CN107727698A - 微传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微传感器，尤其涉及一种连接到传感器电极的电阻器包括至少两个以上的电阻而可根据感测物质改变电阻器的电阻值的微传感器。

Description

微传感器
技术领域
本发明涉及一种微传感器，尤其涉及一种连接到传感器电极的电阻器包括至少两个以上的电阻的微传感器。
背景技术
最近，随着对环境的关注日益增加而需开发一种可在短时间内获得各种精确的信息的小型传感器。尤其，为了居住空间的舒适化与应对有害产业环境、管理饮食、食品的生产制程等，一直以来不断进行实现用以容易地测定相关气体的浓度的气体传感器的微阵列传感器的小型化、高精确化、低价化的努力。
现有的气体传感器从以往的陶瓷烧结或厚膜形态的构造逐渐发展为应用半导体制程技术的微机电系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)形态的微气体传感器。
在测定方法方面而言，在现有的气体传感器中使用最广泛的方法为如下方法：当气体吸附到传感器的感测物质时，测定所述传感器的电性能的变化。此种方法通常将如SnO2的金属氧化物用作感测物质，测定因测定目标气体的浓度引起的导电率的变化，具有测定方法相对简单的优点。此时，金属氧化物感测物质在以高温加热而进行动作时，其测定值的变化更明显。因此，为了快速且准确地测定气体浓度，需准确地调节温度。另外，在进行测定时，通过高温加热而强制性地去除已吸附在感测物质的气体类或水分来将感测物质恢复(reset、recovery)到初始状态，之后测定气体浓度。
通常，在气体传感器的情况下，为了将气体传感器封装体化而应用到信息技术(Information Technology，IT)设备，需将模拟输出(电阻输出)转换成数字输出(电压输出)方式。为此，需配置与气体传感器的传感物质的电阻值相似或相同的电阻而在传感物质端将电阻转换成电压。然而，传感物质的基本物质的电阻值随温度而发生变化，故而初始电阻值不固定，因此产生传感效率下降的问题。
为了解决这种问题，在韩国公开专利公报第2015-0031709号及韩国公开专利公报第2015-0112224号中，揭示一种在气体传感器封装体具备如负温度系数热敏电阻(Negative Temperature Coefficient，NTC)或固定电阻的输出变更部的气体传感器封装体。
另一方面，根据传感物质而电阻也改变。因此，需根据传感物质将输出变更部的电阻设为不同的值。然而，以往的传感器在输出变更部具备固定电阻，因此存在无法共用传感器封装体的问题。
另外，以往的传感器在输出变更部应用NTC或电阻元件，因此存在传感器的体积变大的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国公开专利公报第2015-0031709号
(专利文献2)韩国公开专利公报第2015-0112224号
(专利文献3)韩国公开专利公报第2009-0064693号
发明内容
[发明欲解决的课题]
本发明是为了解决如上所述的问题而提出，其目的在于提供一种可将各种感测物质应用到传感器的微传感器。
[解决课题的手段]
用以达成上述目的的本发明的微传感器的特征在于包括：基板；传感器电极，形成到所述基板上；以及电阻器，形成到所述基板上，电连接到所述传感器电极；且所述电阻器包括至少两个以上的电阻。
所述电阻中的至少两个的电阻值可不同。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫及第一电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，所述第二电阻垫及所述第三电阻垫中的至少一个电阻垫包括焊垫电极部与接合部，所述焊垫电极部的至少一部分连接到所述第一电阻，所述接合部连接到所述焊垫电极部，形成到除所述第一电阻以外的部分，所述焊垫电极部跨及所述第一电阻而与之接触，以便与所述第一电阻的两端接触。
所述第一电阻可配置到所述焊垫电极部的上部。
所述第一电阻可由NiCr、AgMn、CuNi、Ta、硅化钽、碳中的一种形成。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第四电阻垫、第一电阻及第二电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，在所述第二电阻的一侧连接所述第三电阻垫，在所述第二电阻的另一侧连接所述第四电阻垫。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极的第一传感器电极垫，所述第二电阻垫或所述第三电阻垫连接到所述传感器电极的第二传感器电极垫，在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，在所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第二电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第一电阻及第二电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，在所述第二电阻的一侧垫连接所述第一电阻垫，在所述第二电阻的另一侧连接所述第二电阻垫。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，在所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第二电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻、第二电阻及第三电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，在所述第一电阻及第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第一电阻及第二电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，在所述第三电阻的一侧连接所述第一电阻垫，在所述第三电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
所述电阻器可包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，所述第一电阻的一侧连接到所述第一电阻垫，所述第一电阻的另一侧连接到所述第二电阻垫，所述第二电阻的一侧连接到所述第二电阻垫，所述第二电阻的另一侧连接到所述第三电阻垫。
所述微传感器还可包括形成到所述基板上的加热器电极，所述加热器电极包括发热配线，所述发热配线以较所述传感器电极的传感器电极垫更靠近传感器配线的方式配置。
可在所述基板形成包围所述发热配线的气隙。
所述基板可为在将金属材质的母材阳极氧化后去除所述母材而成的阳极氧化被膜。
所述电阻中的至少一个电阻可为面电阻。
所述电阻中的至少一个电阻可形成为图案形状。
所述电阻中的至少两个电阻可并联。
所述电阻中的至少两个电阻可串联。
[发明的效果]
根据如上所述的本发明的微传感器，具有如下效果。
可将电阻选择性连接到传感器电极，因此可调节电阻值，从而可将各种感测物质应用到传感器。
在所述基板形成包围加热器电极的发热配线的气隙，从而可提高隔热性能。另外，所述气隙配置到发热配线与电阻器之间，从而可防止因所述电阻器产生的热而通过所述发热配线来升温的部分受到影响。
所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫及第一电阻，所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，所述第二电阻垫及所述第三电阻垫中的至少一个电阻垫包括焊垫电极部与接合部，所述焊垫电极部的至少一部分连接到所述第一电阻，所述接合部连接到所述焊垫电极部，形成到除所述第一电阻以外的部分，所述焊垫电极部跨及所述第一电阻而与之接触，以便与所述第一电阻的两端接触，因此即便仅具备一个电阻也可设计各种值的电阻而构造变简单。
所述第一电阻配置到所述焊垫电极部的上部，因此稳定性提高。
所述基板为在将金属材质的母材阳极氧化后去除所述母材而成的阳极氧化被膜，因此还可提高隔热性能。
所述电阻中的至少一个电阻形成为面电阻或图案形状，因此可将电阻器的体积最小化。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的微传感器的俯视图。
图2是图1的A部分的放大图。
图3是图1的B-B部分的剖面图。
图4(a)、图4(b)及图4(c)是表示本发明的第一实施例的微传感器的电阻器的电阻值的变更例的概略图。
图5是本发明的第二实施例的微传感器的俯视图。
图6是本发明的第三实施例的微传感器的俯视图。
图7是本发明的第四实施例的微传感器的俯视图。
图8是本发明的第五实施例的微传感器的俯视图。
图9是本发明的第六实施例的微传感器的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地对本发明的优选的一实施例进行说明。
作为参考，以下进行说明的本发明的构成中的与以往技术相同的构成参照如上所述的以往技术，不另作详细说明。
在记载为某个部分处于另一部分“上”的情况下，可为处于另一部分的正上方、或可在其等之间存在其他部分。作为对照，在记载为某个部分处于另一部分的“正上方”的情况下，不在其等之间介置其他部分。
此处所使用的专业术语仅用以记载特定实施例，并不意欲限定本发明。只要未在文中表示明确相反的含义，则此处所使用的单数形态也包括复数形态。说明书中所使用的“包括”的含义为将特定特性、区域、整数、步骤、动作、要素及/或成分具体化，而并非排除存在或附加其他特定特性、区域、整数、步骤、动作、要素、成分及/或族群。
“下方”、“上方”等表示相对性的空间的术语可用于更容易地说明图中所示的一个部分相对于另一部分的关系。这些术语不仅包括图中所欲表达的含义，而且包括使用中的装置的其他含义或动作。例如，如果翻转图中的装置，则说明为处于另一部分的“下方”的某个部分将处于另一部分的“上方”。因此，所谓“下方”的例示性术语包括上方向与下方向两者。装置可旋转90度或以其他角度旋转，表示相对性的空间的术语也据此来解释。
＜第一实施例＞
如图1至图4(a)、图4(b)及图4(c)所示，第一实施例的微传感器的特征在于包括：基板100；传感器电极300，形成到所述基板100上；以及电阻器，形成到所述基板100上，电连接到所述传感器电极300；且所述电阻器包括至少两个以上的电阻。
如果对金属材质的母材进行阳极氧化处理(anodizing)，则形成包括在表面具有多个穿通的孔(Pore)的多孔层、与存在于多孔层的下部的阻障层的阳极氧化被膜。此处的金属材质的母材可为铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、锌(Zn)等，但优选为由轻量、容易加工、导热性优异且无金属污染的担忧的铝或铝合金材质构成。
作为一例，通过对铝的表面进行阳极氧化处理而形成氧化铝被膜，所述氧化铝被膜包括在表面具有多个穿通的孔102的氧化铝多孔层、与存在于氧化铝多孔层的下部的阻障层。作为一例，本发明的优选实施例的基板100可仅包括去除铝的氧化铝被膜。另外，可在氧化铝被膜的氧化铝多孔层上形成电极，相反地，可在阻障层上形成电极。另外，可去除氧化铝被膜的阻障层而仅包括形成上下贯通的孔102的氧化铝多孔层。
以下，以去除所述铝与所述阻障层两者的基板100为基准而进行说明。
从阳极氧化的铝中去除所述铝与所述阻障层而沿上下方向贯通形成基板100的孔102。基板100由氧化铝多孔层形成，因此微加热的热容量变小。
基板100包括如下部件而构成：第一支撑部110，以圆筒形状形成在基板100的中心；第二支撑部120，与第一支撑部110相隔而形成在外侧；以及桥接部，连接第一支撑部110与第二支撑部120。另外，在第一支撑部110的周边、即在第一支撑部110与第二支撑部120之间形成多个气隙101。
第一支撑部110整体呈圆筒形状，在其外周连接多个桥接部。
另外，在第一支撑部110的外周形成多个气隙101。气隙101可不连续地形成多个。气隙101及桥接部围绕第一支撑部110的周边而交替地配置。通过对第一支撑部110的周边进行蚀刻而不连续地形成气隙101，由此形成这种桥接部。因此，多个桥接部的一端连接到第一支撑部110，另一端连接到第二支撑部120。
传感器电极300形成到基板100的上表面。
这种传感器电极300感测气体吸附在感测物质600时的电性能的变化。
传感器电极300包括第一传感器电极300a、及与第一传感器电极300a相隔地配置的第二传感器电极300b。第一传感器电极300a与第二传感器电极300b相隔地配置，以在平面上水平配置的中心线为基准而对称地形成。
第一传感器电极300a及第二传感器电极300b分别包括形成到第一支撑部110的传感器配线、与连接到传感器配线而形成到桥接部及第二支撑部120的传感器电极垫。
第一传感器电极300a包括形成到第一支撑部110的上表面的第一传感器配线310a、及连接到第一传感器配线310a的第一传感器电极垫320a。
第二传感器电极300b包括形成到第一支撑部110的上表面的第二传感器配线310b、及连接到第二传感器配线310b的第二传感器电极垫320b。
传感器配线包括第一传感器配线310a与第二传感器配线310b。传感器电极垫包括所述第一传感器电极垫320a与所述第二传感器电极垫320b。传感器配线以固定宽度形成。传感器电极垫位于桥接部及第二支撑部120的上表面，以具有大于第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的宽度的方式形成。第一传感器电极300a及第二传感器电极300b的传感器电极垫以越朝向端部则宽度越宽的方式形成。即，传感器电极垫以越朝向第一传感器配线310a及第二传感器配线310b则宽度越窄的方式形成。
传感器电极300由Pt、W、Co、Ni、Au及Cu中的一种或包括其中至少一种的混合物形成。
加热器电极200形成到基板100的上表面。
在氧化铝被膜的氧化铝多孔层上形成电极的情况下，位于加热器电极200及传感器电极300的下部的孔102因加热器电极200与传感器电极300而上部被堵塞，下部也被堵塞。与此不同，在氧化铝被膜的阻障层上形成电极的情况下，位于加热器电极200及传感器电极300的下部的孔102的上部被堵塞，而下部开放。与此不同，在去除氧化铝被膜的阻障层的情况下，位于加热器电极200及传感器电极300的下部的孔102因加热器电极200与传感器电极300而上部被堵塞，下部开放。如上所述，加热器电极200形成到所述氧化铝多孔层上，因此成为热容量较小的微传感器。
加热器电极200包括如下部件而构成：发热配线210，以较传感器电极垫更靠近传感器配线的方式形成到第一支撑部110；以及加热器电极垫，连接到发热配线210而形成到第二支撑部120及桥接部。
发热配线210形成到第一支撑部110上，包覆第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的至少一部分而形成。并且，加热器电极垫包括分别连接到发热配线210的两端而彼此隔开的第一加热器电极垫220a及第二加热器电极垫220b。发热配线210配置到基板100的第一支撑部110的上表面。
俯视时，发热配线210以相对于第一支撑部110的水平中心线对称的方式形成，包括形成为圆弧形状的多个弧部、及连接弧部的多个连接部。
发热配线210以与第一弧部211a、第一连接部212a、第二弧部211b、第二连接部212b…第三弧部211c相同的方式反复连接多个弧部及连接部而形成，所述第一弧部211a与气隙101相邻而形成为圆弧状，所述第一连接部212a从第一弧部211a的一端向第一支撑部110的内侧弯曲延伸，所述第二弧部211b从第一连接部212a的端部以圆弧状延伸形成而向第一弧部211a的内侧相隔配置，第二连接部212b从第二弧部211b的端部向第一支撑部110的内侧延伸形成。
发热配线210从第一弧部211a连接至第三弧部211c而构成为一体，相对于第一支撑部110的水平中心线对称。
如图2所示，发热配线210的多个弧部分别大致形成为半圆弧形状而整体构成圆形。因此，第一支撑部110的温度均匀性提高。
发热配线210的中心部是两侧的弧部彼此汇合的位置，两个圆弧形状的弧部结合而构成左侧开放的圆形。并且，在所述圆形的内侧形成间隔空间部214。间隔空间部214从发热配线210的中心部延伸至发热配线210的左侧而形成。即，为了形成间隔空间部214，从发热配线210的左侧中央至中心部隔开。在间隔空间部214配置传感器配线。即，发热配线210从第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的外侧包覆所述第一传感器配线及第二传感器配线的至少一部分而形成。另外，在第一弧部211a的另一端部连接第一加热器电极垫220a，在第三弧部211c的一端部连接第二加热器电极垫220b。
加热器电极200由Pt、W、Co、Ni、Au及Cu中的一种或包括其中至少一种的混合物形成。
另一方面，在发热配线210的两端、即在分别连接第一加热器电极垫220a及第二加热器电极垫220b的第一弧部211a与第三弧部211c的端部之间形成虚拟金属500。
虚拟金属500在加热器电极200的发热配线210与气隙101之间配置成圆弧形状。虚拟金属500与相邻的发热配线210相隔而形成。
虚拟金属500形成到发热配线210的外侧，优选为金属。虚拟金属500的材质可与电极材质相同，此处的电极材质可为铂、铝、铜等金属。
较第一弧部211a及第三弧部211c的内侧的剩余弧部的中心角更小地形成所述第一弧部211a及第三弧部211c的中心角。在发热配线210的外周中，在第一弧部211a与第三弧部211c的端部之间形成空间510，虚拟金属500位于所述空间510。
以虚拟金属500的形成面积局部地填充发热配线210的外周的空间510。因此，俯视时，发热配线210及虚拟金属500的外周实质上构成圆形，由此第一支撑部110的温度均匀性提高而以低功率升温的第一支撑部110上的发热配线210的温度分布变得更均匀。
加热器电极垫包括分别连接到发热配线210的两端的第一加热器电极垫220a及第二加热器电极垫220b。如上所述，形成至少2个以上的加热器电极垫。加热器电极垫以越朝向外侧则宽度越宽的方式形成。即，加热器电极垫以越朝向发热配线210则宽度越窄的方式形成。加热器电极垫以具有大于发热配线210的宽度的方式形成。
加热器电极垫与传感器电极垫以第一支撑部110为中心而配置成放射状。
所述加热器电极垫配置到基板100的右侧，所述传感器电极垫配置到基板100的中间部分，在基板100的左侧配置下文叙述的所述电阻器。
在加热器电极200及传感器电极300的上部的一部分形成防变色保护层(未图示)。所述防变色保护层可由氧化物类的材质形成。进而，所述防变色保护层由氧化钽(TaOx)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)及氧化铝(Al2O3)中的至少一种形成。
气隙101以包围发热配线210、第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的方式形成到基板100。气隙101配置到第一支撑部110的外围、即发热配线210、第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的外围。气隙101配置在发热配线210、第一传感器配线310a及第二传感器配线310b的侧部。
气隙101的最大宽度(左右宽度)形成为宽于孔102的最大宽度。气隙101形成为圆弧形状，且形成4个。多个气隙101沿圆周方向相隔地配置。即，不连续地形成多个气隙101。
详细而言，气隙101配置在第一传感器电极300a的第一传感器电极垫320a与第一加热器电极垫220a之间、第一加热器电极垫220a与第二加热器电极垫220b之间、第二加热器电极垫220b与第二传感器电极300b的第二传感器电极垫320b之间、及第二传感器电极300b的第二传感器电极垫320b与第一传感器电极300a的第一传感器电极垫320a之间。即，气隙101形成到除支撑加热器电极200与传感器电极300的部分以外的区域。
气隙101沿上下方向贯通而形成。即，气隙101为从基板100的上表面贯通至下表面而形成的空间。
因气隙101而在基板100形成共同支撑发热配线210与传感器配线的第一支撑部110、支撑加热器电极垫与传感器电极垫的第二支撑部120、及桥接部。即，在第一支撑部110与第二支撑部120之间形成气隙101。因此，气隙101及桥接部围绕第一支撑部110的周边而交替地配置。
俯视时，第一支撑部110形成为圆形状，由气隙101包围。第一支撑部110以面积广于发热配线210及传感器配线的面积的方式形成。
第一支撑部110与第二支撑部120通过桥接部而彼此连接。
并且，第一支撑部110与第二支撑部120在除桥接部以外的部分，因气隙101而彼此隔开。因此，第一支撑部110与第二支撑部120通过四个桥接部而在四个位置彼此连接。
在第一支撑部110形成覆盖发热配线210及传感器配线的感测物质600。即，感测物质600形成到与第一支撑部110对应的位置。印刷形成感测物质600。如上所述，如果印刷形成感测物质600，则在形成感测物质600后，在感测物质600的表面残留网状形态的痕迹。
所述电阻器形成到基板100上，电连接到传感器电极300的传感器电极垫。
所述电阻器形成到基板100的上表面，因此形成到与传感器电极300相同的表面上。
所述电阻器与加热器电极200相隔地配置。
所述电阻器配置到第二支撑部120。本实施例的微传感器的感测气体的部分(传感器电极及加热器电极)配置到基板100的右侧，所述电阻器配置到基板100的左侧。因此，在所述电阻器与第一支撑部110之间配置气隙101。
所述电阻器包括至少两个以上的电阻。
所述电阻中的至少一个电阻形成为面电阻或微细图案(线形)形状，因此可将所述电阻器的体积最小化。
详细而言，所述电阻器包括第一电阻垫410a、第二电阻垫410b、第三电阻垫410c、第四电阻垫410d、第五电阻垫410e、第六电阻垫410f、第一电阻420a、第二电阻420b及第三电阻420c。
各电阻垫以彼此隔开的方式配置。
第一电阻垫410a连接到传感器电极300的第一传感器电极垫320a。与上述内容不同，第一电阻垫410a也可连接到传感器电极300的第二传感器电极垫320b。
连接到传感器电极300的所述电阻器的第一电阻垫410a也可与传感器电极300的第一传感器电极垫320a或第二传感器电极垫320b形成为一体。
第一电阻垫410a通过至少一个电阻垫与至少一个电阻而连接。
在所述第一电阻420a的一侧连接所述第一电阻垫410a，在所述第一电阻420a的另一侧连接所述第二电阻垫410b。
在所述第二电阻420b的一侧连接所述第三电阻垫410c，在所述第二电阻420b的另一侧连接所述第四电阻垫410d。
在所述第三电阻420c的一侧连接第五电阻垫410e，在所述第三电阻420c的另一侧连接所述第六电阻垫410f。
在本实施例中，所述电阻器可包括6个电阻。所述电阻器包括第一电阻420a、第二电阻420b、第三电阻420c、第四电阻420d、第五电阻420e及第六电阻420f。
本实施例的各电阻在两侧分别具备电阻垫。因此，在剩余电阻即第四电阻420d、第五电阻420e及第六电阻420f的一侧与另一侧也连接各电阻垫。
6个电阻分别具有不同的电阻值，或6个电阻中的至少两个电阻具有不同的电阻值。
可使连接到传感器电极300的第一传感器电极垫320a的第一电阻420a在6个电阻中具有最大值。第一电阻420a、第二电阻420b、第三电阻420c、第四电阻420d、第五电阻420e及第六电阻420f具备为面电阻，线宽越窄则电阻越大，线宽越宽则电阻值越小。
所述电阻器仅连接到传感器电极300的第一传感器电极垫320a，因此传感器电极300与所述电阻器串联。
各电阻垫可根据感测物质600的电阻而通过打线接合700等选择性地连接到传感器电极300。
如图4(a)、图4(b)及图4(c)所示，能够以不同的方式将各电阻垫打线接合700而改变电阻值。
图4(a)是仅使用第三电阻420c的情况。在这种情况下，将连接到第一传感器电极垫320a的第一电阻垫410a与第五电阻垫410e打线接合700，在第六电阻垫410f连接输出接口。
图4(b)使用第二电阻420b及与第二电阻420b串联的第三电阻420c，因此所述电阻器的电阻值为将第二电阻420b与第三电阻420c相加所得的值。在这种情况下，将连接到第一传感器电极垫320a的第一电阻垫410a与第四电阻垫410d打线接合700，将第三电阻垫410c与第五电阻垫410e打线接合700，在第六电阻垫410f连接输出接口。
图4(c)使用第一电阻420a、与第一电阻420a串联的第二电阻420b、及与第二电阻420b串联的第三电阻420c，因此所述电阻器的电阻值为将第一电阻420a、第二电阻420b与第三电阻420c相加所得的值。在这种情况下，将连接到第一传感器电极垫320a的第一电阻垫410a与第二电阻垫410b连接，连接第二电阻垫410b与第四电阻垫410d，连接第三电阻垫410c与第五电阻垫410e，在第六电阻垫410f连接输出接口。
如上所述，所述电阻中的至少两个电阻可串联。
以下，对具有上述构成的本实施例的作用进行说明。
为了测定气体浓度，首先对加热器电极200的2个加热器电极垫施加固定功率而将感测物质600加热至固定温度。
周围的气体吸附到升温的感测物质600或脱离所述感测物质。
因此，第一传感器配线310a与第二传感器配线310b之间的导电率发生变化，通过所述电阻器放大这种感测信号而感测气体。
另外，为了实现更精确的测定，利用加热器电极200进行高温加热而强制性地去除已吸附在感测物质600的其他气体类或水分来将感测物质600恢复到初始状态，之后测定目标气体的浓度。
＜第二实施例＞
以下，对本发明的第二实施例的微传感器进行说明。
在对第二实施例的微传感器进行说明时，对与第一实施例的微传感器相同或相似的构成使用相同的符号，省略详细说明及图示。
如图5所示，第二实施例的微传感器的电阻器包括第一电阻垫1410a、第二电阻垫1410b、第三电阻垫1410c、第四电阻垫1410d、第五电阻垫1410e及第一电阻1420a。
第一电阻1420a沿前后方向形成为长条形状。第一电阻1420a配置到传感器电极1300的左侧。
第一电阻1420a由NiCr、AgMn、CuNi、Ta、硅化钽、碳中的一种形成。第一电阻1420a能够以与传感器电极1300或加热器电极200不同的材质形成。
第一电阻垫1410a在第一传感器电极垫1320a与第一电阻1420a之间沿左右方向形成。
第一电阻垫1410a的右侧连接到传感器电极1300的第一传感器电极垫1320a或第二传感器电极垫1320b。第一电阻垫1410a的左侧连接到第一电阻1420a的前端。
所述第二电阻垫1410b与所述第三电阻垫1410c中的至少一个电阻垫包括：焊垫电极部1411，至少一部分连接到所述第一电阻1420a；以及接合部，连接到所述焊垫电极部1411，形成到除所述第一电阻1420a以外的部分。
在本实施例中，第二电阻垫1410b、第三电阻垫1410c、第四电阻垫1410d及第五电阻垫1410e均包括焊垫电极部1411与所述接合部。
焊垫电极部1411配置到所述接合部的右侧。
焊垫电极部1411以前后宽度小于所述接合部的方式形成。
焊垫电极部1411沿左右方向较长地形成。焊垫电极部1411的左右方向的长度形成为长于第一电阻1420a的左右方向的长度，因此第一电阻1420a与所述接合部沿左右方向相隔。
焊垫电极部1411跨及第一电阻1420a而与之接触，以便与第一电阻1420a的两端接触。在本实施例中，焊垫电极部1411沿左右方向跨及第一电阻1420a而与之接触，以便与所述第一电阻的左侧端与右侧端接触。
在形成电阻垫后形成第一电阻1420a，以便第一电阻1420a配置到焊垫电极部1411的上部。
各焊垫电极部1411沿前后方向远离第一电阻垫1410a而配置。以越从第二电阻垫1410b朝向第五电阻垫1410e，焊垫电极部1411与第一电阻垫1410a之间的间隔越远的方式形成。电阻值根据各焊垫电极部1411与第一电阻垫1410a的距离而发生变化。由此，可选择性地改变电阻值。
另外，可将各电阻垫的所述接合部打线接合而并联电阻。
＜第三实施例＞
以下，对本发明的第三实施例的微传感器进行说明。
在对第三实施例的微传感器进行说明时，对与第一实施例的微传感器相同或相似的构成使用相同的符号，省略详细说明及图示。
如图6所示，第三实施例的微传感器的电阻器的电阻中的至少两个电阻并联。
所述电阻器包括第一电阻垫2410a、第二电阻垫2410b、第一电阻2420a、第二电阻2420b、第三电阻2420c、第四电阻2420d、第五电阻2420e及第六电阻2420f。
所述第一电阻垫2410a连接到传感器电极2300的第一传感器电极垫2320a。
所述第一电阻垫2410a配置到第一电阻2420a、第二电阻2420b、第三电阻2420c、第四电阻2420d、第五电阻2420e及第六电阻2420f的右侧。
在所述第一电阻2420a的一侧连接所述第一电阻垫2410a，在所述第一电阻2420a的另一侧连接所述第二电阻垫2410b。
所述第二电阻垫2410b配置到第一电阻2420a、第二电阻2420b、第三电阻2420c、第四电阻2420d、第五电阻2420e及第六电阻2420f的左侧。
在所述第二电阻2420b的一侧连接所述第一电阻垫2410a，在所述第二电阻2420b的另一侧连接所述第二电阻垫2410b。
以相同的方式在第三电阻2420c、第四电阻2420d、第五电阻2420e及第六电阻2420f的一侧连接所述第一电阻垫2410a，在另一侧连接所述第二电阻垫2410b。
如上所述，多个电阻以彼此并联的方式形成到基板。
在这种情况下，为了调节所述电阻器的电阻值，在使用时根据感测物质来挑出多余的电阻而断开。通过如上所述的简单的作业，即便不另外进行打线接合也可调节电阻值。
＜第四实施例＞
以下，对本发明的第四实施例的微传感器进行说明。
在对第四实施例的微传感器进行说明时，对与第一实施例的微传感器相同或相似的构成使用相同的符号，省略详细说明及图示。
如图7所示，第四实施例的微传感器的电阻器包括第一电阻垫3410a、第二电阻垫3410b、第三电阻垫3410c、第四电阻垫3410d、第五电阻垫3410e、第六电阻垫3410f、第七电阻垫3410g、第一电阻3420a、第二电阻3420b、第三电阻3420c、第四电阻3420d、第五电阻3420e及第六电阻3420f。
所述第一电阻垫3410a连接到传感器电极3300的第一传感器电极垫3320a。
所述第一电阻垫3410a配置到第一电阻3420a、第二电阻3420b、第三电阻3420c、第四电阻3420d、第五电阻3420e及第六电阻3420f的右侧。
在所述第一电阻3420a的一侧连接所述第一电阻垫3410a，在所述第一电阻3420a的另一侧连接所述第二电阻垫3410b。
第二电阻垫3410b、第三电阻垫3410c、第四电阻垫3410d、第五电阻垫3410e、第六电阻垫3410f及第七电阻垫3410g配置到第一电阻3420a、第二电阻3420b、第三电阻3420c、第四电阻3420d、第五电阻3420e及第六电阻3420f的左侧。
在所述第二电阻3420b的一侧连接所述第一电阻垫3410a，在所述第二电阻3420b的另一侧连接所述第三电阻垫3410c。
分别以相同的方式在第三电阻3420c、第四电阻3420d、第五电阻3420e及第六电阻3420f的一侧连接所述第一电阻垫3410a，在另一侧连接第四电阻垫3410d、第五电阻垫3410e、第六电阻垫3410f及第七电阻垫3410g。
因此，如果仅将连接在必需的电阻的另一侧的电阻垫打线接合，则可调节电阻值。
＜第五实施例＞
以下，对本发明的第五实施例的微传感器进行说明。
在对第五实施例的微传感器进行说明时，对与第一实施例的微传感器相同或相似的构成使用相同的符号，省略详细说明及图示。
如图8所示，第五实施例的微传感器的电阻器包括第一电阻垫4410a、第二电阻垫4410b、第三电阻垫4410c、第一电阻4420a、第二电阻4420b、第三电阻4420c、第四电阻4420d、第五电阻4420e及第六电阻4420f。
所述第一电阻垫4410a连接到传感器电极4300的第一传感器电极垫4320a。
所述第一电阻垫4410a配置到第一电阻4420a、第二电阻4420b、第三电阻4420c、第四电阻4420d、第五电阻4420e及第六电阻4420f的右侧。
在所述第一电阻4420a、第二电阻4420b及第四电阻4420d的一侧连接所述第一电阻垫4410a，在所述第一电阻4420a、第二电阻4420b及第四电阻4420d的另一侧连接所述第二电阻垫4410b。
第二电阻垫4410b配置到第一电阻4420a、第二电阻4420b及第四电阻4420d的左侧。
可在所述第三电阻4420c、第五电阻4420e及第六电阻4420f的一侧连接所述第一电阻垫4410a，在所述第三电阻4420c、第五电阻4420e及第六电阻4420f的另一侧连接所述第三电阻垫4410c。
第三电阻垫4410c配置到第三电阻4420c、第五电阻4420e及第六电阻4420f的左侧。
第三电阻4420c、第五电阻4420e与第六电阻4420f的电阻值之和与第一电阻4420a、第二电阻4420b与第四电阻4420d的电阻值之和不同。
＜第六实施例＞
以下，对本发明的第六实施例的微传感器进行说明。
在对第六实施例的微传感器进行说明时，对与第一实施例的微传感器相同或相似的构成使用相同的符号，省略详细说明及图示。
如图9所示，第六实施例的微传感器的电阻器的电阻中的至少两个电阻串联。
所述电阻器包括第一电阻垫5410a、第二电阻垫5410b、第三电阻垫5410c、第四电阻垫5410d、第五电阻垫5410e、第六电阻垫5410f、第一电阻5420a、第二电阻5420b、第三电阻5420c、第四电阻5420d及第五电阻5420e。
所述第一电阻垫5410a连接到传感器电极5300的第一传感器电极垫5320a。
所述第一电阻5420a的一侧连接到所述第一电阻垫5410a，所述第一电阻5420a的另一侧连接到所述第二电阻垫5410b。
所述第二电阻5420b的一侧连接到所述第二电阻垫5410b，所述第二电阻5420b的另一侧连接到所述第三电阻垫5410c。
通过相同的方式，第三电阻5420c、第四电阻5420d及第五电阻5420e依序与第三电阻垫5410c、第四电阻垫5410d、第五电阻垫5410e及第六电阻垫5410f相互串联。
这种所述电阻器可根据感测物质的电阻而在第二电阻垫5410b、第三电阻垫5410c、第四电阻垫5410d、第五电阻垫5410e及第六电阻垫5410f连接输出接口而使用。
如上所述，参照本发明的优选实施例进行了说明，但本技术领域的普通技术人员可在不脱离随附的权利要求书中所记载的本发明的思想及技术领域的范围内，对本发明进行各种修正或变形而实施。

Claims (18)

1.一种微传感器，其特征在于，包括：
基板；
传感器电极，形成到所述基板上；以及
电阻器，形成到所述基板上，电连接到所述传感器电极，且
所述电阻器包括至少两个以上的电阻。
2.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻中的至少两个的电阻值不同。
3.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫及第一电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
所述第二电阻垫与所述第三电阻垫中的至少一个包括焊垫电极部与接合部，所述焊垫电极部的至少一部分连接到所述第一电阻，所述接合部连接到所述焊垫电极部，形成到除所述第一电阻以外的部分，
所述焊垫电极部跨及所述第一电阻而与所述第一电阻接触，以便与所述第一电阻的两端接触。
4.根据权利要求3所述的微传感器，其特征在于，所述第一电阻配置到所述焊垫电极部的上部。
5.根据权利要求3所述的微传感器，其特征在于，所述第一电阻由NiCr、AgMn、CuNi、Ta、硅化钽、碳中的一种形成。
6.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第四电阻垫、第一电阻及第二电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，
在所述第二电阻的一侧连接所述第三电阻垫，
在所述第二电阻的另一侧连接所述第四电阻垫。
7.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极的第一传感器电极垫，
所述第二电阻垫或所述第三电阻垫连接到所述传感器电极的第二传感器电极垫，
在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，
在所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第二电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
8.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第一电阻及第二电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，
在所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第二电阻的另一侧连接所述第二电阻垫。
9.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
在所述第一电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第一电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，
在所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第二电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
10.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻、第二电阻及第三电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
在所述第一电阻与所述第二电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第一电阻及所述第二电阻的另一侧连接所述第二电阻垫，
在所述第三电阻的一侧连接所述第一电阻垫，
在所述第三电阻的另一侧连接所述第三电阻垫。
11.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻器包括第一电阻垫、第二电阻垫、第三电阻垫、第一电阻及第二电阻，
所述第一电阻垫连接到所述传感器电极，
所述第一电阻的一侧连接到所述第一电阻垫，
所述第一电阻的另一侧连接到所述第二电阻垫，
所述第二电阻的一侧连接到所述第二电阻垫，
所述第二电阻的另一侧连接到所述第三电阻垫。
12.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，还包括形成到所述基板上的加热器电极，
所述加热器电极包括发热配线，所述发热配线以较所述传感器电极的传感器电极垫更靠近传感器配线的方式配置。
13.根据权利要求12所述的微传感器，其特征在于，在所述基板形成包围所述发热配线的气隙。
14.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述基板为在将金属材质的母材阳极氧化后去除母材而成的阳极氧化被膜。
15.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻中的至少一个为面电阻。
16.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻中的至少一个形成为图案形状。
17.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻中的至少两个并联。
18.根据权利要求1所述的微传感器，其特征在于，所述电阻中的至少两个串联。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111024777A (zh) * 2019-12-25 2020-04-17 广州钰芯传感科技有限公司 一种修饰氧化锡的传感器及其制备方法和在氮氧化物气敏检测中的应用
CN111948342A (zh) * 2020-07-30 2020-11-17 南京力通达电气技术有限公司 一种钯合金氢气传感器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3315956A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-02 Sensirion AG Multi-parametric sensor with bridge structure
JP6877397B2 (ja) 2018-10-15 2021-05-26 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 Ｍｅｍｓガスセンサ及びｍｅｍｓガスセンサの製造方法
US20210404994A1 (en) * 2020-06-30 2021-12-30 Butterfly Network, Inc. Heaters in capacitive micromachined ultrasonic transducers and methods of forming and activating such heaters

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090064693A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 마이크로 가스 센서 및 그 제작 방법
JP2010008122A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd ガスセンサ
JP2010164411A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Citizen Watch Co Ltd 薄膜型ガスセンサ
US20150075258A1 (en) * 2013-09-16 2015-03-19 Lg Innotek Co., Ltd. Gas sensor package
KR20150112224A (ko) * 2014-03-27 2015-10-07 엘지이노텍 주식회사 가스 센서 패키지
CN105492898A (zh) * 2013-08-27 2016-04-13 日立汽车系统株式会社 气体传感器装置
CN105784786A (zh) * 2015-01-09 2016-07-20 罗伯特·博世有限公司 用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法
CN106158743A (zh) * 2016-05-20 2016-11-23 上海申矽凌微电子科技有限公司 利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5167158A (en) * 1987-10-07 1992-12-01 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Semiconductor film pressure sensor and method of manufacturing same
US6485465B2 (en) * 2000-03-29 2002-11-26 Medtronic Minimed, Inc. Methods, apparatuses, and uses for infusion pump fluid pressure and force detection
GB2411521A (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Qinetiq Ltd Fabrication method for micro-sensor device
WO2012111368A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 学校法人 東北学院 流体の温度と種類の影響を校正した熱伝導型センサと、これを用いた熱型フローセンサおよび熱型気圧センサ
KR102152704B1 (ko) 2013-09-16 2020-09-21 엘지이노텍 주식회사 가스센서패키지
KR102210634B1 (ko) 2014-09-24 2021-02-02 엘지전자 주식회사 마이크로 히터 및 마이크로 센서

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090064693A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 마이크로 가스 센서 및 그 제작 방법
JP2010008122A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd ガスセンサ
JP2010164411A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Citizen Watch Co Ltd 薄膜型ガスセンサ
CN105492898A (zh) * 2013-08-27 2016-04-13 日立汽车系统株式会社 气体传感器装置
US20150075258A1 (en) * 2013-09-16 2015-03-19 Lg Innotek Co., Ltd. Gas sensor package
KR20150112224A (ko) * 2014-03-27 2015-10-07 엘지이노텍 주식회사 가스 센서 패키지
CN105784786A (zh) * 2015-01-09 2016-07-20 罗伯特·博世有限公司 用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法
CN106158743A (zh) * 2016-05-20 2016-11-23 上海申矽凌微电子科技有限公司 利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111024777A (zh) * 2019-12-25 2020-04-17 广州钰芯传感科技有限公司 一种修饰氧化锡的传感器及其制备方法和在氮氧化物气敏检测中的应用
CN111024777B (zh) * 2019-12-25 2022-07-12 广州钰芯传感科技有限公司 一种修饰氧化锡的传感器及其制备方法和在氮氧化物气敏检测中的应用
CN111948342A (zh) * 2020-07-30 2020-11-17 南京力通达电气技术有限公司 一种钯合金氢气传感器
CN111948342B (zh) * 2020-07-30 2021-07-20 南京力通达电气技术有限公司 一种钯合金氢气传感器

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