CN107735947B - 高频放大器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同的上层(61，62)中的平面印制导线。

Description

高频放大器装置
技术领域
本发明涉及一种高频放大器装置，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，该高频放大器装置包括：
a.两个晶体管，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点连接，其中，所述晶体管构造成相同类型的并且布置在多层的电路板上，
b.功率变换器，该功率变换器的初级绕组与晶体管的漏极连接端或集电极连接端连接。
背景技术
已知的是，为了产生适合激发等离子体的功率而使用晶体管、尤其双极晶体管或LDMOS晶体管。为了进行等离子体激发尤其期望的是，能够在F类或逆F类放大器工作模式中运行高频放大器装置。在此，尤其当功率由负载所反射并且必须在高频放大器装置中转换为热时，会产生显著的发热。例如在以下文献中示出不同的放大器装置：US2009/0027936A1、US2010/0148866 A1、US7,221,102 B2、US5,835,367 A、US2008/0272875 A1、US2013/0038226 A1。
发明内容
本发明的任务在于，提供一种在无通风装置的持续波运行中也正常工作的高频放大器装置。
根据本发明，所述任务通过适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发的高频放大器装置来解决，该高频放大器装置包括：
a.两个晶体管，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点连接，其中，所述晶体管构造成相同类型的并且布置在多层的电路板上，
b.功率变换器，该功率变换器的初级绕组与晶体管的漏极连接端或集电极连接端连接，
c.其中，功率变换器的初级绕组和次级绕组分别实施为布置在多层的电路板的不同的上层中的平面印制导线。
在此，优选设置两个双极晶体管或两个LDMOS晶体管作为晶体管。它们特别适用于推挽工作模式。
在此，多层的电路板的上层理解为不是电路板的最下层的层。在此，初级绕组的和次级绕组的平面印制导线优选嵌入到电路板材料中并且位于不同的平面中，也就是说它们彼此间隔开，并且在印制导线之间布置有电路板材料。借助这种布置可以实现良好的散热。此外，还可以借助这种布置实现，对于“差模”信号来说在理想的推挽工作模式中对基波、即对在预给定的基频(高频放大器装置的工作频率)下由高频放大器装置产生的高频信号进行激励，并且仅在差模中对奇次谐波进行激励，仅在共模中对偶次谐波进行激励。通过选择初级绕组相对于次级绕组的匝数比，可以在基频下根据放大器装置的期望的特性给两个晶体管中的每个提供阻抗。关于基波的阻抗可以借助高反射终端(Abschluss)来终止在激励高频放大器装置的情况下由于晶体管的非线性而可能产生的偶次和奇次谐波频率分量，以便在所述频率下转换更少的能量并且提高效率。与基波时相比，谐波频率的高反射终端是具有更高反射因子的终端。高反射终端例如可以是针对相应谐波频率的短路或断路。这可以通过附加的针对相应的谐波频率调谐的滤波器来实现。可以如此选择反射因子的相位，使得在晶体管上如此形成电流波形或电压波形，使得产生最小的重叠。因此，在晶体管上产生更低的损耗功率。
初级绕组和次级绕组可以垂直地彼此耦合。该耦合可能会受到距离和中间的材料的影响。
在此，初级绕组可以布置在次级绕组下面。
晶体管可以布置在一个共同的壳体中。尤其可以这样设置，晶体管布置在一个组件(封装)中。由此实现紧凑的结构方式以及更低的制造开销。
初级绕组与次级绕组的垂直距离可以小于构成初级绕组或次级绕组的印制导线的宽度的一半。由此，可以实现增大的磁耦合(更小的距离)与减小的电容性耦合(更大的距离)之间的折中。
多层电路板的最下层可以构造成用作参考地的金属层。该金属层也可以用于建立到冷却板的良好的热传导。因此可以设置，电路板布置在金属的冷却板上。
功率变换器的初级绕组和次级绕组到电路板的最下层的垂直距离可以大于初级绕组到次级绕组的距离。由此可以确保，对于期望的匹配特性来说、即对于理想的变换来说，布置有绕组的层相对于地的分布电容量足够小，并且布置有绕组的层之间的电容性耦合足够小，另一方面，到冷却板的热阻也足够小，以便能够将初级绕组以及次级绕组中的损耗在冷却板方向上耗散。
初级绕组和次级绕组在电路板的水平纵向上的以及水平横向上的水平延伸可以分别<λ/30，其中，λ是由高频放大器装置产生的高频信号的波长。
分别一个电容、尤其电容器可以与功率变换器的初级绕组以及次级绕组并联连接。所述电容(例如构造成集中式电容器)可以与初级绕组的或次级绕组的相应的自感一起在基频下表现出高阻抗，尤其近似于并联谐振。在功率变换器的初级侧上，该电容可以部分地由晶体管的输出电容构成。此外，初级侧上的并联电容还可以由晶体管对的两个漏极或集电极之间的差模电容与分别从两个漏极或集电极对地方向上的共模电容的组合组成。
初级绕组可以构型成对称的，使得初级侧对于两个晶体管来说显出相同的负载。由此，产生与基波阻抗相比高阻的终端，使得共模激励情况下的二次谐波高阻地负载。
可以如此选择功率变换器的初级绕组和次级绕组的匝数，使得产生期望的阻抗变换。匝数比尤其可以是1:2，优选地，初级绕组可以具有一匝，次级绕组可以具有两匝。
为了给晶体管直流供电，功率变换器的初级绕组可以具有中点抽头(Mittelpunktanzapfung)。
在中点抽头处可以连接有具有电感和/或电容器的网络。由此可以将偶次谐波终止。在中点抽头处，由该网络与一半初级绕组构成的串联电路应该对于双基频设计成高阻的。
晶体管的漏极或集电极可以通过包括电感和电容器的串联电路连接。电容器可以涉及集中式的或分布式的电容器。可以如此确定由电感和电容器构成的串联电路的参数，使得对于三次谐波实现低阻的终端。在数量上，如此可以实现与基波阻抗相比低阻的终端。
串联电路的电感可以构造成电路板的上层上的平面电感。在此，电路板的最下层再次用作地层，并且是到冷却板方向上损耗功率的低阻的热通道。
为了操控晶体管可以设置信号变换器，该信号变换器的次级绕组以第一端与一个晶体管的栅极连接端或基极连接端连接，并且以另一端与另一个晶体管的栅极连接端或基极连接端连接。
高于四次谐波对高频放大器装置的功率只有很小的影响。可选地，它们可以直接在漏极或集电极处在对地的方向上通过分别一个电容器低阻地连接。以这种方法和方式，可以阻止通过非常高的谐波引起的寄生谐振的激励，并且可以显著地改善稳定性。
根据本发明的高频激励装置适用于产生近似半正弦形的电压变化过程以及近似矩形的电流变化过程。这相应于逆F类的工作模式或根据对基波阻抗以及相应谐波的选择而相应于连续逆F类中的情况。
附图说明
本发明的其他特征和优点从以下借助示出本发明的重要细节的附图对本发明的实施例的详细描述中以及从权利要求中得出。那里示出的特征不一定理解成按比例地并且如此示出是为了使根据本发明的特征能够更清晰可见。不同的特征可以单独实现或在本发明的变型方案中以任意组合的形式多个实现。
在示意图中以不同的使用阶段示出本发明的实施例，并且在以下描述中进一步阐述。
附图示出：
图1示出根据本发明的高频放大器装置的电路图；
图2示出平面功率变换器的立体视图；
图3示出高频放大器装置的电路板的截面图；
图4示出在高频放大器装置的晶体管上出现的电流变化过程和电压变化过程。
具体实施方式
图1示出高频放大器装置1的第一实施方式。高频放大器装置1包括电路板2，组件3布置在该电路板上。电路板2可以是多层电路板。组件3具有两个构造成LDMOS晶体管的晶体管S1、S2，所述晶体管构造成相同的并且借助它们的源极连接端分别与接地连接点5连接。组件3可以布置在衬底上。组件3可以布置在壳体中。组件3的壳体可以布置在电路板2中的贯通槽(Durchgangsausnehmung)中。组件3的连接端可以接通在电路板2上。
晶体管S1、S2借助它们的漏极连接端分别与作为输出网络的一部分的功率变换器7的初级绕组6的一端连接。功率变换器7的次级绕组4一方面与地8连接而另一方面与高频输出端9连接。
晶体管S1、S2的源极连接端分别通过一个电容器32、33接地。该连接通过晶体管S1、S2的热分配器中的敷镀通孔(Durchkontaktierung)实现。
此外，高频放大器装置1还具有信号变换器10，该信号变换器具有初级绕组11，该初级绕组例如通过匹配网路18连接到高频输入端12。一方面，信号变换器10的次级绕组13通过电阻性元件14、尤其电阻与晶体管S1的栅极连接端15连接。另一方面，次级绕组13通过电阻性元件16、尤其电阻与晶体管S2的栅极连接端17连接。因此，电阻性元件14、16与次级绕组13串联连接。信号变换器10同样布置在电路板2上，就像功率变换器7那样。
电路板2平置于冷却板25上，所述冷却板同样能够与地26连接。为了冷却，组件3可以安装在铜板上。铜板可以用于从组件3到冷却板25的热传导、尤其用于散热。铜板可以布置在电路板2中的与组件3相同的贯通槽中。铜板可以具有比组件3朝向冷却板25的面更大的面积。匹配于铜板和组件3的面积，贯通槽可以构型成阶梯形的。
图1还示出，功率变换器7的初级绕组6与电容35并联设置。同样地，功率变换器7的次级绕组4与电容36并联设置。
功率变换器7的初级绕组6具有用于给晶体管S1、S2直流供电的中点抽头37。在中点抽头37处连接有可以具有电感和/或电容器的网络38。尤其可以设置由电容器和电感构成的串联电路。替代地，可以设置对地的电容器和串联的电感。
晶体管S1、S2的漏极或集电极通过包括电感41和电容器42的串联电路40连接。该串联电路40用作三次谐波的低阻终端。
可选地，还可以设置具有两个电容器44、45的匹配网络43，所述电容器的连接点接地。因此，功率变换器7的初级绕组6可以被调谐。
图2示出功率变换器7。初级绕组6布置在次级绕组4下面。在此，初级绕组6具有一匝，而次级绕组4具有两匝。初级绕组6和次级绕组4占据大致相同的面积。在此，电路板2在x方向上和y方向上的延伸、即纵向上和横向上的延伸分别小于λ/30，其中，λ是待产生的高频信号的波长。也可看出的是，初级绕组6具有中点抽头37(中点抽头37不与次级绕组4连接，这从图2中可能不能那么清楚地看出)。
初级绕组6和次级绕组4都布置在电路板的上层中。它们尤其布置在电路板的下层50的上方。从图2中也可以得出，初级绕组6和次级绕组4分别由印制导线构成。此外，在图2中还可以看出平面电感41，其同样布置在电路板2的一个层中，而该层位于层50的上方。
图3示出电路板2的截面图。在电路板2的上侧设置有用于连接分立构件的连接焊盘60。相应的连接焊盘也可以在层62上。电路板2的最下层50构造成金属的且平面的。该最下层是接地板(Masseplatte)并且大面积地与冷却板25连接。在电路板的上层61、62中布置有初级绕组6和次级绕组4。在此，初级绕组6与次级绕组4之间的距离b优选小于初级绕组6或次级绕组4的印制导线的宽度c的一半。从初级绕组6到层50的距离d以及从次级绕组4到层50的距离e分别大于距离b。在层63中可以设置有连接线路，也可以设置有平面电感41。
图4示出近似半正弦形的电压变化过程100以及基本上矩形的电流变化过程101。如果高频放大器装置1正确地调谐，则在晶体管S1、S2上出现电压变化过程或电流变化过程100、101。在此可以看出，电压变化过程100和电流变化过程101仅轻微地重叠，这导致在晶体管S1、S2中仅产生小的热功率。

Claims (13)

1.一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：
a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，
b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，
其特征在于，
c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同上层中的平面印制导线，
d.所述晶体管(S1，S2)的漏极或集电极通过包括电感(41)和电容器(42)的串联电路(40)连接。
2.根据权利要求1所述的高频放大器装置，其特征在于，所述初级绕组(6)与所述次级绕组(4)垂直地彼此耦合。
3.根据上述权利要求中任一项所述的高频放大器装置，其特征在于，所述晶体管(S1，S2)布置在共同的壳体中。
4.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，所述初级绕组(6)与所述次级绕组(4)的垂直距离(b)小于构成所述初级绕组(6)或所述次级绕组(4)的印制导线的宽度(c)的一半。
5.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，所述多层的电路板(2)的最下层(50)构造成用作参考地的金属层。
6.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，所述电路板(2)布置在金属的冷却板(25)上。
7.根据权利要求5所述的高频放大器装置，其特征在于，所述功率变换器(7)的初级绕组(6)以及次级绕组(4)到所述电路板(2)的所述最下层(50)的垂直距离(d，e)大于所述初级绕组(6)到所述次级绕组(4)的距离(b)。
8.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，所述初级绕组(6)以及所述次级绕组(4)在所述电路板(2)的水平纵向上以及水平横向上的水平延伸分别<λ/30，其中，λ是由所述高频放大器装置产生的高频信号的波长。
9.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，分别一个电容(35，36)与所述功率变换器(7)的所述初级绕组(6)以及所述次级绕组(4)并联连接。
10.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，为了给所述晶体管(S1，S2)直流供电，所述功率变换器(7)的所述初级绕组(6)具有中点抽头(37)。
11.根据权利要求10所述的高频放大器装置，其特征在于，在所述中点抽头(37)处连接有具有电感和/或电容器的网络(38)。
12.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，所述电感(41)构造成所述电路板(2)的上层上的平面电感。
13.根据权利要求1或2所述的高频放大器装置，其特征在于，设置信号变换器(10)，所述信号变换器的次级绕组以第一端与一个晶体管(S1)的栅极连接端或基极连接端连接并且以第二端与另一个晶体管(S2)的栅极连接端或基极连接端连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015212247A1 (de) * 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung
DE102015212220A1 (de) 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung
DE102015212152B4 (de) * 2015-06-30 2018-03-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Nicht lineare Hochfrequenzverstärkeranordnung
DE102017208917A1 (de) * 2017-05-26 2018-11-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung und Verfahren zur Auslegung einer Hochfrequenzverstärkeranordnung
WO2019102536A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社Ｆｕｊｉ プラズマ用電源装置、プラズマ装置及びプラズマ用電源装置の制御方法
DE102018112641A1 (de) 2018-05-25 2019-11-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Lithiumanode und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018112642A1 (de) 2018-05-25 2019-11-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Lithium-Ionen-Zelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018112639A1 (de) 2018-05-25 2019-11-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Kathodenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018112637A1 (de) 2018-05-25 2019-11-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Lithiumanode und Verfahren zu deren Herstellung
CN111727376B (zh) * 2018-11-09 2022-05-13 皇家飞利浦有限公司 射频功率放大器及其组装方法
EP3667350A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-17 Koninklijke Philips N.V. A radio frequency power amplifier and method for assembly
GB2580155A (en) * 2018-12-21 2020-07-15 Comet Ag Radiofrequency power amplifier
JP7275624B2 (ja) * 2019-02-13 2023-05-18 株式会社デンソー 周波数帯域可変高周波増幅器
CN112444767A (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 通用电气精准医疗有限责任公司 用于磁共振成像的射频功率变换器和射频发射系统
DE102020104090A1 (de) * 2020-02-17 2021-08-19 Comet Ag Hochfrequenzverstärker-Anordnung für einen Hochfrequenzgenerator
JP2021175053A (ja) * 2020-04-22 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11979974B1 (en) * 2020-06-04 2024-05-07 Inno-Hale Ltd System and method for plasma generation of nitric oxide
CN216390923U (zh) * 2021-11-09 2022-04-26 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器、射频芯片及无线通讯设备
CN118302953A (zh) * 2021-12-07 2024-07-05 株式会社村田制作所 功率放大电路、功率放大装置以及阻抗匹配装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043607A (en) * 1997-12-16 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for exciting a plasma in a semiconductor wafer processing system using a complex RF waveform
CN1760957A (zh) * 2004-10-11 2006-04-19 汤姆森特许公司 利用电容性负载的软切换来产生矩形电压信号的放大器
CN1860833A (zh) * 2003-09-29 2006-11-08 株式会社田村制作所 多层层叠电路基板
CN101061615A (zh) * 2004-01-16 2007-10-24 Mks仪器有限公司 具有感性箝位电路的e类放大器
CN102742155A (zh) * 2010-04-02 2012-10-17 Mks仪器有限公司 可变种类特性的放大器

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4107728A (en) * 1977-01-07 1978-08-15 Varian Associates, Inc. Package for push-pull semiconductor devices
US5015972A (en) 1989-08-17 1991-05-14 Motorola, Inc. Broadband RF transformer
JP3055483B2 (ja) * 1997-01-24 2000-06-26 日本電気株式会社 混成集積回路
US5835367A (en) * 1998-01-20 1998-11-10 Industrial Technology Research Institute Distributed plannar-type high voltage transformer
US7768371B2 (en) * 1998-02-05 2010-08-03 City University Of Hong Kong Coreless printed-circuit-board (PCB) transformers and operating techniques therefor
SE0004794L (sv) 2000-12-22 2002-06-23 Ericsson Telefon Ab L M En flerskikts-symmetreringstransformatorstruktur
US6501364B1 (en) * 2001-06-15 2002-12-31 City University Of Hong Kong Planar printed-circuit-board transformers with effective electromagnetic interference (EMI) shielding
JP4772232B2 (ja) * 2001-08-29 2011-09-14 アジレント・テクノロジーズ・インク 高周波増幅回路及び高周波増幅回路の駆動方法
JP4271457B2 (ja) * 2003-02-07 2009-06-03 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
US7221102B2 (en) * 2003-02-07 2007-05-22 Daihen Corporation High-frequency power supply device
JP2005039799A (ja) * 2003-06-26 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器、電力分配器および電力合成器
US6879209B2 (en) 2003-07-08 2005-04-12 Icefyre Semiconductor Corp. Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
CN101142638A (zh) * 2005-08-04 2008-03-12 加利福尼亚大学董事 交错式三维芯片上差动电感器和变压器
CA2556839C (en) * 2005-08-23 2011-10-18 Synergy Microwave Corporation Multilayer planar balun transformer, mixers and amplifiers
US7486141B2 (en) * 2005-12-21 2009-02-03 Trex Enterprises Corp. Wide bandwidth, high power amplifier
US7605673B2 (en) 2006-06-02 2009-10-20 Coherent, Inc. Transformer for impedance-matching power output of RF amplifier to gas-laser discharge
US7675365B2 (en) * 2007-01-10 2010-03-09 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers
EP2097920B1 (de) * 2007-07-23 2017-08-09 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Plasmaversorgungseinrichtung
WO2009037995A1 (ja) * 2007-09-21 2009-03-26 Nec Corporation 高出力増幅器、無線送信機、無線送受信機、及び高出力増幅器の実装方法
DE102010002754B4 (de) * 2010-03-11 2012-07-12 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Plasmaversorgungsanordnung mit Quadraturkoppler
US8195109B2 (en) * 2010-03-23 2012-06-05 Texas Instruments Incorporated Single ended switched power amplifier with tuned load coupling block
JP5829885B2 (ja) * 2011-10-19 2015-12-09 株式会社Ｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ バラン
JP5808012B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102015212220A1 (de) 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043607A (en) * 1997-12-16 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for exciting a plasma in a semiconductor wafer processing system using a complex RF waveform
CN1860833A (zh) * 2003-09-29 2006-11-08 株式会社田村制作所 多层层叠电路基板
CN101061615A (zh) * 2004-01-16 2007-10-24 Mks仪器有限公司 具有感性箝位电路的e类放大器
CN1760957A (zh) * 2004-10-11 2006-04-19 汤姆森特许公司 利用电容性负载的软切换来产生矩形电压信号的放大器
CN102742155A (zh) * 2010-04-02 2012-10-17 Mks仪器有限公司 可变种类特性的放大器

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