CN107664917A - 移除极紫外光(euv)表膜粘胶的方法 - Google Patents

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Abstract

一种移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法，包括：接收极紫外光(EUV)掩模；EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜；EUV表膜至少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模；移除EUV表膜从而暴露出粘胶；通过针对EUV掩模上置有粘胶的区域实行局部粘胶移除工艺，局部粘胶移除工艺的实行不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。局部粘胶移除工艺可包括注射清洗化学物质至粘胶上，并移除由清洗化学物质及粘胶所产生的废弃化学物质。局部粘胶移除工艺也可包括施用等离子体至粘胶的等离子体工艺。局部粘胶移除工艺还可包括发射聚焦激光束于粘胶的激光工艺。

Description

移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法
技术领域
本公开涉及移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法及其系统。
背景技术
半导体集成电路(IC)产业历经了指数成长。IC材料及设计上的技术进步已产生了数代的IC，其中每一代皆比前一代具有体积更小且更精密的电路。在IC发展的进程上，功能密度(即，每一芯片的内连线装置的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即，利用工艺步骤可以产生的最小元件(或线))逐渐缩小。此微缩化(scaling down)工艺通常可提供增加产率及降低相关成本的益处。此微缩化亦增加了IC处理及制造的复杂度。为了实现这些进步，需要IC处理及制造中的类似发展。例如，增长了对实行更高解析度光刻工艺的需求。极紫外光(EUV)光刻为一种使用极紫外光波长(例如小于20nm)的光刻技术，期可达成传统光刻无法匹配的高解析度。
然而，现存的EUV仍然具有缺陷。例如，EUV掩模通常需要表膜，其作为保护罩以保护EUV掩模免于损坏及/或粒子污染。通过表膜粘胶将表膜附着至EUV掩模。当EUV掩模需要清洗时，将表膜移除，但表膜移除工艺仍然会留下表膜粘胶。若表膜粘胶没有完全地移除，任何残留于EUV掩模上的粘胶皆可能对随后的光刻性能产生负面影响。不幸地，现存的EUV掩模清洗系统及方法并无法从EUV掩模上完全地移除表膜粘胶。
因此，虽然EUV掩模清洗系统及工艺通常已足以满足其预期的目标，但仍不是在每个方面都已完全令人满意。需要EUV掩模清洗方法及系统以解决上述问题。
发明内容
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的方法。接收一极紫外光(EUV)掩模。EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜。EUV表膜至 少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模。移除该EUV表膜从而暴露出粘胶。通过针对EUV掩模上置有粘胶的区域实行局部粘胶移除工艺。局部粘胶移除工艺的实行不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的方法。接收极紫外光(EUV)掩模。EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜。EUV掩模包含低热膨胀材料(low thermalexpansion material,LTEM)基底及含钌覆盖层。EUV表膜至少部分经由设置于LTEM基底上的粘胶连接至EUV掩模。经由加热工艺移除EUV表膜。在移除EUV表膜之后暴露出粘胶。至少实行化学清洗工艺、等离子体工艺或激光工艺之一，以移除粘胶而不损坏含钌覆盖层。实行化学清洗工艺包括：经由充满正压的第一管注射清洗化学物质于粘胶上，清洗化学物质与粘胶反应以产生废弃化学物质，及经由充满负压的第二管移除废弃化学物质。实行等离子体工艺包括：通过设置于EUV掩模上方的罩板的开口施用等离子体，该开口暴露粘胶并允许等离子体将其穿透。实行激光工艺包括：发射聚焦激光束穿过罩板的开口。在一些实施例中，实行等离子体工艺或实行激光工艺还包括经由排气泵移除粘胶碎屑，其是由粘胶与等离子体或聚焦激光束反应的结果所产生。
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的系统。该系统包括配置以支持极紫外光(EUV)掩模的持具。EUV掩模具有其上置有粘胶的污点。该系统包括局部粘胶移除设备，设置以从EUV掩模的污点移除粘胶，而不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。局部粘胶移除设备可包括化学物质注射装置，通过对齐该污点的第一管从化学物质注射装置注射清洗化学物质，并通过第二管抽出废弃化学物质，该废弃化学物质为清洗化学物质与粘胶之间反应的产物。局部粘胶移除设备亦可包括等离子体装置，其配置以施用等离子体，其针对于EUV掩模的污点而非EUV掩模的其它区域。局部粘胶移除设备还可包括激光装置，其配置以发射聚焦激光束，其针对于EUV掩模的污点而非EUV掩模的其它区域。
附图说明
以下将配合所附附图详述本公开的实施例，应注意的是，依照工业上的标准实施，以下附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元 件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征。而在说明书及附图中，除了特别说明外，同样或类似的元件将以类似的符号表示。
图1是根据一些实施例所建构的光刻系统的示意图。
图2是根据一些实施例，具有表膜设置于其上方的EUV掩模的简化剖面图。
图3是根据一些实施例，具有移除的表膜的EUV掩模的简化剖面图。
图4是根据一些实施例，EUV清洗设备或系统的简化示意图。
图5是根据一些实施例，另一EUV清洗设备或系统的简化示意图。
图6是根据一些实施例，又一EUV清洗设备或系统的简化示意图。
图7是根据一些实施例，再一EUV清洗设备或系统的简化示意图。
图8是根据一些实施例，EUV掩模持具的简化示意顶视图。
图9是根据一些实施例，清洗EUV掩模的方法的流程图。
其中，附图标记说明如下：
10 光刻系统
12 辐射源
14 照明器
16 掩模平台
18 掩模
20 POB
22 光瞳相位调制器
24 投影光瞳面
26 半导体基底
28 基底平台
30 基底
32 导电层
34 ML
36 覆盖层
38 缓冲层
40 吸收层
42 吸收层
50 支架
55 粘胶
60 表膜
100 EUV掩模清洗设备
110 掩模持具
120 化学物质注射装置
130 清洗化学物质
140 内管
150 外管
160 压力泵
170 去离子水
180 喷嘴
200 EUV掩模清洗设备
210 电源供应
220 等离子体电路
230 介电质
240 金属
250 匹配网络
260 气体
270 等离子体
280 屏蔽
400 EUV掩模清洗设备
410 激光机头
430 激光束
450 焦点透镜
470 激光束
500 外罩
510 开口
550 泵
560 排出机构
700 方法
710-730 步骤
具体实施方式
以下提供许多不同的实施方法或是例子来实行各种实施例的不同特征。以下描述具体的元件及其排列的例子以阐述本公开。当然这些仅是例子且不该以此限定本公开的范围。例如，在描述中提及第一个元件形成于第二个元件上时，其可以包括第一个元件与第二个元件直接接触的实施例，也可以包括有其他元件形成于第一个与第二个元件之间的实施例，其中第一个元件与第二个元件并未直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
此外，其中可能用到与空间相关的用词，像是“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些关系词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间关系词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及图示中所描述的方位。装置可能被转向不同方位(自旋90度或其他方位)，则其中使用的空间相关形容词也可相同地照着解释。
随着半导体制造进展到需要较小几何尺寸及较高功能密度的科技节点，传统的光刻系统及方法不再能够达到这些目标。近年来，极紫外光(EUV)光刻在实行次世代光刻中已成为有能力的候选者。EUV光刻相似于光学光刻在于其使用掩模来打印晶片，然而EUV光刻是采用EUV光谱中的光，例如：波长为13.5nm的光。在波长为13.5nm左右处，大部分的材料变为高度吸收。因此，使用反射光学元件而非折射光学元件。
EUV掩模通常包含低热膨胀材料(LTEM)基底、设置于LTEM基底上方的反射结构(具有一或多对的钼/硅)、设置于反射结构上方的覆盖层(例如：包含钌)及设置于覆盖层上方的吸收层。EUV表膜(pellicle)亦位于EUV掩模上方。EUV表膜包括一层薄膜，其保护EUV掩模免于污染粒子或其它可能损坏掩模的事物。EUV表膜通常通过多个支架连接至EUV掩模，其中每个支架的一端附着至EUV表膜，且每个支架的相反端通过粘合材料附着至EUV 掩模，例如EUV表膜粘胶。EUV表膜粘胶可包含有机聚合物，例如环氧(一种树脂)材料。EUV表膜粘胶通常设置于LTEM基底上。当EUV掩模需要清洗时，将表膜(及支架)移除，例如通过加热工艺。在移除表膜之后，暴露LTEM基底上的粘胶。此粘胶需要被移除，否则任何残留于LTEM基底上的粘胶可能对光刻性能(例如：覆盖性能)产生负面影响。
然而，现存的EUV掩模清洗系统及方法仍无法完全地从EUV掩模移除表膜粘胶。更详细地，传统的EUV掩模清洗系统及方法通常使用化学清洗来清洗EUV掩模的整体。也就是说，施用传统的EUV掩模化学清洗至EUV掩模的整个暴露的表面。如上所述，由于使用氧化的化学物质可能容易损坏覆盖层的钌材料，故传统的EUV掩模化学清洗不能含有氧化的化学物质(例如：O3水或原位紫外O3水)。因此，传统的EUV掩模化学清洗使用非氧化的化学物质，例如：二氧化碳溶于去离子水(DICO2)或氢气溶于去离子水(DIH2)或四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium Hydroxide,TMAH)。不幸地，这些非氧化的化学物质对于EUV表膜粘胶并非有效的移除剂。所以，在EUV掩模经过传统的EUV掩模清洗之后，一些粘胶残留可能仍留在LTEM基底上，其如上所讨论可能对随后的光刻性能产生负面的影响。
为了克服上述所讨论的问题，本公开使用改善的(及针对性的)EUV掩模清洗系统及方法，其可有效地从EUV掩模上移除EUV表膜粘胶而不会损坏EUV的含钌的覆盖层，请参照图1-图8更详细的讨论如下。
图1是根据一些实施例所建构的光刻系统10的示意图。光刻系统10亦可被统称为扫描器，其可操作以利用各自的辐射源及曝光模式实行光刻曝光工艺。在本实施例中，光刻系统10为极紫外光(EUV)光刻系统，设计以通过EUV光来曝光光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层为对EUV光敏感的材料。EUV光刻系统10采用辐射源12以产生EUV光，例如：具有波长范围约1nm至约100nm的EUV光。在一特定的实例中，辐射源12产生具有波长中心在约13.5nm的EUV光。因此，辐射源12也被称为EUV辐射源12。
光刻系统10亦采用照明器14。在各种实施例中，照明器14包括各种折射光学元件，例如单一透镜或具有多重透镜的透镜系统(波带片(zone plates))，或者是反射光学元件(对于EUV光刻系统)，例如单一反射镜或具有多重反射镜的反射镜系统，以将光从辐射源12引导至掩模平台16上，特别是引导至 固定在掩模平台16上的掩模18。在本实施例中，辐射源12产生光于EUV波长范围中，照明器14采用反射光学元件。在一些实施例中，照明器14包括偶极照明元件。
在一些实施例中，照明器14可操作以配置反射镜并提供适当的照明至掩模18。在一实例中，照明器14的反射镜可切换以反射EUV光至不同的照明位置。在一些实施例中，照明器14之前的阶段可额外地包括其他可切换的反射镜，其可控制以利用照明器14的反射镜引导EUV光至不同的照明位置。在一些实施例中，照明器14配置以提供正轴照明(on-axisillumination,ONI)至掩模18。在一实例中，采用部分同调性σ至多为0.3的圆盘照明器14。在一些其他实施例中，照明器14配置以提供离轴照明(off-axis illumination,OAI)至掩模18。在一实例中，照明器14为偶极照明器。在一些实施例中，偶极照明器具有至多为0.3的部分同调性σ。
光刻系统10亦包括配置以固定掩模18的掩模平台16。在一些实施例中，掩模平台16包括静电卡盘(e-chuck)以固定掩模18。这是因为气体分子吸收EUV光，且用来进行EUV光刻图案化的光刻系统被维持在真空环境中以避免EUV强度损失。在本公开中，掩模、光罩及遮罩(reticle)具有相同意义可彼此互换。
在本实施例中，光刻系统10为EUV光刻系统，且掩模18为反射掩模。提供掩模18的一例示性结构用于说明。掩模18包括具有合适材料的基底，例如：低热膨胀材料(LTEM)或熔融石英。在各个实例中，LTEM包括掺杂TiO2的SiO2或其它具有低热膨胀的合适材料。
掩模18亦包括沉积在基底上的反射性ML。ML包括多个膜对(film pairs)，例如钼/硅(Mo/Si)膜对(例如在每个膜对中，钼层在硅层的上方或下方)。或者，ML可包括钼/铍(Mo/Be)膜对或其它可配置以高度反射EUV光的合适材料。
掩模18还可包括诸如钌的覆盖层，设置于ML上以供保护。掩模18还包括沉积于ML上方的吸收层。将吸收层图案化以定义集成电路(IC)的层，以下根据本公开的各个面向更详细地讨论吸收层。另外，可沉积另一反射层于ML上方，并进行图案化以定义集成电路的层，从而形成EUV相位移掩模。
光刻系统10亦包括投影光学元件模组(或投影光学元件匣(projection opticsbox,POB)20)，用以将掩模18的图案成像至固定在光刻系统10的基底平台28上的半导体基底26上。在各个实施例中，POB20具有折射光学元件(例如用于UV光刻系统)或者反射光学元件(例如用于EUV光刻系统)。通过POB20收集从掩模18所引导的光，其携带定义于掩模上的图案的影像。照明器14及POB20被统称为光刻系统10的光学模组。
光刻系统10亦包括光瞳相位调制器(pupil phase modulator)22以调节从掩模18所引导的光的光学相位，使得该光具有相位分布于投影光瞳面(projection pupil plane)24上。在光学模组中，存在具有场分布的平面，其相应于目标物(本案例中为掩模18)的傅立叶变换。此平面称为投影光瞳面。光瞳相位调制器22提供一机制以调节在投影光瞳面24上的光的光学相位。在一些实施例中，光瞳相位调制器22包括一机制以调谐用于相位调节的POB20的反射镜。举例来说，POB20的反射镜为可切换的且被控制以反射EUV光，从而调节通过POB20的光的相位。
在一些实施例中，光瞳相位调制器22利用放置于投影光瞳面上的光瞳滤波器。光瞳滤波器从掩模18过滤掉EUV光的特定的空间频率分量。特别是，光瞳滤波器为相位光瞳滤波器，其作用以调节被引导通过POB20的光的相位分布。然而，由于所于材料皆吸收EUV光，相位光瞳滤波器的利用受限于一些光刻系统(例如EUV光刻系统)。
如上所讨论，光刻系统10亦包括基座28以固定目标半导体基底26并进行图案化。在本实施例中，半导体基底为半导体晶片，例如硅晶片或其它类型的晶片。在本实施例中，目标半导体基底26涂布有对辐射光束敏感的光致抗蚀剂层，例如EUV光。将包括上述所讨论的各种元件整合在一起，且可操作以实行光刻曝光工艺。光刻系统10还可包括其它模组或与其它模组整合(或连接)。
根据一些实施例进一步描述掩模18及其制造方法。在一些实施例中，掩模制造工艺包括两个操作：空白掩模制造工艺及掩模图案化工艺。在空白掩模制造工艺期间，通过沉积合适的层(例如：反射多层)于合适的基底上以形成空白掩模。接着，于掩模图案化期间将空白掩模图案化，以达到集成电路(IC)的层所期望的设计。接着，图案化的掩模用以转移电路图案(例如：IC 的膜层的设计)至半导体晶片上。通过各种光刻工艺，可以将图案反复地转移至多重晶片上。使用一组掩模以建构完整的IC。
在各个实施例中，掩模18包括合适的结构，例如二元强度掩模(binary intensitymask,BIM)及相位移掩模(phase-shifting mask,PSM)。BIM的实例包括吸收区(亦称为不透明区)及反射区，进行图案化以定义IC图案并使其转移至目标物。在不透明区中有吸收体的存在，且入射光几乎完全地被吸收体所吸收。在反射区中，将吸收体移除且入射光被多层(ML)所绕射。PSM可为衰减的PSM(attenuated PSM,AttPSM)或交替的PSM(alternatingPSM,AltPSM)。例示性PSM包括第一反射层(例如反射ML)及第二反射层，其根据IC图案进行图案化。在一些实例中，AttPSM通常从其吸收体具有2％-15％的反射率，而AltPSM通常从其吸收体具有大于50％的反射率。
图2显示掩模18的一个实例。请参照图2，掩模18为EUV掩模且包括由LTEM所制成的基底30。LTEM材料可包括掺杂TiO2的SiO2及/或其它本领域所公知的低热膨胀材料。在一些实施例中，另外设置导电层32于LTEM基底的背侧下方，以用于静电卡盘的目的。在一实例中，导电层32包括氮化铬(CrN)，尽管其他合适的组合是可能的。
EUV掩模18包括设置于LTEM基底30上方的反射多层(ML)34。可选择ML34使其提供高反射率至所选的辐射类型/波长。ML34包括多个膜对，例如钼/硅(Mo/Si)膜对(例如在每个膜对中，钼层在硅层的上方或下方)。或者，ML可包括钼/铍(Mo/Be)膜对或具有折射率差的任何材料，其于EUV波长处为高度反射。每层ML34的厚度取决于EUV波长及入射角度。特别是，调整ML34的厚度(及膜对的厚度)以达到在每个介面处绕射的EUV光的最大相长干涉，及通过ML34的EUV光的最小吸收。
EUV掩模18亦包括设置于ML34上方的覆盖层36以防止ML的氧化。在一实施例中，覆盖层36包括具有厚度为约4nm至7nm的硅。EUV掩模18还可包括设置于覆盖层36上方的缓冲层38，以作为蚀刻停止层于吸收层的图案化或修复工艺中，其将于后面描述。缓冲层38具有不同于设置在其上方的吸收层的蚀刻特性。在各个实例中，缓冲层38包括钌(Ru)，诸如RuB、RuSi的Ru化合物、铬(Cr)、氧化铬及氮化铬。
EUV掩模18亦包括形成于缓冲层38上方的吸收层40(亦称为吸收体 层)。在一些实施例中，吸收层40吸收引导至掩模的EUV辐射。吸收层包含氮化钽硼(TaBN)。形成另一吸收层42(用于抗反射)于吸收层40上方。吸收层42包含氧化钽硼(TaBO)。在一些其它实施例中，吸收层40及/或吸收层42亦可包含铬。
支架50经由粘胶55附着至LTEM基底30。粘胶55可包含有机聚合物，例如环氧(一种树脂)材料。设置粘胶55于LTEM基底30上，且可能难以通过如上所讨论的非氧化的化学物质以移除。支架的另一端附着至EUV掩模表膜60。如上所讨论，EUV掩模表膜60包括一薄膜，其保护EUV掩模其下方的层免于污染粒子或其它可能损坏EUV掩模的事物。
请参照图3，将表膜60及支架50移除，例如通过加热工艺。结果，暴露出设置于LTEM基底30上的粘胶55。此时可清洗EUV掩模18。如上所讨论，由于诸如O3水或原位紫外O3水的氧化的化学物质可能容易损坏覆盖层36的钌材料，故传统的EUV掩模清洗工艺通常使用非氧化的清洗化学物质(例如：二氧化碳溶于去离子水(DICO2)或氢气溶于去离子水(DIH2)或四甲基氢氧化铵(TMAH))来清洗EUV掩模18。然而，非氧化的清洗化学物质并无法有效地移除粘胶55。因此，即使经过传统的EUV掩模清洗工艺之后，EUV掩模可能仍具有置于其上的残留粘留。
为了完全地移除粘胶55而不损坏含钌的覆盖层36，本公开利用局部粘胶移除工艺，其中粘胶移除化学物质或装置是特别针对EUV掩模18上具有粘胶55的污点，而不影响EUV掩模18上不具有粘胶55的其它区域。
图4是根据本公开的实施例，EUV掩模清洗设备100的简化示意图。图2-图3的EUV掩模18设置于掩模持具110上，其实施例的顶视图显示于图8中。请参照图4及图8，掩模持具110为可转动的。举例来说，掩模持具110可连接至马达及控制器。基于控制器的指令，马达是配置以可程式化的速度或速率来转动或自旋掩模持具110。通过机械或静电力将EUV掩模18固定至掩模持具110。如此一来，EUV掩模18沿着掩模持具110自旋。如上所讨论，EUV掩模18可具有多个污点，其上置有粘胶55。如下所讨论，这些污点将以局部或针对性的方式清洗。
请回头参考图4，EUV掩模清洗设备100亦包括化学物质注射装置120，其设置以注射清洗化学物质130，该清洗化学物质130不同于传统EUV掩模 清洗工艺所使用的非氧化的清洗化学物质。设置化学物质注射装置120于远离粘胶55的2公分(cm)至10cm的距离，例如5cm的距离。在一些实施例中，清洗化学物质130包含被氧化或具氧化性的化学物质。在一些实施例中，化学物质130包括含有硫酸-过氧化氢混合物(sulfuric acid-hydrogenperoxide mixture,SPM)或四氢呋喃(Tetrahydrofuran,THF)的溶剂。这些化学物质特别设置以与粘胶55的材料反应，其创造出废弃化学物质。举例来说，废弃化学物质远不如粘胶55本身来的有粘性，这允许废弃化学物质易于从EUV掩模18上移除。
为了促进粘胶55的针对性及废弃化学物质的移除，EUV掩模清洗设备100亦包括多管设计，其中内管140用以注射清洗化学物质130，而外管150用以抽出废弃化学物质。更详细地，内管140设置于粘胶55上方并垂直对齐于粘胶55(即，对齐于其上置有粘胶55的EUV掩模18的污点)。施加一正压(即，将清洗化学物质130推向粘胶55的压力)于内管140中，使得清洗化学物质130直接注射在粘胶55处。同时，施加一负压于外管150中。负压可为局部真空或抽吸力，其从EUV掩模18将废弃化学物质"吸走"。
为了提供如上讨论的正压及负压，EUV掩模清洗设备100包括压力泵160。压力泵连接至内管140并配置以产生正压以传递至内管140。压力泵亦连接至外管150并配置以产生负压(即真空)以传递至外管150。在此方式下，粘胶55可以通过清洗化学物质130局部地清洗(例如：不污染EUV掩模18的不具有粘胶55的其它区域)。特别配置清洗化学物质130以有效地移除粘胶55，且可以通过外管150的抽吸力从EUV掩模18移除因清洗所产生的废弃化学物质。应理解的是，在所示的实施例中外管150包围内管140，但这些管线在替代实施例中可以不同的方式配置，例如，其可被配置为并排且相邻彼此。
为了进一步促进粘胶55的移除而不损坏或污染EUV掩模18的其它区域，EUV掩模清洗设备100亦通过喷嘴180施用去离子水170至EUV掩模18的表面。随着将去离子水170施用至EUV掩模18，掩模持具110配置以(例如：通过控制器)可程式化的速度自旋。因此，EUV掩模18本身也会自旋。在一些实施例中，EUV掩模18以每分钟50至100转数(RPM)的速度自旋。
EUV掩模18的自旋造成去离子水170流向EUV掩模18的外部区域。在此过程中，通过去离子水洗去未被吸入外管150的废弃化学物质的任何部分，使其不可能漂入EUV掩模的可能对污染敏感的区域。这同样适用于清洗化学物质130。换句话说，自旋的EUV掩模18及施用在其上的去离子水有助于确保清洗化学物质130不会接触到EUV掩模18的敏感区域，例如含钌的覆盖层。应当理解的是，可于经由内管140及外管150的清洗化学物质130的注射及废弃化学物质的移除之前、期间或之后，实行EUV掩模18的自旋于去离子水施用于其上之时。应当理解的是，谨慎地配置EUV掩模自旋速度的范围，以确保可以有效地通过清洗化学物质130来清洗EUV掩模上的粘胶55，同时亦不会污染EUV掩模(由于废弃化学物质被自旋洗去)。
图5是根据本公开的实施例，另一EUV掩模清洗设备200的简化示意图。为简化起见，此处并未具体绘示图2-图3的EUV掩模18及掩模持具110，但绘示出粘胶55以提供适当的脉络。EUV掩模清洗设备200为等离子体生产设备。其包括电源供应210、被介电质230及金属240包围的等离子体电路220、及连接于电源供应210与等离子体电路220之间的匹配网络250(例如：阻抗匹配网络用以使效率最大化或动力传输)。供应气体260至等离子体电路220，因而输出等离子体270。等离子体270穿过由屏蔽280所定义的开口。为了达成局部的粘胶移除，等离子体270垂直对齐于粘胶55，且介于0.5毫米(mm)至2mm的距离(例如1mm)将粘胶55与由屏蔽所定义的开口隔开(从中等离子体270离开等离子体生产设备)。在一些实施例中，等离子体270包括氩/氧(Ar/O2)等离子体。在一些实施例中，等离子体电路220的功率配置为500瓦至700瓦，例如600瓦。在一些实施例中，等离子体270的频率配置为12兆赫(Mhz)至15Mhz之间。谨慎地配置这些工艺参数以确保等离子体270将有效地与粘胶55反应以产生粘胶碎屑，其远不如粘胶55来的有粘性，且可容易从EUV掩模上移除。
由于等离子体270与粘胶55对齐，故粘胶55的清洗(及移除)为局部的。换句话说，配置等离子体27使其不会影响EUV掩模18上不具有粘胶55的其它区域。在这种方式下，可以有效地清洗掉粘胶55而不会对EUV掩模18的其它敏感部分造成损坏。
图6是根据本公开的实施例，另一EUV掩模清洗设备400的简化示意 图。为简化起见，此处并未具体绘示图2-图3的EUV掩模18及掩模持具110，但绘示出粘胶55以提供适当的脉络。EUV掩模清洗设备400为聚焦激光束生产(focused-laser-beam-producing)设备，其包括激光机头410。产生激光束430并通过激光机头410发射。在一些实施例中，激光束430包括355nm紫外线激光。在一些实施例中，激光束430的功率介于4瓦至10瓦之间(例如7瓦)，且激光束的脉冲频率介于5千赫(Khz)至15Khz之间(例如10Khz)。焦点透镜450聚焦激光束430并产生聚焦激光束470。在一些实施例中，介于5公分(cm)至15cm的距离(例如10cm)将粘胶55与激光机头的尖底隔开(从中聚焦激光束470射出)。谨慎地配置这些工艺参数以确保聚焦激光束470将有效地与粘胶55反应以产生粘胶碎屑，其远不如粘胶55来的有粘性，且可容易从EUV掩模上移除。
由于聚焦激光束470与粘胶55对齐，故粘胶55的清洗(及移除)为局部的。换句话说，配置聚焦激光束470使其不会影响EUV掩模18上不具有粘胶55的其它区域。在这种方式下，可以有效地清洗掉粘胶55而不会对EUV掩模18的其它敏感部分造成损坏。
应当理解的是，可对图5的设备200及图6的设备400作出额外的修饰以进一步增进粘胶55的针对性及局部的清洗与移除。举例来说，请参照图7，可放置外罩500于EUV掩模18与EUV掩模清洗设备200/400之间。外罩500可为板状，其由无法被等离子体270或聚焦激光束470穿透的材料所制成。在一些实施例中，外罩500可由不锈钢所制成。外罩500包含多个开口(或孔洞)510。这些开口510的每一个设置于各自的粘胶55上方并与之垂直对齐。换句话说，每个开口510暴露出各自的粘胶55。如此一来，等离子体270或聚焦激光束470仍然可以到达其目标粘胶部位并与粘胶55反应以产生粘胶碎屑。若等离子体270或聚焦激光束470存在轻微的偏移或偏差，则偏移的等离子体或聚焦激光束将被外罩500所阻挡。因此，偏移的等离子体或聚焦激光束将不会损坏EUV掩模18的其它敏感的区域。换句话说，外罩500的执行提供一定程度的容错性(fault tolerance)(或失败-安全控制(fail-safecontrol))。
同时，亦可设置泵550(相似于上述图4所讨论的压力泵160)以经由排出机构560(例如管路)移除粘胶碎屑。在一些实施例中，排出机构560连接至 泵550与一或多个粘胶55的目标位置。泵550产生负压(例如：抽吸力或部分真空)，其传递至排出机构560。随着粘胶55通过与等离子体270或聚焦激光束470反应而转变为粘胶碎屑，粘胶碎屑被吸入排出机构560并远离EUV掩模18。因此，可以看出图7所示的EUV掩模清洗系统的实施例可进一步促进粘胶移除。
图9是制造EUV掩模的表膜的简化方法700的流程图。方法700包括步骤710，接收具有EUV表膜设置于上方的极紫外光(EUV)掩模。EUV表膜至少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模。在一些实施例中，EUV掩模包含其上设置有粘胶的低热膨胀材料(LTEM)基底、设置于LTEM基底上方的反射结构、设置于反射结构上方的含钌覆盖层及设置于含钌覆盖层上方的吸收层。
方法700包括步骤720，将EUV表膜移除从而暴露粘胶。
方法700包括步骤730，通过针对其上设有粘胶的EUV掩模的区域实行局部粘胶移除工艺。实行局部粘胶移除工艺而不影响EUV掩模上不具有粘胶55的其它区域。实行局部粘胶移除工艺而不损坏覆盖层。
在一些实施例中，局部粘胶移除工艺包括注射清洗化学物质于粘胶上。清洗化学物质与粘胶反应以产生废弃化学物质。接着，将废弃化学物质从EUV掩模上移除。在一些实施例中，清洗化学物质包括溶剂，其包含硫酸-过氧化氢混合物(SPM)或四氢呋喃(THF)。在一些实施例中，通过加压系统实行清洗化学物质的注射及废弃化学物质的移除，该加压系统具有注射清洗化学物质的第一管及移除废弃化学物质的第二管。通过第一管传递正压(例如：通过第一管将清洗化学物质推进至EUV掩模上)。通过第二管传递负压(例如：抽吸力或部分真空)(例如：将废弃化学物质从EUV掩模抽出至第二管中)。在一些实施例中，通过施用去离子水至EUV掩模并自旋EUV掩模以实行局部粘胶移除工艺。自旋的EUV掩模(具有施加于其上的去离子水)确保废弃化学物质不会意外地污染EUV掩模的敏感区域。
在一些实施例中，局部粘胶移除工艺包括实行等离子体工艺或实行激光工艺，其中等离子体工艺的等离子体或激光工艺的聚焦激光束针对粘胶，而不针对EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。在一些实施例中，局部粘胶移除工艺还包括放置外罩于EUV掩模上方。外罩包含一开口，其对齐于粘胶 并对齐于等离子体或聚焦激光束。在一些实施例中，实行等离子体工艺包括使用具有功率介于500瓦至700瓦的Ar/O2等离子体。在一些实施例中，实行激光工艺包括使用功率介于6瓦至8瓦且脉冲频率介于8千赫至12千赫的355纳米激光。在一些实施例中，等离子体或聚焦激光束与粘胶反应以产生粘胶碎屑。在此情况中，局部粘胶移除工艺还包括通过排气泵将粘胶碎屑吸走。
应当理解的是，可于图9的步骤710-730之前、期间或之后实行额外的制造工艺。例如，方法700可包括以合适的清洗剂清洗EUV掩模及清洗完EUV掩模之后放置EUV表膜于EUV掩模上方的额外的步骤。接着可使用EUV掩模将晶片图案化。为简化起见，本文并未对其它制造工艺进行详细讨论。
基于上述讨论，可以看出本发明提供了EUV掩模清洗的各种优点。然而，应当理解的是，本文并未对所有的优点进行讨论，且其它实施例可提供不同的优点，并非所有的实施例都需要特定的优点。
其中的一优点为可使用较强且较有效的清洗剂以移除粘胶。在传统的EUV掩模清洗中，用于EUV表膜粘胶移除的清洗剂受限于非氧化的化学物质，否则EUV掩模可能会受到损坏(例如：含钌覆盖层可能易于受到氧化的化学物质的损坏)。这是因为传统的EUV掩模清洗需要清洗整个EUV掩模。换句话说，其并非针对于粘胶。相较之下，本公开利用针对性或局部的清洗方法及设备以特别地移除EUV表膜粘胶。结果，可使用诸如酸或其它一系列合适的有机材料清洗剂来移除粘胶。压力泵及排气机构的使用以移除最终的化学物质，以及当EUV掩模自旋时去离子水的施用，进一步减少了当粘胶被移除时，EUV掩模的其它敏感区域受到意外损害的可能性。同样地，等离子体或聚焦激光束亦特别地针对粘胶，且可更有效地从EUV掩模移除粘胶。具有孔洞对齐于粘胶的罩板的使用亦允许一定程度的容错性且使工艺更容易控制，这是因为即使等离子体或聚焦激光束并非精确地对齐于粘胶，罩板(无法被等离子体及激光束所穿透)将防止EUV掩模的其它区域的损坏。因此，可以清洗EUV掩模并有效地移除粘胶，而不会对EUV掩模造成任何损坏。此外，本文所讨论的工艺简单且易于实行，亦可与现存的工艺兼容。
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的方法。接收一极 紫外光(EUV)掩模。EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜。EUV表膜至少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模。移除该EUV表膜从而暴露出粘胶。通过针对EUV掩模上置有粘胶的区域实行局部粘胶移除工艺。局部粘胶移除工艺的实行不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的方法。接收极紫外光(EUV)掩模。EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜。EUV掩模包含低热膨胀材料(LTEM)基底及含钌覆盖层。EUV表膜至少部分经由设置于LTEM基底上的粘胶连接至EUV掩模。经由加热工艺移除EUV表膜。在移除EUV表膜之后暴露出粘胶。至少实行化学清洗工艺、等离子体工艺或激光工艺之一，以移除粘胶而不损坏含钌覆盖层。实行化学清洗工艺包括：经由充满正压的第一管注射清洗化学物质于粘胶上，清洗化学物质与粘胶反应以产生废弃化学物质，及经由充满负压的第二管移除废弃化学物质。实行等离子体工艺包括：通过设置于EUV掩模上方的罩板的开口施用等离子体，该开口暴露粘胶并允许等离子体将其穿透。实行激光工艺包括：发射聚焦激光束穿过罩板的开口。在一些实施例中，实行等离子体工艺或实行激光工艺还包括经由排气泵移除粘胶碎屑，其是由粘胶与等离子体或聚焦激光束反应的结果所产生。
本公开根据一些实施例提供一种移除EUV表膜粘胶的系统。该系统包括配置以支持极紫外光(EUV)掩模的持具。EUV掩模具有其上置有粘胶的污点。该系统包括局部粘胶移除设备，设置以从EUV掩模的污点移除粘胶，而不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。局部粘胶移除设备可包括化学物质注射装置，通过对齐该污点的第一管从化学物质注射装置注射清洗化学物质，并通过第二管抽出废弃化学物质，该废弃化学物质为清洗化学物质与粘胶之间反应的产物。局部粘胶移除设备亦可包括等离子体装置，其配置以施用等离子体，其针对于EUV掩模的污点而非EUV掩模的其它区域。局部粘胶移除设备还可包括激光装置，其配置以发射聚焦激光束，其针对于EUV掩模的污点而非EUV掩模的其它区域。
前述内文概述了许多实施例的特征，使本领域技术人员可以更佳的了解本公开的各个方面。本领域技术人员应该可理解，他们可以很容易的以本公开为基础来设计或修饰其它工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与 本公开介绍的实施例相同的优点。本领域技术人员也应该了解这些相等的结构并不会背离本公开的发明精神与范围。本公开可以作各种改变、置换、修改而不会背离本公开的发明精神与范围。

Claims (1)

1.一种移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法，包括：
接收具有一极紫外光(EUV)表膜设置于其上方的一极紫外光(EUV)掩模，其中该EUV表膜至少部分经由设置于该EUV掩模上的一粘胶连接至该EUV掩模；
移除该EUV表膜，从而暴露该粘胶；及
通过针对该EUV掩模上置有该粘胶的区域，实行一局部粘胶移除工艺，其中该局部粘胶移除工艺的实行不影响该EUV掩模上不具有该粘胶的其它区域。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112368638A (zh) * 2018-07-05 2021-02-12 应用材料公司 光掩模保护膜残胶移除
CN114850137A (zh) * 2022-04-18 2022-08-05 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 材料的激光清洗方法和装置、存储介质及电子装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10520805B2 (en) 2016-07-29 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for localized EUV pellicle glue removal
KR102278662B1 (ko) * 2017-05-30 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 마스크 세정장치
US11467508B2 (en) * 2018-07-25 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Pellicle adhesive residue removal system and methods
WO2020036694A1 (en) * 2018-08-16 2020-02-20 Applied Materials, Inc. Photomask laser etch
US11145526B2 (en) * 2018-09-27 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure
CN112517516B (zh) * 2020-10-30 2022-03-15 哈尔滨哈飞航空工业有限责任公司 一种航空底胶的褪除方法
CN115365256A (zh) * 2022-08-10 2022-11-22 安徽光智科技有限公司 一种光学镜片的返修方法
WO2024068623A1 (de) * 2022-09-29 2024-04-04 Plasmatreat Gmbh Plasmabehandlung mit flüssigkeitskühlung

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09204038A (ja) * 1996-09-24 1997-08-05 Hitachi Ltd マスクの製造方法
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
US20040011378A1 (en) * 2001-08-23 2004-01-22 Jackson David P Surface cleaning and modification processes, methods and apparatus using physicochemically modified dense fluid sprays
US6476342B1 (en) * 2000-11-24 2002-11-05 Creo Srl Method of surface preparation using plasma in air
US6546938B2 (en) * 2001-03-12 2003-04-15 The Regents Of The University Of California Combined plasma/liquid cleaning of substrates
TWI251117B (en) * 2002-12-20 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7354869B2 (en) * 2004-04-13 2008-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
WO2006007437A1 (en) * 2004-06-16 2006-01-19 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods for removal of polymeric coating layers from coated substrates
US8813764B2 (en) * 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US20080092806A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Removing residues from substrate processing components
US20080264441A1 (en) 2007-04-30 2008-10-30 Yoji Takagi Method for removing residuals from photomask
US8142959B2 (en) * 2008-09-05 2012-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for gating photomask contamination
US8002899B2 (en) * 2008-09-30 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for mask pellicle adhesive residue cleaning
JP4927158B2 (ja) * 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
WO2012058548A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Rave N.P., Inc. Integrated substrate cleaning system and method
KR20120097893A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
US8715890B2 (en) 2012-01-31 2014-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer
US8709682B2 (en) 2012-02-08 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask and method for forming the mask
US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8628897B1 (en) 2012-07-05 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
WO2013173578A2 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Rave N.P., Inc. Contamination removal apparatus and method
US8722286B2 (en) 2012-05-31 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices and methods for improved reflective electron beam lithography
US8765330B2 (en) 2012-08-01 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase shift mask for extreme ultraviolet lithography and method of fabricating same
US8679707B2 (en) 2012-08-01 2014-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a lithography mask
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US8785084B2 (en) 2012-09-04 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for mask fabrication and repair
US8765582B2 (en) 2012-09-04 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for extreme ultraviolet electrostatic chuck with reduced clamp effect
US8753788B1 (en) 2013-01-02 2014-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus of repairing a mask and a method for the same
US9726990B2 (en) * 2013-03-01 2017-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography mask repair methods
US9442365B2 (en) * 2013-03-15 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask for extreme ultraviolet lithography and method of fabricating same
US9529268B2 (en) 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
US9256123B2 (en) 2014-04-23 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making an extreme ultraviolet pellicle
US9184054B1 (en) 2014-04-25 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
US10520805B2 (en) 2016-07-29 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for localized EUV pellicle glue removal

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112368638A (zh) * 2018-07-05 2021-02-12 应用材料公司 光掩模保护膜残胶移除
CN114850137A (zh) * 2022-04-18 2022-08-05 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 材料的激光清洗方法和装置、存储介质及电子装置

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