CN107689381A - 影像感测器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种影像感测器及其制作方法，其中影像感测器包括一半导体基底，且半导体基底表面包含至少一凹槽设于感光区内，影像感测器另包括一第一导电型掺杂区设于半导体基底中并位于感光区内、一第二导电型掺杂区设于第一导电型掺杂区的表面以及凹槽表面，其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区构成影像感测器的感光元件，且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区具有不同的导电型。

Description

影像感测器及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种影像感测器及其制作方法，尤其是涉及一种能改善量子效率(quantum efficiency)与跨越干扰(cross talk)的影像感测器及其制作方法。
背景技术
随着数字相机、电子扫描机等产品不断地开发与成长，市场上对影像感测元件的需求持续增加。目前常用的影像感测元件包含有电荷耦合感测元件(charge coupleddevice，CCD)以及互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)影像感测元件(又称CMOS image sensor，CIS)两大类，其中CMOS影像感测元件因具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、并可根据需要而进行随机存取等优点，以及可整合于目前的半导体技术来大量制造的优势，因此受到广泛的应用。
CMOS影像感测器的感光原理是将入射光线区分为各种不同波长光线的组合，例如红、蓝、绿三色，再分别由半导体基底上的多个光学感测元件，如感光二极管(photodiode)予以接收，并将之转换为不同强弱的数字信号。然而，随着像素尺寸的微缩，感光二极管的尺寸也跟着微小化，使得像素之间的跨越干扰(crosstalk)增加以及感光灵敏度降低。再者，由于CMOS影像感测器一般是设置在具高反射率的半导体基底中，当光线行经半导体基底时容易被反射而无法进入光学感测元件中，因此传统CMOS影像感测器有低量子效率的问题。由上述可知，如何提供具有高量子效率与低跨越干扰的影像感测器，仍为业界需要持续解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种影像感测器及其制作方法，以改善影像感测器的量子效率(quantum efficiency)与跨越干扰(cross talk)。
根据本发明的一实施例，本发明提供了一种影像感测器，包括一半导体基底、一第一导电型掺杂区、一第二导电型掺杂区、一栅极、一栅极氧化层与一掺杂扩散区。半导体基底表面定义有一感光区，且半导体基底表面包含至少一凹槽(recess)设于感光区内。第一导电型掺杂区设于半导体基底中并位于感光区内，第二导电型掺杂区设于第一导电型掺杂区的表面以及凹槽表面，其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区构成一感光元件，且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区具有不同的导电型。栅极设于半导体基底上。栅极氧化层设于栅极与半导体基底之间。掺杂扩散区设于半导体基底中，且栅极位于第一导电型掺杂区与掺杂扩散区之间。
根据本发明的一实施例，本发明提供了一种影像感测器的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供一半导体基底，其表面定义有一感光区，然后于半导体基底表面形成一第一导电型掺杂区，设于感光区内。进行一蚀刻制作工艺，移除部分半导体基底，以形成至少一凹槽，凹槽设于感光区内。之后，进行一离子注入制作工艺，于感光区内的凹槽表面形成一第二导电型掺杂区，其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区具有不同的导电型，且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区构成一感光元件。
附图说明
图1至图7为本发明第一实施例的影像感测器的制作方法的制作工艺示意图；
图8为本发明第一实施例的影像感测器的制作方法的步骤流程图；
图9为本发明第一实施例的第一变化实施例的影像感测器的剖面示意图；
图10为本发明第一实施例的第二变化实施例的影像感测器的剖面示意图；
图11至图12为本发明第二实施例的影像感测器的制作方法的制作工艺示意图；
图13为本发明第二实施例的第一变化实施例的影像感测器的剖面示意图。
符号说明
1A、1B、1C、2A、2B 影像感测器
10 感光区
12 前侧
14 背侧
100 半导体基底
102 第一导电型掺杂区
104 第二导电型牺牲层
106 掺杂扩散区
108 栅极
110 栅极氧化层
112 隔离结构
114 图案化掩模层
114a 开口
115 蚀刻制作工艺
116 凹槽
118 离子注入制作工艺
120、146 第二导电型掺杂层
121 退火制作工艺
122 第二导电型掺杂区
124 感光元件
126 介电层
128 导线
130 光导管开口
132 阻障层
134 光导管
136 彩色滤光层
138 微聚光镜
140 填充层
142 外延层
144 薄化制作工艺
D1、D2、D3 深度
S10～S16 步骤
W1、W2 宽度
Z 方向
具体实施方式
