CN107681028A - 一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，芯片结构包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型ZnxMg1‑xO衬底层、i型Al2O3薄膜层、n型ZnO薄膜层和n型电极。采用高质量的p型ZnxMg1‑xO衬底层，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，制备的LED芯片结构简单，简化了工艺，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片及其制备方法，特别是一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)具有节能、环保、寿命长等众多优点，是未来照明和显示的必然发展趋势。目前，LED大多是基于GaN半导体材料的。然而，GaN材料由于制造设备相对昂贵、资源有限、薄膜外延困难等问题限制其持续性发展。因此及时研发下一代LED半导体材料是十分必要和急迫的。ZnO半导体材料的激子束缚能高达60meV，远远大于GaN的(25meV)，有利于实现室温下的激光发射，且具有外延生长温度低、成膜性能好、原材料丰富、无毒等优点，且ZnO的制备及其器件应用研究也成为近年来的热点。
但ZnO的内部点缺陷非常多，对p型掺杂的补偿效应非常大，因而高质量p型掺杂ZnO制备十分困难。目前一般是通过在p型GaN薄膜上外延n型ZnO薄膜，但二者之间的界面存在非常多的点缺陷，严重影响发光效率，且外延结构复杂。为了促进ZnO基LED的发展，采用一种简单而有效的方案来提高ZnO基LED的性能显得极为重要。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，芯片结构简单，制备方法可以有效提高LED的出光效率。
本发明解决其问题所采用的技术方案是：
一种垂直结构ZnO基LED芯片，包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型ZnxMg1-xO衬底层、i型Al2O3薄膜层、n型ZnO薄膜层和n型电极。采用高质量的p型ZnxMg1-xO衬底层，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高ZnO基LED的光效，该LED芯片结构简单，简化了工艺，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高LED的出光效率。
优选地，所述p型ZnxMg1-xO衬底层中x取值范围为：0<x<0.3。
进一步，所述i型Al2O3薄膜层包含一层Ag纳米层。通过Ag纳米层抑制缺陷辐射，提高带边发射，同时利用Ag纳米层的反射特性，增强出光效率，从而有效提高LED的出光效率。
进一步，所述i型Al2O3薄膜层厚度为2-15nm。
进一步，所述n型ZnO薄膜层厚度为300-1500nm。
优选地，所述n型电极选用Al单晶或者Cu单晶材料。直接使用Al单晶或者Cu单晶作为支撑衬底，同时起到n电极的作用，而且金属散热性能非常好，有利于实现超大功率LED芯片。
一种垂直结构ZnO基LED芯片制备方法，包括以下步骤：
A、将清洗干净的p型ZnxMg1-xO衬底层放到分子束外延设备当中，抽真空至2-8×10-10Torr，然后在600-850℃退火30-60min，获得原子级平整表面；
B、制备i型Al2O3薄膜层：在温度700-900℃，纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Al源加热到1000-1200℃使铝原子挥发出来，在p型ZnxMg1-xO衬底层上使用分子束外延设备生长2-15nm的Al2O3薄膜；
C、制备n型ZnO薄膜：在温度300-600℃、纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Zn源的加热到850-1200℃使锌原子挥发出来，在i型Al2O3薄膜层上生长300-1500nm的n型ZnO薄膜层；
D、对p型ZnxMg1-xO衬底层进行减薄，然后蒸镀金属Al反射电极作为p电极；
E、对n型ZnO薄膜层镀n型电极，并进行剥离；
F、然后进行激光切割获得一种垂直结构ZnO基LED芯片。
本方法采用高质量的p型ZnxMg1-xO衬底层，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，制备的LED芯片结构和工艺简单，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。
进一步，步骤B制备i型Al2O3薄膜层后，还包括制备Ag纳米层：将Ag源的加热到900℃使银原子挥发出来，室温和6×10-8Torr真空条件下沉积10nm的Ag膜，在750℃温度下退火1min形成Ag纳米层。通过Ag纳米层抑制缺陷辐射，提高带边发射，同时利用Ag纳米层的反射特性，增强出光效率，从而有效提高LED的器件效率。
优选地，所述p型ZnxMg1-xO衬底层中x取值范围为：0<x<0.3。
优选地，所述n型电极选用Al单晶或者Cu单晶材料。直接使用Al单晶或者Cu单晶作为支撑衬底，同时起到n电极的作用，而且金属散热性能非常好，有利于实现超大功率LED芯片。
本发明的有益效果是：本发明采用的一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，采用高质量的p型ZnxMg1-xO衬底层，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，制备的LED芯片结构简单，简化了工艺，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。
附图说明
下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
图1是本发明一种垂直结构ZnO基LED芯片的结构示意图；
图2是本发明一种垂直结构ZnO基LED芯片的结构示意图(含Ag纳米层)；
图3是本发明一种垂直结构ZnO基LED芯片制备方法的流程图。
具体实施方式
参照图1-图2，本发明的一种垂直结构ZnO基LED芯片，包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极11、p型ZnxMg1-xO衬底层12、i型Al2O3薄膜层13、n型ZnO薄膜层14和n型电极15。采用高质量的p型ZnxMg1-xO衬底层12，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，结构简单，简化了工艺，采用垂直结构，使用金属Al反射电极11，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。
优选地，所述p型ZnxMg1-xO衬底层12中x取值范围为：0<x<0.3。
进一步，所述i型Al2O3薄膜层13包含一层Ag纳米层16。通过Ag纳米层16抑制缺陷辐射，提高带边发射，同时利用Ag纳米层16的反射特性，增强出光效率，从而有效提高LED的器件效率。
进一步，所述i型Al2O3薄膜层13厚度为2-15nm。
进一步，所述n型ZnO薄膜层14厚度为300-1500nm。
优选地，所述n型电极15选用Al单晶或者Cu单晶材料。直接使用Al单晶或者Cu单晶作为支撑衬底，同时起到n电极的作用，而且金属散热性能非常好，有利于实现超大功率LED芯片。
参照图3，本发明的一种垂直结构ZnO基LED芯片制备方法，包括以下步骤：
A、将清洗干净的p型ZnxMg1-xO衬底层12放到分子束外延设备当中，抽真空至2-8×10-10Torr，然后在600-850℃退火30-60min，获得原子级平整表面；
B、制备i型Al2O3薄膜层13：在温度700-900℃，纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Al源加热到1000-1200℃使铝原子挥发出来，在p型ZnxMg1-xO衬底层12上使用分子束外延设备生长2-15nm的Al2O3薄膜；
C、制备n型ZnO薄膜14：在温度300-600℃、纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Zn源的加热到850-1200℃使锌原子挥发出来，在i型Al2O3薄膜层13上生长300-1500nm的n型ZnO薄膜层14；
D、对p型ZnxMg1-xO衬底层12进行减薄，然后蒸镀金属Al反射电极11作为p电极；
E、对n型ZnO薄膜层14镀n型电极15，并进行剥离；
F、然后进行激光切割获得一种垂直结构ZnO基LED芯片。
本方法采用高质量的p型ZnxMg1-xO衬底层12，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，制备的LED芯片结构和工艺简单，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。
进一步，步骤B制备i型Al2O3薄膜层13后，还包括制备Ag纳米层16：将Ag源的加热到900℃使银原子挥发出来，室温和6×10-8Torr真空条件下沉积10nm的Ag膜，在750℃温度下退火1min形成Ag纳米层16。通过Ag纳米层16抑制缺陷辐射，提高带边发射，同时利用Ag纳米层16的反射特性，增强出光效率，从而有效提高LED的器件效率。
优选地，所述p型ZnxMg1-xO衬底层12中x取值范围为：0<x<0.3。
优选地，所述n型电极15选用Al单晶或者Cu单晶材料。直接使用Al单晶或者Cu单晶作为支撑衬底，同时起到n电极的作用，而且金属散热性能非常好，有利于实现超大功率LED芯片。
下面结合实施例，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
一种垂直结构ZnO基LED芯片制备方法，包括以下步骤：
A、将清洗干净的p型ZnxMg1-xO(0<x<0.3)衬底层12放到分子束外延设备当中，抽真空至4×10-10Torr，然后在650℃退火30min，获得原子级平整表面；
B、制备i型Al2O3薄膜层13：在温度800℃，纯度99.999％以上的O等离子体流量为5sccm条件下，将Al源加热到1100℃使铝原子挥发出来，在p型ZnxMg1-xO衬底层12上使用分子束外延设备生长5nm的Al2O3薄膜；
C、制备n型ZnO薄膜14：在温度450℃、纯度99.999％以上的O等离子体流量为10sccm条件下，将Zn源的加热到900℃使锌原子挥发出来，在i型Al2O3薄膜层13上生长500nm的n型ZnO薄膜层14；
D、对p型ZnxMg1-xO衬底层12进行减薄，然后蒸镀金属Al反射电极11作为p电极；
E、对n型ZnO薄膜层14镀n型电极15，并进行剥离；
F、然后进行激光切割获得一种垂直结构ZnO基LED芯片。
实施例2
一种垂直结构ZnO基LED芯片制备方法，包括以下步骤：
A、将清洗干净的p型ZnxMg1-xO(0<x<0.3)衬底层12放到分子束外延设备当中，抽真空至6×10-10Torr，然后在650℃退火30min，获得原子级平整表面；
B、制备i型Al2O3薄膜层13：在温度850℃，纯度99.999％以上的O等离子体流量为5sccm条件下，将Al源加热到1100℃使铝原子挥发出来，在p型ZnxMg1-xO衬底层12上使用分子束外延设备生长5nm的Al2O3薄膜；
C、制备Ag纳米层16：将Ag源的加热到900℃使银原子挥发出来，室温和6×10-8Torr真空条件下沉积10nm的Ag膜，750℃退火1min形成Ag纳米层16；
D、制备n型ZnO薄膜14：在温度500℃、纯度99.999％以上的O等离子体流量为2sccm条件下，将Zn源的加热到1000℃使锌原子挥发出来，在i型Al2O3薄膜层13上生长400nm的n型ZnO薄膜层14；
E、对p型ZnxMg1-xO衬底层12进行减薄，然后蒸镀金属Al反射电极11作为p电极；
F、对n型ZnO薄膜层14镀n型电极15，并进行剥离；
G、然后进行激光切割获得一种垂直结构ZnO基LED芯片。
以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极(11)、p型ZnxMg1-xO衬底层(12)、i型Al2O3薄膜层(13)、n型ZnO薄膜层(14)和n型电极(15)。
2.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，所述p型ZnxMg1-xO衬底层(12)中x取值范围为：0<x<0.3。
3.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，所述i型Al2O3薄膜层(13)包含一层Ag纳米层(16)。
4.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，所述i型Al2O3薄膜层(13)厚度为2-15nm。
5.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，所述n型ZnO薄膜层(14)厚度为300-1500nm。
6.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片，其特征在于，所述n型电极(15)选用Al单晶或者Cu单晶材料。
7.一种垂直结构ZnO基LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、将清洗干净的p型ZnxMg1-xO衬底层(12)放到分子束外延设备当中，抽真空至2-8×10-10Torr，然后在600-850℃退火30-60min，获得原子级平整表面；
B、制备i型Al2O3薄膜层(13)：在温度700-900℃，纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Al源加热到1000-1200℃使铝原子挥发出来，在p型ZnxMg1-xO衬底层(12)上使用分子束外延设备生长2-15nm的Al2O3薄膜；
C、制备n型ZnO薄膜(14)：在温度300-600℃、纯度99.999％以上的O等离子体流量为0.5-20sccm条件下，将Zn源的加热到850-1200℃使锌原子挥发出来，在i型Al2O3薄膜层(13)上生长300-1500nm的n型ZnO薄膜层(14)；
D、对p型ZnxMg1-xO衬底层(12)进行减薄，然后蒸镀金属Al反射电极(11)作为p电极；
E、对n型ZnO薄膜层(14)镀n型电极(15)，并进行剥离；
F、然后进行激光切割获得一种垂直结构ZnO基LED芯片。
8.根据权利要求7所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤B制备i型Al2O3薄膜层(13)后，还包括制备Ag纳米层(16)：将Ag源的加热到900℃使银原子挥发出来，室温和6×10-8Torr真空条件下沉积10nm的Ag膜，在750℃温度下退火1min形成Ag纳米层(16)。
9.根据权利要求7所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片的制备方法，其特征在于，所述p型ZnxMg1-xO衬底层(12)中x取值范围为：0<x<0.3。
10.根据权利要求7所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片的制备方法，其特征在于，所述n型电极(15)选用Al单晶或者Cu单晶材料。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108611609A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-02 | 五邑大学 | 一种金属纳米线网络、及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1513210A (zh) * | 2001-04-27 | 2004-07-14 | ��Խ�뵼����ʽ���� | 制造发光装置的方法 |
| CN1564314A (zh) * | 2004-04-20 | 2005-01-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法 |
| US7132691B1 (en) * | 1998-09-10 | 2006-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
| CN101710600A (zh) * | 2009-07-06 | 2010-05-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种实现高光谱选择性光电探测器的方法 |
| CN104022219A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-03 | 中山大学 | 基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器 |
| US20160043261A1 (en) * | 2013-05-17 | 2016-02-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Photovoltaic element |
| CN106876504A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 复旦大学 | 一种ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器及其制备方法 |
| CN207338419U (zh) * | 2017-10-24 | 2018-05-08 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种垂直结构ZnO基LED芯片 |
-
2017
- 2017-10-24 CN CN201711000087.2A patent/CN107681028B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132691B1 (en) * | 1998-09-10 | 2006-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
| CN1513210A (zh) * | 2001-04-27 | 2004-07-14 | ��Խ�뵼����ʽ���� | 制造发光装置的方法 |
| CN1564314A (zh) * | 2004-04-20 | 2005-01-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法 |
| CN101710600A (zh) * | 2009-07-06 | 2010-05-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种实现高光谱选择性光电探测器的方法 |
| US20160043261A1 (en) * | 2013-05-17 | 2016-02-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Photovoltaic element |
| CN104022219A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-03 | 中山大学 | 基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器 |
| CN106876504A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 复旦大学 | 一种ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器及其制备方法 |
| CN207338419U (zh) * | 2017-10-24 | 2018-05-08 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种垂直结构ZnO基LED芯片 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| C. X. SHAN 等: "p-type doping of MgZnO films and their applications in optoelectronic devices", OPTICS LETTERS * |
| LIU YANG 等: "Enhanced near-UV electroluminescence from p-GaN/i-Al2O3/n-ZnO heterojunction LEDs by optimizing the insulator thickness and introducing surface plasmons of Ag nanowires", JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108611609A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-02 | 五邑大学 | 一种金属纳米线网络、及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107681028B (zh) | 2023-08-29 |
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