CN107731791A - 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 - Google Patents

一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 Download PDF

Info

Publication number
CN107731791A
CN107731791A CN201711154780.5A CN201711154780A CN107731791A CN 107731791 A CN107731791 A CN 107731791A CN 201711154780 A CN201711154780 A CN 201711154780A CN 107731791 A CN107731791 A CN 107731791A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wire
metal wire
metal
static electricity
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711154780.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107731791B (zh
Inventor
安立扬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201711154780.5A priority Critical patent/CN107731791B/zh
Publication of CN107731791A publication Critical patent/CN107731791A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107731791B publication Critical patent/CN107731791B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构，包括，第一金属线和置于第一金属线上且与第一金属线垂直的第二金属线；对称设置在第一金属线两边缘靠近两金属线相交区域的第一金属线第一导线；设置在第二金属线靠近第一金属线第一导线的一侧边缘的两根第二金属线导线；其中，所述第二金属线导线头部与第一金属线第一导线头部相对。本发明将静电击伤区域固定在导线接触区域，提高修复的可能，提高良率，降低成本。

Description

一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构
技术领域
本发明是应用于液晶显示领域里的一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构。
背景技术
在薄膜晶体管和液晶显示器制造过程中，良率是成本降低的关键，阵列(Array)由于制程复杂，良率一直比较低，其中静电炸伤(ESD)，是制约阵列良率的一大因素。如图1所示，第一金属线1和第二金属线2相互垂直设置，在两金属线跨线部位发生静电击伤(ESD)3，因一旦发生静电击伤，如图2所示，上下两层金属线路就会短路，使后面的制程无法进行，只能报废。如图3和图4所示，为了提高良率，现有技术的做法是将跨线地方的第二金属线设置成镂空的窄缝(slit)状，如图5所示，当其中一根条状金属线发生静电击伤时，通过镭射的方法把它切断，从而提高良率，可是这种方法无法保证静电炸伤发生的位置，静电炸伤是随机发生的，如图6所示，当超过一半的窄缝发生炸伤的时候，我们就不能再通过切断的方法来修补了，因为阻值太大了也会影响后面的制程，只能报废。相应的在未发生静电炸伤时，这种挖空的设计也会增加走线的阻值，对于一些对阻值要求较高的产品，引入此种设计时必须增加导线的线宽。无形之中增加了第一金属线与第二金属线的跨线区域的面积，引起静电击伤高发。
发明内容
针对上述现有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构，实现静电击伤控制在设置的导线头部位置，方便后续修复。
一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构，包括，第一金属线和与所述第一
金属线绝缘设置且相交的第二金属线；
其中，所述第一金属线的至少一侧边缘向外突出形成第一金属线第一导线，所述第一金属线第一导线位于靠近所述第一金属线与所述第二金属线相交的区域；
所述第二金属线上靠近所述第一金属线第一导线的一侧边缘朝向所述第一金属线第一导线突出形成第二金属线导线；
所述第一金属线第一导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，还包括不少于一根的第一金属线第二导线，所述第一金属线第二导线位于第一金属线两边缘且位于第一金属线第一导线远离第二金属线导线的一侧；
所述第一金属线第二导线包括垂直段和水平段，垂直段垂直于第一金属线，水平段平行于第一金属线，且第一金属线第二导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，所述第一金属线第一导线、第二金属线导线以及第一金属线第二导线的头部设置有尖端，所述尖端为四棱锥型结构。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，还包括设置在第一金属线和第二金属线之间的单晶硅层，所述单晶硅层设置在两金属线相交的区域并延伸至第二金属线导线区域，所述单晶硅层在位于导线头部相对区域被蚀刻。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，所述尖端的长度不小于所述第一金属线第一导线、第二金属线导线以及第一金属线第二导线的导线总长度的1/3。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，所述单晶硅层的厚度与所述第一金属层和第二金属层的厚度相同。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，所述第一金属线第一导线与第二金属线平行，所述第二金属线导线与第一金属线平行。
