CN107686981B - 膜厚度监测系统、其腔室及用于监测膜厚度沉积工艺的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种膜厚度监测系统、其腔室以及一种用于监测膜厚度沉积工艺的方法。所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室，所述材料源用以提供沉积材料，所述阀门连接至所述材料源，所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器，所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴，所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地安置，所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板，压力传感器安置于所述歧管中。

Description

膜厚度监测系统、其腔室及用于监测膜厚度沉积工艺的方法

技术领域

本发明技术领域涉及一种膜厚度监测系统、其腔室以及用于监测膜厚度沉积工艺的方法。

背景技术

沉积方法广泛地用于特定电子器件的形成中。举例而言，化学气相沉积或物理气相沉积是用于形成不同器件的传统沉积方法。沉积工艺形成自一个原子直至数毫米的薄膜，可使用多层不同的材料。

在形成薄膜时，膜的厚度及沉积速率需要精确。因此，在沉积工艺期间能够监测膜的厚度至关重要。如此一来，会根据所形成结构的要求而准确地进行薄膜沉积。

发明内容

本发明提出一种膜厚度监测系统、适用于膜厚度监测系统的腔室与用于监测膜厚度沉积工艺的方法，来实现高精确度的膜厚度侦测的要求。

本发明的示例性实施例提供一种膜厚度监测系统，所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室。所述材料源用以提供沉积材料。所述阀门连接至所述材料源，所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器，所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴，石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地安置，所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板，所述压力传感器安置于所述歧管中。

本发明的示例性实施例提供一种适用于膜厚度监测系统的腔室。所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器，所述歧管具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴，所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地安置，沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板，所述压力传感器安置于所述歧管中。

本发明的示例性实施例提供一种用于监测膜厚度沉积工艺的方法，所述方法包括以下步骤：经由歧管的至少一个第一喷嘴而在靶上沉积沉积材料并经由所述歧管的至少一个第二喷嘴而在石英晶体微量天平上沉积所述沉积材料；接下来，经由所述石英晶体微量天平测量所述靶上的所述沉积材料的厚度，并校准安置于所述歧管中的压力传感器，以参照所述石英晶体微量天平来测量所述沉积材料的所述厚度；接下来，在所述压力传感器被校准之后，经由活动遮板控制器而关闭所述石英晶体微量天平的面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板，并经由所述压力传感器而继续测量所述靶上的所述沉积材料的所述厚度。

基于上述，在本发明的膜厚度监测系统中通过石英晶体微量天平的高精确度，能校准压力传感器，以参照石英晶体微量天平来测量沉积材料的沉积速率及膜厚度，并通过校准之后的压力传感器继续测量沉积材料的膜厚度，所以能实现高精确度的膜厚度侦测的要求。

以下将详细阐述几个附有附图的示例性实施例以进一步详细阐述本发明。

附图说明

为提供进一步的理解，在本说明书中包含附图，且所述附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。这些图说明示例性实施例并与本说明一起阐释本发明。

图1是根据示例性实施例的膜厚度监测系统的示意图。

图2是图1的膜厚度监测系统监测沉积工艺的示意图。

图3是图1的膜厚度监测系统中的压力传感器的示意图。

图4是图1的膜厚度监测系统中的阀门的横截面的三维示意图。

图5是根据示例性实施例的用于监测膜厚度沉积工艺的方法的流程图。

图6是根据另一示例性实施例的用于监测膜厚度沉积工艺的方法的流程图。

附图标记说明：

100：膜厚度监测系统

110：材料源

110a：沉积材料

112：L形管

120：阀门

120a：第一开口

120b：第二开口

122：转接管

124：阀门控制器

128：针

128a：第三开口

130：腔室

132：歧管

132a：第一喷嘴

132b：第二喷嘴

134：石英晶体微量天平

134a：活动遮板

136：压力传感器

136a：灯丝

138：靶

140：活动遮板控制器

150：支撑体

X、Y、Z：方向

S102、S104、S106、S202、S204、S206、S208、S210、S212、S214：步骤。

具体实施方式

图1是根据示例性实施例的膜厚度监测系统的示意图。图2是图1的膜厚度监测系统监测沉积工艺的示意图。参照图1及图2，膜厚度监测系统100包括材料源110、阀门120以及腔室130。材料源110用以提供沉积材料110a(在图2中示出)。具体而言，沉积材料110a适合于在材料源110中。在所述实施例中，沉积材料110a是用户需要沉积的任何材料。也就是说，沉积材料110a可以是有机材料或无机材料。在所述实施例中，材料源110是适于被加热以将沉积材料110a气化的坩埚。阀门120连接至材料源110。在所述实施例中，阀门120经由L形管112连接至材料源110。然而，本发明并非仅限于此。阀门120可经由管道(pipe)或转接管(transfer tubes)以任何适当的方法连接至材料源110。

在所述实施例中，腔室130包括歧管132、石英晶体微量天平(quartz crystalmicrobalance，QCM)134以及压力传感器136。歧管132连接至阀门120并具有至少一个第一喷嘴132a与至少一个第二喷嘴132b。具体而言，阀门120经由转接管122连接至歧管132。在所述实施例中，存在多个第一喷嘴132a及一个第二喷嘴132b。然而，本发明并非仅限于此，且第一喷嘴132a的数目及第二喷嘴132b的数目可根据用户要求加以调节。在所述实施例中，第一喷嘴132a及第二喷嘴132b安置于歧管132的不同侧上。石英晶体微量天平134与第二喷嘴132b相对地安置。沉积材料110a适于经由第二喷嘴132b而沉积于石英晶体微量天平134上，且石英晶体微量天平134包括面对第二喷嘴132b的活动遮板134a。然而，本发明并非仅限于此。在其它实施例中，若用户需要，则第一喷嘴132a及第二喷嘴132b也可位于歧管132的同一侧上。

在所述实施例中，膜厚度监测系统100包括活动遮板控制器140。活动遮板控制器140用以控制石英晶体微量天平134上的活动遮板134a开启或关闭。此外，膜厚度监测系统100包括支撑体150，以用于支撑石英晶体微量天平134。支撑体150用以调节石英晶体微量天平134相对于第二喷嘴132b的位置。在所述实施例中，支撑体150调节石英晶体微量天平134在x方向上的位置。然而，本发明并非仅限于此，且支撑体150也可根据用户要求而调节石英晶体微量天平134在y方向上或z方向上的位置。

在所述实施例中，参照图2，当膜厚度监测系统100监测沉积工艺时，所述腔室还包括靶138。靶138与第一喷嘴132a相对地安置。如图2中所示，沉积材料110a在沉积工艺期间经由第一喷嘴132a而沉积于靶138上。也如图2中所示，在对沉积工艺进行监测期间，沉积材料110a沉积于石英晶体微量天平134上。靶138是例如用于在上面沉积上述沉积材料110a的基板。在其它实施例中，当执行沉积工艺时，在腔室130中可以不安置靶138。在所述实施例中，在沉积工艺期间，将靶138安置在腔室130中以在靶138上进行沉积。然而，本发明并非仅限于此。靶138可为适于容纳基板以在其上进行沉积的结构，且甚至在不执行沉积工艺时靶138仍可位于腔室130中。或者，靶138被进行沉积且在不执行沉积工艺时，仍可处于腔室130中。靶138的结构与配置可根据用户要求确定。

在所述实施例中，腔室130可为真空腔室。具体而言，在沉积工艺期间，在真空腔室130中执行沉积工艺。此外，歧管132中的压力实质上相同于真空腔室130中的靶138处的压力。如此一来，检测歧管132中的压力的压力传感器136实质上检测到靶138处的相同压力。因此，来自压力传感器136的结果可用于计算沉积材料110a的膜厚度及沉积速率。此外，阀门120及材料源110安置于腔室130之外。然而，在其它实施例中，阀门120及材料源110可被连接至腔室130以使阀门120及材料源110的内部为部分真空。

图3是图1的膜厚度监测系统中的压力传感器的示意图。在所述实施例中，压力传感器136安置于歧管132中。压力传感器136包括灯丝136a。压力传感器136是例如皮拉尼真空计(Pirani gauge)。也就是说，压力传感器136包括灯丝136a以测量歧管132的压力。在所述实施例中，灯丝136a是金属。具体而言，灯丝136a是铂。然而，灯丝136a的金属可为任何适当的金属。此外，所述实施例示出两个灯丝136a，但视用户的需要而定，灯丝的数量可为一或多个。

在所述实施例中，为测量歧管132的压力，将压力传感器136加热的灯丝136a悬浮在所述歧管中。也就是说，灯丝136a被安置于歧管132中，以接触歧管132中的气化沉积材料110a。在所述实施例中，压力传感器136的部分被安置于歧管132之外。在其它实施例中，整个压力传感器136安置于歧管132内。当气化沉积材料110a的气体分子与灯丝136a发生碰撞时，灯丝136a向气体散失热量。若气压降低，则存在的分子的数目将成比例地降低，且灯丝136a将更缓慢地散失热量；反之亦然。测量热量散失是压力的间接指标。此外，由于歧管132处于真空腔室130中，因此含有气化沉积材料110a的歧管132中的压力实质上相同于靶138处的气化沉积材料110a的压力。因此，通过测量歧管132的压力，可确定靶138上的沉积材料110a的沉积速率。

在所述实施例中，膜厚度监测系统100包括石英晶体微量天平134，所述石英晶体微量天平134也能测量靶138上的沉积材料110a的沉积速率。石英晶体微量天平134通过测量石英晶体共振器的频率变化来测量每单位面积的质量变化。由于在声共振器(acousticresonator)的表面处发生的氧化物成长/衰减或膜沉积而引起的小的质量的增加或移除会干扰共振。因此，石英晶体微量天平134可监测靶138上的沉积材料110a的沉积速率。频率测量易很容易以高精确度进行。然而，石英晶体微量天平134具有相对短的传感器寿命，且因此膜厚度监测系统100并非完全依赖于石英晶体微量天平134来测量沉积材料110a的沉积速率。

在所述实施例中，压力传感器136及石英晶体微量天平134二者均能测量沉积材料110a的沉积速率，且压力传感器136被校准，以测量与由石英晶体微量天平134测量的沉积速率相同的沉积速率。一旦压力传感器136被校准，石英晶体微量天平134上的活动遮板134a便关闭，使得沉积材料110a不再沉积于石英晶体微量天平134上。然后，膜厚度监测系统100根据压力传感器136而继续测量沉积速率。如此一来，由于沉积材料110a并非连续地在石英晶体微量天平134上沉积，因此石英晶体微量天平134可具有较长的寿命。由于一旦石英晶体微量天平134校准压力传感器136，石英晶体微量天平134上的活动遮板便关闭，因此即使在具有高沉积速率的沉积工艺中，石英晶体微量天平134仍可使用较长时期。

在所述实施例中，由于因灯丝被加热且具有较气化沉积材料110a的温度高的温度，而使得沉积材料110a不沉积于灯丝136a上，因此压力传感器136具有较长的寿命。然而，若参数改变(即，温度等)，则由传感器136测量的沉积速率可能变得不准确，且压力传感器136须由石英晶体微量天平134重新校准。通过具有压力传感器136及石英晶体微量天平134，膜厚度监测系统100可准确地测量沉积速率且具有较长的寿命。石英晶体微量天平134具有较长的寿命且将无需频繁地更换，从而降低了成本。此外，通过使用石英晶体微量天平134及压力传感器136二者，膜厚度监测系统100能够连续地监测靶138上的沉积材料110a的膜厚度及沉积速率。由于压力传感器136被用作主传感器来监测靶138上的沉积材料110a的膜厚度及沉积速率，因此膜厚度监测系统100适用于具有高沉积速率的沉积工艺。石英晶体微量天平134用于校准压力传感器136，且因此即使在具有高沉积速率的沉积工艺中，石英晶体微量天平134仍可具有较长的寿命。举例而言，膜厚度监测系统100适合应用于需要高沉积速率的有机发光二极管的沉积工艺中。当然，膜厚度监测系统100也可应用于其它低沉积速率的沉积工艺中。

图4是图1的膜厚度监测系统中的阀门的横截面的三维示意图。参照图4，阀门120包括第一开口120a与第二开口120b。第一开口120a经由L形管112而与材料源110连通。第二开口120b经由转接管122而与歧管132连通。在所述实施例中，阀门120是针阀。具体而言，阀门120还包括针128与第三开口128a。针128用以通过阀门控制器124而相对于第三开口128a来回移动。在所述实施例中，如图4中所见，针128用以在z方向上来回移动。针128朝第三开口128a具有斜面，因此当针128相对于第三开口128a改变位置时，第三开口128a的大小改变。如此一来，阀门控制器124控制针128的位置来调节第三开口128a的大小。当针128被尽可能远地推进至第三开口128a中时，针128会阻挡第三开口128a以避免使任何流体通过，从而关闭第三开口128a。当针128自第三开口128a移开而使得在针128与壁之间存在空间、从而形成第三开口128a时，流体可通过第三开口128a。由于针128具有斜面，因而在z方向上相对于第三开口128a来回移动针128会调节第三开口128a的大小。若针128被尽可能远地移回而使得第三开口128a尽可能小地被针128阻碍，则第三开口128a被视为完全开启。通过经由针128调节第三开口128a的大小，可控制穿过阀门120的沉积材料110a的流量。在其它实施例中，阀门120并非针阀，而是其它任何适当的阀门。也就是说，在其它实施例中，也可使用其它能够对流经的沉积材料110a的流量进行控制及调节的阀门。此外，在其它实施例中，可使用不对沉积材料110a的流量进行控制及调节的阀门。

在所述实施例中，膜厚度监测系统100是制造执行系统(manufacturingexecuting system，MES)。具体而言，所述制造执行系统被计算机化，以对所述工艺进行追踪并使膜厚度监测系统100中的元件自动地控制整个工艺。所述制造执行系统控制活动遮板控制器140及阀门控制器124，以实现准确的监测结果及所需的沉积速率。此外，所述制造执行系统根据用户需要控制材料源110的温度。此外，所述制造执行系统判断是自压力传感器136或是自石英晶体微量天平134读取结果，作为靶138上的沉积材料110a的厚度的参照。因此，由于整个工艺为自动化的，因而所述制造执行系统使膜厚度监测系统100能够准确地且持续地进行沉积工艺。

图5是用于监测膜厚度沉积工艺的方法的流程图。所述方法包括以下步骤。经由歧管132的第一喷嘴132a而在靶138上沉积沉积材料110a，并经由歧管132的第二喷嘴132b而在石英晶体微量天平134上沉积所述沉积材料110a(步骤S102)。在步骤S102之前，气化材料源110中的沉积材料110a。此外，开启连接至材料源110及歧管132的阀门120，以使气化沉积材料110a通过阀门120并进入歧管132。

接下来，经由石英晶体微量天平134测量靶138上的沉积材料110a的厚度，并校准安置于歧管132中的压力传感器136，以参照石英晶体微量天平134来测量沉积材料110a的厚度(步骤S104)。具体而言，开启活动遮板134a，且于石英晶体微量天平134上沉积所述沉积材料110a。通过将沉积材料110a沉积于石英晶体微量天平134上，石英晶体微量天平134能够测量靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度。此时，膜厚度监测系统100自石英晶体微量天平134读取数据作为用于膜厚度及沉积速率测量的参照。压力传感器136测量歧管132中的压力，所述压力实质上等同于靶138处的压力。来自压力传感器136的数据可确定靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度。由于石英晶体微量天平134的高精确度，能校准压力传感器136，以参照石英晶体微量天平134来测量靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度。步骤S102及步骤S104也可同时执行。也就是说，可同时进行测量及沉积。

接下来，在压力传感器136被校准之后通过活动遮板控制器140而关闭石英晶体微量天平134的面对第二喷嘴132b的活动遮板134a，并经由压力传感器136而继续测量靶138上的沉积材料110a的厚度(步骤S106)。具体而言，当活动遮板134a关闭时，沉积材料110a不沉积至石英晶体微量天平134上。通过避免将沉积材料110a沉积至石英晶体微量天平134上，能延长石英晶体微量天平134的寿命且降低更换石英晶体微量天平134所需的成本。然后，使用寿命比石英晶体微量天平134长的压力传感器136来测量靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度。也就是说，膜厚度监测系统100读取经过校准的压力传感器136，作为靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度的参照。

图6是根据另一示例性实施例的用于监测膜厚度沉积工艺的方法的流程图。在所述方法中，步骤S202、S204及S206与图5中的步骤S102、S104及S106相同。此处将不再重复进行赘述。在所述实施例中，所述方法还包括调节用于将沉积材料110a气化的材料源110的温度(步骤S208)。通过调节所述温度，改变气化沉积材料110a流动至并穿过阀门120的速率。改变沉积材料110a的气化速率还会使沉积速率发生改变。在所述实施例中，为有利于达成所需的膜厚度，沉积材料110a的气化速率可改变。此外，当沉积材料110a的材料改变时，材料源110处的温度也可能需要改变。不同的沉积材料110a需要不同的温度以实现所需沉积速率。此外，用户可能对不同的沉积材料110a要求不同的沉积速率。在某些实施例中，沉积材料110a可自有机材料改变至无机材料，或反之亦然。当然，本发明并非仅限于此，且沉积材料110a可自有机材料改变至另一有机材料，或自无机材料改变至另一无机材料。

接下来，通过阀门控制器124调节阀门120的第三开口128a，以控制气化沉积材料110a通过的速率(步骤S210)。具体而言，如上所述，通过移动所述针128来调节阀门120的第三开口128a。此外，即使材料源处的温度变化会调节气化沉积材料110a的速率，也不会即刻改变所需的沉积速率。也就是说，通过改变温度来实现所需沉积速率需要一段时间，无论是将材料源110冷却至所需温度还是将材料源110加热至所需温度均如此。因此，通过调节阀门120的第三开口128a，可物理性地控制沉积材料110a的通过速率。通过控制沉积材料110a通过阀门120的速率，也可将沉积速率控制及调节至所需速率。当在材料源110处的温度改变至所期望的温度时，第三开口128a的大小同时被调节以控制待沉积速率达到所需速率。如此一来，沉积工艺持续进行。

接下来，通过活动遮板控制器140开启石英晶体微量天平134的活动遮板134a，以经由石英晶体微量天平134而测量靶138上的沉积材料110a的厚度，并重新校准压力传感器136，以参照石英晶体微量天平134来测量沉积材料110a的厚度(步骤S212)。具体而言，当活动遮板134a开启时，沉积材料110a沉积于石英晶体微量天平134上。借此，石英晶体微量天平134能够测量靶138上的沉积材料110a的沉积速率及膜厚度。如上所述，由于当前由压力传感器136监测膜厚度及沉积速率(步骤S206)，因此一旦在步骤S208中温度已发生改变，由压力传感器136测量的测量结果便可受到影响，且所述测量结果可变得不准确。因此，当温度已发生改变时，开启活动遮板134a以使石英晶体微量天平134检测并测量沉积材料110a的厚度及沉积速率。此时，膜厚度监测系统100自石英晶体微量天平134读取数据作为膜厚度及沉积速率的测量结果。在所述实施例中，步骤S208、S210或S212也可同时执行。也就是说，在开启活动遮板134a及重新校准压力传感器136的同时，调节温度及第三开口128a。

在所述实施例中，当阀门120的第三开口128a的大小在第一范围内时，活动遮板134a在活动遮板控制器140控制下关闭。当阀门120的开口128a的大小在所述第一范围之外时，活动遮板134a在控制下开启。在所述实施例中，第三开口128a的大小的所述第一范围为第三开口128a完全开启时的15％至70％。也就是说，达到100％时，第三开口128a完全开启，且达到0％时，第三开口128a完全关闭。也就是说，在材料源处的温度被调节的同时，膜厚度监测系统100控制第三开口128a的大小以实现所需沉积速率。当第三开口128a的大小处于所述第一范围(例如，完全开启时15％至70％)之外时，膜厚度监测系统100确定腔室130中发生改变的参数需要重新校准压力传感器136以实现准确的测量结果。类似地，当第三开口128a的大小处于第一范围内时，压力传感器136无需重新校准，这是因为参数未改变至足以影响压力传感器136的准确性。所述第一范围并非仅限于15％至70％。所述第一范围可处于用户所期望的任何适当的范围以实现准确的结果及高效率的监测过程。此外，在实现所述温度及沉积速率时第三开口128a期望保持恒定。在某些实施例中，当第三开口128a的大小处于所述第一范围之外时，活动遮板134a开启，且仅当第三开口128a处于所期望的特定大小时，活动遮板控制器140控制活动遮板134a关闭。在某些实施例中，在沉积工艺期间，期望第三开口128a保持约40％的开度。当然，在其它实施例中，当其它参数(即，压力、温度等)固定时，可根据用户期望来调节第三开口128a的特定大小。

接下来，在重新校准压力传感器136之后关闭活动遮板134a，并经由压力传感器136而继续测量靶138上的沉积材料110a的厚度(步骤S214)。如在步骤S214的说明中所提到，当第三开口128a的大小实现所期望的特定的大小(例如，40％)时，活动遮板134a关闭。也就是说，第三开口128a的大小是压力传感器136重新校准中的因素。当活动遮板134a关闭时，沉积材料110a不沉积至石英晶体微量天平134上。一旦压力传感器136被重新校准，膜厚度监测系统100便读取压力传感器136作为靶138上的沉积材料110a的厚度的参照，且不使用来自石英晶体微量天平134的数据作为参照。所述工艺持续进行，且若在材料源110处的温度再次改变，则所述工艺返回至步骤S208。

对于所属领域中的技术人员而言显而易见的是，在不背离本发明的范围或精神的条件下，可对所公开实施例的结构作出各种润饰及变化。有鉴于此，本发明旨在涵盖本发明的润饰及变化，只要其落于随附权利要求书及其等效范围的范围内即可。

Claims (20)

1.一种膜厚度监测系统，其特征在于，包括：

材料源，用以提供沉积材料；

阀门，连接至所述材料源；以及

腔室，包括：

歧管，连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴；

石英晶体微量天平，与所述至少一个第二喷嘴相对地安置，其中所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板；以及

压力传感器，安置于所述歧管中，

其中，所述活动遮板设置在所述歧管之外，所述石英晶体微量天平配置为校准所述压力传感器。

2.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述腔室还包括与所述至少一个第一喷嘴相对地安置的靶，其中所述沉积材料适于经由所述至少一个第一喷嘴而沉积于所述靶上。

3.根据权利要求2所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述歧管中的压力与所述腔室中的所述靶处的压力相同。

4.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述压力传感器包括灯丝。

5.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述阀门是针阀。

6.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，还包括活动遮板控制器，用以控制所述石英晶体微量天平上的所述活动遮板开启或关闭。

7.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，还包括支撑体，支撑所述石英晶体微量天平并用以调节所述石英晶体微量天平相对于所述至少一个第二喷嘴的位置。

8.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述材料源是坩埚，所述坩埚适于被加热以将所述沉积材料气化。

9.根据权利要求1所述的膜厚度监测系统，其特征在于，所述至少一个第一喷嘴与所述至少一个第二喷嘴安置于所述歧管的不同侧上。

10.一种适用于膜厚度监测系统的腔室，其特征在于，包括：

歧管，具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴；

石英晶体微量天平，与所述至少一个第二喷嘴相对地安置，其中沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板；以及

压力传感器，安置于所述歧管中，

其中，所述活动遮板设置在所述歧管之外，所述石英晶体微量天平配置为校准所述压力传感器。

11.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，还包括与所述至少一个第一喷嘴相对地安置的靶，其中提供至所述歧管的所述沉积材料适于经由所述至少一个第一喷嘴而沉积于所述靶上。

12.根据权利要求11所述的腔室，其特征在于，所述歧管中的压力与所述腔室中的所述靶处的压力相同。

13.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述压力传感器包括灯丝。

14.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述至少一个第一喷嘴与所述至少一个第二喷嘴安置于所述歧管的不同侧上。

15.一种用于监测膜厚度沉积工艺的方法，其特征在于，包括：

经由歧管的至少一个第一喷嘴而在靶上沉积沉积材料并经由所述歧管的至少一个第二喷嘴而在石英晶体微量天平上沉积所述沉积材料；

经由所述石英晶体微量天平测量所述靶上的所述沉积材料的厚度，并校准安置于所述歧管中的压力传感器，以参照所述石英晶体微量天平来测量所述沉积材料的所述厚度；以及

在所述压力传感器被校准之后，经由活动遮板控制器而关闭所述石英晶体微量天平面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板，并经由所述压力传感器而继续测量所述靶上的所述沉积材料的所述厚度，

其中，所述活动遮板设置在所述歧管之外，所述石英晶体微量天平配置为校准所述压力传感器。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在沉积所述沉积材料之前，所述方法包括：

气化材料源中的所述沉积材料；以及

开启与所述材料源及所述歧管连接的阀门，以使气化的所述沉积材料通过所述阀门并进入所述歧管。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：

调节用于气化所述沉积材料的所述材料源的温度；

经由阀门控制器调节所述阀门的开口，以控制气化的所述沉积材料通过的速率；

经由所述活动遮板控制器开启所述石英晶体微量天平的所述活动遮板，以经由所述石英晶体微量天平而测量所述靶上的所述沉积材料的所述厚度，并重新校准所述压力传感器，以参照所述石英晶体微量天平来测量所述沉积材料的所述厚度；以及

在重新校准所述压力传感器之后关闭所述活动遮板，并经由所述压力传感器而继续测量所述靶上的所述沉积材料的所述厚度。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，当所述活动遮板开启时，所述沉积材料沉积于所述石英晶体微量天平上，而当所述活动遮板关闭时，所述沉积材料不沉积至所述石英晶体微量天平上。

19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，当所述阀门的所述开口的大小在第一范围内时，关闭所述活动遮板，而当所述阀门的所述开口的大小在所述第一范围之外时，开启所述活动遮板。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述开口的大小的所述第一范围为所述开口完全开启时的15％至70％。

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