CN107690712B - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN107690712B
CN107690712B CN201680032775.4A CN201680032775A CN107690712B CN 107690712 B CN107690712 B CN 107690712B CN 201680032775 A CN201680032775 A CN 201680032775A CN 107690712 B CN107690712 B CN 107690712B
Authority
CN
China
Prior art keywords
table top
light emitting
emitting diode
type semiconductor
conductive type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680032775.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107690712A (zh
Inventor
金每恞
李剡劤
尹馀镇
李珍雄
柳龙禑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Viosys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Viosys Co Ltd filed Critical Seoul Viosys Co Ltd
Publication of CN107690712A publication Critical patent/CN107690712A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107690712B publication Critical patent/CN107690712B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/345—Current stabilisation; Maintaining constant current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。

Description

发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种电流分散效率良好，且提高了机械可靠性的发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态元件。发光二极管被广泛地利用在用于背光等的各种光源、照明、信号机、大型显示器等。随着照明用LED市场的扩大且其应用范围扩大至高电流、高功率领域，为了高电流驱动时的稳定驱动，需要改善发光二极管的特性。其中，尤其需要一种能够改善衰减(droop)现象的发光二极管，所述衰减现象是指当发光二极管在高电流下被驱动时LED的效率(lm/W)急剧下降的现象。
发明内容
技术问题
本发明要解决的问题是提供一种在高电流驱动下稳定的发光二极管。并且，提供一种提高了电流分散效率及可靠性的发光二极管。
技术手段
根据本发明的一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，而且所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。
所述第一导电型半导体层可以包括：第一侧面，邻接于所述连接部；第二侧面，位于与所述第一侧面相反的方向；以及第三侧面，位于所述第一侧面及所述第二侧面之间，且与所述第一侧面及所述第二侧面分别交叉，其中，所述凸出部朝向所述第一侧面或所述第二侧面凸出。
所述多个台面可以包括多个第二台面以及位于所述第二台面之间的第一台面，且所述第二电极包括位于所述第一台面上且位于多个邻接的所述连接部之间的第二键合焊盘，所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，所述发光二极管以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。
所述第二电极可以包括从所述第二键合焊盘延伸的至少一个上部延伸部，且所述上部延伸部包括：第一上部延伸部，与第二键合焊盘相接，且位于至少一个所述连接部上；以及第二上部延伸部，与所述第三侧面平行。
所述第一上部延伸部与所述第一侧面之间的最短距离可以小于所述第二键合焊盘的中心部与所述第一侧面之间的最短距离。
所述第二上部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离可以大于所述第二上部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离。
所述第二上部延伸部可以包括第二部，所述第二部位于所述第二台面上且与所述第三侧面平行。
所述第二上部延伸部还可以包括第一部，所述第一部位于所述第一台面上，且与所述第二键合焊盘相接，且位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间，所述第二部的长度大于所述第一部的长度。
所述第二部的宽度可以大于所述第一部的宽度。
所述第一电极可以包括与所述第一键合焊盘连接的下部延伸部，所述下部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离大于所述下部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离。
所述下部延伸部可以包括第一下部延伸部，所述第一下部延伸部位于所述暴露区域上。
所述下部延伸部可以包括第二下部延伸部，所述第二下部延伸部位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间。
所述第二台面的一部分可以位于所述第一台面与所述第一侧面之间。
所述第二部的末端可以朝向横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线。
所述多个台面可以包括多个第三台面，所述多个第三台面位于所述第二台面与所述第三侧面之间，所述第一台面位于所述多个第三台面之间，所述第二上部延伸部还包括第三部，所述第三部位于所述第三台面上，且与所述第三侧面平行。
所述第三部的长度可以大于所述第二部的长度。据此，能够减小所述第二上部延伸部与所述第一键合焊盘之间的最短距离的偏差。
所述第三部的宽度可以大于所述第二部的宽度。
所述第二部的一部分可以位于所述第一台面及所述暴露区域中的所述第一台面与所述第二台面之间的区域上。
所述凸出部可以包括第一凸出部，且所述第一凸出部的末端与所述第二侧面之间的距离小于所述第一凸出部的末端与所述第一侧面之间的距离，且所述第二部位于所述第一凸出部上。
所述多个台面的大小可以相同。
根据本发明的又一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，且所述电流阻断层包括至少一个连接部，所述至少一个连接部从所述多个台面中的一个台面延伸到与所述一个台面邻接的另一个台面，所述多个台面包括相邻的第一台面及第二台面，所述连接部包括位于所述第一台面和所述第二台面上的第一连接部，且所述第一连接部包括：第一开口部，使所述第一台面的上表面暴露；以及第二开口部，使所述第二台面的上表面暴露，所述第一开口部及所述第二开口部分别包括至少一个凹陷部。
所述第二电极可以包括位于所述第一连接部上的第二键合焊盘，所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，所述第一开口部及所述第二开口部以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。
所述第一开口部的凹陷部与所述第二开口部的凹陷部可以分别与所述第一连接部的外廓并排。
所述第一开口部及所述第二开口部可以分别包括至少一个凸部，且所述凸部与所述第一连接部的外廓并排。
所述第二键合焊盘可以通过所述一开口部及所述第二开口部而与所述第二导电型半导体层相接。
所述第二键合焊盘可以是圆形。
根据本发明的又一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；透明电极层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；电流阻断层，位于所述透明电极层与所述第二导电型半导体层之间及所述透明电极层与所述暴露区域之间；以及第二电极，位于所述电流阻断层上，局部地覆盖所述透明电极层，且电连接于所述第二导电型半导体层，其中，所述透明电极层包括：第一区域，位于多个台面上；以及第二区域，位于所述暴露区域上，且与所述第一区域相接。
位于所述多个台面上的所述透明电极层可以是相互连接的形态。
所述第一区域的侧面可以与所述台面的侧面平行地布置。
所述电流阻断层可以包括连接部，所述连接部位于所述第二区域与所述暴露区域之间。
所述连接部中的位于所述暴露区域上的部分的宽度可以大于所述第二区域中的位于所述暴露区域上的部分的宽度。
所述第二区域中的位于所述暴露区域上的部分的宽度可以大于所述第二电极中的位于所述暴露区域上的部分的宽度。
技术效果
根据本发明的实施例，发光二极管的多个台面并联连接，从而能够改善高电流驱动时的衰减现象及发光均匀度。并且，电流阻断层可以包括凸出部，并且透明电极层位于所述凸出部上，从而能够提高发光二极管的可靠性。并且，通过电流阻断层的开口部可以防止键合焊盘的剥离等不良的发生，所以能够改善发光二极管的可靠性。进而，通过上部延伸部与下部延伸部的形状能够改善发光二极管的电流分散效率。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的平面图。
图2是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的剖面图。
图3是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的剖面图。
图4是放大根据本发明的一实施例的发光二极管的一部分I1的放大图。
图5是放大根据本发明的一实施例的发光二极管的一部分I2的放大图。
图6是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。
图7是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。
图9是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。
图10是放大根据本发明的又一实施例的发光二极管的一部分I3的放大图。
图11是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的剖面图。
图12是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的剖面图。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。
图14是对根据图6的发光二极管(实施例)与现有的发光二极管(比较例)的特性进行比较的照片。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了将本发明的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸大图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到某构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”布置于在其他构成要素的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间夹设有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
图1至图5是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的平面图及剖面图。图1是发光二极管的平面图，图2是对应于图1的A-A'线的部分的剖面图，图3是对应于图1的B-B'线的部分的剖面图，图4是图1的发光二极管的一部分I1的放大图。图5是图1的发光二极管的一部分I2的放大图。
参照图1至图5，根据本实施例的发光二极管可以包括：发光结构体110、透明电极层120、电流阻断层130、第一电极150及第二电极140，进而，还可以包括基板100，所述基板100位于发光结构体110的下表面。
基板100只要是能够使第一导电型半导体层111、活性层112及第二导电型半导体层113生长的基板，则不受限制，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板、硅基板等。尤其，在本实施例中，基板100可以是图案化的蓝宝石基板(PSS)。
发光结构体110包括：第一导电型半导体层111；第二导电型半导体层113，位于第一导电型半导体层111上；活性层112，位于第一导电型半导体层111及第二导电型半导体层113之间。第一导电型半导体层111、活性层112及第二导电型半导体层113可以包括Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，例如，可以包括如(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体。第一导电型半导体层111可以包括n型杂质(例如，Si)，第二导电型半导体层113可以包括p型杂质(例如，Mg)。并且，也可以是与之相反。活性层112可以包括多量子阱结构(MQW)，且可以考虑发射所需要的峰值波长的光而确定其组成比。
第一导电型半导体层111可以包括：第一侧面111a；第二侧面111b，位于第一侧面111a的反方向；以及第三侧面111c，位于所述第一侧面111a与所述第二侧面111b之间，且与第一侧面111a及第二侧面111b分别交叉。
发光结构体110可以包括多个台面M，所述多个台面M包括第二导电型半导体层113及活性层112。台面M可以通过将第二导电型半导体层113及活性层112局部地去除而形成。具体而言，台面M可以通过以使第一导电型半导体层111的一部分被暴露的方式对第二导电型半导体层113及活性层112进行图案化而形成。台面M的侧面可以通过如光刻胶回流(photo resist reflow)等技术倾斜地形成。多个台面M可以包括彼此相邻的第一台面M1及第二台面M2。第二台面M2可以是多个，且第一台面M1可以位于第二台面M2之间。虽然图示了三个台面M1、M2，但本发明并不限定于此，所述发光二极管也可以包括四个以上的台面M。
在形成多个台面M的过程中第一导电型半导体层111被暴露而形成暴露区域R。多个台面M可以在单个第一导电型半导体层111上被暴露区域R相互隔开。并且，可以通过暴露区域R确保能够沉积绝缘膜等物质的区域，所述绝缘膜等物质能够保护发光二极管的外廓。
暴露区域R可以包括：第一暴露区域R1，暴露于多个台面M之间；以及第二暴露区域R2，沿第一导电型半导体层111的外廓而形成。例如，如图1所示，第一暴露区域R1可以从第一导电型半导体层111的第一侧面111a开始形成至第二侧面111b。进而，第一暴露区域R1可以沿与第三侧面111c平行的方向较长地形成。第二暴露区域R2可以沿多个台面M各自的侧面的至少一部分，形成在台面M与第一导电型半导体层111的侧面之间。第一暴露区域R1可以从第二暴露区域R2开始延伸而布置。
