CN107761169A - 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途 - Google Patents

硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN107761169A
CN107761169A CN201610675514.6A CN201610675514A CN107761169A CN 107761169 A CN107761169 A CN 107761169A CN 201610675514 A CN201610675514 A CN 201610675514A CN 107761169 A CN107761169 A CN 107761169A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
potassium sulfate
seconds
nonlinear optical
lithium potassium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610675514.6A
Other languages
English (en)
Inventor
潘世烈
韩国鹏
王颖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Original Assignee
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS filed Critical Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority to CN201610675514.6A priority Critical patent/CN107761169A/zh
Publication of CN107761169A publication Critical patent/CN107761169A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/02—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent
    • C30B7/04—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent using aqueous solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/08—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by cooling of the solution
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551—Crystals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途。该晶体的分子式为LiKSO4，分子量为142.1，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为：a=b=5.1453(2) Å ,c=8.6342(7) Å，V=197.65 Å3。采用恒温蒸发法或降温法分别生长出大尺寸硫酸锂钾非线性光学晶体。该晶体的非线性光学效应为：Nd:YAG激光二倍频（1064‑532nm）约1倍KDP(KH2PO4)，Nd:YAG激光四倍频（1064‑532‑266nm）约1倍BBO (β‑BaB2O4)，在氮环境下测硫酸锂钾晶体透过得其紫外截止边为165nm。对紫外、可见光及近红外波段具有较高的透过率，适合做深紫外非线性光学材料。硫酸锂钾非线性光学晶体是一种综合优势明显，性能良好的晶体，可用于在Nd:YAG和Nd:YLF激光的二倍频、三倍频或四倍频中的用途。

Description

硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途
技术领域
本发明涉及一种硫酸锂钾非线性光学晶体及其快速生长方法和用途，该方法采用恒温蒸发法和降温法生长大尺寸单晶，并利用硫酸锂钾非线性光学晶体制作非线性光学器件的用途。
背景技术
非线性光学晶体材料已深入到激光技术的各个领域，现已成为激光变频、电光调制和光折变晶体记忆和存储等技术必不可少的晶体材料。自20世纪七八十年代始，我国在无机晶体的研究上处于国际领先水平，在晶体生长技术方面取得了很多重大科研成果。目前应用较为广泛的非线性光学材料有：KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)等。虽然这些晶体的生长技术已日趋成熟，但存在如晶体易潮解，生长周期长，所用原料毒性大，层状生长习性严重等不足和缺陷。因此寻找更适合产业化的新型的非线性光学晶体仍是一项前沿重点的工作。
经过系统的研究，我们发现硫酸锂钾非线性光学晶体是一种优良的非线性光学材料。硫酸锂钾非线性光学晶体的Nd:YAG激光二倍频(1064-532nm)约1倍KDP(KH2PO4)，Nd:YAG激光四倍频(532-266nm)约1倍BBO(β-BaB2O4)，在氮环境下测得其紫外截止边为165nm)。对紫外、可见光及近红外波段具有较高的透过率，在空气中不潮解、物化性能稳定、易于切割及抛光加工，且较易生长出大尺寸、高质量的硫酸锂钾非线性光学晶体，适合制作非线性光学器件。与传统已经商业化的非线性光学晶体相比我们发现硫酸锂钾非线性光学晶体是一种综合优势明显，性能良好的晶体，是下一代非线性光学晶体的有力竞争者，故本发明所提供的非线性光学晶体硫酸锂钾及其大尺寸单晶的生长方法和用途具有特殊重要的意义。
发明内容
本发明目的在于，为解决应用于全固态激光系统的非线性光学材料的需要，提供一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途。该晶体的分子式为LiKSO4，分子量为142.1，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为： 采用恒温蒸发法和降温法可分别生长出大尺寸硫酸锂钾晶体。该晶体的非线性光学效应为：Nd:YAG激光二倍频(1064-532nm)约1倍KDP(KH2PO4)，Nd:YAG激光四倍频(1064-532-266nm)约1倍BBO(β-BaB2O4)，在氮环境下测LiKSO4晶体透过得其紫外截止边为165nm。对紫外、可见光及近红外波段具有较高的透过率，适合做深紫外非线性光学材料。
本发明所述一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法，该晶体的分子式为LiKSO4，分子量为142.1，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为： 采用恒温蒸发法或降温法分别生长出大尺寸硫酸锂钾晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、先将分析纯的硫酸锂、硫酸钾按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度40-60℃的饱和生长溶液，静置3-7天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长1-2天，籽晶恢复外形；
d、采用恒温蒸发法时，温度40-60℃之间，晶体生长过程中保持温度不变；或采用降温法时，温度从60℃开始降温，降温速度为0.1℃/天；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为3-10r/min，在晶体生长20-30天即得到厘米级的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体。
所述方法获得的硫酸锂钾非线性光学晶体在制备Nd:YAG和Nd:YLF激光的二倍频、三倍频或四倍频中的用途。
本发明所述的硫酸锂钾非线性光学晶体可作为制备非线性光学器件晶体材料，包括制作倍频发生器、上或下频率转换器和光参量振荡器。所述的用硫酸锂钾非线性光学晶体制作的非线性光学器件包含将透过至少一束入射基频光产生至少一束频率不同于入射光的相干光。
本发明所述的一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法，该方法中所述硫酸锂钾单晶的化学反应式为：
Li2SO4+K2SO4→LiKSO4
附图说明
图1为本发明采用恒温蒸发法生长的晶体照片图；
图2为本发明采用降温法生长的晶体照片图；
图3为本发明制作的非线性光学器件的工作原理图，其中包括(1)为激光器，(2)为全聚透镜，(3)为硫酸锂钾非线性光学晶体，(4)为分光棱镜，(5)为滤波片，ω为折射光的频率等于入射光频率或是入射光频率的2倍。
具体实施方式
实施例1：
化学反应式：Li2SO4+K2SO4→LiKSO4，采用恒温蒸发法快速生长大尺寸硫酸锂钾单晶：
a、先将分析纯的硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钾(K2SO4)按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度40℃的饱和生长溶液，静置3天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长1-2天，籽晶恢复外形，这样可有效减少籽晶的遗传缺陷，使晶体能够正常生长；
d、采用恒温蒸发法，温度40℃，晶体生长过程中保持温度不变一直到生长结束；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为3r/min，在晶体生长30天即得到10×10×10mm3的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体(图1)。
实施例2：
化学反应式：Li2SO4+K2SO4→LiKSO4，采用恒温蒸发法快速生长大尺寸硫酸锂钾单晶：
a、先将分析纯的硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钾(K2SO4)按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度50℃的饱和生长溶液，静置4天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长1天，籽晶恢复外形，这样可有效减少籽晶的遗传缺陷，使晶体能够正常生长；
d、采用恒温蒸发法，温度50℃，晶体生长过程中保持温度不变一直到生长结束；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为6r/min，在晶体生长25天即得到10×10×10mm3的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体(图1)。
实施例3：
化学反应式：Li2SO4+K2SO4→LiKSO4，采用恒温蒸发法快速生长大尺寸硫酸锂钾单晶：
a、先将分析纯的硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钾(K2SO4)按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度60℃的饱和生长溶液，静置7天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长2天，籽晶恢复外形，这样可有效减少籽晶的遗传缺陷，使晶体能够正常生长；
d、采用恒温蒸发法，温度60℃，晶体生长过程中保持温度不变一直到生长结束；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为10r/min，在晶体生长20天即得到10×10×10mm3的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体(图1)。
实施例4：
化学反应式：Li2SO4+K2SO4→LiKSO4，采用降温法快速生长大尺寸硫酸锂钾单晶：
a、先将分析纯的硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钾(K2SO4)按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度40℃的饱和生长溶液，静置5天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长1天，籽晶恢复外形，这样可有效减少籽晶的遗传缺陷，使晶体能够正常生长；
d、采用降温法，根据溶解度随温度的变化曲线，温度从60℃开始降温，降温速度为0.1℃/天；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为10r/min，在晶体生长20天即得到20×15×10mm3的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体(图2)。
实施例5：
将实施例1-4所得的任意一种硫酸锂钾非线性光学晶体，按附图3所示安置在3的位置上，在室温下，用调Q Nd:YAG激光器经KTP(KTiOPO4)晶体倍频输出的532倍频光作光源，该倍频光再经过硫酸锂钾非线性光学晶体可输出266nm的紫外光束，输出强度约为同等条件BBO的1倍；
图3所示为，由调Q Nd:YAG激光器1发出波长为1064nm的红外光束(或532nm可见光束)，经全聚透镜2射入硫酸锂钾非线性光学晶体，产生波长为532nm的绿色倍频光(或波长为266nm的紫外倍频光)，出射光束4含有基频光和倍频光，经滤波片5滤去基频光，得倍频光。
该晶体的非线性光学效应为：Nd:YAG激光二倍频(1064-532nm)约1倍KDP(KH2PO4)，Nd:YAG激光四倍频(1064-532-266nm)约1倍BBO(β-BaB2O4)，在氮环境下测LiKSO4晶体透过得其紫外截止边为165nm。对紫外、可见光及近红外波段具有较高的透过率，适合做深紫外非线性光学材料。

Claims (2)

1.一种硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法，其特征在于该晶体的分子式为LiKSO4，分子量为142.1，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为：a = b = 5.1453(2) Å ,c = 8.6342(7) Å，V=197.65 Å3，采用恒温蒸发法或降温法分别生长出大尺寸硫酸锂钾晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、先将分析纯的硫酸锂、硫酸钾按摩尔比1:1称取并用蒸馏水配制成温度40-60℃的饱和生长溶液，静置3-7天，得到高质量的晶粒；
b、然后用滤纸对生长溶液进行过滤，将过滤后的晶粒在育晶玻璃瓶中进行过热处理24h后，将沿c方向定向的籽晶固定在籽晶杆末段的铂丝上；
c、将步骤b中固定好的籽晶放入育晶玻璃瓶中，籽晶微溶后在育晶玻璃瓶中恒温生长1-2天，籽晶恢复外形；
d、采用恒温蒸发法时，温度40-60℃之间，晶体生长过程中保持温度不变；或采用降温法时，温度从60℃开始降温，降温速度为0.1℃/天；
e、在硫酸锂钾籽晶生长过程中，电动机采用加速-正转-减速-停转-加速_反转_减速_停转的循环顺序，时间间隔为 10秒-30秒-10秒-20秒-10秒-30秒-10秒-20秒的模式转动籽晶，转速为3-10 r/min，在晶体生长20-30天即得到厘米级的高质量硫酸锂钾非线性光学晶体。
2.如权利要求1所述的硫酸锂钾非线性光学晶体在制备Nd:YAG和Nd: YLF激光的二倍频、三倍频或四倍频中的用途。
CN201610675514.6A 2016-08-16 2016-08-16 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途 Pending CN107761169A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610675514.6A CN107761169A (zh) 2016-08-16 2016-08-16 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610675514.6A CN107761169A (zh) 2016-08-16 2016-08-16 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107761169A true CN107761169A (zh) 2018-03-06

Family

ID=61260659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610675514.6A Pending CN107761169A (zh) 2016-08-16 2016-08-16 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107761169A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109267151A (zh) * 2018-11-14 2019-01-25 闽江学院 三硫酸钾锌在制备非线性光学器件中的应用
CN114059169A (zh) * 2021-10-29 2022-02-18 中国科学院福建物质结构研究所 一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105350081A (zh) * 2015-11-14 2016-02-24 中国科学院新疆理化技术研究所 硫酸锂钾非线性光学晶体的制备方法及用途

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105350081A (zh) * 2015-11-14 2016-02-24 中国科学院新疆理化技术研究所 硫酸锂钾非线性光学晶体的制备方法及用途

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109267151A (zh) * 2018-11-14 2019-01-25 闽江学院 三硫酸钾锌在制备非线性光学器件中的应用
CN114059169A (zh) * 2021-10-29 2022-02-18 中国科学院福建物质结构研究所 一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9715160B2 (en) Barium tetraborate compound and barium tetraborate non-linear optical crystal, and preparation method and use thereof
CN102976287B (zh) BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
US10662067B1 (en) Compound ammonium fluoroborate, nonlinear optical crystal of ammonium fluoroborate, and preparation method and use thereof
CN105350081A (zh) 硫酸锂钾非线性光学晶体的制备方法及用途
WO2017005081A1 (zh) BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途
CN102838093B (zh) LiGaGe2Se6化合物、LiGaGe2Se6非线性光学晶体及制法和用途
CN105506743B (zh) 一种Li6Cd5Sn4Se16非线性光学晶体及其制法和用途
CN107021462A (zh) 硒镓锌钡化合物、硒镓锌钡红外非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN103288058B (zh) Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN103058266A (zh) BaGa2GeS6化合物、BaGa2GeS6非线性光学晶体及制法和用途
CN101603203B (zh) 八水合偏硼酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN103290480B (zh) Li2In2SiS6化合物、Li2In2SiS6非线性光学晶体及制法和用途
CN107761169A (zh) 硫酸锂钾非线性光学晶体的快速生长方法和用途
DE112019002563B4 (de) Ein nichtlinearer optischer kristall, dessen herstellungsverfahren und anwendung
CN103014868B (zh) 非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备和用途
CN103060917B (zh) BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途
CN107201547A (zh) 硫酸锂铵非线性光学晶体的制备方法及用途
CN103030146B (zh) BaGa2SiSe6化合物、BaGa2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN105350082B (zh) 一种Na2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN108683072B (zh) 一种提高sbo深紫外倍频激光输出效率的方法
CN103290479B (zh) Li2In2SiSe6化合物、Li2In2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN103628135B (zh) 化合物磷钼酸铷和磷钼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途
CN110079858B (zh) 一种硫酸铯镁非线性光学晶体及其制法和用途
CN107761171A (zh) 一水合硫酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN106521632A (zh) 无机‑有机杂化超分子型非线性光学晶体及其制法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180306

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication