CN107740182A - 一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 - Google Patents
一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107740182A CN107740182A CN201710938189.2A CN201710938189A CN107740182A CN 107740182 A CN107740182 A CN 107740182A CN 201710938189 A CN201710938189 A CN 201710938189A CN 107740182 A CN107740182 A CN 107740182A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reaction chamber
- phase epitaxy
- inlet flange
- hydride gas
- epitaxy equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
本发明公开了一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰和反应腔室,所述进气法兰设置在反应腔室的一端,与反应腔室连接;所述反应腔室的包括腔室外壁,所述腔室外壁上设置有加热系统;所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位,所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间。本发明的设备在晶片外延的过程中,可有效地减少进气法兰位置副产物的积累,从而提高反应腔室的清洁程度,延长了设备的维护周期,提高了产品的良率和产率。
Description
技术领域
本发明涉及氢化物气相外延设备技术领域,具体涉及一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备。
背景技术
自集成电路问世以来,集成电路工业发展迅猛,成为发展最快的一项工业。集成度的不断提高,要求器件的尺寸不断的缩小,同时也凸显出不少问题,如何避免工艺制造中的污染也成为了不小的挑战,而尘埃颗粒是工艺制造中的主要污染源之一。
生长速率快的氢化物气相外延成为一种高效率的外延生长方法之一。但在现有的氢化物气相外延设备中,也同样存在颗粒污染的问题,比如进气法兰位置处的副产物沉积。
由于进气法兰是反应腔室与外部环境隔绝的介质,在外延生长时反应腔室处于高温状态而外部环境处于室温,因此进气法兰相较于反应腔室是处于较低温状态,自然而然地外延生长过程中的副产物会沉积在处于低温状态的进气法兰附近;当副产物积累到一定程度时,会伴随气流传送到晶片上面,从而造成外延片的污染,最终影响外延质量和良率。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,有效地减少进气法兰位置副产物的积累,从而提高反应腔室的清洁程度。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰和反应腔室,所述进气法兰设置在反应腔室的一端,与反应腔室连接,进气法兰上设有气源进气口;
所述反应腔室的包括腔室外壁,所述腔室外壁上设置有加热系统;
所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位,所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间。
进一步地,所述反应腔室中在进气法兰一侧的内径d小于所述反应腔室中所述晶片所在区域的内径D。
进一步地,在所述腔室外壁与加热系统之间设有加热辅助系统,该加热辅助系统位于进气法兰一侧。
进一步地,所述氢化物气相外延设备为水平式所述氢化物气相外延设备,所述晶片朝向所述金属源放置位倾斜放置在反应腔室内。
进一步地,所述进气法兰的进气口与金属源放置位之间、位于进气法兰的一侧的位置上设置有隔板。
进一步地,所述隔板上设置有一个或多个隔板通孔。
进一步地,所述隔板的材质为耐温800℃以上的材质。
进一步地,所述进气法兰有一个或多个。
进一步地,所述进气法兰上有一个或多个气源进气口。
基于上述的发明构思,还提供另一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰和反应腔室,所述进气法兰设置在反应腔室的一端,与反应腔室连接, 进气法兰上设有气源进气口;
所述反应腔室的包括腔室外壁,所述腔室外壁上设置有加热系统;
所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位,所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间;
所述氢化物气相外延设备为垂直式的氢化物气相外延设备,所述晶片水平放置在反应腔室内。
进一步地,所述进气法兰的进气口与金属源放置位之间、位于进气法兰的一侧的位置上设置有隔板。
进一步地,所述隔板上设置有一个或多个隔板通孔。
进一步地,所述隔板的材质为耐温800℃以上的材质。
进一步地,所述进气法兰有一个或多个。
进一步地,所述进气法兰上有一个或多个气源进气口。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的设备在晶片外延的过程中,可有效地减少进气法兰位置副产物的积累,从而提高反应腔室的清洁程度,延长了设备的维护周期,提高了产品的良率和产率。
附图说明
图1是本发明实施例1中所述的氢化物气相外延设备的局部示意图;
图2是本发明实施例2中所述的氢化物气相外延设备的局部示意图;
图3是本发明实施例3中所述的氢化物气相外延设备的局部示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
提供一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,如附图1所示,所述氢化物气相外延设备为水平式所述氢化物气相外延设备,其包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰1和反应腔室2,所述进气法兰1有一个,设置在反应腔室2的一端,与反应腔室2连接;所述进气法兰1上设置有3个进气口,分别是腔室气源进气口51、氯化氢进气口52和氨气进气口53;所述反应腔室2的包括腔室外壁4,所述腔室外壁4上设置有加热系统6;所述反应腔室2内设置有晶片3和金属源放置位7,所述金属源放置位7设置在所述氯化氢进气口52与晶片3之间,所述晶片3朝向所述金属源放置位7倾斜放置在反应腔室2内。
所述反应腔室2中在进气法兰1一侧的内径d小于所述反应腔室2中所述晶片3所在区域的内径D;在所述腔室外壁4与加热系统6之间设有加热辅助系统61,该加热辅助系统61位于进气法兰1一侧。
本实施例中,所述反应腔室2中在进气法兰1一侧的内径d小于所述反应腔室2中所述晶片3所在区域的内径D,在气相外延生长过程中,相较于晶片3附近而言,处于低温状态的进气法兰1附近,与反应混合气体的接触面积明显减少,有效地抑制了副产物的沉积;在所述腔室外壁4与加热系统6之间设有加热辅助系统61,该加热辅助系统61位于进气法兰1一侧,使进气法兰1附近的温度升高,缩小进气法兰1附近与晶片3附近的温差,有效地抑制了副产物的沉积。上述二者的技术效果相互叠加,减少进气法兰1附近副产物的积累,从而提高反应腔室的清洁程度,延长了设备的维护周期,提高了产品的良率和产率。
本实施例的使用流程如下:开启加热系统6和加热辅助系统61,放置晶片3,在金属源位置位7放置金属镓源,分别打开腔室气源进气口51、氯化氢进气口52、氨气进气口53,当氯化氢气体经过金属镓源时,与金属镓反应生成氯化镓,随后氯化镓与氨气在反应腔室2内的晶片3附近混合反应,在晶片3表面沉积氮化镓材料。
实施例2
提供一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,如附图2所示,所述氢化物气相外延设备为水平式所述氢化物气相外延设备,其包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰1和反应腔室2,所述进气法兰1有一个,设置在反应腔室2的一端,与反应腔室2连接;所述进气法兰1上设置有3个进气口,分别是腔室气源进气口51、氯化氢进气口52和氨气进气口53;所述反应腔室2的包括腔室外壁4,所述腔室外壁4上设置有加热系统6;所述反应腔室2内设置有晶片3和金属源放置位7,所述金属源放置位7设置在所述氯化氢进气口52与晶片3之间,所述晶片3朝向所述金属源放置位7倾斜放置在反应腔室2内。
所述反应腔室2中在进气法兰1一侧的内径d小于所述反应腔室2中所述晶片3所在区域的内径D;在所述腔室外壁4与加热系统6之间设有加热辅助系统61,该加热辅助系统61位于进气法兰1一侧;所述进气法兰1的腔室气源进气口51与金属源放置位7之间、位于进气法兰1的一侧的位置上设置有隔板8。
所述隔板8的材质为耐温800℃以上的材质,防止隔板8在高温状态下发生异常;隔板8上设置有一个隔板通孔81,使腔室气源能顺利进入反应腔室2。
本实施例中,所述反应腔室2中在进气法兰1一侧的内径d小于所述反应腔室2中所述晶片3所在区域的内径D,在气相外延生长过程中,相较于晶片3附近而言,处于低温状态的进气法兰1附近,与反应混合气体的接触面积明显减少,有效地抑制了副产物的沉积;在所述腔室外壁4与加热系统6之间设有加热辅助系统61,该加热辅助系统61位于进气法兰1一侧,使进气法兰1附近的温度升高,缩小进气法兰1附近与晶片3附近的温差,有效地抑制了了副产物的沉积;所述进气法兰1的腔室气源进气口51与金属源放置位7之间、位于进气法兰1的一侧的位置上设置有隔板8,使反应混合气体的扩散路径更加曲折,也在一定程度上减少了处于低温状态的进气法兰1附近与反应混合气体的接触面积,有效地抑制了副产物在进气法兰1附近沉淀。上述三者的技术效果相互叠加,减少进气法兰1附近副产物的积累,从而提高反应腔室的清洁程度,延长了设备的维护周期,提高了产品的良率和产率。
本实施例的使用流程如下:开启加热系统6和加热辅助系统61,放置晶片3,在金属源位置位7放置金属镓源,分别打开腔室气源进气口51、氯化氢进气口52、氨气进气口53,当氯化氢气体经过金属镓源时,与金属镓反应生成氯化镓,随后氯化镓与氨气在反应腔室2内的晶片3附近混合反应,在晶片3表面沉积氮化镓材料。
实施例3
基于上述的发明构思,还提供另一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,如图3所示,所述氢化物气相外延设备为垂直式的氢化物气相外延设备,包括设备本体,所述设备本体包括进气法兰1和反应腔室2,所述进气法兰1有一个,设置在反应腔室2的一端,与反应腔室2连接;所述进气法兰1上设置有3个进气口,分别是腔室气源进气口51、氯化氢进气口52和氨气进气口53;所述反应腔室2的包括腔室外壁4,所述腔室外壁4上设置有加热系统6;所述反应腔室2内设置有晶片3和金属源放置位7,所述金属源放置位7设置在所述进气法兰1的氯化氢进气口52与晶片3之间,所述晶片3水平放置在反应腔室2内。
所述进气法兰1的腔室气源进气口51与金属源放置位7之间、位于进气法兰1的一侧的位置上设置有隔板8。
所述隔板8的材质为耐温800℃以上的材质,防止隔板8在高温状态下发生异常;隔板8上设置有一个隔板通孔81,使腔室气源能顺利进入反应腔室2。
本实施例中,垂直式的设计使副产物不易在进气法兰1附近沉淀;所述进气法兰1的腔室气源进气口51与金属源放置位7之间、位于进气法兰1的一侧的位置上设置有隔板8,使反应混合气体的扩散路径更加曲折,也在一定程度上减少了处于低温状态的进气法兰1附近与反应混合气体的接触面积,有效地抑制了副产物在进气法兰1附近沉淀。
本实施例的使用流程如下:开启加热系统6和加热辅助系统61,放置晶片3,在金属源位置位7放置金属镓源,分别打开腔室气源进气口51、氯化氢进气口52、氨气进气口53,当氯化氢气体经过金属镓源时,与金属镓反应生成氯化镓,随后氯化镓与氨气在反应腔室2内的晶片3附近混合反应,在晶片3表面沉积氮化镓材料。
上述实施例为本发明的较佳的实现方式,并非是对本发明的限定,在不脱离本发明的发明构思的前提下,任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备,包括设备本体,其特征在于:所述设备本体包括进气法兰(1)和反应腔室(2),所述进气法兰(1)设置在反应腔室(2)的一端,与反应腔室(2)连接,进气法兰(1)上设有气源进气口;
所述反应腔室(2)包括腔室外壁(4),所述腔室外壁(4)上设置有加热系统(6);
所述反应腔室(2)内设置有晶片(3)和金属源放置位(7),所述金属源放置位(7)设置在所述进气法兰(1)的进气口与晶片(3)之间。
2.根据权利要求1所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述反应腔室(2)中在进气法兰(1)一侧的内径d小于所述反应腔室(2)中所述晶片(3)所在区域的内径D。
3.根据权利要求1所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述氢化物气相外延设备为垂直式的氢化物气相外延设备,所述晶片(3)水平放置在反应腔室(2)内。
4.根据权利要求2所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:在所述腔室外壁(4)与加热系统(6)之间设有加热辅助系统(61),该加热辅助系统(61)位于进气法兰(1)一侧。
5.根据权利要求4所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述氢化物气相外延设备为水平式所述氢化物气相外延设备,所述晶片(3)朝向所述金属源放置位(7)倾斜放置在反应腔室(2)内。
6.根据权利要求1-5任一项中所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述进气法兰(1)的进气口与金属源放置位(7)之间、位于进气法兰(1)的一侧的位置上设置有隔板(8)。
7.根据权利要求6所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述隔板(8)上设置有一个或多个隔板通孔(81)。
8.根据权利要求7所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述隔板(8)的材质为耐温800℃以上的材质。
9.根据权利要求8所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述进气法兰(1)有一个或多个。
10.根据权利要求9所述的氢化物气相外延设备,其特征在于:所述进气法兰(1)上有一个或多个气源进气口。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710938189.2A CN107740182A (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710938189.2A CN107740182A (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107740182A true CN107740182A (zh) | 2018-02-27 |
Family
ID=61237204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710938189.2A Pending CN107740182A (zh) | 2017-10-11 | 2017-10-11 | 一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107740182A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1350603A (zh) * | 1999-05-07 | 2002-05-22 | Cbl技术公司 | 接续氢化物汽相外延 |
CN101205627A (zh) * | 2006-12-21 | 2008-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 |
CN102315103A (zh) * | 2005-12-28 | 2012-01-11 | 住友电气工业株式会社 | 第iii族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置 |
-
2017
- 2017-10-11 CN CN201710938189.2A patent/CN107740182A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1350603A (zh) * | 1999-05-07 | 2002-05-22 | Cbl技术公司 | 接续氢化物汽相外延 |
CN102315103A (zh) * | 2005-12-28 | 2012-01-11 | 住友电气工业株式会社 | 第iii族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置 |
CN101205627A (zh) * | 2006-12-21 | 2008-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5188672A (en) | Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus | |
US8591993B2 (en) | Epitaxial wafer manufacturing apparatus and manufacturing method | |
US20130337653A1 (en) | Semiconductor processing apparatus with compact free radical source | |
US8485230B2 (en) | Gas delivery system | |
JP2006303152A (ja) | エピタキシャル成膜装置およびエピタキシャル成膜方法 | |
JP2013060340A (ja) | ハイドライド気相エピタキシー装置およびアルミニウム系iii族窒化物単結晶を製造する方法 | |
CN105714380A (zh) | 一种碳化硅外延生长装置及方法 | |
CN101298693A (zh) | 一种用于mocvd系统的双层气流石英整流罩反应室装置 | |
CN102560429B (zh) | 金属有机气相沉积装置 | |
US9644286B2 (en) | Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus | |
CN103451621B (zh) | Mocvd反应腔及工艺设备 | |
CN208776871U (zh) | 一种采用氢化物气相外延方法生长氮化镓材料的镓舟结构 | |
CN205711042U (zh) | 一种碳化硅外延生长装置 | |
CN107740182A (zh) | 一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备 | |
JP2007250696A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN109423695A (zh) | 掺杂源供应管路及化学气相沉积系统 | |
US20080311294A1 (en) | Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method | |
CN200996045Y (zh) | 一种可抑制化学气相沉积预反应的进气蓬头 | |
JP2019009264A (ja) | 成膜装置 | |
JP2004063663A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH01286306A (ja) | 結晶成長装置 | |
KR20170000097A (ko) | 다방향 공급을 이용한 폴리실리콘 제조용 반응 장치 및 그에 의한 폴리실리콘 제조 방법 | |
CN103183373B (zh) | 一种水平阵列ZnO纳米线及其制备方法 | |
CN205907398U (zh) | 一种金属有机化学气相沉积装置 | |
TWI480927B (zh) | 氣相成長裝置及氣相成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180227 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |