CN107658414A - 一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，包括极耳，所述极耳的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳的两端包覆有石墨烯，由于二维晶体在热力学上的不稳定性，所以不管是以自由状态存在或是沉积在基底上的石墨烯都不是完全平整，而是在表面存在本征的微观尺度的褶皱，故进行蚀刻技术可以确保石墨烯材料和正负极片密切结合，蚀刻的寻找比与均勻度就变的很重要，此类系统不但能在极低压条件下产生高密度电浆，并能可減少直流偏压之使用，因而降低或消除电浆所导致的元件损伤，而蚀刻速率也因离子密度的增加而增加，产能也可因而提高，提高生产率。

Description

一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种石墨烯电芯极耳的技术领域，尤其是涉及一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其方法。
背景技术
电池是分正负极的，极耳就是从电芯中将正负极引出来的金属导电体，是锂离子聚合物电池产品的一种原材料，通俗的说电池正负两极的耳朵是在进行充放电时的接触点。这个接触点并不是我们看到的电池外表的那个铜片，而是电池内部的一种连接。现有的极耳分为三种材料，电池的正极使用铝(Al)材料，负极使用镍(Ni)材料，负极也有铜镀镍(Ni—Cu)材料，它们都是由胶片和金属带两部分复合而成。电池的核心组成部份是由正极片和负极片组成，所以正负极片的附料直接影响着电池的性能。正极片是由：发泡镍(导电体)及正极化学原材料组成。负极片是由：钢带及负极化学原材料组成。简单的说就是将化学原材料通过拉浆将它紧紧的与发泡镍(钢带)连接在一起，就形成了正极片(负极片)。
在电池组制作过程中有如下规律：负极片决定电池的稳定性能及过充(放)性能。正极决定电池的容量。如果电池在生产过程中：
A：正极片偏轻，则会导致电池“低容量”；
B：正极片偏重，则会导致电池在充电过程中漏液、鼓底，若更严重则会导致电池爆炸；
C：负极片偏轻，则会导致电池在充电过程中漏液、鼓底，若更严重则会导致爆炸；
D：负极片偏重，则会影响电池在组装过程中难以入壳，导致正负极片在入壳过程中报废或短路，另因负极片偏重导致电池原材料浪费而降低了电池的物料利用率。
所以正负极片无论是偏轻与偏重都会对电池有较大影响。
极片分档主要是将偏轻与偏重的极片挑出将相同档次的极片相匹配，防止电池出现混配现象，而影响电池的性能。其不同重量的极片混配对电池有影响可见，所以在操作此工序时需准确把握住极片的重量，严格按照工艺要求进行操作，不可粗心大意。
发泡镍最主要的作用是起到导电及吸附化学原材料的作用，所以发泡镍的面密度对电池的制作有一定的影响。
A：发泡镍面密度越高，孔径就越密，所以电池的导电性能就越好。
B：因发泡镍密度较高，而导致化学原材料的填充量减少，使电池的容量无法达到工艺设计要求。
C：由于发泡镍密度过高，极片在切片或运转过程中产生的毛刺就越多，所以也易导致电池在卷绕过程中短路。
所以我们在使用发泡镍时需严格按照工艺要求进行操作
石墨烯是单层碳原子，其比表面积巨大，有几吨的石墨烯便可以将地球铺满。巨大地比表面积且导电性能，使之成为充电电池的救星。电动力汽车之所以到现在还没有广泛应用，就是因为电池的能量储存密度低与充电性能的问题。由于石墨烯的巨大比表面积，能够使电池具有很高的储能密度，而且由于其阴阳两极面积巨大，可以使电池在短短几分钟甚至是几秒内边完成充电。研究表明，用石墨烯制出的电池理论上是现有锂电池同体积下容量的数十倍，而且由于石墨烯的导电性能优异，比银还要好，电子在石墨烯上运动能量几乎不损耗。电池工作时几乎不发热，这使得电池更加耐用。
发明内容
本发明的目的是解决上述提出的问题，提供将正极片及负极片，利用辉光放电方式，产生包含离子、電子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的电浆來进行图案转印的蚀刻方式的一种导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的方法。
本发明的目的是以如下方式实现的：一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，包括极耳，所述极耳的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳的两端包覆有石墨烯。
所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，所述石墨烯的内层与极耳的波浪形结构啮合连接。
一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其步骤包括：A、取出未加工的极耳，化学蚀刻液扩散至极耳的表面；
B、等待蚀刻液与极耳发生化学反应；
C、将步骤C中反应后的产物从蚀刻材料的表面扩散至溶液中，并随着溶液排出；
D、控制上述三个步骤的速率。
所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，步骤B中化学反应为將极耳的表面先予以氧化，再將此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反覆进行以达到蚀刻效果。
所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，蚀刻的速率是通过改变溶液浓度及温度进行控制的，溶液浓度可改变反应物质到达离开极耳的速率，一般而言，当溶液浓度增加时候，蚀刻速率将会提高，耳提高溶液温度可加速化学反应速率，从而加速蚀刻速率。所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，步骤B中常见几种物质的湿式蚀刻包括：硅、二氧化硅、氮化硅及铝。
所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，所述步骤B中为电浆蚀刻。所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，所述电浆蚀刻的导线材料为铝或铝合金。
本发明的优点：由于二维晶体在热力学上的不稳定性，所以不管是以自由状态存在或是沉积在基底上的石墨烯都不是完全平整，而是在表面存在本征的微观尺度的褶皱，故进行蚀刻技术可以确保石墨烯材料和正负极片密切结合，蚀刻的寻找比与均勻度就变的很重要。传统的活性离子蚀刻系统因操作压力高，无法达到垂直的侧壁蚀刻，在石墨烯电芯上均勻度亦不易维持，因此将不再不再适用，取而代之的將是高密度电浆系统。此类系统不但能在极低压条件下产生高密度电浆，并能可減少直流偏压之使用，因而降低或消除电浆所导致的元件损伤，而蚀刻速率也因离子密度的增加而增加，产能也可因而提高。在石墨烯电芯上亦能保持良好的均勻性，提高生产率。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明的结构示意图；
图2是蚀刻后极耳的结构示意图；
图3是蚀刻前极耳的结构示意图。
具体实施方式：
见图1至图3所示，石墨烯是富勒烯(0维)、碳纳米管(1维)、石墨(3维)的基本组成单元，可以被视为无限大的芳香族分子。形象来说，石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂巢状的晶格结构，看上去就像由六边形网格构成的平面。每个碳原子通过sp2杂化与周围碳原子构成正六边形，每一个六边形单元实际上类似一个苯环，每一个碳原子都贡献一个未成键的电子，单层石墨烯的厚度仅为0.335nm，约为头发丝直径的二十万分之一。
石墨烯按照层数划分，大致可分为单层、双层和少数层石墨烯。前两类具有相似的电子谱，均为零带隙结构半导体(价带和导带相较于一点的半金属)，具有空穴和电子两种形式的载流子。双层石墨烯又可分为对称双层和不对称双层石墨烯，前者的价带和导带微接触，并没有改变其零带隙结构；而对于后者，其两片石墨烯之间会产生明显的带隙，但是通过设计双栅结构，能使其晶体管呈示出明显的关态。
使用已非常成熟的半导体工艺，将正极片及负极片，利用辉光放电(GlowDischarge)方式，产生包含离子、電子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的电來进行图案转印(Pattern Transfer)的蚀刻技术。
由于二维晶体在热力学上的不稳定性，所以不管是以自由状态存在或是沉积在基底上的石墨烯都不是完全平整，而是在表面存在本征的微观尺度的褶皱，蒙特卡洛模拟和透射电子显微镜都证明了这一点。这种微观褶皱在横向上的尺度在8～10nm范围内，纵向尺度大概为0.7～1.0nm。这种三维的变化可引起静电的产生，所以使石墨单层容易聚集。同时，褶皱大小不同，石墨烯所表现出来的电学及光学性质也不同。
一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，包括极耳1，所述极耳1的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳1的两端包覆有石墨烯2。所述石墨烯2的内层与极耳1的波浪形结构啮合连接。
一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其步骤包括：A、取出未加工的极耳1，化学蚀刻液扩散至极耳1的表面；
B、等待蚀刻液与极耳1发生化学反应；
C、将步骤C中反应后的产物从蚀刻材料的表面扩散至溶液中，并随着溶液排出；
D、控制上述三个步骤的速率。
所述步骤B中化学反应为將极耳1的表面先予以氧化，再將此氧化层溶解，并隨溶液排出，如此反覆进行以达到蚀刻效果。步骤B中常见几种物质的湿式蚀刻包括：硅、二氧化硅、氮化硅及铝。所述步骤B中为电浆蚀刻。
蚀刻的速率是通过改变溶液浓度及温度进行控制的，溶液浓度可改变反应物质到达离开极耳1的速率，一般而言，当溶液浓度增加时候，蚀刻速率将会提高，耳提高溶液温度可加速化学反应速率，从而加速蚀刻速率。
所述电浆蚀刻的导线材料为铝或铝合金。鋁是石墨烯电芯极耳制作过程中最主要的导线材料。它具有低电阻、易於沉积及蚀刻等优点而广为大家所采用。在先进石墨烯电芯极耳中，由于元件的密度受限于导线所占之面积，加上金属层非等向性蚀刻可使得金属导线间的间距縮小，藉以增加导线之接线能力，因此铝及铝合金的乾蚀刻在石墨烯电芯极耳制作过程中是一個非常重要的步骤。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，其特征在于：包括极耳(1)，所述极耳(1)的上下两端为波浪形结构，位于所述极耳(1)的两端包覆有石墨烯(2)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳，其特征在于：所述石墨烯(2)的内层与极耳(1)的波浪形结构啮合连接。
3.根据上述权利要求1至2所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其步骤包括：A、取出未加工的极耳(1)，化学蚀刻液扩散至极耳(1)的表面；
B、等待蚀刻液与极耳(1)发生化学反应；
C、将步骤C中反应后的产物从蚀刻材料的表面扩散至溶液中，并随着溶液排出；
D、控制上述三个步骤的速率。
4.根据权利要求3所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其特征在于：步骤B中化学反应为將极耳(1)的表面先予以氧化，再將此氧化层溶解，并隨溶液排出，如此反覆进行以达到蚀刻效果。
5.根据权利要求4所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其特征在于：蚀刻的速率是通过改变溶液浓度及温度进行控制的，溶液浓度可改变反应物质到达离开极耳(1)的速率，一般而言，当溶液浓度增加时候，蚀刻速率将会提高，耳提高溶液温度可加速化学反应速率，从而加速蚀刻速率。
6.根据权利要求5所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其特征在于：步骤B中常见几种物质的湿式蚀刻包括：硅、二氧化硅、氮化硅及铝。
7.根据权利要求6所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其特征在于：所述步骤B中为电浆蚀刻。
8.根据权利要求7所述的一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳的制作方法，其特征在于：所述电浆蚀刻的导线材料为铝或铝合金。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019056977A1 (zh) * 2017-09-19 2019-03-28 青海盈天能源有限公司 一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079330A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 開裂溝付き密閉型電池
CN102263013A (zh) * 2011-08-01 2011-11-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 石墨烯的图形化方法
CN105390738A (zh) * 2015-12-01 2016-03-09 王立军 石墨烯改性锂离子电池及其制备方法
CN205452416U (zh) * 2015-12-21 2016-08-10 国电科学技术研究院 一种适用于叠片结构动力锂离子电池的负极极耳
CN106384804A (zh) * 2016-01-22 2017-02-08 东莞市卓越新材料科技有限公司 锂电池用陶瓷极耳及其极耳胶及其制作方法
CN106495138A (zh) * 2016-10-17 2017-03-15 杭州电子科技大学 一种切割石墨烯薄膜的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202034434U (zh) * 2010-09-30 2011-11-09 东莞新能源科技有限公司 锂离子电池正极片及包含该正极片的锂离子电池
CN103137402A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 北大方正集团有限公司 一种电极改造方法、装置及用于刻蚀的机台
JP2015149463A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 日本蓄電器工業株式会社 アルミニウムエッチング箔およびアルミニウムエッチング箔を集電体に用いた電極、これを用いた蓄電デバイス
TWI581488B (zh) * 2015-10-13 2017-05-01 Metal Ind Res & Dev Ct Method for manufacturing negative electrode plate of secondary battery
CN106784611B (zh) * 2016-12-07 2019-10-22 中国科学院物理研究所 一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途
CN106486676A (zh) * 2016-12-13 2017-03-08 深圳爱易瑞科技有限公司 一种石墨烯锂离子电池结构
CN107658414A (zh) * 2017-09-19 2018-02-02 上海增华电子科技有限公司 一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079330A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 開裂溝付き密閉型電池
CN102263013A (zh) * 2011-08-01 2011-11-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 石墨烯的图形化方法
CN105390738A (zh) * 2015-12-01 2016-03-09 王立军 石墨烯改性锂离子电池及其制备方法
CN205452416U (zh) * 2015-12-21 2016-08-10 国电科学技术研究院 一种适用于叠片结构动力锂离子电池的负极极耳
CN106384804A (zh) * 2016-01-22 2017-02-08 东莞市卓越新材料科技有限公司 锂电池用陶瓷极耳及其极耳胶及其制作方法
CN106495138A (zh) * 2016-10-17 2017-03-15 杭州电子科技大学 一种切割石墨烯薄膜的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019056977A1 (zh) * 2017-09-19 2019-03-28 青海盈天能源有限公司 一种半导体蚀刻技术生产石墨烯电芯极耳及其制作方法

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