所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其中，所述第一金属线第二导线的垂直段长度与第一金属线第一导线长度相同。
一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法，包括
在第一金属线两边缘靠近两金属线相交区域对称设置一对第一金属线第一导线；
在第二金属线靠近第一金属线第一导线的一侧边缘设置两根第二金属线导线；
将所述第一金属线第一导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
静电击伤发生在导线头部相对区域时用激光切断两根第二金属线导线。
所述的一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法，还可以在第一金属线位于第一金属线两边缘且位于第一金属线第一导线远离第二金属线导线的一侧设置不少于一根的第一金属线第二导线，将所述第一金属线第二导线的头部一端在所述第一金属线第二导线所在平面上与第一金属线第一导线的头部相对。
本发明的优点在于：在第一金属线和第二金属线上分别设置第一金属线第一导线和第二金属线导线，将两根导线的头部相对，使静电击伤区域尽量发生在两根导线头部相对的区域。
设置第一金属线第二导线，并设置成垂直段和水平段两个方向，方便第二金属线导线与第一金属线第一导线和第二道线的接触精度。
在所述第一金属线第一导线，第一金属线第二导线以及第二金属线导线的头部设置有四棱锥型的尖端，使静电击伤区域更大程度的发生在尖端处，方便后续的修复。
在第一金属线和第二金属线的相交区域设置有单晶硅层，而第一金属线第一导线、第二金属线导线以及第一金属线第二导线的尖端位置并未设置有单晶硅层，则第一金属线和第二金属线相交区域两金属线的距离较远，在尖端位置不涉及单晶硅层，则尖端处第一金属线和第二金属线的距离较小，当电荷累积到一定程度，静电击伤会发生在尖端处，用激光切断第二金属线导线即可。
本发明将静电击伤区域固定在导线接触区域，提高修复的可能，提高良率，降低成本。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1是两金属跨线区域静电击伤示意图。
图2是两金属跨线区域由于静电击伤导致的短路示意图。
图3是现有技术克服静电击伤导致短路的结构示意图。
图4是现有技术克服静电击伤导致短路的结构剖视图。
图5是现有技术克服静电击伤导致短路的结构的实施例示意图。
图6是现有技术克服静电击伤导致短路的结构的另一实施例示意图。
图7是本发明克服静电击伤导致短路的结构示意图。
图8是本发明克服静电击伤导致短路的尖端局部示意图。
图9是本发明克服静电击伤导致短路的尖端局部剖视图。
图10是本发明克服静电击伤导致短路的另一结构示意图。
图11是本发明克服静电击伤导致短路的导线头部相对区域的剖视图。
图12是本发明克服静电击伤导致短路的修复方法示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
如图7所示，为本发明一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构，包括，第一金属线1和置于第一金属线1上且与第一金属线1垂直的第二金属线2；
第一金属线第一导线6对称设置在第一金属线1两边缘靠近两金属线相交的区域，所述第一金属线第一导线6垂直于第一金属线1；两根第二金属线导线5设置在第二金属线2靠近第一金属线第一导线6的一侧边缘，所示第二金属线导线5垂直于第二金属线2；所述第一金属线第一导线6的一端在所述第二金属线2所在平面上的投影与所述第二金属线导线5的一端相对设置。
在第一金属线第一导线6远离第二金属线导线5的一侧，设置有不少于一对的第一金属线第二导线4，所述第一金属线第二导线4包括垂直段41和水平段42，垂直段41垂直于第一金属线1，水平段42平行于第一金属线1，且第一金属线第二导线4的一端在所述第二金属线2所在平面上的投影与所述第二金属线导线5的一端相对设置，所述第一金属线第二导线4的垂直段41长度与第一金属线第一导线6长度相同。
如图8和图9所示，在第一金属线第一导线6、第二金属线导线5以及第一金属线第二导线4的头部设置有尖端7，所述尖端7为四棱锥型结构。
如图10和图11所示，在第一金属线1和第二金属线2之间还设置有单晶硅层8，所述单晶硅层8设置在两金属线相交的区域并延伸至第二金属线2处，所述的单晶硅层8在第一金属线第一导线6、第一金属线第二导线4、以及第二金属线导线5的的尖端位置上被蚀刻掉，形成镂空结构。所述单晶硅层8的厚度与所述第一金属层和第二金属层的厚度相同。所述尖端7的长度不小于所述第一金属线第一导线6、第二金属线导线5以及第一金属线第二导线4的导线总长度的1/3。
如图12所示，一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法：包括
在第一金属线1两边缘靠近两金属线相交区域对称设置一对第一金属线第一导线6；
在第二金属线2靠近第一金属线第一导线6的一侧边缘设置两根第二金属线导线5；
将所述第二金属线导线5头部与第一金属线第一导线6头部相对；
静电击伤处3发生在导线头部相对区域100(即第一金属线第一导线6、第一金属线第二导线4、以及第二金属线导线5的三个尖端7相对的位置)时用激光切断两根第二金属线导线5。
所述的一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法，其中，还可以在第一金属线1位于第一金属线1两边缘且位于第一金属线第一导线6远离第二金属线导线5的一侧设置第一金属线第二导线4，将所述第一金属线第二导线4的尖端与第一金属线第一导线6的尖端相对。
在第一金属线1和第二金属线2上分别设置第一金属线第一导线6和第二金属线导线5，将两根导线的头部相对，使静电击伤区域尽量发生在导线头部相对区域100。
设置第一金属线第二导线2，所述第一金属线第二导线2分为垂直段和水平段两个方向，这样设置，方便第二金属线导线5与第一金属线第一导线6和第一金属线第二导线4的尖端能够相对的精度，使所述第二金属线导线5的尖端、第一金属线第一导线6的尖端以及第一金属线第二导线4的尖端能够尽可能的接近。
在所述第一金属线第一导线4，第一金属线第二导线4以及第二金属线导线5的头部的尖端为四棱锥型，这样设置，能够使静电击伤区域更大几率的发生在尖端处，能够方便后续的修复。
在第一金属线1和第二金属线2的相交区域设置有单晶硅层8，而第一金属线第一导线6、第二金属线导线5以及第一金属线第二导线4的尖端位置并未设置有单晶硅层8，即所述的单晶硅层8在第一金属线第一导线6、第一金属线第二导线4、以及第二金属线导线5的的尖端7位置上被蚀刻掉，第一金属线1和第二金属线2相交区域两金属线相隔单晶硅层8的厚度的距离，而由于一金属线1和第二金属线2在尖端位置的单晶硅层8被蚀刻掉，其未设置单晶硅层8，则尖端处第一金属线1和第二金属线2的距离较小，因此，当电荷累积到一定程度，静电击伤会更大几率发生在尖端处，用激光切断第二金属线导线即可完成修复。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，包括，第一金属线和与所述第一金属线绝缘设置且相交的第二金属线；
其中，所述第一金属线的至少一侧边缘向外突出形成第一金属线第一导线，所述第一金属线第一导线位于靠近所述第一金属线与所述第二金属线相交的区域；
所述第二金属线上靠近所述第一金属线第一导线的一侧边缘朝向所述第一金属线第一导线突出形成第二金属线导线；
所述第一金属线第一导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
2.根据权利要求1所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，还包括不少于一根的第一金属线第二导线，所述第一金属线第二导线位于第一金属线两边缘且位于第一金属线第一导线远离第二金属线导线的一侧；
所述第一金属线第二导线包括垂直段和水平段，垂直段垂直于第一金属线，水平段平行于第一金属线，且第一金属线第二导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
3.根据权利要求2所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，所述第一金属线第一导线、第二金属线导线以及第一金属线第二导线的头部设置有尖端，所述尖端为四棱锥型结构。
4.根据权利要求3所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，还包括设置在第一金属线和第二金属线之间的单晶硅层，所述单晶硅层设置在两金属线相交的区域并延伸至第二金属线导线区域，所述单晶硅层在位于导线头部相对区域被蚀刻。
5.根据权利要求3所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，所述尖端的长度不小于所述第一金属线第一导线、第二金属线导线以及第一金属线第二导线的导线总长度的1/3。
6.根据权利要求4所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，所述单晶硅层的厚度与所述第一金属层和第二金属层的厚度相同。
7.根据权利要求1所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，所述第一金属线第一导线与第二金属线平行，所述第二金属线导线与第一金属线平行。
8.根据权利要求2所述的提高跨线区静电击伤修复良率的结构，其特征在于，所述第一金属线第二导线的垂直段长度与第一金属线第一导线长度相同。
9.一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法：其特征在于，包括
在第一金属线两边缘靠近两金属线相交区域对称设置一对第一金属线第一导线；
在第二金属线靠近第一金属线第一导线的一侧边缘设置两根第二金属线导线；
将所述第一金属线第一导线的一端在所述第二金属线所在平面上的投影与所述第二金属线导线的一端相对设置。
静电击伤发生在导线头部相对区域时用激光切断两根第二金属线导线。
10.根据权利要求9所述的一种提高跨线区静电击伤修复良率的方法，其特征在于，还可以在第一金属线位于第一金属线两边缘且位于第一金属线第一导线远离第二金属线导线的一侧设置不少于一根的第一金属线第二导线，将所述第一金属线第二导线的头部一端在所述第一金属线第二导线所在平面上与第一金属线第一导线的头部相对。
CN201711154780.5A 2017-11-20 2017-11-20 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 Active CN107731791B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711154780.5A CN107731791B (zh) 2017-11-20 2017-11-20 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711154780.5A CN107731791B (zh) 2017-11-20 2017-11-20 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107731791A true CN107731791A (zh) 2018-02-23
CN107731791B CN107731791B (zh) 2020-07-21

Family

ID=61217437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711154780.5A Active CN107731791B (zh) 2017-11-20 2017-11-20 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107731791B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666304A (zh) * 2018-05-10 2018-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板和显示面板
CN109212855A (zh) * 2018-10-11 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种走线结构及液晶面板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970016665A (ko) * 1995-09-06 1997-04-28 김광호 수리선을 가지고 있는 액정 표시 장치
JPH09507575A (ja) * 1994-01-18 1997-07-29 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト トンネル効果−センサ
US20050180072A1 (en) * 2004-02-16 2005-08-18 Han-Chung Lai Electrostatic discharge guide and liquid crystal display utilizing same
CN101201520A (zh) * 2007-12-27 2008-06-18 昆山龙腾光电有限公司 一种具有静电防护功能的液晶显示装置阵列基板
CN101281303A (zh) * 2008-05-19 2008-10-08 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示模块短路修复方法
CN101441372A (zh) * 2007-11-23 2009-05-27 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示器的静电放电保护装置及其制造方法
CN103140016A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 深圳麦逊电子有限公司 防止静电释放的pcb电路板
US20140028192A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Infineon Technologies Ag Field Emission Devices and Methods of Making Thereof
CN104503176A (zh) * 2014-12-25 2015-04-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US20170117196A1 (en) * 2015-10-21 2017-04-27 Boe Technology Group Co., Ltd. A gate integrated driving circuit and a restoring method thereof, a display panel and a display apparatus

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09507575A (ja) * 1994-01-18 1997-07-29 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト トンネル効果−センサ
KR970016665A (ko) * 1995-09-06 1997-04-28 김광호 수리선을 가지고 있는 액정 표시 장치
US20050180072A1 (en) * 2004-02-16 2005-08-18 Han-Chung Lai Electrostatic discharge guide and liquid crystal display utilizing same
CN101441372A (zh) * 2007-11-23 2009-05-27 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示器的静电放电保护装置及其制造方法
CN101201520A (zh) * 2007-12-27 2008-06-18 昆山龙腾光电有限公司 一种具有静电防护功能的液晶显示装置阵列基板
CN101281303A (zh) * 2008-05-19 2008-10-08 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示模块短路修复方法
CN103140016A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 深圳麦逊电子有限公司 防止静电释放的pcb电路板
US20140028192A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Infineon Technologies Ag Field Emission Devices and Methods of Making Thereof
CN103579026A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 英飞凌科技股份有限公司 场发射器件及其制造方法
CN104503176A (zh) * 2014-12-25 2015-04-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US20170117196A1 (en) * 2015-10-21 2017-04-27 Boe Technology Group Co., Ltd. A gate integrated driving circuit and a restoring method thereof, a display panel and a display apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666304A (zh) * 2018-05-10 2018-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板和显示面板
CN108666304B (zh) * 2018-05-10 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板和显示面板
CN109212855A (zh) * 2018-10-11 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种走线结构及液晶面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN107731791B (zh) 2020-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9559054B2 (en) Repairing line structure and circuit repairing method using same
EP2770368B1 (en) Pixel unit electrode structure and array substrate of liquid crystal display device with a fringe field switching mode
US20200070285A1 (en) Irregularly-shaped display panel and cutting method
US10061417B2 (en) Capacitive touch screen, method of manufacturing the same and display device
CN107731791A (zh) 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构
CN102722058B (zh) 一种液晶阵列基板及其制造方法、修复方法
KR20160039275A (ko) 디스플레이 패널 및 그의 팬아웃라인 구조
CN201828746U (zh) 液晶显示基板和液晶显示器
US20170269420A1 (en) Structure of chip on soft panel and liquid crystal display panel equipped with chip on soft panel
US10928693B2 (en) Array substrate, repair method of array substrate, display panel and display device
CN103869512B (zh) 一种阵列基板、显示装置
US20190064959A1 (en) Flexible touch screen and manufacturing method thereof, flexible display device
JP5934834B2 (ja) 導電性メッシュにおけるブリッジ構造を製造するための方法
CN104900633A (zh) 一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置
CN114026694A (zh) 触控模组、显示面板和显示装置
CN104916650A (zh) 一种双栅线阵列基板、显示面板及显示装置
CN205665664U (zh) 触摸窗
CN102629050B (zh) 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
KR102075060B1 (ko) 리페어를 위한 배선 구조 및 그를 구비하는 평판표시장치
CN104880880A (zh) 一种阵列基板、显示面板及其制备方法
JP6512834B2 (ja) 表示装置、および表示装置を製造するための表示装置用部材
CN202421683U (zh) 一种tft阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件
CN106252358B (zh) 具有静电保护功能的显示面板
KR20170057225A (ko) 어레이 기판, 제조 방법, 및 대응하는 디스플레이 패널과 전자 디바이스
CN105912181B (zh) 触摸屏制造方法及触摸屏

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder