CN107706076B - 一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 - Google Patents
一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107706076B CN107706076B CN201710702567.7A CN201710702567A CN107706076B CN 107706076 B CN107706076 B CN 107706076B CN 201710702567 A CN201710702567 A CN 201710702567A CN 107706076 B CN107706076 B CN 107706076B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- cavity
- film forming
- gas
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 24
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si‑O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si‑O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法。
背景技术
在现有多晶硅，单晶硅或侧墙刻蚀的工艺应用中，晶圆刻蚀前，通常使用WAC(Waferless Auto clean)对腔体侧壁进行原刻蚀副产物(Si-O及含碳聚合物)的清除，然后重新生长Si-O聚合物，稳定腔体氛围，控制在线及缺陷表现。
实际应用中发现，因WAC菜单设计的主要目的是控制腔体顶部和侧壁的成膜情况，对与晶圆最接近的静电托盘及其边缘部件的成膜，因其晶圆的在线表现和缺陷影响较小而未做重点关注；在传统Logic/Memory制品的生产中，该应用方式不会带来潜在影响；
但是因CMOS图像传感器对金属污染极其敏感，静电托盘及其边缘部件的成膜情况对CIS晶圆的良率越来越重要；静电托盘及其边缘部件的金属离子析出严重影响晶圆电性和良率，晶圆边缘白点偏高导致良率缺失。
在CIS制品工艺技术日趋成熟的同时存在着以下的一些问题：
刻蚀腔体因使用材料和设计特性，无法避免金属离子析出；而其对晶圆良率有重要影响；量产阶段，使用WAC在腔体侧壁覆盖Si-O的涂层，会控制大部分金属离子析出；但传统WAC对静电托盘及其周围部件无涂层，会导致静电托盘周围金属离子析出，从而导致晶圆边缘收沾污而良率缺失。
发明内容
本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
为了达到上述目的，本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，包括下列步骤：
步骤a：在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除；
步骤b：使用含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si-O副产物去除；
步骤c：使用含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除；
步骤d：使用含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除；
步骤e：使用成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，稳定腔体氛围，同时隔离腔体的金属离子析出；
步骤f：使用成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，隔离静电托盘及其边缘部件的金属离子析出。
进一步的，所述步骤a中使用高压力，0偏压的含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
进一步的，所述步骤b中使用低压力，小偏压的含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si-O副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
进一步的，所述步骤a和步骤b中使用的含氟刻蚀气体为NF3气体。
进一步的，所述步骤c中使用高压力，0偏压的含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
进一步的，所述步骤d中使用低压力，小偏压的含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
进一步的，所述步骤e中使用高压力，0偏压的成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，其中所述高压力定义为>80mtorr。
进一步的，所述步骤f中使用低压力，小偏压的成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
进一步的，所述步骤e和步骤f中使用的成膜气体为SiCl4气体。
本发明提出的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si-O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si-O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
附图说明
图1所示为本发明较佳实施例的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法流程图。本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，包括下列步骤：
步骤a：在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除；
步骤b：使用含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si-O副产物去除；
步骤c：使用含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除；
步骤d：使用含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除；
步骤e：使用成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，稳定腔体氛围，同时隔离腔体的金属离子析出；
步骤f：使用成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，隔离静电托盘及其边缘部件的金属离子析出。
根据本发明较佳实施例，所述步骤a中使用高压力，0偏压的含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
所述步骤b中使用低压力，小偏压的含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si-O副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
进一步的，所述步骤a和步骤b中使用的含氟刻蚀气体为NF3气体。
所述步骤c中使用高压力，0偏压的含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
所述步骤d中使用低压力，小偏压的含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
所述步骤e中使用高压力，0偏压的成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，其中所述高压力定义为>80mtorr。
所述步骤f中使用低压力，小偏压的成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
进一步的，所述步骤e和步骤f中使用的成膜气体为SiCl4气体。
本发明通过高压力无偏压在腔体侧壁成膜，低压力配备低偏压功率在ESC表面及边缘成膜，达到控制腔体侧壁及ESC边缘金属离子析出沾污对晶圆的沾污。
完成步骤f处理后，可以进行晶圆刻蚀等后续操作，该刻蚀为干法刻蚀，因刻蚀特性，刻蚀过程中有金属离子析出，本发明通过优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免了像素区硅源表面的金属污染。
综上所述，本发明提出的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si-O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si-O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (8)
1.一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤a：在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除；
步骤b：使用低压力，小偏压的含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si-O副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V；
步骤c：使用含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除；
步骤d：使用含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除；
步骤e：使用成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，稳定腔体氛围，同时隔离腔体的金属离子析出；
步骤f：使用成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，隔离静电托盘及其边缘部件的金属离子析出。
2.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤a中使用高压力，0偏压的含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si-O副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
3.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤a和步骤b中使用的含氟刻蚀气体为NF3气体。
4.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤c中使用高压力，0偏压的含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除，其中所述高压力定义为>80mtorr。
5.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤d中使用低压力，小偏压的含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
6.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤e中使用高压力，0偏压的成膜气体进行腔体侧壁Si-O成膜，其中所述高压力定义为>80mtorr。
7.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤f中使用低压力，小偏压的成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si-O成膜，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V。
8.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，所述步骤e和步骤f中使用的成膜气体为SiCl4气体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710702567.7A CN107706076B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710702567.7A CN107706076B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107706076A CN107706076A (zh) | 2018-02-16 |
| CN107706076B true CN107706076B (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=61171130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710702567.7A Active CN107706076B (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107706076B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774233A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JPH08288376A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用静電チャック |
| CN102013388A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 腔室内清洁方法 |
| CN103219226A (zh) * | 2013-04-09 | 2013-07-24 | 上海华力微电子有限公司 | 降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法 |
| CN105826182A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化cmos图像传感器晶圆边缘缺陷的方法 |
| CN106158589A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法 |
| CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
| CN106449366A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法 |
-
2017
- 2017-08-16 CN CN201710702567.7A patent/CN107706076B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774233A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JPH08288376A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用静電チャック |
| CN102013388A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 腔室内清洁方法 |
| CN103219226A (zh) * | 2013-04-09 | 2013-07-24 | 上海华力微电子有限公司 | 降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法 |
| CN105826182A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化cmos图像传感器晶圆边缘缺陷的方法 |
| CN106158589A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-23 | 上海华力微电子有限公司 | 改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法 |
| CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
| CN106449366A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107706076A (zh) | 2018-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9466541B2 (en) | Mechanism for MEMS bump side wall angle improvement | |
| CN109957785B (zh) | 氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法 | |
| CN107706076B (zh) | 一种改善cmos图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法 | |
| CN101615579B (zh) | 一种半导体等离子刻蚀工艺 | |
| CN105679700B (zh) | 硅深孔刻蚀方法 | |
| CN109979991A (zh) | 一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺、T形栅和晶体管 | |
| KR101194020B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| CN105826182A (zh) | 一种优化cmos图像传感器晶圆边缘缺陷的方法 | |
| CN101567313A (zh) | 栅极制造方法 | |
| CN103021817A (zh) | 湿法刻蚀后的清洗方法 | |
| CN100541733C (zh) | 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 | |
| CN105405741A (zh) | 一种晶圆局部清洁装置及方法 | |
| CN107473178A (zh) | 一种mems器件湿法刻蚀工艺 | |
| TW201324841A (zh) | 基板、基板之製作方法和使用方法 | |
| CN106887381A (zh) | 一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法 | |
| CN107808822A (zh) | 接触孔的刻蚀方法 | |
| CN103887160B (zh) | 控制栅极刻蚀方法 | |
| CN103515193A (zh) | 半导体器件精细图案的制作方法 | |
| CN102709167A (zh) | 侧墙结构的制作方法 | |
| CN105399041A (zh) | 传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法 | |
| CN108074788B (zh) | 半导体工艺设备与半导体装置的制造方法 | |
| CN106098546B (zh) | 一种硅波导的制作方法 | |
| CN109300781A (zh) | Ono膜层的制造方法 | |
| CN105070718B (zh) | 一种降低sonos存储器串联电阻的方法 | |
| CN104051258A (zh) | 一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |