CN107674673A - 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 - Google Patents
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107674673A CN107674673A CN201710978282.6A CN201710978282A CN107674673A CN 107674673 A CN107674673 A CN 107674673A CN 201710978282 A CN201710978282 A CN 201710978282A CN 107674673 A CN107674673 A CN 107674673A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- long
- launch wavelength
- preparation
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 34
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 41
- PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N chromium trinitrate Chemical compound [Cr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000703 high-speed centrifugation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002688 persistence Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 abstract 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
- C09K11/621—Chalcogenides
- C09K11/623—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/01—Crystal-structural characteristics depicted by a TEM-image
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，方法是：乙二醇为辅助剂，硝酸镓溶液、三氯化铟溶液为基质，掺杂铬离子混合溶液均匀搅拌，170℃下水特处理，离心分离并真空干燥，最后产物用马弗炉先后在700℃和1000℃下煅烧，制得平均粒径20纳米左右的发射波长调控的长余辉纳米晶。本发明的优点是：该方法制备的长余辉晶具有尺寸较小，发射波长可控在近红外光区内(770纳米左右)、余辉时间长等优良的性质；本发明操作简单、成本低、制备过程中不需要还原性气氛、对环境没有污染。
Description
技术领域
本发明属于长余辉发光材料的制备技术领域，具体涉及一种发射波长调控的近红外长余辉纳米晶的制备方法。
背景技术
长余辉发光材料具有很长的发光寿命，其在被高能激发后能持续发光很长时间(>1h)，故也被称为蓄光型发光材料或夜光材料。长余辉发光现象由于被陷阱俘获的电子在热激发下缓慢释放所致。目前长余辉发光材料在照明、器材标记、太阳能储存、信息储存、高能射线探测、安全应急指示、交通军事和生物医学等领域得到广泛应用。虽然长余辉材料在过去二十年发展迅速，但近红外长余辉纳米材料比较缺乏，近红外长余辉纳米发光材料拥有其他传统发光材料所不具备的优点，波长在近红外(650-900纳米)范围的光对生物组织具有最好的穿透性，这可以实现生物体内的“免激发”高信噪比的光学成像，在生物医学诊断和治疗领域具有广阔的应用前景。
目前报道的近红外长余辉纳米材料都基于二价铕掺杂的硅酸盐基质和三价铬掺杂的镓酸锌基质。制备硅酸盐体系需要还原性气氛(氢气和氮气的混合)下高温煅烧，使三价铕还原成二价铕，该方法需要特殊仪器装置、危险性大。铬掺杂镓酸锌和铬掺杂氧化镓体系的发射波长一般在695纳米左右，如能使其发射波长进一步调控到750纳米以上的近红外区域，进一步提高近红外光对生物组织的穿透深度，从而可以获得更高信噪比的光学成像效果。
发明内容
本发明的目的是针对上述存在问题，提供一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，该方法制备的长余辉纳米晶发射波长明显调控到770纳米以上的近红外区域，具有优良的近红外余辉性质；本发明操作简单、成本低、制备过程中不需要还原性气氛、对环境没有污染。
本发明的技术方案：
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤如下：
1)硝酸镓溶液的配制：将氧化镓固体和1:3比例的硝酸溶液在90-110℃回流至氧化镓完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升。
2)三氯化铟溶液的配制：将三氯化铟固体和去离子水搅拌至三氯化铟完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升。
3)硝酸铬溶液的配制：将硝酸铬固体和去离子水搅拌至硝酸铬完全溶解，使得到溶液浓度为0.01摩尔/升。
4)将乙二醇、步骤1)得到的硝酸镓溶液、步骤2)得到的三氯化铟溶液和步骤3)得到的硝酸铬溶液混合，在18-25℃温度下搅拌30分钟得到混合溶液，再用质量百分比浓度为10％-15％的氨水调节混合液pH为7.0-9.0，继续在18-25℃温度下搅拌1小时得到混合溶液；
5)将上述步骤4)最终得到的混合溶液转移到水热反应釜，温度设定为170-190℃，水热处理17-24小时；
6)将已水热处理的产物自然冷却至室温，然后取悬浮液，用离心机在转数为8000-10000rpm下高速离心，再用去离子水和无水乙醇清洗沉淀物三次，得到产物；
7)将上述步骤6)得到的产物在真空干燥箱中于40-60℃温度下干燥12-16小时，得到灰色粉末；
8)将所得灰色粉末产物用研钵研细后，放置于马弗炉中于700-750℃温度下煅烧3小时1000-1050℃温度下煅烧3小时，即可制得平均粒径小于20纳米的发射波长调控的长余辉纳米晶。
所述乙二醇、硝酸镓溶液、三氯化铟溶液、硝酸铬溶液的质量比为
55.78:1.68:0.398:0.016-55.78:1.43:0.645:0.016。
本发明的优点及效果是：
该方法制备的长余辉颗粒具有发射波长可控、粒径较小、发射光谱在近红外光区内、余辉时间长等优良的性质；本发明操作简单、成本低、制备过程中不需要还原性气氛、对环境没有污染。
附图说明
图1为实施例1制备的发射波长调控的长余辉纳米晶的TEM谱图。
图2为实施例1制备的发射波长调控的长余辉纳米晶的磷光激发谱图。
图3为实施例1制备的发射波长调控的长余辉纳米晶的磷光发射谱图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明，但本发明不仅限于这些实施例。
实施例1：
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤如下：
1)硝酸镓溶液的配制：将氧化镓固体和1:3比例的硝酸溶液在100℃回流至氧化镓完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升。
2)三氯化铟溶液的配制：将三氯化铟固体和去离子水搅拌至三氯化铟完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升。
3)硝酸铬溶液的配制：将硝酸铬固体和去离子水搅拌至硝酸铬完全溶解，使得到溶液浓度为0.01摩尔/升。
4)将乙二醇、步骤1)得到的硝酸镓溶液、步骤2)得到的三氯化铟溶液和步骤3)得到的硝酸铬溶液混合，在20℃温度下搅拌30分钟得到混合溶液，再用质量百分比浓度为10％的氨水调节混合液pH为9，继续在20℃温度下搅拌1小时得到混合溶液；所述乙二醇、硝酸镓溶液、三氯化铟溶液、硝酸铬溶液的质量比为55.78:1.68:0.398:0.016。
5)将上述步骤4)最终得到的混合溶液转移到水热反应釜，温度设定为170℃，水热处理17小时；
6)将已水热处理的产物自然冷却至室温，然后取悬浮液，用离心机在转数为10000rpm下高速离心，再用去离子和无水乙醇清洗沉淀物三次，得到产物；
7)将上述步骤6)得到的产物在真空干燥箱中于60℃温度下干燥12小时，得到灰色粉末；
8)将上述得灰色粉末产物用研钵研碎后，放置于马弗炉中于700℃温度下煅烧3小时，1000℃温度下煅烧3小时，即可制得平均粒径小于20纳米的发射波长调控的长余辉纳米晶。
该实施例制备的发射波长调控的长余辉纳米晶的TEM图(如图1所示)，TEM图中显示长余辉纳米晶的尺寸大小20纳米左右。
磷光激发和发射谱图如图2、图3所示，图中显示：长余辉发光纳米晶吸收紫外光和可见光后，能发射近红外磷光(最大发射波长在776纳米处)，这与氧化镓纳米晶的发射波长(710纳米)相比，本方法获得氧化铟镓纳米晶的最大发射波长在776纳米处，具有更深的生物组织穿透性。
实施例2：
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤和方法与实施例1基本相同，不同之处在于：
步骤1)中的回流温度为90℃；
步骤4)中改变了混合溶液中硝酸镓水溶液、三氯化铟水溶液的质量比为55.78:1.53:0.575:0.016；在18℃温度下搅拌30分钟得到混合溶液，再用质量百分比浓度为15％的氨水调节混合液pH为7.0，继续在18℃温度下搅拌1小时得到混合溶液；
步骤5)反应釜温度设定为190℃，水热处理20小时；
步骤6)离心机转数为8000rpm；
步骤7)真空干燥箱温度40℃下干燥16小时；
步骤8)马弗炉中于750℃温度下煅烧3小时1050℃温度下煅烧3小时。
取该实施例制备的长余辉发光纳米晶作为观测余辉和表征试样，检测结果与实施例1相近。
实施例3:
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤和方法与实施例1基本相同，不同之处在于：步骤4)中改变了混合溶液pH为8。
取该实施例制备的长余辉发光纳米晶作为观测余辉和表征试样，检测结果与实施例1相近
实施例4:
一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤和方法与实施例1基本相同，不同之处在于：步骤4)中改变了混合溶液pH为7。
取该实施例制备的长余辉发光纳米晶作为观测余辉和表征试样，检测结果与实施例1相近。
Claims (2)
1.一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，步骤如下：
1)硝酸镓溶液的配制：将氧化镓固体和1:3比例的硝酸溶液在90-110℃回流至氧化镓完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升；
2)三氯化铟溶液的配制：将三氯化铟固体和去离子水搅拌至三氯化铟完全溶解，使得到溶液浓度为0.20摩尔/升；
3)硝酸铬溶液的配制：将硝酸铬固体和去离子水搅拌至硝酸铬完全溶解，使得到溶液浓度为0.01摩尔/升；
4)将乙二醇溶液、步骤1)得到的硝酸镓溶液、步骤2)得到的三氯化铟溶液和步骤3)得到的硝酸铬溶液混合，在18-25℃温度下搅拌30分钟得到混合溶液，再用质量百分比浓度为10％-15％的氨水调节混合液pH为7.0-9.0，继续在18-25℃温度下搅拌1小时得到混合溶液；
5)将上述步骤4)最终得到的混合溶液转移到水热反应釜，温度设定为170-190℃，水热处理17-24小时；
6)将已水热处理的产物自然冷却至室温，然后取悬浮液，用离心机在转数为8000-10000rpm下高速离心，再用去离子水和无水乙醇清洗沉淀物三次，得到产物；
7)将上述步骤6)得到的产物在真空干燥箱中于40-60℃温度下干燥12-16小时，得到灰色粉末；
8)将所得灰色粉末产物用研钵研碎后，放置于马弗炉中于700-750℃温度下煅烧3小时，1000-1050℃温度下煅烧3小时，即可制得平均粒径小于20纳米的发射波长调控的长余辉纳米晶。
2.根据权利要求1所述的发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，其特征在于，所述乙二醇溶液、硝酸镓溶液、三氯化铟溶液、硝酸铬溶液的质量比为55.78:1.68:0.398:0.016-55.78:1.43:0.645:0.016。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710978282.6A CN107674673B (zh) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710978282.6A CN107674673B (zh) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107674673A true CN107674673A (zh) | 2018-02-09 |
| CN107674673B CN107674673B (zh) | 2020-08-21 |
Family
ID=61141599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710978282.6A Expired - Fee Related CN107674673B (zh) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107674673B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109852380A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-06-07 | 喀什大学 | 一种碳纳米管模板法制备小尺寸长余辉纳米颗粒的方法 |
| CN110408393A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-05 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 |
| EP3795655A4 (en) * | 2019-07-09 | 2021-06-09 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd. | RED AND NEAR-INFRARED LIGHT EMITTING MATERIAL AND LIGHT EMITTING DEVICE |
| US20210388262A1 (en) * | 2019-03-06 | 2021-12-16 | Grirem Advanced Materials Co.,Ltd | Red light and near-infrared light-emitting material, preparation method thereof and light-emitting device |
| CN113881427A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-04 | 喀什大学 | 具有双发射的长余辉发光纳米材料的制备及其防伪加密应用 |
| US20220119704A1 (en) * | 2019-07-09 | 2022-04-21 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd | Red light and near-infrared light-emitting material and light-emitting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103230601A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-08-07 | 浙江大学 | 一种稀土掺杂氧化镓载药体的制备方法 |
-
2017
- 2017-10-18 CN CN201710978282.6A patent/CN107674673B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103230601A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-08-07 | 浙江大学 | 一种稀土掺杂氧化镓载药体的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| GODHULI SINHA ET AL.,: ""Generation of green, red and white light from rare-earth doped Ga2O3 nanoparticles"", 《CHEMICAL PHYSICS LETTERS》 * |
| 许克: ""Ga2O3:Cr3+长余辉与光催化性能研究及调控"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库基础科学辑》 * |
| 阿不都卡德尔•阿不都克尤木等: ""β-Ga2O3:Cr3+近红外长余辉纳米颗粒的制备及发光性能"", 《高等学校化学学报》 * |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109852380A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-06-07 | 喀什大学 | 一种碳纳米管模板法制备小尺寸长余辉纳米颗粒的方法 |
| CN109852380B (zh) * | 2018-12-21 | 2022-02-15 | 喀什大学 | 一种碳纳米管模板法制备小尺寸长余辉纳米颗粒的方法 |
| US20210388262A1 (en) * | 2019-03-06 | 2021-12-16 | Grirem Advanced Materials Co.,Ltd | Red light and near-infrared light-emitting material, preparation method thereof and light-emitting device |
| US11932790B2 (en) * | 2019-03-06 | 2024-03-19 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd. | Red light and near-infrared light-emitting material, preparation method thereof and light-emitting device |
| CN110408393A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-05 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 |
| CN110408393B (zh) * | 2019-07-09 | 2021-03-19 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 |
| EP3795655A4 (en) * | 2019-07-09 | 2021-06-09 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd. | RED AND NEAR-INFRARED LIGHT EMITTING MATERIAL AND LIGHT EMITTING DEVICE |
| US20220119704A1 (en) * | 2019-07-09 | 2022-04-21 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd | Red light and near-infrared light-emitting material and light-emitting device |
| US11718788B2 (en) * | 2019-07-09 | 2023-08-08 | Grirem Advanced Materials Co., Ltd | Red light and near-infrared light-emitting material and light-emitting device |
| CN113881427A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-04 | 喀什大学 | 具有双发射的长余辉发光纳米材料的制备及其防伪加密应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107674673B (zh) | 2020-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107674673A (zh) | 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法 | |
| CN106590656B (zh) | 一种近红外长余辉发光纳米颗粒的制备方法 | |
| CN103215041B (zh) | 一种近红外超长余辉发光纳米材料的制备方法 | |
| CN110093154B (zh) | Mg2+/Si4+取代Ga3+的掺Cr3+镓酸锌基近红外长余辉材料及制备方法 | |
| CN107286932B (zh) | 一种近红外上转换长余辉发光材料及其制备方法 | |
| CN103865538A (zh) | 一种Nd3+敏化的上/下转换双模荧光纳米材料及其合成方法 | |
| CN106544028B (zh) | 一种可被x射线激发的长余辉材料及其应用 | |
| CN105733584B (zh) | 钒酸钇纳米粒子和稀土离子掺杂钒酸钇纳米粒子及其制备方法 | |
| CN108485663A (zh) | 稀土掺杂纳米球型TiO2上转换化合物的应用 | |
| CN101338188B (zh) | 一种具有高初始荧光强度的长余辉发光材料的制备方法 | |
| Sridhar et al. | Cr-doped ZnGa2O4: Simple synthesis of intense red-NIR emitting nanoparticles with enhanced quantum efficiency | |
| CN109852380A (zh) | 一种碳纳米管模板法制备小尺寸长余辉纳米颗粒的方法 | |
| CN108410464B (zh) | 一种发射近红外光的硫氧化镧荧光粉及其制备方法 | |
| CN110257069A (zh) | 一种近红外长余辉发光材料及其制备方法 | |
| CN106221697A (zh) | 一种Fe3+离子激活铝酸盐近红外长余辉材料及其制备方法和应用 | |
| CN110041928B (zh) | Mg2+/Ge4+取代Ga3+的掺Cr3+镓酸锌基近红外长余辉材料及制备方法 | |
| CN108559500A (zh) | 一种溶剂热辅助制备复相钛酸盐红色长余辉荧光粉的方法 | |
| CN106986319A (zh) | 具有高发光强度的绿色荧光标记的铽/锶共掺羟基磷灰石纳米粒子的制备方法 | |
| Li et al. | Soft chemical synthesis and luminescence properties of red long-lasting phosphors Y 2 O 2 S: Sm 3+ | |
| CN107722972B (zh) | 一种绿色长余辉发光材料及其制备方法 | |
| CN107033889A (zh) | 一种红光‑近红外长余辉发光材料及其制备方法 | |
| Akat’eva et al. | Luminophores based on synthetic calcium silicates | |
| CN107722978B (zh) | 一种多组分氧化物长余辉发光材料及其制备方法 | |
| CN110817939A (zh) | 一种碱土锡酸盐近红外发光材料的熔盐合成法及应用 | |
| CN109810706A (zh) | 一种类绣球花状掺铕钼酸钙粉体的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200821 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |