶体管T2均断开时，在第一数据电压Vdata1和第一侦测电压Vsense1的共同作用下将双栅驱动晶体管DT的阈值电压存储至第一电容C1。
根据本发明的一个实施例，第一数据电压Vdata1大于双栅驱动晶体管DT的阈值电压Vth，第一侦测电压Vsense1为零。
具体而言，如图3所示，在对双栅驱动晶体管DT的阈值电压进行检测时，外部控制单元(如GOA单元中的IC)先分别输出高电平至第一控制端G1和第二控制端G2，此时第一晶体管T1和第二晶体管T2均导通，同时外部控制单元向数据端DATA写入第一数据电压Vdata1(如2V左右，双栅驱动晶体管的阈值电压Vth一般在1V左右)，并向侦测信号端Sense写入第一侦测电压Vsense1(如0V左右)，此时第一电容C1的两端电压分别为Vdata1和Vsense1。然后，外部控制单元再分别输出低电平至第一控制端G1和第二控制端G2，此时第一晶体管T1和第二晶体管T2均断开，第一电容C1的另一端电压开始逐渐充电至Vdata1-Vth-Vsense1(当第一侦测电压Vsense1为0V时，第一电容C1的另一端电压将为Vdata1-Vth)，并且第一电容C1中电压存储为Vth，即将双栅驱动晶体管DT的阈值电压Vth存储至第一电容C1中，这样无需写回阈值电压数据，通过第一电容C1存储的电压即可实现对双栅驱动晶体管的阈值电压补偿。
需要说明的是，在本发明的实施例中，也可以通过第一电源端ELVDD将双栅驱动晶体管DT的阈值电压Vth存储至第一电容C1中，但是该方式将导致阈值电压检测时间长的问题。具体来说，在对双栅驱动晶体管DT进行阈值电压检测时，当通过第二晶体管T2输入第一侦测电压Vsense1如0V左右，并通过第一晶体管T1输入第一数据电压Vdata1如2V左右时，双栅驱动晶体管DT的栅源极电压Vgs＝2V，双栅驱动晶体管DT的栅极电压下降1V左右即可使得双栅驱动晶体管DT处于临界导通状态。而如果从第一电源端ELVDD写入栅极电压初始值，即24V，需要下降23V左右才能使得双栅驱动晶体管DT处于临界导通状态，需要非常久的时间，所以一般该方式应用在关机或黑画面补偿中，而很难在一帧画面显示中完成。因此，通过数据端DATA写入初始的置位电压如2V左右，可以大大降低阈值电压检测的时间，进而降低面板阈值电压检测中的功耗。
另外，在对双栅驱动晶体管DT的第一栅极进行阈值电压检测时，双栅驱动晶体管DT的第二栅极需处于无干扰状态。例如，双栅驱动晶体管DT的半导体层(如IGZO层)中的导电粒子在阈值电压检测之前均处于非受力的自然状态，如果第二栅极与源极之间的电压差在阈值电压检测过程中施加了大于阈值电压的值，那么在阈值电压检测之前，半导体层的导电粒子已经处于受力的运动状态，会对阈值电压检测的精度产生影响。因为阈值电压检测时，需要利用电压差激活一部分粒子的定向运动，但由于第二栅极与源极之间具有电压差，使得一部分粒子已经处于运动状态，那么需要激活粒子定向运动所需的第一栅极与源级之间的电压差就会发生变化，从而导致阈值电压检测不准确。
因此，在本发明的实施例中，双栅驱动晶体管的第二栅极初始时无电压，所以在第一栅极与源极形成阈值电压大小的压差过程中没有受到第二栅极的影响，因而可以获得准确的阈值电压，并且该阈值电压一直存储在第一电容中，从而无需阈值电压数据回写，即可实现双栅驱动晶体管的阈值电压补偿。
根据本发明的一个实施例，如图3所示，发光控制单元30包括：第三晶体管T3和第二电容C2，其中，第三晶体管T3的第一极与数据端DATA电连接，第三晶体管T3的控制极与第三控制端G3电连接；第二电容C2的一端分别与第三晶体管T3的第二极和双栅驱动晶体管DT的第二栅极电连接，第二电容C2的另一端与双栅驱动晶体管DT的源极和发光器件OLED的一端电连接，其中，发光器件OLED的另一端与第二电源端ELVSS电连接。
其中，外部控制单元在通过第二控制端G2和第三控制端G3控制第二晶体管T2和第三晶体管T3导通时，还输出第二数据电压Vdata2至数据端DATA并保持第一预设时间，并在第一预设时间内先输出第二侦测电压Vsense2至侦测信号端Sense再使侦测信号端Sense处于悬空状态，以对侦测信号端Sense充电；外部控制单元在通过第二控制端G2和第三控制端G3控制第二晶体管T2和第三晶体管T3断开时，还检测侦测信号端Sense的充电电压，并根据充电电压获取迁移率，以及根据迁移率获取迁移率补偿值；外部控制单元通过第二控制端G2和第三控制端G3控制第二晶体管T2和第三晶体管T3导通时，还将迁移率补偿值写入双栅驱动晶体管DT的源极，并将第三数据电压Vdata3写入双栅驱动晶体管DT的第二栅极，以在控制发光器件OLED发光的同时对双栅驱动晶体管DT进行迁移率补偿。
根据本发明的一个实施例，第二数据电压Vdata2和第二侦测电压Vsense2之和小于发光器件OLED发光所需电压。
具体而言，如图3所示，在对双栅驱动晶体管DT进行迁移率检测时，外部控制单元先分别输出高电平至第二控制端G2和第三控制端G3，此时第二晶体管T2和第三晶体管T3均导通，同时外部控制单元向数据端DATA写入第二数据电压Vdata2(如3V左右)并保持第一预设时间，并在第一预设时间内先向侦测信号端Sense写入第二侦测电压Vsense2(如0V左右)，再使侦测信号端Sense处于悬空状态(floating状态)，此时侦测信号端Sense开始充电，即对侦测信号线(Sense Line)开始充电。
然后，外部控制单元再分别输出低电平至第二控制端G2和第三控制端G3，此时第二晶体管T2和第三晶体管T3均断开，同时外部控制单元检测侦测信号端Sense的充电电压，并根据该充电电压获取迁移率，以及根据迁移率获取迁移率补偿值(具体可采用现有技术获取，这里不再详述)。
最后，外部控制单元再次分别输出高电平至第二控制端G2和第三控制端G3，此时第二晶体管T2和第三晶体管T3均导通，同时外部控制单元向数据端DATA写入第三数据电压Vdata3，并向侦测信号端Sense写入与迁移率补偿值相对应的电压(即迁移率补偿电压)，在第三数据电压Vdata3、迁移率补偿电压和第一电容C1中存储的阈值电压Vth的作用下，实现了发光器件OLED的发光控制以及双栅驱动晶体管DT的阈值电压补偿和迁移率补偿。
下面结合图4来进一步说明图3所示的像素电路的工作过程。
如图4所示，在像素电路显示的一帧时间内，可包括以下五个阶段：
第一阶段t1(重置阶段)：第一控制端G1和第二控制端G2均为高电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2均导通，侦测信号端Sense写入第一侦测电压Vsense1(也可称重置电压Vsense1，一般为0V)，数据端DATA写入第一数据电压Vdata1(也可称数据电压Vdata1，一般为2V)。
第二阶段t2(阈值电压存储阶段)：第一控制端G1、第二控制端G2和第三控制端G3均低电平，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3均断开，第一电容C1的另一端的电压开始充电至Vdata1-Vth，并且第一电容C1中存储的电压为Vth。
第三阶段t3(迁移率检测阶段)：第二控制端G2和第三控制端G3均为高电平，第二晶体管T2和第三晶体管T3均导通，数据端DATA写入迁移率检测所用第二数据电压Vdata2(一般为3V)，同时侦测信号端Sense先写入第二侦测电压Vsense2，即初始电压(一般为0V)后，再进行悬空(floating)，此时侦测信号端Sense开始充电。其中，需要说明的是，在每帧时间内，写入的第二数据电压Vdata2相同且写入的时间相同，因此，在侦测信号端Sense检测的电压差异即为迁移率差异。
第四阶段t4(充电电压获取阶段)：第一控制端G1、第二控制端G2和第三控制端G3均低电平，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3均断开，侦测信号端Sense检测得到充电电压，与外部控制单元中存储器存储的标准电压进行比较，即可获得迁移率变化情况，然后根据迁移率变化情况通过相应算法即可获得迁移率补偿值。
第五阶段t5(写回数据阶段)：第二控制端G2和第三控制端G3均为高电平，第二晶体管T2和第三晶体管T3均导通，数据端DATA写入发光器件OLED发光所用第三数据电压Vdata3，侦测信号端Sense写入与迁移率补偿值相对应的迁移率补偿电压，同时由于第一电容C1两端的电压差一直不变，因此双栅驱动晶体管DT的阈值电压Vth是固定的，从而在发光器件OLED发光时，可同时对双栅驱动晶体管DT进行阈值电压补偿和迁移率补偿，保证显示的均匀性。
也就是说，在本发明的实施例中，采用双栅极的驱动晶体管结构，并设置双电容结构来分别存储阈值电压Vth和栅源电压Vgs，这样就可以对阈值电压和迁移率进行同时补偿，进而获得更好的画面品质，并且对阈值电压的补偿不需要回写阈值电压数据，大大节省了补偿时间，增加了显示时间，而且整个像素电路结构简单且控制时序简单，大大降低了生产成本和控制的复杂度等。
另外，需要说明的是，在上述实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3均为高电平有效的晶体管，例如，可以为高电平有效的P型TFT管，而在本发明的其它实施例中，也可以采用低电平有效的晶体管，具体这里不做限制，只是在控制时，相应控制端输入的电平相反。
综上所述，根据本发明实施例的像素电路，双栅驱动晶体管的漏极与第一电源端电连接，阈值电压补偿单元分别与外部控制单元的数据端、外部控制单元的第一控制端、双栅驱动晶体管的第一栅极和双栅驱动晶体管的源极电连接，迁移率补偿单元分别与外部控制单元的侦测信号端、外部控制单元的第二控制端和双栅驱动晶体管的源极电连接，发光控制单元分别与外部控制单元的数据端、外部控制单元的第三控制端、双栅驱动晶体管的第二栅极、双栅驱动晶体管的源极和发光器件电连接。其中，外部控制单元通过数据端、第一控制端、侦测信号端和第二控制端对阈值电压补偿单元和迁移率补偿单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行阈值电压补偿，并通过侦测信号端、第二控制端、数据端和第三控制端对迁移率补偿单元和发光控制单元进行控制，以对双栅驱动晶体管进行迁移率补偿，并控制双栅驱动晶体管驱动发光器件发光。由此，不仅能够实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，有效改善由于阈值电压漂移和迁移率变化导致的显示不均匀的问题，而且补偿方式简单可靠。
图5是根据本发明实施例的显示装置的方框示意图。如图5所示，本发明实施例的显示装置1000包括上述的像素电路100。
根据本发明实施例的显示装置，通过上述的像素电路，不仅能够实现同时对驱动晶体管的阈值电压补偿和迁移率补偿，有效改善由于阈值电压漂移和迁移率变化导致的显示不均匀的问题，而且补偿方式简单可靠。
图6是根据本发明实施例的双栅驱动晶体管的结构示意图。如图6所示，本发明实施例的双栅驱动晶体管包括：遮光金属层201、缓冲层202、有机半导体层203、绝缘层204、栅极层205、打孔层206、源极层S和漏极层D。
其中，遮光金属层201设置在基板300(该基板300可以为玻璃)上，遮光金属层201作为双栅驱动晶体管的第二栅极(也称底栅)；缓冲层202设置在遮光金属层201和基板300上，该缓冲层202为非金属层；有机半导体层203设置在缓冲层202上；绝缘层204设置在有机半导体层203上；栅极层205设置在绝缘层204上，栅极层205作为双栅驱动晶体管的第一栅极(也称顶栅)，该栅极层205为金属层；打孔层206设置在缓冲层202、有机半导体层203、绝缘层204和栅极层205上，打孔层206包括第一通孔A1和第二通孔A2，该打孔层206为无机物层，通过在该层进行打孔；源极层S和漏极层D分别设置在打孔层206上，并且源极层S通过第一通孔A1与有机半导体层203的一端相连通，漏极层D通过第二通孔A2与有机半导体层203的另一端相连通。
在图6所示的双栅驱动晶体管中，将栅极层205作为双栅驱动晶体管的一个金属极，以构成双栅驱动晶体管的第一栅极，即顶栅，并将遮光金属层201作为双栅驱动晶体管的另一个金属极，以构成双栅驱动晶体管的第二栅极，即底栅，通过该结构即可获得一个具体两个栅极的驱动晶体管。
通过图6所示的双栅驱动晶体管的结构可知，可以通过对现有的单栅极驱动晶体管进行改进来直接获得，即将原有驱动晶体管的栅极作为双栅驱动晶体管的一个栅极，而将原有的遮光金属层作为双栅驱动晶体管的另一个栅极，这样就可以获得具有两个栅极的驱动晶体管，从而可以大大降低双栅驱动晶体管的开发和生产成本，而且相较于通过两个串联连接的驱动晶体管来实现双栅的功能，有效降低了整个晶体管的结构，降低了占用面积。
根据本发明实施例的双栅驱动晶体管，通过将栅极层作为双栅驱动晶体管的一个栅极，将遮光金属层作为双栅驱动晶体管的另一个栅极，使得双栅驱动晶体管的开发成本和生产成本大大降低，而且相较于通过两个串联连接的驱动晶体管来实现双栅的功能，有效降低了整个晶体管的结构，降低了占用面积。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一电源端、双栅驱动晶体管、阈值电压补偿单元、迁移率补偿单元和发光控制单元，
所述双栅驱动晶体管的漏极与所述第一电源端电连接；
所述阈值电压补偿单元分别与外部控制单元的数据端、所述外部控制单元的第一控制端、所述双栅驱动晶体管的第一栅极和所述双栅驱动晶体管的源极电连接；
所述迁移率补偿单元分别与所述外部控制单元的侦测信号端、所述外部控制单元的第二控制端和所述双栅驱动晶体管的源极电连接；
所述发光控制单元分别与所述外部控制单元的数据端、所述外部控制单元的第三控制端、所述双栅驱动晶体管的第二栅极、所述双栅驱动晶体管的源极和发光器件电连接，
其中，
所述外部控制单元通过所述数据端、所述第一控制端、所述侦测信号端和所述第二控制端对所述阈值电压补偿单元和所述迁移率补偿单元进行控制，以对所述双栅驱动晶体管进行阈值电压补偿，并通过所述侦测信号端、所述第二控制端、所述数据端和所述第三控制端对所述迁移率补偿单元和所述发光控制单元进行控制，以对所述双栅驱动晶体管进行迁移率补偿，并控制所述双栅驱动晶体管驱动所述发光器件发光，其中，所述迁移率补偿单元包括：
第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述侦测信号端电连接，所述第二晶体管的控制极与所述第二控制端电连接，所述第二晶体管的第二极分别与所述双栅驱动晶体管的源极和所述第一电容的另一端电连接，其中，所述双栅驱动晶体管，包括：
遮光金属层，所述遮光金属层设置在基板上，所述遮光金属层作为所述双栅驱动晶体管的第二栅极；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光金属层和所述基板上；
有机半导体层，所述有机半导体层设置在所述缓冲层上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述有机半导体层上；
栅极层，所述栅极层设置在所述绝缘层上，所述栅极层作为所述双栅驱动晶体管的第一栅极；
打孔层，所述打孔层设置在所述缓冲层、所述有机半导体层、所述绝缘层和所述栅极层上，所述打孔层包括第一通孔和第二通孔；
源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层分别设置在所述打孔层上，并且所述源极层通过所述第一通孔与所述有机半导体层的一端相连通，所述漏极层通过所述第二通孔与所述有机半导体层的另一端相连通。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述阈值电压补偿单元包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述数据端电连接，所述第一晶体管的控制极与所述第一控制端电连接；
第一电容，所述第一电容的一端分别与所述第一晶体管的第二极和所述双栅驱动晶体管的第一栅极电连接，所述第一电容的另一端与所述双栅驱动晶体管的源极电连接。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述外部控制单元在通过所述第一控制端和所述第二控制端控制所述第一晶体管和所述第二晶体管均导通时，还输出第一数据电压至所述数据端和输出第一侦测电压至所述侦测信号端，以在通过所述第一控制端和所述第二控制端控制所述第一晶体管和所述第二晶体管均断开时，在所述第一数据电压和所述第一侦测电压的共同作用下将所述双栅驱动晶体管的阈值电压存储至所述第一电容。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述第一数据电压大于所述双栅驱动晶体管的阈值电压，所述第一侦测电压为零。
5.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括：
第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述数据端电连接，所述第三晶体管的控制极与所述第三控制端电连接；
第二电容，所述第二电容的一端分别与所述第三晶体管的第二极和所述双栅驱动晶体管的第二栅极电连接，所述第二电容的另一端与所述双栅驱动晶体管的源极和所述发光器件的一端电连接，其中，所述发光器件的另一端与第二电源端电连接。
6.如权利要求5所述的像素电路，其特征在于，
所述外部控制单元在通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管导通时，还输出第二数据电压至所述数据端并保持第一预设时间，并在所述第一预设时间内先输出第二侦测电压至所述侦测信号端再使所述侦测信号端处于悬空状态，以对所述侦测信号端充电；
所述外部控制单元在通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管断开时，还检测所述侦测信号端的充电电压，并根据所述充电电压获取迁移率，以及根据所述迁移率获取迁移率补偿值；
所述外部控制单元通过所述第二控制端和所述第三控制端控制所述第二晶体管和所述第三晶体管导通时，还将所述迁移率补偿值写入所述双栅驱动晶体管的源极，并将第三数据电压写入所述双栅驱动晶体管的第二栅极，以在控制所述发光器件发光的同时对所述双栅驱动晶体管进行迁移率补偿。
7.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述第二数据电压和所述第二侦测电压之和小于所述发光器件发光所需电压。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的像素电路。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281105B (zh) * 2018-03-30 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 扫描信号调节方法、装置及显示装置
CN109119025B (zh) * 2018-09-28 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 电压补偿方法及装置、显示面板
CN109119026B (zh) * 2018-09-29 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路数据信号补偿方法、装置及显示面板
KR102631125B1 (ko) * 2018-10-30 2024-01-29 엘지디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 발광 표시 장치
CN109727578A (zh) * 2018-12-14 2019-05-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示装置的补偿方法、装置和显示设备
CN109686332B (zh) * 2019-01-24 2021-04-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 补偿模块及逻辑门电路、栅极驱动电路和显示装置
CN110264957B (zh) * 2019-06-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路的补偿方法、装置、显示设备
CN110288947A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CN110415648A (zh) * 2019-07-16 2019-11-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路
CN110517641B (zh) 2019-08-30 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、参数检测方法、显示面板和显示装置
CN110707095A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20210035936A (ko) * 2019-09-24 2021-04-02 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
CN111179850A (zh) * 2020-01-13 2020-05-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素补偿电路、阵列基板及显示面板
US10916197B1 (en) * 2020-02-14 2021-02-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel compensation circuit and display panel
CN111261110A (zh) * 2020-03-09 2020-06-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled像素驱动电路、像素驱动方法及显示面板
CN112150967B (zh) * 2020-10-20 2024-03-01 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、驱动方法及显示装置
CN112511769B (zh) * 2020-11-05 2022-09-20 北京大学深圳研究生院 一种图像传感器像素电路以及图像传感阵列
US11636805B2 (en) * 2020-12-24 2023-04-25 Lg Display Co., Ltd. Display device and driving method of the same
CN112562590A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示装置
CN114765007A (zh) 2021-01-04 2022-07-19 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、像素电路及其驱动方法
CN113674673B (zh) * 2021-08-19 2023-10-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板驱动电路、显示面板和显示终端
KR20230094791A (ko) * 2021-12-21 2023-06-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114373414B (zh) * 2022-01-18 2023-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板电性的侦测电路以及显示面板
CN114694589A (zh) * 2022-05-06 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及方法、显示面板
CN114842801B (zh) * 2022-06-28 2022-09-20 惠科股份有限公司 像素驱动电路、显示面板及显示装置
CN115311982A (zh) * 2022-08-30 2022-11-08 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法和显示装置
CN116469346B (zh) * 2023-04-20 2024-10-01 惠科股份有限公司 显示面板和显示终端
CN117594009A (zh) * 2023-12-28 2024-02-23 惠科股份有限公司 有机发光显示装置及其驱动方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7612749B2 (en) * 2003-03-04 2009-11-03 Chi Mei Optoelectronics Corporation Driving circuits for displays
KR100893482B1 (ko) 2007-08-23 2009-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP6570825B2 (ja) * 2013-12-12 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
KR102091485B1 (ko) * 2013-12-30 2020-03-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
US9934723B2 (en) * 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
KR102241704B1 (ko) * 2014-08-07 2021-04-20 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10262570B2 (en) * 2015-03-05 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
CN104732927B (zh) 2015-04-09 2017-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法和显示装置
US9666655B2 (en) * 2015-05-05 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102570832B1 (ko) * 2016-05-23 2023-08-24 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 구동 방법
CN106910459B (zh) * 2017-04-26 2019-01-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、其驱动方法及显示装置
US10262595B2 (en) 2017-06-28 2019-04-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel circuit, control method thereof, and display panel
CN107134261B (zh) * 2017-06-28 2019-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及其控制方法、显示面板
CN107358915B (zh) * 2017-08-11 2020-01-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置

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