为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术者能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附图示，详细说明本发明的影像感测器及其制作方法及所欲达成的功效。
请参考图1至图8，图1至图7为本发明第一实施例的影像感测器的制作方法的制作工艺示意图，而图8为本发明第一实施例的影像感测器的制作方法的步骤流程图。本实施例的影像感测器为一正照射(Front Side Illumination；FSI)影像感测器。请参考图1，首先提供一半导体基底100，其表面定义有一感光区(radiation sensing region)10。本实施例的半导体基底100为P型(p-type)半导体基底，例如为具有P型掺质(p-type dopant)的硅基底，但不以此为限。半导体基底100可包括硅基底、外延硅基底、硅锗基底、碳化硅基底或绝缘层覆硅(silicon-on-insulator，SOI)基底，但并不以此为限。接着，在半导体基底100表面形成一第一导电型掺杂区102、一第二导电型牺牲层104与一掺杂扩散区106。第一导电型掺杂区102形成于半导体基底100的表面并设于感光区10内，举例而言，第一导电型掺杂区102的深度D2小于等于约0.2微米，但不以此为限。本实施例的第一导电型掺杂区102具有与半导体基底100相反导电型(或称相反极性)的掺质，例如为N型掺杂区，其形成方式可例如由一离子注入制作工艺(ion implantation process)将N型掺质注入半导体基底100中。第二导电型牺牲层104形成于感光区10内，并覆盖第一导电型掺杂区102的表面。第二导电型牺牲层104具有与半导体基底100相同极性的掺质，但具有较高的掺杂浓度，例如为P型掺杂区，其形成方式可例如由离子注入制作工艺将P型掺质注入半导体基底100中。此外，可通过调整注入掺质的能量使得第一导电型掺杂区102形成于半导体基底100中较深的位置，并使得第二导电型牺牲层104形成于靠近半导体基底100表面的位置。掺杂扩散区106形成于感光区10外，并具有与半导体基底100相反极性的掺质，例如为N型掺杂区，其形成方式可与第一导电型掺杂区102的形成方式相同。在本实施例中，掺杂扩散区106作为影像感测器1A的漂流扩散(floating diffusion，FD)区域。此外，在其他实施例中，半导体基底100为N型(n-type)半导体基底，第一导电型掺杂区102与掺杂扩散区106分别为P型掺杂区，而第二导电型牺牲层104为N型掺杂区。
接着，在半导体基底100上依序形成栅极氧化层110与栅极108，使得栅极氧化层110位于栅极108与半导体基底100之间。栅极108位于第一导电型掺杂区102与掺杂扩散区106之间，且第一导电型掺杂区102延伸至部分栅极108下方的半导体基底100中。本实施例的栅极氧化层110可包括氧化硅(silicon oxide)而栅极108可包括多晶硅(polysilicon)，但不以此为限。在本实施例中，栅极108作为影像感测器1A的转移栅极(transfer gate，Tx)。在其他实施例中，栅极氧化层110与栅极108也可在形成第一导电型掺杂区102、第二导电型牺牲层104与掺杂扩散区106之前先形成，在不同实施例中，也可在形成第一导电型掺杂区102之后与形成第二导电型牺牲层104之前制作栅极氧化层110与栅极108，简而言之，本发明不特别限定栅极氧化层110与栅极108的形成时机。此外，可选择性地在形成第一导电型掺杂区102、第二导电型牺牲层104与掺杂扩散区106之前先于半导体基底100形成一隔离结构112。隔离结构112可为浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)或局部硅氧化绝缘层(local oxidation of silicon isolation layer,LOCOS)或接面隔离(junctionisolation)，用以避免影像感测器1A与其他元件相接触而发生短路。隔离结构112的形成方式可例如为先于半导体基底100上形成掩模，接着进行蚀刻制作工艺，以于半导体基底100中形成沟槽，再于沟槽中填入绝缘材料(例如氧化硅)，之后移除掩模。再者，本发明可选择性地在半导体基底100上形成屏蔽氧化层(screen oxde)或其他衬垫层(未绘示)。
接着，在半导体基底100的表面上形成一图案化掩模层114，用以于感光区10定义一个或多个凹槽的图案。本实施例是利用图案化掩模层114定义出多个凹槽的图案，因此图案化掩模层114具有多个开口114a，各开口114a的宽度W1可例如为约0.15微米，在感光区10内，相邻开口114a之间的图案化掩模层114的宽度W2可例如为约60纳米，需注意的是，上述宽度W1与W2仅为举例，并非用来限定本发明。此外，位于感光区10外的另一部分图案化掩模层114覆盖隔离结构112、栅极氧化层110与栅极108，使得隔离结构112、栅极氧化层110与栅极108在后续的制作工艺中不受影响。图案化掩模层114的形成方式可例如先整面涂布一层光致抗蚀剂层，接着可利用光掩模对光致抗蚀剂层曝光，而光致抗蚀剂层在显影后则可形成图案化掩模层114。
如图2所示，接着利用图案化掩模层114进行一蚀刻制作工艺115，以移除部分半导体基底100，并在半导体基底100形成至少一个凹槽116，其中凹槽116的数量是由图案化掩模层114的开口114a数量所决定，因此本实施例于半导体基底100形成多个凹槽116。此外，蚀刻制作工艺115也会一并移除一部分的第二导电型牺牲层104，而留下被图案化掩模层114覆盖的部分第二导电型牺牲层104。举例而言，位于感光区10内的剩余的第二导电型牺牲层104具有约60纳米的宽度W2，亦即相邻的凹槽116之间的间距为约60纳米，但不以此为限。本实施例的蚀刻制作工艺115为各向异性(anisotropic)蚀刻制作工艺，例如为各向异性的湿蚀刻制作工艺(wet etching process)、干蚀刻制作工艺(dry etching process)或干、湿蚀刻制作工艺的组合。湿蚀刻制作工艺的蚀刻液举例包括氢氧化四甲基铵(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)、乙二胺(ethylene diamine)、邻苯二酚(ethylene diamine and pyrocatechol；EDP)、碱基(alkali-based)蚀刻液、稀释的氢氟酸(diluted hydrofluoric；DHF)、氟化氢(HF)、缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)、SC-1洗净液(SC-1cleaning liquid)或上述材料的任意组合。举例而言，本实施例的蚀刻液包括氢氧化四甲基铵及稀释的氢氟酸，其中稀释的氢氟酸用来移除半导体基底100表面上的屏蔽氧化层，而氢氧化四甲基铵用来移除半导体基底100的材料，蚀刻制作工艺可包括将半导体基底100浸入浓度为约25wt％的氢氧化四甲基铵中约12秒，以制作出具有约0.1微米的深度D1的凹槽116，其中凹槽116的宽度实质上相同于图案化掩模层114的开口114a的宽度W1。根据本发明，在不同实施例中，凹槽116的深度D1可深至1微米，而开口的宽度W1可以宽至1.5微米，但不以此为限，由于本实施例的蚀刻制作工艺115为一各向异性的蚀刻制作工艺，因此所蚀刻出的凹槽116的深度与剖面形状与所选择的蚀刻剂、蚀刻时间以及图案化掩模层114的开口114a的开口大小、开口形状有关，特别是可通过调整蚀刻制作工艺的时间来形成所需要的凹槽116的剖面形状与深度。举例而言，由于在不同结晶面的方向上的蚀刻速率不同，因此本实施例所形成的凹槽116的尺寸由凹槽116的开口朝凹槽116的底部逐渐缩小。本实施例的凹槽116为一锥形凹槽，但不以此为限。在其他实施例中，凹槽可为一半球形(hemispherical-shaped)凹槽，或是具有一倒置梯形(invert trapezoid)剖面结构。此外，凹槽116的开口俯视形状可包括圆形、方形、矩形、菱形(rhombus)、长条形(elongatedrectangle)、六角形(hexagon)、十字形或其他适合的形状。
接着，如图3所示，利用图案化掩模层114当作掩模，进行一离子注入制作工艺118，将第二导电型掺质注入半导体基底100中，以于感光区10内的凹槽116的表面形成一第二导电型掺杂层120。第二导电型掺杂层120具有与第二导电型牺牲层104相同极性的掺质，例如为P型掺杂区。本实施例的离子注入制作工艺118可例如为一等离子体掺杂制作工艺(plasma doping process)。离子注入制作工艺118并不限于只以垂直于半导体基底100表面的方向(即图中所示方向Z)注入掺质，也可以多个不同的斜向注入掺质。如图4所示，在进行完离子注入制作工艺118后，可选择性地进行一退火制作工艺(annealing process)121，以活化第二导电型牺牲层104与第二导电型掺杂层120中的掺质。本实施例的退火制作工艺例如为一激光退火制作工艺，但不以此为限。蚀刻制作工艺115后所留下的部分第二导电型牺牲层104与第二导电型掺杂层120可相互连接，以形成位于第一导电型掺杂区102表面上的一第二导电型掺杂区122，本实施例的第二导电型掺杂区122为P型掺杂区。第一导电型掺杂区102与第二导电型掺杂区122构成本实施例的一感光元件124，且感光元件124例如为一箝制型感光二极管(pinned photodiode)。在制作完感光元件124后，将图案化掩模层114移除。
接着，如图5所示，在半导体基底100的表面上形成一介电层126与位于介电层126中的导线128。介电层126覆盖感光元件124且填于凹槽116中，而导线128可连接于栅极108，由此通过栅极108而电连接于感光元件124。介电层126可包含多个层间介电层，材料可为具低介电常数的介电材料(low-K dielectric material)，例如氧化硅、硼磷硅酸盐玻璃(borophosphosilicate glass；BPSG)、磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass；PSG)、氟化硅酸盐玻璃(fluorinated silicate glass；FSG)、掺杂碳的氧化硅(carbon-dopedsilicon oxide)或类似物。介电层126的形成方法例如为化学气相沉积(chemical vapordeposition；CVD)技术，但不以此为限。导线128可例如为多层内连线(multilayerinterconnect；MLI)结构，而介电层126可用以分离并隔绝多层内连线结构与半导体基底100上的其他导电元件。举例而言，导线128的图案化方法可为等离子体蚀刻(plasmaetching)或镶嵌制作工艺(damascene process)，而导线128的材料可为铝(aluminum)、铜(copper)、掺杂的多晶硅(doped polysilicon)或类似物。在本实施例中，可接续形成多层的层间介电层、内连线与接点(contact)或通孔(via)，以制作介电层126和导线128。
接着，如图6所示，在介电层126中形成一光导管开口130。光导管开口130的形成方式可例如为先于介电层126上形成图案化掩模层(未绘示)定义出光导管开口130的图案，接着进行蚀刻制作工艺，以于介电层126中形成光导管开口130。光导管开口130的剖面形状可如图6所示具有垂直侧壁，也可具有倾斜侧壁，使得光导管开口130的底部面积小于顶部面积。接着，可选择性地于介电层126、光导管开口130的侧面及底面形成一阻障层(barrierlayer)132。阻障层132可包括氮化硅(silicon nitride；SiN)或氮氧化硅(siliconoxynitride；SiON)。举例而言，阻障层132可避免其下的元件受水氧的影响，但不以此为限。接着，如图7所示，在光导管开口130中填入高折射率材料，以于感光元件124上形成一光导管(light pipe)134，并可通过化学机械研磨(CMP)制作工艺使光导管134具有平坦的表面。接着，在光导管134的表面依序形成一彩色滤光层136及一微聚光镜(micro lens)138。彩色滤光层136可例如包括有颜色的光致抗蚀剂图案，并可利用光刻蚀刻制作工艺制作。本实施例的彩色滤光层136位于微聚光镜138与光导管134之间，而光导管134与导线128位于彩色滤光层136与凹槽116和感光元件124之间。由此，完成本发明第一实施例的影像感测器1A的制作。
综上所述，本发明的制作影像感测器1A的方法主要包括图8所示的步骤：
步骤S10：提供一半导体基底，其表面定义有一感光区；
步骤S12：在半导体基底表面形成一第一导电型掺杂区设于感光区内；
步骤S14：进行一蚀刻制作工艺，移除半导体基底的部分表面，以在半导体基底形成至少一凹槽，且凹槽设于感光区内；以及
步骤S16：进行一离子注入制作工艺，在感光区内的凹槽表面形成一第二导电型掺杂层，其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂层具有不同的导电型，且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂层构成一感光元件。
请继续参考图7，本实施例的影像感测器1A的结构包括半导体基底100、第一导电型掺杂区102、第二导电型掺杂区122、栅极108、栅极氧化层110与掺杂扩散区106。本实施例的半导体基底100表面定义有感光区10，且半导体基底100的表面包含多个凹槽116分布于感光区10内。凹槽116的尺寸由凹槽116的开口朝凹槽116的底部逐渐缩小。本实施例的凹槽116为锥形凹槽，但不以此为限。在其他实施例中，凹槽也可为半球形凹槽，或具有倒置梯形剖面结构。此外，凹槽116的开口俯视形状可包括圆形、方形、矩形、菱形、长条形、六角形、或其他适合的形状。
第一导电型掺杂区102设于半导体基底100中并位于感光区10内，第二导电型掺杂区122设于第一导电型掺杂区102的表面以及凹槽116的表面。本实施例的第一导电型掺杂区102为N型掺杂区，而第二导电型掺杂区122为P型掺杂区，且第一导电型掺杂区102与第二导电型掺杂区122构成感光元件124。本实施例的感光元件124为箝制型感光二极管。在其他实施例中，感光元件124上可设有氮化硅的阻障层、抗反射涂层(anti-reflectioncoating；ARC)或接触蚀刻停止层(contact etch stop layer；CESL)(未绘示)。
栅极108设于半导体基底100上，且第一导电型掺杂区102延伸至部分栅极108下方的半导体基底中。在本实施例中，栅极108为影像感测器1A的转移栅极，栅极氧化层110设于栅极108与半导体基底100之间，而掺杂扩散区106设于半导体基底100中并位于栅极108的一侧，且栅极108位于第一导电型掺杂区102与掺杂扩散区106之间。本实施例的掺杂扩散区106为影像感测器1A的漂流扩散(floating diffusion，FD)区域，并且为N型掺杂区。感光元件124在照光下产生光电子(photo electron)，通过提供电压给栅极108可将光电子传输至掺杂扩散区106所形成的漂流扩散区域，再进一步转换为电子信号。影像感测器1A可另包括重置晶体管(reset transistor)、源随晶体管(source follower transistor)、或读取选择晶体管(read select transistor)，且可包括三晶体管(3T)与四晶体管(4T)的像素电路。为了突显本实施例影像感测器1A的特征，上述元件未于附图中绘出。
此外，本实施例的影像感测器1A包括介电层126、导线128、彩色滤光层136及微聚光镜138设置于半导体基底100的表面上，其中介电层126填入凹槽116内，导线128与栅极108电连接，且导线128设于介电层126中并且未覆盖感光区10，彩色滤光层136与微聚光镜138设于介电层126的表面并覆盖感光区10。彩色滤光层136的颜色可包括红色、蓝色、或绿色，以使感光元件124可感测特定颜色的光线。影像感测器1A可选择性地包括光导管134，设置于彩色滤光层136与凹槽116之间的介电层126中。在其他实施例中，光导管134可向下延伸至凹槽116顶部而与第二导电型掺杂区122接触。由于光导管134包括高折射率材料，其折射率(refractive index)高于介电层126的折射率，因此进入光导管134的光线在光导管134中较易发生全反射(total refraction)，故可辅助光线传导至感光元件124，进而改善影像感测器1A的量子效率(quantum efficiency)。
根据本实施例，感光元件124表面具有凹槽116，且凹槽116具有由开口至底部逐渐缩小的形状，有助于导引光线在凹槽116内持续反射并朝凹槽116底部行进，并且，凹槽116的设置可以大幅增加感光区10内感光元件124的感光面积，以有效增加感光元件124吸收光线的比例，进而改善影像感测器1A的量子效率。此外，也可避免光线反射至相邻其他像素中的感光元件，进而避免跨越干扰(cross talk)问题。
本发明的影像感测器及其制作方法并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例及变化实施例，然为了简化说明并突显各实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图9，其为本发明第一实施例的第一变化实施例的影像感测器的剖面示意图。如图9所示，本变化实施例与第一实施例不同的地方在于影像感测器1B的凹槽116的数量较少且邻近感光区10的外缘(outer edge)设置，亦即位于感光区10中央区域的部分第二导电型掺杂区122具有一平坦表面。通过将凹槽116邻近感光区10的外缘设置，可避免入射至感光元件124外缘的光线反射至相邻其他像素的感光元件，进而避免产生跨越干扰。请参考图10，其为本发明第一实施例的第二变化实施例的影像感测器的剖面示意图。如图10所示，本变化实施例与第一实施例不同的地方在于影像感测器1C的感光元件124仅具有一个凹槽116，且凹槽116的开口面积与感光区10的面积相近。本变化实施例的凹槽116的剖视图案为倒置的梯形(invert trapezoid)，但不以此为限。由于凹槽116的侧壁自感光区10外缘往感光区10中央倾斜，因此可避免入射至感光元件124外缘的光线反射至相邻的影像感测器，进而避免产生跨越干扰。
请参考图11至图12，其为本发明第二实施例的影像感测器的制作方法的制作工艺示意图，本发明第二实施例的影像感测器为一背照射(Back Side Illumination；BSI)影像感测器。首先如图11所示，提供半导体基底100，本实施例的半导体基底100可选择性地包括一外延层(epitaxial layer)142，位于半导体基底100的一侧。举例而言，外延层142具有约4微米的厚度，但不以此为限。接着，在半导体基底100的外延层142中形成掺杂扩散区106、第一导电型掺杂区102与选择性的隔离结构112，并于外延层142上形成栅极氧化层110与栅极108。接着，在外延层142中形成一第二导电型掺杂层146位于外延层142的表面，并位于栅极108的一侧，本实施例的第二导电型掺杂层146并未延伸至栅极108下方的半导体基底100中，但不以此为限。第二导电型掺杂层146具有与半导体基底100(或外延层142)相同极性的掺质，但具有较高的掺杂浓度。然后，在半导体基底100上形成导线128及介电层126，其中介电层126覆盖栅极108与第二导电型掺杂层146，导线128可为多层内连线结构，电连接于栅极108。接着，可于半导体基底100具有导线128及介电层126的一侧接合至一承载基板(carrier substrate)，并可选择性地在承载基板与半导体基底100之间另设置一缓冲层(buffer layer)。承载基板可类似于半导体基底100而包括硅材料，也可包括玻璃基板。缓冲层可包括氧化硅、氮化硅或其他介电材料。为了突显本实施例影像感测器2A的特征，承载基板与缓冲层并未于附图中绘出。接着，进行一薄化制作工艺(thinning process)144，将大部分的半导体基底100移除，而仅留下外延层142。
接着，如图12所示，在半导体基底100的外延层142相反于导线128的一侧形成凹槽116与第二导电型掺杂层120。在形成第二导电型掺杂层120之后，可对第二导电型掺杂层120进行退火制作工艺，以活化第二导电型掺杂层120中的掺质，使其形成第二导电型掺杂区122，其中第二导电型掺杂区122的掺杂浓度高于外延层142的掺杂浓度。退火制作工艺可例如为一激光退火制作工艺，但不以此为限。接着，可于凹槽116与外延层142的表面上选择性地形成阻障层(未绘示)，阻障层可整面覆盖于凹槽116与外延层142表面，其材料举例为氮化硅或氧化硅，但不以此为限。此外，也可选择性于凹槽116与外延层142的表面上形成抗反射层(未绘示)，然后于外延层142具有凹槽116的一侧表面形成一填充层(fillinglayer)140。填充层140可包括氧化硅或其他具有高光穿透率的介电材料，并可通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、或其他适合的技术形成，之后可通过化学机械研磨等制作工艺移除在凹槽116外的填充层140，并使填充层具有平坦的表面。最后，在填充层140上形成彩色滤光层136与微聚光镜138。本实施例的影像感测器2A中各元件的材料与制作方法可参考第一实施例，在此不再赘述。
请继续参考图12，本实施例与第一实施例不同的地方在于，影像感测器2A为背照射影像感测器，其中感光元件124设于导线128与彩色滤光层136之间并电连接于导线128。半导体基底100(或可称为外延层142)具有一前侧12与一背侧14，隔离结构112与掺杂扩散区106皆位于靠近前侧12的半导体基底100内。影像感测器2A另包括第二导电型掺杂层146位于靠近前侧12的半导体基底100内并邻近栅极108设置，栅极108、栅极氧化层110、导线128及介电层126皆设置于半导体基底100前侧12的表面上。凹槽116设置于靠近背侧14的半导体基底100内，因此，第二导电型掺杂层146以及导线128与凹槽116分别位于半导体基底100的两侧，且第一导电型掺杂区102设于第二导电型掺杂层146以及导线128与凹槽116之间，而第一导电型掺杂区102与第二导电型掺杂区122之间的p-n接面位于半导体基底100的背侧14。再者，影像感测器2A可另包括彩色滤光层136与微聚光镜138设置于半导体基底100背侧14的表面上并覆盖感光区10，以及包括填充层140填入凹槽116内并位于感光元件124与彩色滤光层136之间。
请参考图13，图13为本发明第二实施例的第一变化实施例的影像感测器的剖面示意图。如图13所示，本变化实施例与第二实施例不同的地方在于，影像感测器2B的彩色滤光层136直接填入凹槽116内，因此不需额外设置填充层。影像感测器2B中各元件的材料与制作方法可参考第二实施例，在此不再赘述。
综上所述，本发明的影像感测器的制作方法是先于半导体基底中形成第一导电型掺杂区，再于第一导电型掺杂区表面形成凹槽，然后才于第一导电型掺杂区表面制作第二导电型掺杂区，并使第二导电型掺杂区形成于凹槽表面，使得第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区之间所形成的感光元件的p-n接面能够沿着凹槽形成。本发明影像感测器的凹槽结构可使光线在凹槽内持续向底部反射，增加光线行进至感光元件的比例，同时因凹槽的设置而增加了感光元件的p-n接面的面积，亦即增加了感光面积，进而改善影像感测器的量子效率。此外，凹槽的设置也可调整光线的行进方线，避免入射至感光元件外缘的光线反射至相邻的影像感测器，有效改善跨越干扰问题。因此，本发明影像感测器可以大幅改善影像感测器的感光效率与准确率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种影像感测器，其包括：
半导体基底，其表面定义有一感光区，且该半导体基底表面包含至少一凹槽(recess)，设于该感光区内；
第一导电型掺杂区，设于该半导体基底中并位于该感光区内；
第二导电型掺杂区，设于该第一导电型掺杂区的表面以及该凹槽表面，其中该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区具有不同的导电型，且该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区构成一感光元件；
栅极，设于该半导体基底上；
栅极氧化层，设于该栅极与该半导体基底之间；以及
掺杂扩散区，设于该半导体基底中，且该栅极位于该第一导电型掺杂区与该掺杂扩散区之间。
2.如权利要求1所述的影像感测器，其中该凹槽的尺寸由该凹槽的开口朝该凹槽的底部逐渐缩小。
3.如权利要求2所述的影像感测器，其中该凹槽为一锥形凹槽或具有一梯形剖面结构。
4.如权利要求1所述的影像感测器，其中该凹槽邻近该感光区的外缘设置。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其中该凹槽的开口面积与该感光区的面积相近。
6.如权利要求1所述的影像感测器，其另包含介电层，填入该凹槽内。
7.如权利要求6所述的影像感测器，其另包含：
彩色滤光层，设于该半导体基底表面并覆盖该感光区；以及
导线，电连接于该栅极，且该导线设于该介电层中并且未覆盖该感光区。
8.如权利要求7所述的影像感测器，其另包含光导管(light pipe)，设置于该彩色滤光层与该凹槽之间。
9.如权利要求1所述的影像感测器，其另包含：
第二导电型掺杂层，设于该第一导电型掺杂区的表面且邻近该栅极，其中该第二导电型掺杂层与该凹槽以及该第二导电型掺杂区分别位于该半导体基底的两侧，使该第一导电型掺杂区设于该第二导电型掺杂层与该凹槽以及该第二导电型掺杂区之间；
彩色滤光层，设于该半导体基底表面并覆盖该感光区；以及
导线，电连接于该栅极，且该感光元件设于该导线与该彩色滤光层之间。
10.如权利要求9所述的影像感测器，其中该彩色滤光层填设于该凹槽内。
11.一种影像感测器的制作方法，其包括：
提供一半导体基底，其表面定义有一感光区；
在该半导体基底表面形成一第一导电型掺杂区，设于该感光区内；
进行一蚀刻制作工艺，移除部分该半导体基底以形成至少一凹槽，该凹槽设于该感光区内；以及
进行一离子注入制作工艺，在该感光区内的该凹槽表面形成一第二导电型掺杂区，其中该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区具有不同的导电型，且该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区构成一感光元件。
12.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其另包括在形成该凹槽之前，先在该感光区形成一第二导电型牺牲层，覆盖该第一导电型掺杂区的表面，并且于进行该离子注入制作工艺后另进行一退火制作工艺。
13.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其中该凹槽的尺寸由该凹槽的开口朝该凹槽的底部逐渐缩小。
14.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其中该凹槽为一锥形凹槽或具有一梯形剖面结构。
15.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其中该凹槽邻近该感光区的外缘设置。
16.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其中该凹槽的开口面积与该感光区的面积相近。
17.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其中该蚀刻制作工艺为一各向异性的湿蚀刻制作工艺或者干蚀刻制作工艺。
18.如权利要求17所述的影像感测器的制作方法，其中该半导体基底为一含硅基底，且该湿蚀刻制作工艺的蚀刻液包括氢氧化四甲基铵(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)、乙二胺及邻苯二酚(ethylene diamine and pyrocatechol；EDP)、碱基(alkali-based)蚀刻液、稀释的氢氟酸(diluted hydrofluoric；DHF)、氟化氢(HF)、缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)或SC-1洗净液(SC-1cleaning liquid)。
19.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其另包括：
在该半导体基底表面形成一介电层，该介电层覆盖该感光元件且填于该凹槽中；
在该半导体基底表面形成一导线，电连接于该感光元件；
移除部分该介电层，以于该感光元件上的该介电层中形成一光导管开口；
在该光导管开口中填入高折射率材料，以于该感光元件上形成一光导管；以及
在该光导管表面形成一彩色滤光层。
20.如权利要求11所述的影像感测器的制作方法，其另包括：
在形成该凹槽之前，在该半导体基底表面形成一第二导电型掺杂层以及一导线，并使后续形成的该感光元件电连接于该导线，且该第二导电型掺杂层以及该导线与该凹槽分别位于该半导体基底的两侧，使该第一导电型掺杂区设于该第二导电型掺杂层以及该导线与该凹槽之间；以及
在该凹槽表面形成一彩色滤光层，使该凹槽设于该彩色滤光层与该导线之间。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649044A (zh) * 2018-05-09 2018-10-12 德淮半导体有限公司 图像传感器及形成图像传感器的方法
CN109585484A (zh) * 2018-12-04 2019-04-05 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
CN110224038A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电二极管及其形成方法
CN114725147A (zh) * 2022-05-16 2022-07-08 晶芯成(北京)科技有限公司 一种图像传感器及其制造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018123907A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 シャープ株式会社 撮像パネル及びその製造方法
US10205037B2 (en) * 2017-06-09 2019-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Photodiode device and manufacturing method thereof
US10515989B2 (en) * 2017-08-30 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Device comprising photodiode and method of making the same
US10475828B2 (en) 2017-11-21 2019-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device structure with doping layer in light-sensing region
JP2021168316A (ja) * 2018-07-13 2021-10-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ素子および電子機器
TWI675467B (zh) * 2018-08-29 2019-10-21 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測器及其製造方法
CN111106190A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 光程研创股份有限公司 波导结构及包含波导结构的光电子元件
US11121162B2 (en) * 2019-05-07 2021-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light pipe structure with high quantum efficiency
US10991667B2 (en) * 2019-08-06 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Isolation structure for bond pad structure
US11810933B2 (en) * 2020-01-21 2023-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device and fabrication method thereof
WO2023080000A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
TW202332072A (zh) * 2022-01-19 2023-08-01 友達光電股份有限公司 感測裝置
CN114784033B (zh) * 2022-06-20 2022-09-16 西安中科立德红外科技有限公司 基于半导体工艺的混合成像芯片及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1897289A (zh) * 2005-07-11 2007-01-17 美格纳半导体有限会社 图像传感器及其制造方法
CN101132018A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法
CN101180730A (zh) * 2005-05-19 2008-05-14 美光科技公司 具有带透明导电互连线的像素单元的成像装置以及制造所述像素单元的方法
US20100265384A1 (en) * 2008-12-22 2010-10-21 Hiok-Nam Tay Light guide array for an image sensor
CN102376726A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 索尼公司 固态摄像器件、其制造方法和电子装置
CN104952966A (zh) * 2014-03-31 2015-09-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器
CN105280751A (zh) * 2014-05-27 2016-01-27 瑞萨电子株式会社 半导体器件及其制造方法
US20160197118A1 (en) * 2014-12-24 2016-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors including photoelectric conversion portions with increased area

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038232B2 (en) 2003-09-24 2006-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Quantum efficiency enhancement for CMOS imaging sensor with borderless contact
US7358583B2 (en) 2006-02-24 2008-04-15 Tower Semiconductor Ltd. Via wave guide with curved light concentrator for image sensing devices
US7822300B2 (en) 2007-11-20 2010-10-26 Aptina Imaging Corporation Anti-resonant reflecting optical waveguide for imager light pipe
KR101790164B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-26 삼성전자 주식회사 빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ｃｍｏｓ 이미지센서 및 상기 이미지센서의 형성방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101180730A (zh) * 2005-05-19 2008-05-14 美光科技公司 具有带透明导电互连线的像素单元的成像装置以及制造所述像素单元的方法
CN1897289A (zh) * 2005-07-11 2007-01-17 美格纳半导体有限会社 图像传感器及其制造方法
CN101132018A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法
US20100265384A1 (en) * 2008-12-22 2010-10-21 Hiok-Nam Tay Light guide array for an image sensor
CN102376726A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 索尼公司 固态摄像器件、其制造方法和电子装置
CN104952966A (zh) * 2014-03-31 2015-09-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器
CN105280751A (zh) * 2014-05-27 2016-01-27 瑞萨电子株式会社 半导体器件及其制造方法
US20160197118A1 (en) * 2014-12-24 2016-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors including photoelectric conversion portions with increased area

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110224038A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电二极管及其形成方法
CN108649044A (zh) * 2018-05-09 2018-10-12 德淮半导体有限公司 图像传感器及形成图像传感器的方法
CN109585484A (zh) * 2018-12-04 2019-04-05 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
CN114725147A (zh) * 2022-05-16 2022-07-08 晶芯成(北京)科技有限公司 一种图像传感器及其制造方法

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