暴露区域R还可以包括凸部Q。例如，如图1所示，第二暴露区域R2可以包括凸部Q，且凸部Q朝向第一台面M1而布置。进而，凸部Q可以邻接第二侧面111b的中间位置，且以朝向第一侧面111a形成的方式布置成凸出的形状。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层111上，且电连接于第一导电型半导体层111。第一电极150可以包括第一键合焊盘151以及连接于第一键合焊盘151的下部延伸部152。
第一键合焊盘151可以位于第一台面M1与第二侧面111b之间。并且，第一台面M1与第二台面M2之间可以分别形成第一暴露区域R1，且第一键合焊盘151可以布置于这些第一暴露区域R1之间。第一键合焊盘151可以位于第一导电型半导体层111的一部分被暴露的凸部Q上。从发光二极管的外部电源通过后述的第二键合焊盘141向发光结构体110供应的电流通过第一键合焊盘151向发光结构体110的外部泄露。
下部延伸部152可以沿台面M的侧面布置。例如，如图1所示，下部延伸部152的一部分可以布置于第一暴露区域R1上。下部延伸部152防止电流仅密集在第一键合焊盘151附近，从而改善电流分散效率。
下部延伸部152的末端与第二侧面111b之间的距离可以大于下部延伸部152的末端与第一侧面111a之间的距离。因此，能够易于向位于下部延伸部152之间的台面M区域(例如，第一台面M1)供应电流而改善发光强度。
并且，下部延伸部152的末端与第二键合焊盘141之间的距离可以小于下部延伸部152的末端与第一键合焊盘151之间的距离。因此，可以确保能够被施加向第二键合焊盘141供应的电流的下部延伸部152的区域更宽，所以电流易于向第二键合焊盘141及下部延伸部152周围的台面M区域供应而进一步改善发光强度。
电流阻断层130可以位于发光结构体110上。具体而言，如图1至图4所示，电流阻断层130可以位于多个台面M的一部分及第一暴露区域R1的一部分上。
电流阻断层130能够防止供应至电极的电流直接被传递至半导体层而导致电流集中的现象。因此，电流阻断层130可以具有绝缘性，并可以包含绝缘性物质，且可以形成为单层或多层结构。例如，电流阻断层130可以包含SiOx或SiNx，或者也可以包括由折射率不同的绝缘性物质层层叠而成的布拉格反射器。即，电流阻断层130可以具有透光性，也可以具有光反射性。
电流阻断层130可以包括位于台面M的上表面的第一阻断层130a及第二阻断层130b。第一阻断层130a可以包括使第二导电型半导体层113暴露的开口部130c。第二阻断层130b可以从第一阻断层130a隔开而位于开口部130c内。第一阻断层130a及第二阻断层130b可以位于连接部131之间。第一阻断层130a可以是圆形，然而并不限定于此。开口部130c可以对应于第一阻断层130a的外廓的形状，例如，在第一阻断层130a是圆形的情况下，开口部130c同样可以是圆形。第二阻断层130b可以对应于开口部130c的形状，例如，在开口部130c是圆形的情况下，第二阻断层130b同样可以是圆形。
电流阻断层130可以包括至少一个连接部131，所述至少一个连接部131从多个台面M中的一个台面M开始延伸至邻接于所述一个台面M的另一个台面M。如图1所示，连接部131可以邻接于第一侧面111a，然而并不一定局限于此。连接部131可以位于始于第一台面M1的一部分并经过第一暴露区域R1而达到第二台面M2的一部分的区域上。连接部131防止第二电极140电连接于第一导电型半导体层111，且使透明电极层120与第一导电型半导体层111绝缘。参照图1至图4，连接部131可以是四边形形态，然而不限于此，也可以是圆形。
电流阻断层130可以包括凸出部132，所述凸出部132从连接部131凸出且位于第一暴露区域R1上。例如，如图1至图4所示，凸出部132可以从第一台面M1与第一暴露区域R1的边界跨过第二台面M2与第一暴露区域R1的边界而布置。凸出部132可以从第二电极140沿与第一台面M1的侧面及第二台面M2的侧面平行的方向凸出而布置。具体而言，凸出部132可以朝向第一侧面111a及第二侧面111b两侧凸出而布置。后述的透明电极层120的一部分可以位于凸出部132上。如果电流阻断层在第一暴露区域R1上未跨过充分的区域而形成，则可形成透明电极层120的区域可能变得过窄。这种情况下，透明电极层可靠性可能发生问题，且透明电极层可能与第一导电型半导体层接触而导致不良率增加。相反，由于根据本实施例的发光二极管包括凸出部132，在第一暴露区域R1上能够确保可形成透明电极层120的充分的区域，进而能够使透明电极层120与第一导电型半导体层111有效地绝缘。因此，能够减小发光二极管的不良率，并改善可靠性。
进而，凸出部132能够至少局部地覆盖第一台面M1及第二台面M2。具体而言，凸出部132不仅位于第一暴露区域R1，还可以位于第一台面M1的侧面及第二台面M2的侧面上。更进一步，凸出部132还可以位于第一台面M1的上表面及第二台面M2的上表面上。
透明电极层120可以位于多个台面M的一部分及第一暴露区域R1的一部分上。例如，如图1至图4所示，透明电极层120可以局部地覆盖第二导电型半导体层113及电流阻断层130。透明电极层120的一部分可以位于电流阻断层130上。因此，电流阻断层130可以位于透明电极层120与第二导电型半导体层113之间以及透明电极层120与第一暴露区域R1之间。透明电极层120与第二导电型半导体层113可以形成欧姆接触。透明电极层120能够起到将通过第二电极140施加的电流沿水平方向分散的作用，且透射率高，从而使从活性层112释放的光透射。透明电极层120可以包含具有透光性及导电性的物质，例如，也可以包括如ITO、ZnO、IZO等导电性氧化物及如Ni/Au等透光性金属层中的至少一个。
透明电极层120可以包括：第一区域121，位于多个台面M上；以及第二区域122，从第一区域121延伸。如图3及图4所示，由于第二区域122使位于各台面M的多个第一区域121连接，所以通过第二电极140施加到一个台面M上的透明电极层120的电流可以向邻接的台面M上的透明电极层120区域分散。因此，能够更顺利地实现电流分散，进而能够改善发光二极管的发光均匀度。
第一区域121的侧面可以与台面M的侧面平行地布置。透明电极层120的一部分，具体而言第一区域的一部分可以位于凸出部132上。这种情况下，透明电极层120可以进一步邻接于台面M的侧面，进而更易于向邻接于台面M的侧面的区域供应电流，因此能够改善发光强度。
第二区域122可以位于第一暴露区域R1上，且与第一区域121相接。因此，电流阻断层130的一部分，即连接部131位于第二区域122与第一暴露区域R1之间，从而防止第二区域122电连接于第一导电型半导体层111。连接部131中的位于第一暴露区域R1上的部分的宽度可以大于第二区域122中的位于第一暴露区域R1上的部分的宽度。因此，第二区域122能够有效地从第一导电型半导体层111隔开。
位于多个台面M上的透明电极层120可以是相互连接的形态。即，透明电极层120可以以相互不分离的方式在多个台面M分别布置。具体而言，透明电极层120可以在发光二极管内以单个存在而非多个。通常透明电极层限定于各个台面上且以相互隔开的状态存在，所以电流通过各透明电极层而分散的区域同样限定于各个台面。与此不同，根据本发明的实施例，通过第二电极140施加到一台面M上的透明电极层120的电流可以通过相互连接的透明电极层120向发光二极管全区域分散。
第二电极140可以位于电流阻断层130上，并局部地覆盖透明电极层120。第二电极140可以在第二导电型半导体层113上电连接而布置。
第二电极140可以包括第二键合焊盘141及至少一个上部延伸部142。第二键合焊盘141可以位于第一台面M1上，且位于多个邻接的连接部131之间。第二键合焊盘141起到将从发光二极管外部电源通过引线(未图示)施加的电流传递给发光结构体110的作用。第二键合焊盘141的外廓形状可以与第一阻断层130a的外廓形状对应。例如，如图1至图5所示，第二键合焊盘141可以是圆形。在这种情况下，能够最小化第二键合焊盘141的面积而确保发光区域，同时确保与焊料之间的粘合面积。并且，由于第二键合焊盘141是不包括成角的边角的圆形，因此能够减少第二键合焊盘141的电流密集现象。
第二键合焊盘141可以位于第一阻断层130a及第二阻断层130b上。第二键合焊盘141通过开口部130c与第二导电型半导体层113接触。此时，通过由第一阻断层130a及第二阻断层130b形成的阶梯，可以防止发生第二键合焊盘141的剥离等不良。同时，由于所述阶梯，第二键合焊盘141的上表面可以包括与开口部130c的位置对应的凹陷部。这种情况下，由于凹陷部，引线可以稳定地接合于第二键合焊盘141。
根据本实施例的发光二极管可以具有相对于横穿第一键合焊盘151及第二键合焊盘141的虚拟的线X-X'而对称的结构。据此，电流能够以相同的形态分散到通过所述虚拟的线划分的多个发光二极管区域。
上部延伸部142可以从第二键合焊盘141延伸。上部延伸部142可以改善电流限定于发光二极管的一区域而密集的问题，且据此能够提高发光二极管的发光均匀度。
上部延伸部142可以包括第一上部延伸部142a，与第二键合焊盘141相接且位于至少一个连接部131上。如图1所示，第一上部延伸部142a可以是直线形态，然而并不一定局限于此。下部延伸部152的末端与第一上部延伸部142a之间的距离可以小于下部延伸部152的末端与第二侧面111b之间的距离。因此，可以顺利地向下部延伸部152的末端与第一上部延伸部142a之间的台面M区域供应电流。进而，由于在下部延伸部152的末端与第一上部延伸部142a的最短路径布置有第一暴露区域R1而非台面M，所以电流无法在所述最短路径上形成，而是可以迂回之后向邻接于所述最短路径的第一台面M1及第二台面M2区域分散。因此，能够改善下部延伸部152与第一上部延伸部142a中的位于台面M上的部分之间的发光强度。
上部延伸部142可以包括第二上部延伸部142b。第二上部延伸部142b可以与第三侧面111c平行。第二上部延伸部142b可以从第一上部延伸部142a延伸。第二上部延伸部142b可以朝向与第一键合焊盘151邻接的第一导电型半导体层111的一侧面延伸。第二上部延伸部142b的末端与第一侧面111a之间的距离可以大于第二上部延伸部142b的末端与第二侧面111b之间的距离。这种情况下，能够改善电流在第二键合焊盘141周围密集的现象，所以能够提高发光二极管的发光均匀度。
第二上部延伸部142b可以包括第一部142b1及第二部142b2。第一部142b1可以位于第一台面M1上，且与第二键合焊盘141相接。进而，第一部142b1可以位于第一键合焊盘151与第二键合焊盘141之间。
第二部142b2可以位于第二台面M2上，且与第三侧面111c平行。第二部142b2的长度可以大于第一部142b1的长度。据此，可以减小第二上部延伸部142b与第一键合焊盘151之间的最短距离的偏差。因此，能够减小施加于各个第二上部延伸部142b的电流量的偏差，所以可以使位于各个第二上部延伸部142b所在的台面M的区域的发光强度相似。从结果来看，能够改善发光二极管的发光均匀度。
第二部142b2的宽度W2可以大于第一部142b1的宽度W1。通常，越是位于距离第二键合焊盘141远的台面M上的第二上部延伸部142b，越无法充分地获取通过第二键合焊盘141施加的电流。在本实施例中，由于距离第二键合焊盘141远的第二部142b2的宽度W2相对较大，因此相比于上述的通常的情况，在第二部142b2能够形成更多的电流。因此，能够改善距离第二键合焊盘141远的台面M的发光强度，从而能够提高发光二级光的发光均匀度。例如，第二部142b2的宽度W2可以是6μm，第一部142b1的W1可以是5μm。
图6是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。图6的发光二极管与通过图1至图5说明的发光二极管相似。具体而言，图6的发光二极管包括通过图4及图5放大说明的部分I1、I2。但是，由于图6的发光二极管与通过图1至图5说明的发光二极管在台面M、上部延伸部142等方面存在差异，以下对此部分进行说明。
本实施例的发光二极管可以包括多个台面M，且第一键合焊盘151被多个台面M包围。在图1的发光二极管中，第二暴露区域R2包括凸部Q，且第一键合焊盘151位于所述多个凸部Q上，第一键合焊盘151仅被第一台面M1包围。因此会产生如下的问题：通过第二键合焊盘141施加的电流过度地密集于第一台面M1，并且无法充分地向不直接包围第一键合焊盘151的第二台面M2供应电流。与此不同地，图6的发光二极管的凸部Q位于第一暴露区域R1上，所以第一键合焊盘151可以被多个台面M即第一台面M1和第二台面M2包围。因此，由于电流能够更均匀地分散于多个台面M，从而能够改善发光二极管的发光均匀度。
根据本实施例的发光二极管的第一台面M1的一侧面可以沿第一侧面111a布置，且第一台面M1的另一侧面被第二台面M2包围。具体而言，第二台面M2的一部分可以位于第一台面M1与第二侧面111b之间。因此，图1的发光二极管包括的多个第一暴露区域R1相互连接，进而本实施例的第一导电型半导体层111包括单个第一暴露区域R1。第一键合焊盘151位于单个第一暴露区域R1中的被第一台面M1及第二台面M2包围的区域上。
多个台面M的大小可以相同。通常，电流密集于第一键合焊盘151周围，因此为提高发光效率，多个台面M中的包围第一键合焊盘151的台面M的大小大于不包围第一键合焊盘151的其他台面M的大小。在本实施例中,多个台面M包围第一键合焊盘151，所述多个台面M的大小可以相同。因此，各台面M的发光区域可以相同，从而改善发光二极管的发光均匀度。
另外，第一上部延伸部142a可以是曲线形态。具体而言，第一上部延伸部142a可以具有朝向第一侧面111a凸出弯曲的形态。更具体而言，第一上部延伸部142a与第一侧面111a之间的最短距离可以小于第二键合焊盘141的中心部与第一侧面111a之间的最短距离。在第二键合焊盘141是圆形的情况下，第二键合焊盘141的中心部是圆的中心。因此，第一上部延伸部142a可以靠近与第一侧面111a邻接的台面M区域而布置，从而能够顺利地向所述台面M区域供应电流，进而能够改善发光强度。
第二部142b2的末端可以朝向横穿第一键合焊盘151与第二键合焊盘141的虚拟的线。具体而言，第二部142b2的末端可以具有向第一键合焊盘151侧弯曲的形态。据此，能够顺利地向第二台面M2中的第一台面M1与第二侧面111b之间的区域供应电流，从而能够改善所述区域的发光强度。
第二电极140可以使多个台面M电连接。具体而言，多个台面M各自的第二导电型半导体层113通过第二电极140电连接，且多个台面M共享第一导电型半导体层111。因此，多个台面M并联连接。这种情况下，当发光二极管在高电流下驱动时，能够改善衰减(droop)现象，且能够使发光二极管的各区域发光强度表现得更均匀。
将通过图6说明的发光二极管作为实施例而使用，并将现有的发光二极管作为比较例而使用，在这种情况下测定了高电流下的发光二极管的特性，其中，现有的发光二极管与通过图6说明的发光二极管相似，但现有的发光二极管利用单个台面M构成而非利用多个台面M构成，这一点上存在差异。
具体而言，分别提高施加到实施例与比较例各自的发光二极管的电流(mA)的同时，测定了发光二极管的外部量子效率(EQE，lm/W)。以此为基础，针对最大外部量子效率数值，用百分比表示了各电流下的外部量子效率的减小程度。其结果为，在比较例中，在65mA的电流下外部量子效率减小程度呈现为-2.8％，在100mA下呈现为-4.9％，在400mA下呈现为-18.2％。相反，在实施例中，在65mA的电流下外部量子效率减小程度呈现为-2.5％，在100mA下呈现为-4.6％，在400mA下呈现为-17.6％，据此能够确认实施例中的外部量子效率减小程度小于比较例。进而，通过上述数值，可以得知施加的电流越高，实施例与比较例的外部量子效率减小程度之差越大，由此看出根据本实施例的发光二极管的衰减现象得到了改善。
图14是用于说明根据本实施例的发光二极管的发光均匀度改善效果的图表及照片。图14是对比较例(a)及实施例(b)分别施加高电流(280mA)后测定发光二极管各区域中的发光强度的照片。参照图14，对于多个台面M并联连接的实施例而言，相比于比较例，在高电流下发光二极管的外廓(虚线区域)的发光强度得到改善。具体而言，发光二极管的中心部的发光强度相似，但由于发光二极管的外廓的发光强度得到改善，所以能够减小发光二级管的中心部与外廓之间的发光程度的差异。因此，在高电流驱动时，能够改善实施例的发光二极管的发光均匀度。
上述实施例的衰减现象的改善及发光均匀度的改善效果不局限于图6的发光二极管，还可以从多个台面M并联连接的其他实施例中导出。
图7是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。图7的发光二极管与通过图1至图5说明的发光二极管相似。例如，图7的发光二极管包括通过图4及图5放大说明的部分I1、I2，且第一台面M1、第二台面M2、第一暴露区域R1等构成也相似。但是，图7的发光二极管相比于通过图1至图5说明的发光二极管，在与第三台面M3及第三部142b3相关的特征上具有差异，因此以下对这些部分进行说明。
根据本实施例的发光二极管还可以包括多个第三台面M3。多个第三台面M3可以位于第二台面M2与第三侧面111c之间。同时，第一台面M1可以位于多个第三台面M3之间。第三台面M3的大小可以与第二台面M2的大小相同，然而并不限定于此。
第二上部延伸部142b还可以包括第三部142b3。第三部142b3可以位于第三台面M3上。第三部142b3可以与第三侧面111c平行。第三部142b3的长度可以大于第二部142b2的长度。据此，可以减小第二上部延伸部142b与第一键合焊盘151之间的最短距离的偏差。因此，由于可以减小施加到各个第二上部延伸部142b的电流量的偏差，所以能够使布置有各个第二上部延伸部142b的台面M的区域的发光强度相似。从结果来看，能够改善发光二极管的发光均匀度。
第三部142b3的宽度W3可以大于第二部142b2的宽度W2。由于距离第二键合焊盘141远的第三部142b3的宽度W3相对较大，因而相比于一般的情况，更多的电流可能形成于第三部142b3。因此，通过增加距离第二键合焊盘141远的台面M的发光强度，从而能够提高发光二极管的发光均匀度。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。图8的发光二极管与通过图1至图5及图7说明的发光二极管相似。例如，图8的发光二极管可以包括通过图4及图5放大说明的部分I1、I2，且第三部142b3的长度大于第二部142b2的长度。并且，第三部142b3的宽度W3可以大于第二部142b2的宽度W2。但是，图8的发光二极管相比于通过图1至图5及图7说明的发光二极管，在与第二上部延伸部142b的位置和下部延伸部152相关的特征上具有差异，因此以下对这些部分进行说明。
根据本实施例的发光二极管的第二部142b2的一部分可以位于第一台面M1和第二台面M2以及第一暴露区域R1中的第一台面M1与第二台面M2之间的区域。即，第一台面M1的一部分、第二台面M2的一部分及第一暴露区域R1的一部分可全部与第二部142b2沿上下方向重叠。据此，向第二部142b2施加的电流不仅可以被传递至第二台面M2，还可以被传递至第一台面M1。并且，由于能够减小被第二部142b2覆盖的台面M区域，从而能够确保充分的发光区域，进而改善发光效率。
凸出部132可以包括第一凸出部132a。第一凸出部132a与第二部142b2可以沿上下方向重叠。第一凸出部132a的末端与第二侧面111b之间的距离可以小于第一凸出部132a的末端与第一侧面111a之间的距离。因此，第一凸出部132a可以朝向第二侧面111b较长地布置。第二部142b2可以位于第一凸出部132a上。具体而言，第二部142b2的全部区域可以限定于第一凸出部132a上而布置。
下部延伸部可以包括第一下部延伸部152a及第二下部延伸部152b。
第一下部延伸部152a可以位于第一暴露区域R1上。第一下部延伸部152a的末端可以朝向第一侧面111a。
第二下部延伸部152b可以位于第一键合焊盘151与第二键合焊盘141之间。凸部Q可以朝向第二键合焊盘141较长地延伸，并且第二下部延伸部152b位于所述凸部Q上。据此，能够改善电流过度地密集于第一键合焊盘151附近的问题。并且，能够向第二部142b2与位于凸部Q上的第二下部延伸部152b之间的区域供应充分的电流，因此能够改善所述区域的发光强度。图8的发光二极管不包括第一部142b1。代替第一部142b1而通过第一电极150的第二下部延伸部152b改善电流分散效果及发光强度效果。
图9至图12是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图及剖面图。图9是发光二极管的平面图，图10是图9的发光二极管的一部分I3的放大图，图11是与图9的D-D'线对应的部分的剖面图。图12是与图9的E-E'线对应的部分的剖面图。
图1的发光二极管与图9的发光二极管大致相似。尤其，两发光二极管全都包括连接部131及凸出部132，这一点是相同的。但是，在图1的实施例中，第二键合焊盘141在多个邻接的连接部131之间位于台面M上，而在本实施例中，第二键合焊盘141位于连接部131上。并且，连接部131包括多个开口部130d、130e。以下主要对与上述不同点相关联而表现出的几处区别点进行说明。
多个台面M可以包括相邻的第一台面M1及第二台面M2。例如，如图9及图10所示，第一台面M1及第二台面M2具有以经过第一台面M1与第二台面M2之间的虚拟的线Y-Y'为轴而对称的结构。然而，并不限定于此，发光结构体110也可以包括三个以上的台面M。
连接部131可以包括位于第一台面M1及第二台面M2上的第一连接部131a。
第二电极140可以包括第二键合焊盘141，第二键合焊盘141位于第一连接部131a上。第一连接部131a可以对应于第二键合焊盘141的外廓的形状。例如，在第二键合焊盘141是圆形的情况下，连接部131可以是圆形。
连接部131可以包括：第一开口部130d，使第一台面M1的上表面暴露；以及第二开口部130e，使第二台面M2的上表面暴露。如图11及图12所示，第二键合焊盘141可以通过第一开口部130d及第二开口部130e而与第二导电型半导体层113物理接触。第一开口部130d及第二开口部130e可以分别包括至少一个凹陷部K1、K2。由于凹陷部K1的存在，如图12所示，第一开口部130d可以沿第一开口部130d的外廓而在E-E'方向上具有四个阶梯。相反，在第一开口部130d及第二开口部130e不包括凹陷部K1的情况下，第二键合焊盘141可以沿E-E'方向而仅在第一开口部130d的一个区域与第二导电型半导体层113相接。即，第一开口部130d沿第一开口部130d外廓而在E-E'方向上仅有两阶梯。因此，本实施例可以在第二键合焊盘141的下部形成多个阶梯，从而能够防止发生第二键合焊盘141的剥离等不良。
第一电极150可以包括第一键合焊盘151及下部延伸部152。第一键合焊盘151可以位于第一台面M1与第二台面M2之间。下部延伸部152可以位于第一暴露区域R1上。同时，下部延伸部152可以位于第一键合焊盘151与第二键合焊盘141之间。因此，能够防止电流过度地密集于第一键合焊盘151，且能够顺利地向第一键合焊盘151与上部延伸部142之间的台面M区域供应电流，从而能够改善所述区域的发光强度。
第一开口部130d及第二开口部130e可以具有以横穿第一键合焊盘151及第二键合焊盘141的虚拟的线为轴而对称的结构。因此，第二键合焊盘141在从彼此相反的方向作用的外部冲击下也能够保持的良好的可靠性。进而，第一开口部130d的凹陷部K1及第二开口部130e的凹陷部K2可以分别与第一连接部131a的外廓并排。例如，如图9及图10所示，在第一连接部131a是圆形的情况下，第一开口部130d的凹陷部K1及第二开口部130e的凹陷部K2可以分别沿圆的外廓而具有圆弧的形态。通常在利用焊料而对第二键合焊盘141进行引线键合的情况下，由于引线与焊料的之间的接合力而与引线接触的焊料的上表面中心部呈圆形地凸出，且与第二键合焊盘141接触的焊料的下表面中心部呈圆形地凹陷。在第一开口部130d的凹陷部K1及第二开口部130e的凹陷部K2分别沿圆的外廓而具有圆弧形态的情况下，第二键合焊盘141的上表面中的与第一开口部130d的凹陷部K1及第二开口部130e的凹陷部K2之间的第一连接部131a区域对应的区域可以包括近似圆形的形态。因此，焊料的下表面形态与第二键合焊盘141上表面的表面形态(morphology)可以相似，从而能够加强引线与第二键合焊盘141之间的粘合力，因此能够提高发光二极管的可靠性。
更进一步而言，第一开口部130d及第二开口部130e可以分别包括至少一个凸部V1、V2，且凸部V1、V2与连接部131的外廓并排。因此，第二键合焊盘141在上表面可以包括近似圆形的凹陷部。这种情况下，在键合引线时焊料能够均匀地分布，从而能够防止发生焊料向某一方向泄露而脱离连接部131流动的问题。
透明电极层120中的位于第一暴露区域R1上的部分的宽度可以大于位于第二电极140中的第一暴露区域R1上的部分的宽度。具体而言，第二区域122中的位于第一暴露区域R1上的部分的宽度可以大于第二键合焊盘141中的位于第一暴露区域R1上的部分的宽度。第二区域122可以包括位于第一暴露区域R1上的侧面a，第二键合焊盘141可以包括位于第一暴露区域R1上的侧面b，且所述第二键合焊盘141的侧面b位于第二区域122的侧面a之间。更具体而言，第二键合焊盘141中的位于的第一暴露区域R1上的部分不覆盖透明电极层120的侧面a。当在第一暴露区域R1上第二键合焊盘141覆盖第二区域122的侧面a时，第二键合焊盘141上表面的边缘的一部分在垂直方向上不重叠于透明电极层120，从而包括凹陷部。这种情况下，进行引线键合时，可能发生焊料沿着所述凹陷部向第一导电型半导体层111流出的问题。与此不同，上述本实施例的结构能够防止在第二键合焊盘141的边缘产生凹陷部，且因此能够提高发光二极管的可靠性。
第二键合焊盘141位于第一连接部131a上，第二区域122位于凸出部132上，这种布置方式有利于实现上述的结构。并且，考虑到第一开口部130d和第二开口部130e时，这种布置方式也同样有优点。具体而言，在没有凸出部132的情况下，为了使第二键合焊盘141在第一暴露区域R1上不覆盖第二区域122的侧面a，应当减小第二键合焊盘141的区域。同时，为了保持第二键合焊盘141的物理可靠性，应当保持第一开口部130d及第二开口部130e的最小大小。这种情况下，第二键合焊盘141无法充分地填满第一开口部130d或第二开口部130e，从而可能造成第二键合焊盘141剥离的问题，进而反而会降低发光二极管物理可靠性。因此，为防止此类问题，电流阻断层130包括凸出部132，且第二区域123位于凸出部132上。
图9的发光二极管可以不包括位于第一键合焊盘151及第二键合焊盘141之间的第一部142b1。与第二键合焊盘141仅位于一个第一台面M1上的图1的发光二极管不同，图9的发光二极管中第二键合焊盘141位于第一台面M1、第二台面M2及第一台面M1与第二台面M2之间的第一暴露区域R1上。因此，代替第一部142b1，通过下部延伸部152能够保持电流分散效果及发光强度改善效果。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的平面图。图13的发光二极管与通过图9至图12说明的发光二极管相似。图13的发光二极管包括通过图10放大说明的部分I3。但是，图13的发光二极管相比于通过图9至图12说明的发光二极管而言，在台面M、上部延伸部142等方面具有差异。
具体而言，图13的发光二极管与图9的发光二极管相同，可以包括多个台面M。图13的发光二极管还可以包括多个第三台面M3及多个第四台面M4。多个第三台面M3可以与第一台面M1及第二台面M2分别邻接，且第一台面M1及第二台面M2可以位于多个第三台面M3之间。并且，多个第四台面M4可以邻近于第三台面M3，且多个第三台面M3可以位于多个第四台面M4之间。因此，相比于图9的发光二极管可以包括更多数量的连接部131，并且还可以包括位于第三台面M3上的第三部142b3及位于第四台面M4上的第四部142b4。

Claims (32)

1.一种发光二极管，其中，包括：
发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；
第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；
电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；
透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及
第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，
所述电流阻断层包括：
至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及
凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上，
所述第一导电型半导体层包括：
第一侧面，邻接于所述连接部；
第二侧面，位于与所述第一侧面相反的方向，
其中，所述凸出部朝向所述第一侧面或所述第二侧面凸出。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一导电型半导体层还包括：
第三侧面，位于所述第一侧面及所述第二侧面之间，且与所述第一侧面及所述第二侧面分别交叉。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述多个台面包括多个第二台面以及位于所述第二台面之间的第一台面，
所述第二电极包括位于所述第一台面上且位于多个邻接的所述连接部之间的第二键合焊盘，
所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，
所述发光二极管以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二电极包括从所述第二键合焊盘延伸的至少一个上部延伸部，
所述上部延伸部包括：
第一上部延伸部，与第二键合焊盘相接，且位于至少一个所述连接部上；以及
第二上部延伸部，与所述第三侧面平行。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述第一上部延伸部与所述第一侧面之间的最短距离小于所述第二键合焊盘的中心部与所述第一侧面之间的最短距离。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述第二上部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离大于所述第二上部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，
所述第二上部延伸部包括第二部，所述第二部位于所述第二台面上且与所述第三侧面平行。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其中，
所述第二上部延伸部还包括第一部，所述第一部位于所述第一台面上，且与所述第二键合焊盘相接，且位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间，
所述第二部的长度大于所述第一部的长度。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，
所述第二部的宽度大于所述第一部的宽度。
10.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述第一电极包括与所述第一键合焊盘连接的下部延伸部，所述下部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离大于所述下部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离。
11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，
所述下部延伸部包括第一下部延伸部，所述第一下部延伸部位于所述暴露区域上。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，
所述下部延伸部包括第二下部延伸部，所述第二下部延伸部位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间。
13.如权利要求3所述的发光二极管，其中，
所述第二台面的一部分位于所述第一台面与所述第二侧面之间。
14.如权利要求8所述的发光二极管，其中，
所述第二部的末端朝向横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线。
15.如权利要求7所述的发光二极管，其中，
所述多个台面包括多个第三台面，所述多个第三台面位于所述第二台面与所述第三侧面之间，
所述第一台面位于所述多个第三台面之间，
所述第二上部延伸部还包括第三部，所述第三部位于所述第三台面上，且与所述第三侧面平行。
16.如权利要求15所述的发光二极管，其中，
所述第三部的长度大于所述第二部的长度。
17.如权利要求16所述的发光二极管，其中，
所述第三部的宽度大于所述第二部的宽度。
18.如权利要求15所述的发光二极管，其中，
所述第二部的一部分位于所述第一台面和第二台面及所述暴露区域中的所述第一台面与所述第二台面之间的区域上。
19.如权利要求17所述的发光二极管，其中，
所述凸出部包括第一凸出部，
所述第一凸出部的末端与所述第二侧面之间的距离小于所述第一凸出部的末端与所述第一侧面之间的距离，
所述第二部位于所述第一凸出部上。
20.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述多个台面的大小相同。
21.一种发光二极管，其中，包括：
发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；
第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；
电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；
透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及
第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，
所述电流阻断层包括至少一个连接部，所述至少一个连接部从所述多个台面中的一个台面延伸到与所述一个台面邻接的另一个台面，
所述多个台面包括相邻的第一台面及第二台面，
所述连接部包括位于所述第一台面和所述第二台面上的第一连接部，
所述第一连接部包括：
第一开口部，使所述第一台面的上表面暴露；以及
第二开口部，使所述第二台面的上表面暴露，
所述第一开口部及所述第二开口部分别包括至少一个凹陷部，
其中，从俯视的角度来观察时，所述第一开口部的所述至少一个凹陷部朝向远离所述第二台面的方向凹陷，所述第二开口部的所述至少一个凹陷部朝向远离所述第一台面的方向凹陷。
22.如权利要求21所述的发光二极管，其中，
所述第二电极包括位于所述第一连接部上的第二键合焊盘，
所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，
所述第一开口部及所述第二开口部以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。
23.如权利要求22所述的发光二极管，其中，
所述第一连接部为圆形，
所述第一开口部的凹陷部与所述第二开口部的凹陷部分别沿圆形的所述第一连接部的外廓而具有圆弧的形态。
24.如权利要求23所述的发光二极管，其中，
所述第一开口部及所述第二开口部分别包括至少一个凸部，从俯视的角度来观察时，所述第一开口部的所述至少一个凸部朝向远离第二台面的方向凸起，所述第二开口部的所述至少一个凸部朝向远离第一台面的方向凸起，
所述凸部沿圆形的所述第一连接部的外廓而具有圆弧的形态。
25.如权利要求24所述的发光二极管，其中，
所述第二键合焊盘通过所述一开口部及所述第二开口部而与所述第二导电型半导体层接触。
26.如权利要求25所述的发光二极管，其中，
所述第二键合焊盘是圆形。
27.一种发光二极管，其中，包括：
发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；
第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；
透明电极层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；
电流阻断层，位于所述透明电极层与所述第二导电型半导体层之间及所述透明电极层与所述暴露区域之间；以及
第二电极，位于所述电流阻断层上，局部地覆盖所述透明电极层，且电连接于所述第二导电型半导体层，
其中，所述透明电极层包括：
第一区域，位于多个台面上；以及
第二区域，位于所述暴露区域上，且与所述第一区域相接。
28.如权利要求27所述的发光二极管，其中，
位于所述多个台面上的所述透明电极层是相互连接的形态。
29.如权利要求27所述的发光二极管，其中，
所述第一区域的侧面与所述台面的侧面平行地布置。
30.如权利要求28所述的发光二极管，其中，
所述电流阻断层包括连接部，所述连接部位于所述第二区域与所述暴露区域之间。
31.如权利要求30所述的发光二极管，其中，
所述连接部中的位于所述暴露区域上的部分的宽度大于所述第二区域中的位于所述暴露区域上的部分的宽度。
32.如权利要求31所述的发光二极管，其中，
所述第二区域中的位于所述暴露区域上的部分的宽度大于所述第二电极中的位于所述暴露区域上的部分的宽度。
CN201680032775.4A 2015-06-05 2016-05-18 发光二极管 Active CN107690712B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150080148A KR20160143430A (ko) 2015-06-05 2015-06-05 발광 다이오드
KR10-2015-0080148 2015-06-05
PCT/KR2016/005236 WO2016195286A1 (ko) 2015-06-05 2016-05-18 발광 다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107690712A CN107690712A (zh) 2018-02-13
CN107690712B true CN107690712B (zh) 2019-06-18

Family

ID=57441478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680032775.4A Active CN107690712B (zh) 2015-06-05 2016-05-18 发光二极管

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10172190B2 (zh)
KR (1) KR20160143430A (zh)
CN (1) CN107690712B (zh)
DE (1) DE112016002539T5 (zh)
WO (1) WO2016195286A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI702738B (zh) 2017-01-24 2020-08-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
WO2019039914A2 (ko) * 2017-08-25 2019-02-28 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
CN113851564B (zh) 2018-01-19 2024-02-06 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及其制作方法
CN108807629B (zh) * 2018-08-17 2020-11-24 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管及制作方法
US10879419B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-29 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
CN111048639B (zh) * 2019-01-31 2022-06-24 深圳第三代半导体研究院 一种正装集成单元发光二极管
WO2021196008A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 京东方科技集团股份有限公司 无机发光二极管芯片及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
EP2725629A2 (en) * 2012-10-24 2014-04-30 Nichia Corporation Light emitting element

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007019776A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
US8061609B2 (en) 2007-05-14 2011-11-22 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Space efficient card readers and electronic devices incorporating same
US20100140656A1 (en) * 2008-12-04 2010-06-10 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor Light-Emitting Device
KR101756333B1 (ko) * 2010-10-12 2017-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
CN103222074B (zh) * 2010-11-18 2016-06-01 首尔伟傲世有限公司 具有电极焊盘的发光二极管芯片
KR101769078B1 (ko) * 2010-11-18 2017-08-18 서울바이오시스 주식회사 전극 패드를 갖는 발광 다이오드 칩
KR101769075B1 (ko) * 2010-12-24 2017-08-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 칩 및 그것을 제조하는 방법
US8963121B2 (en) * 2012-12-07 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and high voltage solid-state transducers having buried contacts and associated systems and methods
US20140231852A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Led chip resistant to electrostatic discharge and led package including the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
EP2725629A2 (en) * 2012-10-24 2014-04-30 Nichia Corporation Light emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
US20180153007A1 (en) 2018-05-31
WO2016195286A1 (ko) 2016-12-08
CN107690712A (zh) 2018-02-13
US10172190B2 (en) 2019-01-01
DE112016002539T5 (de) 2018-02-15
KR20160143430A (ko) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107690712B (zh) 发光二极管
US9793440B2 (en) Light emitting diode having electrode pads
KR100974923B1 (ko) 발광 다이오드
TWI557942B (zh) 發光二極體
US8823031B2 (en) Semiconductor light emitting device including metal reflecting layer
KR101979944B1 (ko) 발광소자
US20110156086A1 (en) Light emitting diode having electrode extensions
TWI584496B (zh) 半導體發光結構
CN103094435A (zh) 发光器件及发光器件封装
JP2014093532A (ja) 発光素子
US8772809B2 (en) Semiconductor light emitting device
TWI661578B (zh) 發光裝置及發光陣列
CN108352425A (zh) 半导体器件、半导体器件封装和包括其的照明系统
US9324921B2 (en) Light-emitting diode package
JP3893735B2 (ja) 発光装置
TWI515929B (zh) 發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件
JP5266349B2 (ja) 発光装置
JP4635985B2 (ja) 発光ダイオード
KR20130028367A (ko) 발광 다이오드 패키지
Jian-Ming et al. High power and high reliability GaN/InGaN flip-chip light-emitting diodes
TWI467818B (zh) Light emitting element
KR20110116453A (ko) 반도체 발광소자 및 발광소자 패키지
US10297716B2 (en) Light emitting device and light emitting module
KR20110112999A (ko) 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지와 이를 포함하는 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant