CN107621845A - 一种低压差稳压器 - Google Patents

一种低压差稳压器 Download PDF

Info

Publication number
CN107621845A
CN107621845A CN201710883301.7A CN201710883301A CN107621845A CN 107621845 A CN107621845 A CN 107621845A CN 201710883301 A CN201710883301 A CN 201710883301A CN 107621845 A CN107621845 A CN 107621845A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fet
source
current source
grid
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710883301.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107621845B (zh
Inventor
黄沫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201710883301.7A priority Critical patent/CN107621845B/zh
Publication of CN107621845A publication Critical patent/CN107621845A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107621845B publication Critical patent/CN107621845B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

本发明提供一种低压差稳压器，包括误差放大器，其正极输入端接收参考电压，负极输入端与输出端连接；第二场效应管，其漏极与误差放大器的输出端连接，源极通过第二电流源接地，栅极通过第二电流源接地；功率器件，其漏极接入电源电压，功率器件的源极与第一场效应管的漏极连接，同时分别通过第一电容接地、通过负载电流源接地、通过第三电容、第一电流源接地；第一场效应管，其栅极与第二场效应管的栅极连接，第一场效应管的漏极与功率器件的源极连接，第一场效应管的源极通过第一电流源接地，同时与超级源跟随器输入端连接；超级源跟随器，其输出端与功率器件的栅极连接，同时通过第二电容接地。

Description

一种低压差稳压器
技术领域
本发明涉及低压差稳压器，特别是一种高速稳定的低压差稳压器。
背景技术
请参阅图1，其为现有技术的低压差稳压器的架构图。现有技术中的低压差稳压器即LDO最基本的LDO架构如图1所示。对于不确定的输入(电源电压VDD)，输出电压VO总能保持与参考电压VREF相等。这是因为VO和VREF接在了一个误差放大器的两输入端。误差放大器(EA)和整个环路的高增益，使得EA输入虚短，即VO＝VREF。
当负载电流IL跳变时，为了稳定VO，需要一个较大的输出电容CO，在LDO环路来不及反应的时候提供IL所需的电流变化。
另一方面，功率器件MP为了提供所需的较大电流，通常需要很大尺寸，EA很难直接驱动，因此EA和MP的中间要加入一级驱动器(BUF)。而EA的输出，及BUF的输出，均为高阻，且均有寄生电容，使得LDO环路至少存在三个极点(p0-2)。为了使这样的环路稳定，传统的LDO采用了很大的CO，使得输出极点p0频率很低。但这样使得LDO的增益带宽积(GBW)很小，LDO的速度很慢。同时，较大的CO难以片上集成，只能采用片外器件，降低了集成度，特别不能适应当前片上系统(SoC)的发展要求。
请参阅图2，其为现有的翻转电压跟随器的结构示意图。为了提升LDO速度，提高集成度，有一种翻转电压跟随器(Flip Voltage Follower，FVF)的结构如图2所示。该结构在MP的下面加了一个M1管，形成了一个共栅放大器。共栅放大器的输出接至MP的栅极形成反馈。该结构的反馈路径较短(仅经过一级共栅放大即反馈至MP的栅极)，且成功的将系统变为了更稳定的两极点系统(两极点分别为p0和pg)。对于较先进的工艺，MP的栅极寄生电容Cg比较小，因此pg远离p0，系统稳定；但对于不太先进的工艺，pg不能远离p0，导致系统的相位裕度可能较小，仍输出不稳定，如图3所示，其为FVF的幅频响应图。最恶劣的情况是LDO最大负载电流的情况，此时LDO输出极点负载阻抗最小，因此p0与pg最接近。采用65nm进行仿真，相位裕度为10°。
请参阅图4，其为超级源跟随器的示意图。为了使pg远离p0，可以在MP和共栅放大器输出之间加入一个超级源跟随器(Super Source Follower，SSF)：M3和偏置电流源I3构成了一个普通的源跟随器，加上M4和偏置电流源I4构成了SSF。该SSF能将MP的栅极的阻抗降低至1/(gm3·gm4·rx)(其中gm3-4分别为M3-4的跨导，rx为X点的阻抗)，从而可能使得pg远离p0。因此，期望SSF方案的幅频响应如图5，其为SSF的幅频响应示意图。但是，该方案同时引入了两个高频极点，分别在p1,2。其中，p2和pg是一对复数极点对|p2,g|。
其中根号内在大部分工艺下<0，因此是复数根。
其中CX为X点的寄生电容，r3为M3的电阻。
然而，对于较先进的工艺(如65nm)，这对复数极点极有可能在GBW附近，造成相位的急剧下降，系统不稳定。p1也一般会处在GBW附近，进一步降低了相位裕度，如图6，其为SSF实际的幅频响应示意图。从图6中可知，其仿真结果仅有-100°的相位裕度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供了一种高速稳定的低压差稳压器。
本发明通过以下的方案实现：一种高速稳定的低压差稳压器，包括误差放大器、第一场效应管、第二场效应管、功率器件、第一电流源、第二电流源、负载电流源、第一电容、第二电容、第三电容和超级源跟随器；
所述误差放大器的正极输入端接收参考电压，负极输入端与输出端连接；
所述第二场效应管的漏极与误差放大器的输出端连接，源极通过第二电流源接地，栅极通过第二电流源接地；
所述功率器件的漏极接入电源电压，功率器件的源极与所述第一场效应管的漏极连接，同时分别通过第一电容接地、通过负载电流源接地、通过第三电容、第一电流源接地；
所述第一场效应管的栅极与第二场效应管的栅极连接，第一场效应管的漏极与功率器件的源极连接，第一场效应管的源极通过第一电流源接地，同时与超级源跟随器输入端连接；
所述超级源跟随器输出端与功率器件的栅极连接，同时通过第二电容接地。
相比于现有技术，本发明在M1的两端加入电容Cm，使得p1＝1/(rY·Cm)，成为主极点(即频率最低的极点)，其中rY为Y点的电阻；同时自带一个左半平面的零点z1≈gm1/Cm，其中gm1为M1的跨导。合理选取gm1，可以使得z1在p1后不远处抵消了p1；这使得LDO仍具有较高的低频增益，以及较大的GBW。
进一步，所述超级源跟随器包括：第三电流源、第四电流源、第三场效应管、第四场效应管和阻尼系数控制模块；
所述第三电流源的一端与电源电压连接，另一端分别与第三场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接；
所述第三场效应管的栅极与第一场效应管的源极连接，第三场效应管的源极通过第四电流源接地；
所述第四场效应管栅极与第三场效应管的源极连接，并与阻尼系数控制模块连接，所述第四场效应管源极接地。
进一步，所述阻尼系数控制模块包括跨导放大器和第四电容；所述跨导放大器的输入端与第三场效应管的源极连接，所述跨导放大器的输出端通过第四电容与第四场效应管的栅极连接。
进一步，所述阻尼系数控制模块包括第五场效应管、第四电容和第五电流源；所述第五场效应管的漏极与电源电压连接，第五场效应管的栅极与第四场效应管的栅极连接，第五场效应管的源极通过第五电流源接地；所述第四电容的两端分别与第五场效应管的栅极和源极连接。
综上，本发明相比于现有技术，具备以下的效果：
1、本发明在M1的两端加入电容Cm，使得p1＝1/(rY·Cm)，成为主极点(即频率最低的极点)，其中rY为Y点的电阻；同时自带一个左半平面的零点z1≈gm1/Cm，其中gm1为M1的跨导。合理选取gm1，可以使得z1在p1后不远处抵消了p1；这使得LDO仍具有较高的低频增益，以及较大的GBW。
2、本发明通过在SSF中增加DFC模块，将SSF中原本的复数极点对|p2,g|，有效的分开成为两个实数极点p2和pg。
与现有技术(公式1)相比，本发明的公式2的Cg项中有(gmD·r3)2的系数，在绝大部分情况下中都能使根号中的表达式>0，故p2和pg为实数极点。一般而言，pg的频率更低，p2的频率更高。只要控制p2不要频率过低，即可获得足够的相位裕度。
3、本发明能容纳较宽的LDO负载电流范围。对于小负载电流，p0可能接近z1甚至p1，但由于z1总能抵消其中一个极点，在低频处的相移最多达到90°；而由于p0和p2分得更开，整体的相位裕度将接近90°。
为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1是现有技术的低压差稳压器的架构图。
图2是现有的翻转电压跟随器的结构示意图。
图3是FVF的幅频响应图。
图4是超级源跟随器的示意图。
图5是SSF的幅频响应示意图。
图6是SSF实际的幅频响应示意图。
图7是本发明实施例1的低压差稳压器的架构图。
图8是本发明增加了电容Cm后的LDO幅频响应示意图。
图9是本发明加入DFC后的大负载电流的幅频响应示意图。
图10是本发明的小负载电流的幅频响应示意图。
图11是本发明的实施例2的低压差稳压器的架构图。
具体实施方式
以下结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
本发明为了解决现有技术中的缺陷，提供了一种能够达到高速稳压的低压差稳压器。具体的技术方案通过以下的实施例进行介绍：
实施例1
请参阅图7，其为本发明实施例1的低压差稳压器的架构图。本发明提供了一种高速稳定的低压差稳压器，包括误差放大器EA、第一场效应管M1、第二场效应管M2、功率器件MP、第一电流源I1、第二电流源I2、负载电流源IL、第一电容CO、第二电容Cg、第三电容Cm和超级源跟随器SSF。
所述误差放大器EA的正极输入端接收参考电压VDD，负极输入端与输出端连接。
所述第二场效应管M2的漏极与误差放大器EA的输出端连接，源极通过第二电流源I2接地，栅极通过第二电流源I2接地。
所述功率器件MP的漏极接入电源电压VDD，功率器件MP的源极与所述第一场效应管M1的漏极连接，同时分别通过第一电容CO接地、通过负载电流源IL接地、通过第三电容Cm和第一电流源I1接地。
所述第一场效应管M1的栅极与第二场效应管M2的栅极连接，第一场效应管M1的漏极与功率器件MP的源极连接，第一场效应管M1的源极通过第一电流源I1接地，同时与超级源跟随器SSF输入端连接。
所述超级源跟随器SSF输出端与功率器件MP的栅极连接，同时通过第二电容Cg接地。
本发明在M1的两端加入电容Cm，使得p1＝1/(rY·Cm)，成为主极点(即频率最低的极点)，其中rY为Y点的电阻；同时自带一个左半平面的零点z1≈gm1/Cm，其中gm1为M1的跨导。合理选取gm1，可以使得z1在p1后不远处抵消了p1；这使得LDO仍具有较高的低频增益，以及较大的GBW。
请参阅图8，其为本发明增加了电容Cm后的LDO幅频响应示意图。从图8中可知，与图6相比，在复数极点对之前抵消了一个极点，而导致相位裕度有一定提升。但由于复数极点对仍然靠近GBW，相位裕度依然有较大幅度的下降(仿真显示此时相位裕度为-20°)。
因此作为本发明的进一步改进，在加入Cm的基础上，在超级源跟随器SSF中加入阻尼系数控制(Damping Factor Control，DFC)。具体的结构如下：
所述超级源跟随器SSF包括：第三电流源I3、第四电流源I4、第三场效应管M3、第四场效应管M4和阻尼系数控制模块DFC。
所述第三电流源13的一端与电源电压VDD连接，另一端分别与第三场效应管M3的漏极和第四场效应管M4的漏极连接。
所述第三场效应管M3的栅极与第一场效应管M1的源极连接，第三场效应管M3的源极通过第四电流源I4接地。
所述第四场效应管M4栅极与第三场效应管M3的源极连接，并与阻尼系数控制模块DFC连接，所述第四场效应管M4源极接地。
具体的，在本实施例1中，所述阻尼系数控制模块包括跨导放大器gmD和第四电容CD；所述跨导放大器gmD的输入端与第三场效应管M3的源极连接，所述跨导放大器gmD的输出端通过第四电容CD与第四场效应管M4的栅极连接。
请参阅图9，其为本发明加入DFC后的大负载电流的幅频响应示意图。本发明将SSF中原本的复数极点对|p2,g|，有效的分开成为两个实数极点p2和pg。
与现有技术(公式1)相比，本发明的公式2的Cg项中有(gmD·r3)2的系数，在绝大部分情况下中都能使根号中的表达式>0，故p2和pg为实数极点。一般而言，pg的频率更低，p2的频率更高。只要控制p2不要频率过低，即可获得足够的相位裕度(仿真显示相位裕度为70°)。
进一步，本发明能容纳较宽的LDO负载电流范围。请参阅图10，其为本发明的小负载电流的幅频响应示意图。小负载电流时，p0可能接近z1甚至p1，但由于z1总能抵消其中一个极点，在低频处的相移最多达到90°；而由于p0和p2分得更开，整体的相位裕度将接近90°(仿真显示相位裕度为80°)。
实施例2
相比于实施例1，本实施例2的阻尼系数控制模块的主要构成方式不同。具体为，请参阅图11，其为本实施例2的低压差稳压器的架构图。所述阻尼系数控制模块DFC包括第五场效应管M5、第四电容CD和第五电流源I5。所述第五场效应管M5的漏极与电源电压VDD连接，第五场效应管M5的栅极与第四场效应管M4的栅极连接，第五场效应管M5的源极通过第五电流源I5接地；所述第四电容CD的两端分别与第五场效应管M5的栅极和源极连接。
本实施例2中，DFC模块由M5、I5和CD构成。其中，M5和I5构成了gmD，其中I5可以采用电阻，M5可以采用PMOS。
综上，本发明相比于现有技术，具备以下的效果：
1、本发明在M1的两端加入电容Cm，使得p1＝1/(rY·Cm)，成为主极点(即频率最低的极点)，其中rY为Y点的电阻；同时自带一个左半平面的零点z1≈gm1/Cm，其中gm1为M1的跨导。合理选取gm1，可以使得z1在p1后不远处抵消了p1；这使得LDO仍具有较高的低频增益，以及较大的GBW。
2、本发明通过在SSF中增加DFC模块，将SSF中原本的复数极点对|p2,g|，有效的分开成为两个实数极点p2和pg。
与现有技术(公式1)相比，本发明的公式2的Cg项中有(gmD·r3)2的系数，在绝大部分情况下中都能使根号中的表达式>0，故p2和pg为实数极点。一般而言，pg的频率更低，p2的频率更高。只要控制p2不要频率过低，即可获得足够的相位裕度。
3、本发明能容纳较宽的LDO负载电流范围。对于小负载电流，p0可能接近z1甚至p1，但由于z1总能抵消其中一个极点，在低频处的相移最多达到90°；而由于p0和p2分得更开，整体的相位裕度将接近90°。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种低压差稳压器，其特征在于：包括误差放大器、第一场效应管、第二场效应管、功率器件、第一电流源、第二电流源、负载电流源、第一电容、第二电容、第三电容和超级源跟随器；
所述误差放大器的正极输入端接收参考电压，负极输入端与输出端连接；
所述第二场效应管的漏极与误差放大器的输出端连接，源极通过第二电流源接地，栅极通过第二电流源接地；
所述功率器件的漏极接入电源电压，功率器件的源极与所述第一场效应管的漏极连接，同时分别通过第一电容接地、通过负载电流源接地、通过第三电容、第一电流源接地；
所述第一场效应管的栅极与第二场效应管的栅极连接，第一场效应管的漏极与功率器件的源极连接，第一场效应管的源极通过第一电流源接地，同时与超级源跟随器输入端连接；
所述超级源跟随器输出端与功率器件的栅极连接，同时通过第二电容接地。
2.根据权利要求1所述低压差稳压器，其特征在于：所述超级源跟随器包括：第三电流源、第四电流源、第三场效应管、第四场效应管和阻尼系数控制模块；
所述第三电流源的一端与电源电压连接，另一端分别与第三场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接；
所述第三场效应管的栅极与第一场效应管的源极连接，第三场效应管的源极通过第四电流源接地；
所述第四场效应管栅极与第三场效应管的源极连接，并与阻尼系数控制模块连接，所述第四场效应管源极接地。
3.根据权利要求2所述低压差稳压器，其特征在于：所述阻尼系数控制模块包括跨导放大器和第四电容；所述跨导放大器的输入端与第三场效应管的源极连接，所述跨导放大器的输出端通过第四电容与第四场效应管的栅极连接。
4.根据权利要求2所述低压差稳压器，其特征在于：所述阻尼系数控制模块包括第五场效应管、第四电容和第五电流源；所述第五场效应管的漏极与电源电压连接，第五场效应管的栅极与第四场效应管的栅极连接，第五场效应管的源极通过第五电流源接地；所述第四电容的两端分别与第五场效应管的栅极和源极连接。
CN201710883301.7A 2017-09-26 2017-09-26 一种低压差稳压器 Active CN107621845B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710883301.7A CN107621845B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 一种低压差稳压器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710883301.7A CN107621845B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 一种低压差稳压器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107621845A true CN107621845A (zh) 2018-01-23
CN107621845B CN107621845B (zh) 2018-09-25

Family

ID=61090808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710883301.7A Active CN107621845B (zh) 2017-09-26 2017-09-26 一种低压差稳压器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107621845B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112947662A (zh) * 2021-03-25 2021-06-11 深圳前海维晟智能技术有限公司 一种基于比较器的低功耗ldo电路
CN114063695A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 广东工业大学 一种基于fvf的三环路无片外电容ldo电路
CN114265038A (zh) * 2021-11-22 2022-04-01 电子科技大学 一种具有温度补偿效应的高精度开关式移相单元
CN115903984A (zh) * 2022-12-21 2023-04-04 桂林海纳德半导体科技有限公司 一种自适应型超级源跟随电路及ldo稳压芯片

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040164789A1 (en) * 2002-12-23 2004-08-26 The Hong Kong University Of Science And Technology Low dropout regulator capable of on-chip implementation
CN102096434A (zh) * 2010-12-23 2011-06-15 东南大学 一种基于大摆率误差放大器的高精度高速ldo电路
US20130082672A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor-free low drop-out regulator
CN105005351A (zh) * 2015-07-23 2015-10-28 中山大学 一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040164789A1 (en) * 2002-12-23 2004-08-26 The Hong Kong University Of Science And Technology Low dropout regulator capable of on-chip implementation
CN102096434A (zh) * 2010-12-23 2011-06-15 东南大学 一种基于大摆率误差放大器的高精度高速ldo电路
US20130082672A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor-free low drop-out regulator
CN105005351A (zh) * 2015-07-23 2015-10-28 中山大学 一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAO LIANG TAN等: "A FVF LDO Regulator With Dual-Summed Miller Frequency Compensation for Wide Load Capacitance Range Applications", 《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS—I: REGULAR PAPERS》 *
YAN LU等: "A Fully-Integrated Low-Dropout Regulator With Full-Spectrum Power Supply Rejection", 《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS—I: REGULAR PAPERS》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112947662A (zh) * 2021-03-25 2021-06-11 深圳前海维晟智能技术有限公司 一种基于比较器的低功耗ldo电路
CN114063695A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 广东工业大学 一种基于fvf的三环路无片外电容ldo电路
CN114063695B (zh) * 2021-11-17 2023-03-10 广东工业大学 一种基于fvf的三环路无片外电容ldo电路
CN114265038A (zh) * 2021-11-22 2022-04-01 电子科技大学 一种具有温度补偿效应的高精度开关式移相单元
CN114265038B (zh) * 2021-11-22 2024-02-09 电子科技大学 一种具有温度补偿效应的高精度开关式移相单元
CN115903984A (zh) * 2022-12-21 2023-04-04 桂林海纳德半导体科技有限公司 一种自适应型超级源跟随电路及ldo稳压芯片
CN115903984B (zh) * 2022-12-21 2023-08-04 桂林海纳德半导体科技有限公司 一种自适应型超级源跟随电路及ldo稳压芯片

Also Published As

Publication number Publication date
CN107621845B (zh) 2018-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107621845B (zh) 一种低压差稳压器
CN101419479B (zh) 一种新型结构的低压差线性稳压器
CN100432886C (zh) 一种双环低压差线性稳压器电路
CN105005351B (zh) 一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路
ES2459952T3 (es) Regulador de tensión de baja caída en-chip, sin condensador con control Q
CN101847028B (zh) 一种超低功耗的动态补偿电路及应用该电路的线性调节器
CN102045035B (zh) 一种低功耗宽带高增益高摆率单级运算跨导放大器
CN103149962B (zh) 极低静态电流的低压降稳压器
CN102385406B (zh) 一种无电容低压差稳压器结构
CN104750148B (zh) 一种低压差线性稳压器
CN104679088B (zh) 一种低压差线性稳压器及其频率补偿电路
CN200979668Y (zh) 一种双环低压差线性稳压器电路
CN107479610B (zh) 一种快速响应ldo电路
CN105045329A (zh) 一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容ldo
CN101471632A (zh) 环路增益可控的自偏置低压运算跨导放大器电路
CN103105883A (zh) 具有负载检测电路及动态零点补偿电路的线性稳压器
CN105955390A (zh) 低压差线性稳压器模块、芯片及通信终端
CN206235910U (zh) 一种宽范围负载电容的低压差线性稳压器
CN103472882B (zh) 集成摆率增强电路的低压差线性稳压器
CN108803764A (zh) 一种快速瞬态响应的ldo电路
CN106774594A (zh) 低温漂基准电压电路
CN111176358A (zh) 一种低功耗低压差线性稳压器
CN103412602A (zh) 一种无电容型低压差线性稳压器
CN104950976B (zh) 一种基于摆率增强的稳压电路
CN101957627B (zh) 一种ldo稳压电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant