CN107614482B - 放射性标记化合物的制造装置及制造方法 - Google Patents

放射性标记化合物的制造装置及制造方法 Download PDF

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Abstract

放射性标记化合物的制造装置(100)是通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物的制造装置。制造装置(100)具有：固相萃取部(10)，所述固相萃取部(10)实施特定处理，所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化；和冷却部(20)，在实施特定处理时，所述冷却部(20)对固相萃取部(10)进行冷却。

Description

放射性标记化合物的制造装置及制造方法
技术领域
本发明涉及放射性标记化合物的制造装置及制造方法。
背景技术
放射性标记化合物是经放射性同位素标记的化合物，可经由向规定的标记前体化合物中导入放射性同位素(核素)的工序等而制造。放射性标记化合物可作为放射性药剂等使用。
专利文献1中记载了用于制造放射性标记化合物等有机化合物的制造装置。
此外，专利文献1中还记载了使用上述的制造装置来制造作为放射性标记化合物中的一种的[18F]1-氨基-3-氟环丁烷甲酸(以下，称为[18F]FACBC)的方法。
在制造[18F]FACBC时，例如，如专利文献1中记载的那样，可使用具有进行脱保护反应的固相萃取柱、和进行[18F]FACBC的纯化的纯化柱的制造装置。
作为制造[18F]FACBC的方法，例如亦如专利文献2中记载的那样，已知有包括下述工序的方法：放射性氟化工序，其中，向标记前体化合物中导入放射性氟；脱保护工序(脱酯化工序)，其中，利用碱溶液对通过放射性氟化工序而制造的中间体化合物进行脱保护(脱酯化)；和脱氨基保护基工序，其中，对经脱保护工序而得到的化合物进行氨基保护基的脱保护。
使用上述的制造装置的情况下，脱保护工序(脱酯化工序)可利用上述的固相萃取柱进行，纯化柱中的[18F]FACBC的纯化可在脱氨基保护基工序之后进行。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-201571号公报
专利文献2：国际公开第2007/132689号小册子
发明内容
发明所要解决的课题
本申请的发明人最新发现，在制造[18F]FACBC时，如果在通过与碱溶液接触而进行的脱保护工序中固相萃取柱成为高温，则会发生下述现象：柱中的填充剂的一部分混入至洗脱液中，发生纯化柱的堵塞，从而无法再输送反应液。该不良情况并不限于[18F]FACBC的制造，在对放射性标记化合物进行制造或纯化时，也会由于固相萃取柱等固相萃取部成为高温而同样地发生。此外，即使在不使用纯化柱的情况下，也有可能由于填充剂溶出而导致产生以下不良情况：填充剂混入至最终产物中，由此使得最终产物的纯度降低，或者使得纯化变得繁杂；等等。
本发明是鉴于上述的课题而作出的，提供一种放射性标记化合物的制造装置及放射性标记化合物的制造方法，其可抑制由于在利用固相萃取法进行中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化的工序中固相萃取部成为高温而导致的不良情况的产生。
用于解决课题的手段
通过本发明，可提供放射性标记化合物的制造装置，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造装置具有：固相萃取部，所述固相萃取部实施特定处理，所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或前述放射性标记化合物的纯化；和冷却部，在实施前述特定处理时，所述冷却部对前述固相萃取部进行冷却。
另外，通过本发明，可提供放射性标记化合物的制造方法，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造方法具有下述工序：在对保持有中间体化合物或前述放射性标记化合物的固相萃取部进行局部冷却的同时、用前述固相萃取部进行特定处理的工序，所述特定处理是前述中间体化合物的反应、前述中间体化合物的纯化、或前述放射性标记化合物的纯化。
发明的效果
通过本发明，可抑制由于在利用固相萃取法进行中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化的工序中固相萃取部成为高温而导致的不良情况的产生。
附图说明
[图1]为第1实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的示意图。
[图2]为第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的正视图。
[图3]为表示第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的流路筒(cartridge)的一例的立体图。
[图4]图4(a)及图4(b)为表示第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的冷却部的图，其中，图4(a)为正视图，图4(b)为俯视图。
[图5]图5(a)及图5(b)为表示第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的冷却部的图，其中，图5(a)为右侧视图，图5(b)为压缩空气供给管保持托架(bracket)的左侧视图。
[图6]图6(a)及图6(b)为表示第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的罩周边的图，其中，图6(a)为正视图，图6(b)为表示侧面形状及侧截面形状的图。
[图7]为表示第2实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的模块结构的图。
[图8]为表示第2实施方式的变形例涉及的放射性标记化合物的制造装置的固相萃取部及散热器的正视图。
[图9]为用于说明第3实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的图。
[图10]为表示第3实施方式及比较方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的固相萃取部的温度变化的一例的时间图(time chart)。
[图11]为表示制造放射性标记化合物时的固相萃取部的温度、与硅从固相萃取部溶出的溶出量的关系的图。
[图12]为表示变形例涉及的放射性标记化合物的制造装置的冷却部的正视图。
具体实施方式
通过以下记载的优选实施方式、及其所附带的以下附图来进一步明确上述目的、及其他目的、特征及优点。
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，在全部的附图中，对同样的构成要素标注相同的附图标记，并适当地省略说明。
〔第1实施方式〕
图1为第1实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置100(以下，简记为制造装置100)的示意图。
如图1所示，制造装置100是通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物的装置，其具有：实施特定处理的固相萃取部10；和在实施特定处理时对固相萃取部10进行冷却的冷却部20。特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化。
其中，中间体化合物的反应中包括脱酯化等水解反应等。另外，该水解反应中包括脱保护反应等。
本发明中，所谓“中间体化合物”，是指使用制造装置100由标记前体化合物制造的目标放射性标记化合物的反应经过多步时所得到的中间产物，是导入了放射性同位素的化合物。例如，在目标放射性标记化合物具有羟基、羧基、氨基等相对于放射性同位素的导入反应具有活性的取代基的情况下，可将具有与放射性同位素进行置换的离去基团、和保护这些活性基团的保护基的化合物作为标记前体化合物，将具有含有放射性同位素的取代基和保护基的化合物作为中间体化合物。
冷却部20的冷却方式没有特别限制。例如可以是使用循环水进行冷却的方式(水冷式)，也可以是利用珀尔帖元件(Peltier element)进行冷却的方式，还可以是如后述的其他实施方式那样利用冷风进行冷却的方式。
另外，使用制造装置100制造的放射性标记化合物没有特别限制，优选为有机化合物。另外，放射性同位素没有特别限制，作为一例，可例示18F或11C。
固相萃取部10是填充有适于作为色谱填充剂的粒子或其他形态的固定相的柱或筒。作为该柱或筒中使用的填充剂，可举出硅胶基的填充剂、树脂基的填充剂、离子交换填充剂、弗罗里硅土(Florisil)基的填充剂、氧化铝基的填充剂等，优选键合有甲硅烷基的固相载体。
被供于固相萃取部10中的反应或纯化的中间体化合物或放射性标记化合物的种类也没有特别限制，优选为有机化合物。
在固相萃取部10中用于反应或纯化的试剂只要是液体即可，对其种类没有特别限制，在固相萃取部10中使用键合有甲硅烷基的固相载体时，优选为碱。作为碱，可举出例如碱金属的水合物、醇化物。这些碱可溶解于水、醇中而使用。作为碱，具体而言，可举出氢氧化钠的水溶液、甲醇钠的甲醇溶液。
如此，固相萃取部10例如具有键合有甲硅烷基的固相载体，在固相萃取部10中，在碱的存在下实施特定处理。
制造装置100还具有向标记前体化合物中导入放射性同位素的标记导入部340、和回收制造的目标物的目标物回收容器350。
另外，本实施方式涉及的放射性标记化合物的制造方法是通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物的放射性标记化合物的制造方法，所述制造方法具有下述工序：在对保持有放射性标记化合物的固相萃取部10进行局部冷却的同时、用固相萃取部10进行作为特定处理的中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化的工序。
此处，所谓对固相萃取部10进行局部冷却，是指在制造装置100中选择性地对包括固相萃取部10在内的一部分区域(并非整个制造装置100的区域)进行冷却。
另外，例如，如后述的第2实施方式那样当制造装置100具有机壳(cabinet)(壳体)时，也可以是指在机壳内选择性地对包括固相萃取部10在内的一部分区域(并非整个机壳的区域)进行冷却。
另外，在制造装置100具有用于实施在加热条件下进行的工序的加热部的情况下，也可以是指：以实质上不会通过基于冷却部20的冷却作用而使得加热部被冷却的方式，利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却。
根据本实施方式，通过利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却，从而可抑制固相萃取部10成为高温。因此，可抑制由于在利用固相萃取法进行中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化的工序中固相萃取部10成为高温而导致的、因固相萃取部10的填充剂的一部分混入至洗脱液中而造成的不良情况的产生。例如，制造装置100具有纯化柱时，可抑制纯化柱的堵塞。
〔第2实施方式〕
图2及图3是用于说明第2实施方式涉及的制造装置100的图。其中，图2为制造装置100的正视图，图3为表示制造装置100所具有的流路筒60的一例的立体图。
图4(a)～图6(b)为用于说明制造装置100所具有的冷却部20的图。其中，图4(a)、图4(b)及图5(a)表示冷却部20和对冷却部20进行支撑的支撑器具50，其中，图4(a)为正视图，图4(b)为俯视图，图5(a)为右侧视图。图5(b)为表示支撑器具50所具有的压缩空气供给管保持托架54等的左侧视图。图6(a)及图6(b)为表示制造装置100所具有的罩70的周边的图，其中，图6(a)为正视图，图6(b)为表示侧面形状及侧截面形状的图。
图7为表示第2实施方式涉及的制造装置100的模块结构的图。
本实施方式涉及的制造装置100以可与各种化合物的合成、纯化相适应的方式构成。
制造装置100具有对该制造装置100的动作进行控制的控制部110(图7)，并且以下述方式构成：通过在控制部110的控制下对制造装置100的各构成要素的动作进行控制，从而可自动地进行为制造规定的放射性标记化合物而所需的各工序，由此自动地制造该规定的放射性标记化合物。更具体而言，通过用控制部110对电机等电气部件的动作进行控制，从而可自动地制造规定的放射性标记化合物。
如图2所示的那样，制造装置100具有用于搭载各种构成要素的机壳40。机壳40中，搭载有与使用制造装置100制造的化合物的种类、制造方法等相对应的构成要素。
制造装置100中的各构成要素的排列方式没有特别限制。例如，制造装置100中，各构成要素可以沿上下方向排列而配置，也可以沿水平方向排列而配置，还可以混合存在有沿上下方向排列而配置的构成要素和沿水平方向排列而配置的构成要素。
制造装置100通常在放射性标记化合物的制造过程中使用的液体的流路上具有多个三通旋塞阀，这些三通旋塞阀可以以能拆装的方式设置于机壳40，也可以以不能拆装的方式固定地设置于机壳40。
作为一例，图3所示的流路筒60以能拆装的方式设置于制造装置100中。
该情况下，在机壳40的上部的前面设置有对流路筒60(图3)的储液器61进行保持的筒保持部101。
另外，在机壳40的前面设置有多个阀座(valve holder)32。阀座32以可容纳并保持流路筒60所具有的三通旋塞阀62的把手(handle)的方式构成。机壳40内，设置有与各阀座32相对应的电机，各电机的旋转轴与各阀座32相连接。通过驱动电机，从而在使阀座32旋转的同时，使被该阀座32保持的三通旋塞阀62旋转，对流路筒60所构成的流路进行切换。
被设置于机壳40内的电机等用电驱动的部件(电气部件)的动作通过从控制部110输出的控制信号进行控制。因此，流路的切换等动作可在控制部110的控制下自动进行。
此外，在机壳40的前面例如设置有注射器安装部36，以使得可在机壳40的前面侧安装注射器(未图示)。该情况下，在机壳40中设置有用电机、弹簧等使注射器的活塞移动的注射器驱动机构，能自动地进行液体从注射器的排出、液体向注射器内的吸入。
另外，输入输出端口(port)103可设置于机壳40的前面侧。输入输出端口103是放射性标记化合物的制造过程中使用的液体的输入输出端口。可在输入输出端口的后部搭载对液体进行各种处理的要素。作为一例，例如可搭载对液温进行调节的要素、使液压上升的泵等。
图3所示的流路筒60构成在放射性标记化合物的制造过程中使用的液体的流路的至少一部分。
流路筒60例如具有：相互连接的多个三通旋塞阀62；被安装于三通旋塞阀62的注射器63；被安装于三通旋塞阀62的固相萃取部10等柱；和与位于最上方的三通旋塞阀62的上侧连接的储液器61。
作为一例，流路筒60在机壳40的前面侧是可拆装的。该情况下，通过被设置于机壳40的前面侧的各阀座32对各三通旋塞阀62的把手进行保持，并且通过被设置于机壳40的上部前面的筒保持部101对储液器61进行保持，由此可将流路筒60保持在机壳40的前面侧。
但是，流路筒60也可以以不能拆装的方式固定于机壳40。
流路筒60在上部具有储液器61的方式、图示的固相萃取部10、注射器63的位置和数目、三通旋塞阀62的数目、相邻的三通旋塞阀之间的距离等均为示例，可根据具体需求进行各种变更。
需要说明的是，制造装置100包含未图示的塑料管(plastic tube)等流路构成构件，通过适当地将流路构成构件与三通旋塞阀62、固相萃取部10、输入输出端口103等进行连接，从而构成流路。
作为使用制造装置100制造的放射性标记化合物的优选的一例，可举出在使用了PET(正电子发射计算机断层扫描法)、SPECT(单光子发射计算机断层扫描摄影)的核医学检查中使用的寿命短的放射性标记化合物。但也可利用制造装置100来制造其他的放射性标记化合物。
如图2所示，在本实施方式的情况下，制造装置100也具有实施特定处理的固相萃取部10、和在实施特定处理时对固相萃取部10进行冷却的冷却部20。
在本实施方式的情况下，冷却部20包含利用冷风对固相萃取部10进行冷却的冷风装置。
如图4(a)所示，该冷风装置例如包含涡流管21而构成。
涡流管21是通过导入压缩空气从而将该压缩空气分离为冷风和热风并分别输出的构件，其具有导入压缩空气的导入部21a、吹出冷风的冷风输出部21b、和吹出热风的热风输出部21c。
涡流管21沿一个方向形成为长尺寸的筒状，分别地，在其一端(图4(a)中的右端)形成冷风输出部21b，在另一端(图4(a)中的左端)形成热风输出部21c，在涡流管21的两端之间的中间部的外周面形成有导入部21a。
从导入部21a向涡流管21内导入压缩空气时，将会从冷风输出部21b向涡流管21的长度方向的一侧(图4(a)中的右侧)吹出冷风，从热风输出部21c向涡流管21的长度方向的另一侧(图4(a)中的左侧)吹出热风。
此处，如图2所示，以使得热风输出部21c朝向以导入部21a为基准而与固相萃取部10侧相反的一侧吹出热风的方式，配置有涡流管21。由此，可抑制通过从热风输出部21c吹出的热风而使得固相萃取部10被加热。
从未图示的压缩空气的供给源，经由压缩空气供给管102(图2)、接头29、压缩空气供给管28、接头26等向涡流管21的导入部21a供给压缩空气。需要说明的是，在压缩空气供给管28上设置有速度控制器(speed controller)27，所述速度控制器27用于调节被供给至涡流管21的压缩空气的流速，从而调节涡流管21的冷却能力。使用者对速度控制器27进行调节操作，由此，若增大被供给至涡流管21的压缩空气的流速，则涡流管21的冷却能力提高，另一方面，若减少被供给至涡流管21的压缩空气的流速，则涡流管21的冷却能力降低。
冷风装置例如具有经由接头23而连接于涡流管21的冷风输出部21b处的挠性管22，在挠性管22的前端侧形成有将从冷风输出部21b吹出的冷风排出至外部的排出口25a。
挠性管22具有多个中空的环节构件22a，其是通过将这些环节构件22a依次连接而构成的。各环节构件22a通过球面接头进行连接，相互间可弯曲。因此，使得挠性管22的整体能够容易地进行弯曲。
更具体而言，例如，如图4(a)所示，排出管25经由L字接头24连接于挠性管22的前端，在排出管25的前端形成有排出口25a。因此，从冷风输出部21b吹出的冷风依次经由接头23的内部、挠性管22的内部、L字接头24的内部、及排出管25的内部而从排出口25a排出至外部。需要说明的是，如图4(a)所示，也可在L字接头24与排出管25之间连接短的挠性管22。
通过如上所述地使冷风装置具有挠性管22，从而可容易地调节将冷风排出至外部的位置及冷风的方向。
制造装置100具有对冷却部20进行支撑的支撑器具50。例如，在以并设于机壳40的方式配置支撑器具50的状态下，可通过被支撑器具50支撑的冷却部20来冷却固相萃取部10。
支撑器具50例如具有：被配置于地面等的平板状底座51；以从底座51竖立的状态设置的支柱52；被固定于支柱52并且对冷却部20进行保持的保持部53；和通过对接头29进行保持从而对压缩空气供给管102与压缩空气供给管28的连接部进行保持的压缩空气供给管保持托架54。
如图4(b)所示，保持部53例如具有第1托架53a、棒状的第2托架53b、和第3托架53c而构成。
第1托架53a被固定于支柱52，并且以能在第2托架53b的长度方向上调节该第2托架53b相对于第1托架53a的位置的方式保持第2托架53b。
另一方面，第3托架53c不仅保持涡流管21，而且还保持第2托架53b。第3托架53c也可以以能在第2托架53b的长度方向上调节该第2托架53b相对于第3托架53c的位置的方式保持第2托架53b。
在该状态下，棒状的第2托架53b以与涡流管21平行的方式进行配置。因此，通过调节第2托架53b相对于第1托架53a的位置、或第2托架53b相对于第3托架53c的位置，从而可在涡流管21的长度方向上调节涡流管21相对于支柱52的位置。
另外，保持部53相对于支柱52的固定位置可任意地进行调节，通过调节保持部53相对于支柱52的固定位置，从而可任意地调节被支撑器具50支撑的涡流管21的高度位置。
被支撑器具50支撑的冷却部20的数目可以是1个，也可以是多个。
例如，在通过支撑器具50支撑多个冷却部20的情况下，以多个冷却部20彼此高度不同的方式，分别经由保持部53而支撑于支柱52。
需要说明的是，压缩空气供给管保持托架54例如以能保持与2个冷却部20分别对应的、压缩空气供给管102与压缩空气供给管28的连接部的方式构成。即，如图5(b)所示，在压缩空气供给管保持托架54处形成有2个用于保持压缩空气供给管102(图2)与压缩空气供给管28的连接部的保持孔(第1保持孔54a及第2保持孔54b)。
另外，制造装置100也可不具有支撑器具50，该情况下，冷却部20例如可固定于机壳40。该情况下，优选以冷却部20相对于机壳40的固定位置(高度位置、机壳40的宽度方向上的位置等)、被固定于机壳40内的冷却部20的方向等可变化的方式，将冷却部20固定于机壳40。
另外，冷却部20也可不具有挠性管22、L字接头24、排出管25等。该情况下，可以以从涡流管21的冷风输出部21b直接向固相萃取部10吹出冷风的方式配置涡流管21。
另外，在本实施方式的情况下，制造装置100可形成为具有覆盖固相萃取部10的罩70的构成。该情况下，冷风装置以向罩70的内部供给冷风的方式构成。
通过向覆盖固相萃取部10的罩70的内部供给冷风，从而可通过罩70对冷风进行整流，将该冷风朝向固相萃取部10而供给。因此，可提高固相萃取部10的冷却效率。
罩70以从排出管25向该排出管25的前端侧突出的方式而设置于排出管25的前端。如图5(a)及图6(b)所示，罩70的截面形成为C字状或U字状，并朝向前端侧(距排出管25远的一侧)开放。作为一例，罩70形成为随着远离排出管25、开口宽度变宽的形状(图6(b))。
罩70例如具有：以与排出管25正交的状态而被设置于排出管25的前端的第1壁部71；和相对于各第1壁部交叉地配置并且以相互倾斜地相对的方式配置的一对第2壁部72。其中，在第1壁部71形成有与排出口25a连通的开口71a，以使得从排出口25a排出的冷风经由开口71a而被供给至罩70的内侧。
此处，以固相萃取部10位于排出管25的延长部分上、并且排出管25的轴向与固相萃取部10的轴向交叉(例如正交)的方式配置排出管25。
罩70可以覆盖固相萃取部10的整体，也可覆盖固相萃取部10的一部分。图6(a)所示的例子中，固相萃取部10的小径部10b(后述)的、位于靠近排出管25一侧的一半部分被罩70覆盖。
罩70的材料没有特别限制，例如优选由导热系数小于后述的散热器80的材料(树脂等)构成。
需要说明的是，制造装置100也可不具有罩70。
如图6(a)及图6(b)所示，制造装置100例如具有被配置在固相萃取部10的周围的散热器80。
作为散热器80，例如可使用筒状的金属构件，固相萃取部10可以以插通于散热器80的内部的状态进行配置。构成散热器80的金属材料没有特别限制，优选为导热性优异的金属材料，例如可以是铝、铜、或它们的合金。
从排出口25a排出的冷风被吹在散热器80的外表面上。因此，固相萃取部10可经由散热器80进行冷却。
通过经由散热器80而对固相萃取部10进行冷却，从而能更均匀地对固相萃取部10进行冷却。
此处，固相萃取部10例如被称为短柱，其以相互同轴的配置方式具有分别形成为圆柱状的大径部10a及小径部10b、阳连接器(male connector)11、和阴连接器(femaleconnector)12。该情况下，例如可使固相萃取部10的小径部10b插通于散热器80。该情况下，冷却部20将会对小径部10b进行局部冷却。但也可利用冷却部20将固相萃取部10的整体均匀地冷却。
此处，固相萃取部10中，在除了阳连接器11及阴连接器12之外的部位、即大径部10a及小径部10b的内部，填充有填充剂。因此，也可利用冷却部20对大径部10a及小径部10b进行局部冷却。
在如图6(a)所示的那样将固相萃取部10的轴向沿水平方向进行配置时，即使并非必须将散热器80固定于固相萃取部10，也能够以散热器80不从固相萃取部10脱落的方式利用固相萃取部10来保持散热器80。但将散热器80固定于固相萃取部10也是优选的。
另外，在制造装置100具有罩70的情况下，罩70例如可以以隔着散热器80的方式覆盖固相萃取部10。
需要说明的是，图6(b)中，关于排出管25、罩70及散热器80，示出了截面形状，关于其他构成，示出了侧面形状。另外，图6(b)中，省略了固相萃取部10的图示。
如图7所示，制造装置100具有：检测固相萃取部10的表面温度的温度检测部90；根据由温度检测部90得到的检测结果对涡流管21的动作进行控制的控制部110；和通过控制部110进行控制的电磁阀120。
如图6(a)所示，温度检测部90例如为热电偶，在其一端设置有端子91，该端子91通过螺栓等紧固构件92而固定于散热器80。即，温度检测部90例如可通过检测散热器80的温度(表面温度)从而间接地检测固相萃取部10的表面温度。但温度检测部90也可直接检测固相萃取部10的表面温度。
电磁阀120例如设置于压缩空气供给管102(图2)，在控制部110的控制下，进行向涡流管21供给压缩空气的状态和不向涡流管21供给压缩空气的状态的切换。
控制部110例如以将固相萃取部10的表面温度维持为规定范围内的温度的方式，根据由温度检测部90得到的检测结果来对电磁阀120进行反馈控制。
作为一例，可按照以下方式控制电磁阀120：预先设定任意的目标温度，向涡流管21供给压缩空气，直至通过温度检测部90检测到的温度成为目标温度以下，通过温度检测部90检测到的温度成为目标温度以下时，停止压缩空气向涡流管21的供给。在以下的实施方式中，将这样的反馈控制称为第1控制。
但是，也可通过PID控制(Proportional Integral Derivative Control，比例-积分-微分控制)等更高精度的反馈控制来对电磁阀120的动作进行控制。在以下的实施方式中，将PID控制称为第2控制。
需要说明的是，制造装置100还可具有与冷却部20不同的、将该制造装置100的整体调节为一定的室温(包括冷却)的调温部。但是，该情况下，冷却部20可将固相萃取部10冷却至比基于调温部而得到的冷却温度更低的温度。
＜第2实施方式的变形例＞
图8为表示第2实施方式的变形例涉及的放射性标记化合物的制造装置(省略整体图示)的固相萃取部10及散热器80的正视图。
本变形例的情况下，固相萃取部10的轴向沿与水平方向交叉的方向(例如竖直方向)延伸，并且，在较之大径部10a而言小径部10b被配置于下方的状态下，小径部10b被插通于散热器80。该情况下，为了抑制散热器80从小径部10b脱落，优选利用夹具210将散热器80固定于固相萃取部10。
夹具210例如具有保持大径部10a的外周面的第1保持部211、和保持构成散热器80的金属筒的下端的第2保持部212。需要说明的是，第2保持部212在构成散热器80的金属筒的下端具有进行卡合的一对卡定片，该一对卡定片以将阴连接器12夹在中间的方式配置于阴连接器12的两侧。
此处，散热器80的内径大于小径部10b的外径，但小于大径部10a的外径。而且，第2保持部212的一对卡定片由可发生弹性变形的材料构成，通过弹力作用，将散热器80推压至大径部10a(即，向上方推压)。由此，可利用夹具210将散热器80稳定地固定于固相萃取部10。
需要说明的是，对于夹具210而言，例如其整体由金属构成。但夹具210也可由能够发生弹性变形的树脂材料构成。
〔第3实施方式〕
图9是用于说明第3实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置100的图。本实施方式涉及的制造装置100在以下说明的方面与上述的第2实施方式涉及的制造装置100不同，在其他方面与上述的第2实施方式涉及的制造装置100同样地构成。
本实施方式的情况下，制造装置100为能够实现使用图9在下文中说明的功能而具有适当的构成。
制造装置100的阀座32(参见图2)中，安装有图3所例示的那样的流路筒60的三通旋塞阀62。需要说明的是，固相萃取部10可以如图9所示的那样插入到流路筒60的三通旋塞阀62彼此之间，从而多个三通旋塞阀62与固相萃取部10沿纵向串联配置。该情况下，与图2所示的情况不同，固相萃取部10的轴向被竖直配置。
此处，图9中，在各三通旋塞阀62的左侧、上侧或下侧标注与各三通旋塞阀62对应的附图标记即附图标记C01～C30。
其中，储存含有18F离子的18O水的槽(tank)311和储存水的槽312与三通旋塞阀C01连接，在三通旋塞阀C02上安装有注入水的注射器，在三通旋塞阀C03上安装有注入盐酸的注射器。槽311及312可被搭载在机壳40上。三通旋塞阀C19与C18经由管(tube)321连接，三通旋塞阀C20与C13经由管322连接。三通旋塞阀C06与C07经由作为被称为tC18柱的反相柱的固相萃取部10连接。本实施方式的情况下，固相萃取部10也是短柱。
固相萃取部10具有树脂制的容器、和被填充在该容器中的填充剂。填充剂为硅胶，例如，具有碳原子数为1以上18以下的烷基链经由硅而与载体键合而成的结构。更具体而言，该填充剂例如为用十八烷基甲硅烷基(Octa Decyl Silyl)基(C18H37Si)对(珠粒的)表面进行了修饰而得到的化学键合型多孔性球状硅胶，将该填充剂作为固定相填充至固相萃取部10。
以下，使用图9所示的制造装置100，说明制造[18F]FACBC的例子。
＜F化处理＞
首先，分别旋转三通旋塞阀C06、C20及C13的把手，将含有18F离子的18O水通入至例如QMA等阴离子交换树脂(AER)，使18F离子吸附于阴离子交换树脂。18O水从三通旋塞阀C12中通过，被回收至回收容器(BT)。需要说明的是，回收容器(BT)例如搭载于机壳40。
此处，被QMA等阴离子交换树脂捕集的18F离子的放射性例如可通过内置于机壳40中的放射线检测器进行检测。
接下来，分别旋转三通旋塞阀C05、C013、C11及C10的把手，使安装于机壳40的注射器驱动机构工作，将收纳在注射器中的碳酸钾水溶液压出，使18F离子从阴离子交换树脂洗脱，经由三通旋塞阀C10而回收至第1反应容器(RV1)。该第1反应容器(RV1)也可搭载于机壳40。
向第1反应容器(RV1)中添加Kryptofix 222(商品名)的乙腈溶液，分别使三通旋塞阀C18、C17、C08、C10的把手旋转，在非活性气体(He气)气流下进行共沸干固。
需要说明的是，在第1反应容器(RV1)处，安装有用于经由切换阀而与成为通气口(vent)的抽吸泵、及挥发的乙腈和水的回收容器进行连接的线路，但将该线路的图示省略。然后，旋转三通旋塞阀C09的把手，使注射器驱动机构工作，通过三通旋塞阀C10将作为[18F]FACBC的标记前体化合物的乙腈溶液添加至第1反应容器(RV1)中，进行[18F]氟化反应。
这样，通过向标记前体化合物中导入作为放射性同位素的18F，从而生成作为中间体化合物的[18F]氟化化合物。
此处，第1反应容器(RV1)作为向标记前体化合物中导入放射性同位素的标记导入部340而发挥功能。
＜柱捕集处理＞
反应结束后，分别旋转三通旋塞阀C06、C13、C14的把手，将[18F]氟化化合物吸附于作为反相柱的固相萃取部10。作为溶剂的乙腈从三通旋塞阀C14中通过，被回收至废液小瓶(Waste(废弃物))中。
＜碱水解处理(第一NaOH处理，第二NaOH处理)＞
然后，分别旋转三通旋塞阀C07、C15的把手，使注射器驱动机构工作，分2次使收纳在注射器中的氢氧化钠水溶液通过作为反相柱的固相萃取部10，进行碱水解处理。由此，在固相萃取部10上进行中间体化合物([18F]氟化化合物)的羧酸的保护基的脱保护(脱酯化)。
即，作为特定处理，用固相萃取部10进行基于碱水解的脱酯化。
本说明书中，有时将第1次的利用氢氧化钠水溶液的通液而进行的碱水解处理称为第一NaOH处理，将第2次的利用氢氧化钠水溶液的通液而进行的碱水解处理称为第二NaOH处理。
碱水解处理中使用的氢氧化钠水溶液被回收至第2反应容器(RV2)。此处，第2反应容器(RV2)也可搭载于机壳40。需要说明的是，第2反应容器(RV2)连接有可经由切换阀而与通气口(vent)进行连接的线路，但省略该线路的图示。
＜水洗涤处理＞
接下来，分别旋转三通旋塞阀C01、C02的把手，驱动注射器驱动机构，将槽312的水填充至被安装于三通旋塞阀C02的注射器中。然后，分别旋转三通旋塞阀C02、C15的把手，使注射器驱动机构工作，向作为反相柱的固相萃取部10中注入水，将经脱酯化的中间体化合物([18F]氟化化合物)从固相萃取部10洗脱，并将其回收至第2反应容器(RV2)。经脱酯化的中间体化合物在第2反应容器(RV2)中与预先回收的氢氧化钠水溶液合并。
＜酸水解反应处理＞
接下来，旋转三通旋塞阀C03的把手，使注射器驱动机构工作，向第2反应容器(RV2)中添加收纳在注射器中的盐酸。在第2反应容器(RV2)中，在酸性条件下进行水解反应(酸水解反应处理)，由此，进行经脱酯化的中间体化合物的氨基保护基的脱保护。此处，第2反应容器(RV2)作为酸水解部360而发挥功能。
＜纯化处理＞
然后，分别旋转三通旋塞阀C15、C016、C27、C28的把手，向离子阻滞树脂(IRR)、氧化铝(Al)及反相柱(以下记为纯化柱330)中通液，将[18F]FACBC回收至目标物回收容器350中。
然后，根据需要，可分别旋转三通旋塞阀C01、C02的把手，驱动注射器驱动机构，将槽312的水填充至被安装于三通旋塞阀C02的注射器中，然后，分别旋转三通旋塞阀C02、C06、C19、C18、C16的把手，驱动注射器驱动机构，用水洗涤纯化柱330。
另外，向纯化柱330中通液后，可在经由三通旋塞阀C28将[18F]FACBC回收至目标物回收容器350之前，旋转三通旋塞阀C27的把手，将洗脱液注入至HPLC(高效液相色谱(HighPerformance Liquid Chromatography))柱(未图示)，利用HPLC进行[18F]FACBC的纯化。该情况下，预先对泵进行驱动而使展开溶剂填充于HPLC柱中。使已通过HPLC柱的展开溶剂从三通旋塞阀C24、C23、C29、C30中通过而将其废弃。从进样器(injector)向HPLC柱中注入[18F]FACBC后，使用放射线检测器来掌握[18F]FACBC的峰，控制三通旋塞阀C28、C29的把手，从三通旋塞阀C28分取[18F]FACBC的峰。
通过上述操作，可得到[18F]FACBC。
此处，如上所述，进行F化处理([18F]氟化反应)的第1反应容器(RV1)作为向标记前体化合物中导入作为放射性同位素的放射性氟(18F)的标记导入部340而发挥功能。而且，在第1反应容器(RV1)中向标记前体化合物导入放射性同位素从而生成作为中间体化合物的放射性氟标记体酯的处理(标记导入处理)在高于室温的温度下进行。
另一方面，在利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却的同时，进行在固相萃取部10中使通过标记导入处理而得到的中间体化合物(放射性氟标记体酯)进行反应的处理(特定处理)。
如此，本实施方式涉及的制造装置100还具有向标记前体化合物中导入放射性同位素的标记导入部340(第1反应容器(RV1))，该制造装置100实施下述处理：标记导入处理，其中，在标记导入部340中以高于室温的温度向标记前体化合物中导入放射性同位素，从而生成中间体化合物；和特定处理，其为通过标记导入处理而得到的中间体化合物的反应。
由此，可抑制因在特定处理时固相萃取部10成为高温而导致的不良情况的产生。
需要说明的是，由于标记导入处理在高于室温的温度下进行，因此，利用冷却部20将制造装置100的整体冷却至一定温度的方式是不理想的，优选利用冷却部20对固相萃取部10进行局部冷却。
此处，在如上文所述那样使用HPLC柱并采用HPLC进行[18F]FACBC的纯化的情况下，不需要利用冷却部20来冷却HPLC柱。即，制造装置100具有固相萃取部10和HPLC柱时，冷却部20选择性地冷却固相萃取部10和HPLC柱中的固相萃取部10。
另外，特定处理是在碱的存在下针对具有酯基的中间体化合物([18F]氟化化合物)进行的酯基的水解反应。
即，特定处理是使用碱水溶液进行中间体化合物的脱酯化的碱水解处理。
作为脱酯化中使用的碱水溶液，可使用例如氢氧化钠水溶液、或氢氧化钾水溶液。
另外，本实施方式涉及的制造装置100还具有在酸性条件下对通过利用特定处理实施反应而得到的化合物进行水解反应的酸水解部360。
本实施方式的情况下，酸水解部360为第2反应容器(RV2)，水解反应为上述的酸水解反应处理。
更具体而言，例如，在特定处理中，将下述式(1)表示的中间体化合物保持于固相萃取部10，在用冷却部20对固相萃取部10进行冷却的同时，向固相萃取部10中通入碱溶液，由此得到下述式(2)表示的化合物。
[化学式1]
Figure GDA0001483420240000201
(式中，R1为直链或支链的碳原子数为1～10的烷基链或芳香族取代基，R2为保护基)
[化学式2]
Figure GDA0001483420240000202
(式中，X为脱酯化中使用的前述碱溶液中包含的阳离子(例如，钠或钾)，R2为保护基)
而且，在酸性条件下的水解反应(上述酸水解反应处理)中，通过在酸性条件下对经特定处理而得到的化合物进行水解反应，从而进行氨基保护基的脱保护(及羧酸保护基的脱保护)，得到下述式(3)表示的化合物。
[化学式3]
Figure GDA0001483420240000211
此处，对于利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却的期间而言，只要是至少包括碱水解处理(特定处理)的至少一部分期间的期间即可，没有特别限制。但优选包括碱水解处理(特定处理)的整个期间，该情况下，可以是从F化处理(标记导入处理)的中途或结束后直到酸水解反应处理的中途或开始前为止的期间，也可以是从F化处理的结束后直到水洗涤处理的开始前为止的期间(即，仅特定处理的期间内)。
此处，如上所述，在制造[18F]FACBC时，若在脱保护工序中固相萃取部10成为高温，则会产生纯化柱330(上述离子阻滞树脂(IRR)、氧化铝(Al)及反相柱)堵塞、从而导致无法在纯化柱中输送反应液这样的现象，有时难以合适地进行[18F]FACBC的纯化。
使用图11对此进行说明。
图11为表示制造[18F]FACBC时的固相萃取部10的表面温度、与固相萃取部10的下游侧的硅的溶出量的关系的图。更具体而言，表示上述的碱水解处理(第一NaOH处理及第二NaOH处理)时的固相萃取部10的表面温度、与固相萃取部10的下游侧的硅的溶出量的关系。
需要说明的是，图11的例子中，固相萃取部10的表面温度是通过检测散热器80的表面温度而间接地检测的。
由图11可知，硅的溶出量与碱水解处理时的固相萃取部10的表面温度存在正相关关系。
本申请的发明人推测，在固相萃取部10的下游侧检测到的硅为从固相萃取部10中溶出的硅。更具体而言，推测从固相萃取部10中溶出的硅来自固相萃取部10的填充剂。即，认为十八烷基甲硅烷基(C18H37Si)从化学键合型多孔性球状硅胶的珠粒中分离并从固相萃取部10溶出。
而且，认为从固相萃取部10中溶出的硅会堵塞纯化柱，由此无法在纯化柱中送出反应液。
本申请的发明人进一步进行了研究，结果获知，通过在将固相萃取部10的表面温度维持为30℃以下的同时进行碱水解处理，可降低纯化柱330的堵塞的发生频率，通过在将固相萃取部10的表面温度维持为20℃以下的同时进行碱水解处理，可进一步降低纯化柱330的堵塞的发生频率。
另一方面，获知了在将固相萃取部10的表面温度设定为高于30℃的温度并进行碱水解处理的情况下，硅的溶出量增大至有可能发生纯化柱330的堵塞的水平(超过图11的允许水平LV的水平)的频率会提高。
更具体而言，获知了例如在将固相萃取部10的表面温度设定为40℃并进行碱水解处理时，会以比30℃时更高的频率发生下述情况：硅的溶出量增大至发生纯化柱330的堵塞的水平。
因此，在碱水解处理中，通过将固相萃取部10的表面温度维持为30℃以下，可合适地抑制纯化柱中的反应液的堵塞。另外，碱水解处理中，进一步优选将固相萃取部10维持为25℃以下。
即，特定处理中，对于具有酯基的中间体化合物而言，优选的是，在将固相萃取部10的表面温度维持为30℃以下的同时，在碱的存在下对该中间体化合物的酯基进行水解；进一步优选的是，在将固相萃取部10的表面温度维持为25℃以下的同时进行该水解。
另外，固相萃取部10的温度过低时，碱水解处理的效率也降低，因而，在碱水解处理中，优选将固相萃取部10的表面温度维持为15℃以上。由此，可抑制下述情况的发生：在具有半衰期短的核素的放射性标记化合物的制造中需要大量的时间。
由此，碱水解处理中的固相萃取部10的表面温度优选设定为15℃以上25℃以下。
本实施方式中，如上所述，在利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却的同时进行碱水解处理。
由此，如以下所说明的那样，可抑制固相萃取部10成为高温。结果，可将碱水解处理中的从固相萃取部10中溶出的硅的溶出量维持为低水平，因此，可抑制纯化柱中的反应液的堵塞。
图10为表示第3实施方式涉及的放射性标记化合物的制造装置100的固相萃取部10、及比较方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的固相萃取部的表面温度变化的一例的时间图，其表示实际的测量结果。
图10中，示出了进行上述的F化处理、柱捕集处理、碱水解处理(第一NaOH处理、第二NaOH处理)及水洗涤处理的期间(以下称为测量期间)内的散热器80的表面温度、即利用温度检测部90而检测到的温度的推移。
此处，图10中，作为本实施方式的优选例，示出了通过上述的第1控制(图中，有冷却(开/关))、和上述的第2控制(图中，有冷却(PID))这2种反馈控制而分别对固相萃取部10进行冷却的情况。需要说明的是，第1控制、第2控制中的冷却的目标温度均为20℃。
另一方面，比较方式涉及的放射性标记化合物的制造装置在不具有冷却部20这方面上与本实施方式涉及的制造装置100不同。因此，在使用了比较方式涉及的放射性标记化合物的制造装置的例子(图中，无冷却)中，在测量期间内不利用冷却部20对固相萃取部10进行冷却。
如图10所示，在比较方式的情况下，在第一NaOH处理和第二NaOH处理中，分别观测到了散热器80的表面温度的上升，并且，在第一NaOH处理和第二NaOH处理中，分别产生了散热器80的表面温度成为30℃以上的时刻。
而与此相对，在本实施方式的情况下，在第1控制、第2控制中的任意情况下，遍及整个测量期间(包括第一NaOH处理和第二NaOH处理)，散热器80的表面温度均被维持为25℃以下且15℃以上。
如此，通过本实施方式，可抑制在特定处理中固相萃取部10成为高温，因此，可抑制因在特定处理中固相萃取部10成为高温而导致的不良情况(纯化柱的堵塞)的产生。
需要说明的是，在上述的第3实施方式中，对使用在第2实施方式中说明的那样的制造装置100制造[18F]FACBC的情况进行了说明，但对于在第2实施方式中说明的那样的制造装置100而言，通过适当变更构成要素的种类的选择及配置、三通旋塞阀的阀门的驱动方式等，从而也可用于[18F]氟美他酚(Flutemetamol)、2-[18F]氟-2-脱氧-D-葡萄糖(FDG)等其他放射性标记化合物的制造。
其中，FDG的制造可如下所述地进行。
首先，与制造[18F]FACBC时同样地，向用于制造FDG的标记前体化合物中导入放射性同位素，由此生成中间体化合物。该中间体化合物是2-[18F]氟-1,3,4,6-四-O-乙酰基-D-葡萄糖，可简称为四乙酰基氟代葡萄糖或TAFg。
接下来，将中间体化合物(TAFg)吸附于固相萃取部10，经1次或多次向固相萃取部10中通入NaOH等的碱溶液，进行中间体化合物(TAFg)的脱保护处理(碱水解处理)。然后，与制造[18F]FACBC时同样地，进行水洗涤处理及纯化处理，由此可得到FDG。
此处，在FDG的制造中，放射性同位素向标记前体化合物的导入在与固相萃取部10不同的容器(标记导入部)中以高于室温的温度进行。
然后，在利用冷却部20对固相萃取部10进行局部冷却的同时，用固相萃取部10实施针对中间体化合物(TAFg)(所述中间体化合物是通过向标记前体化合物中导入放射性同位素而得到的)而进行的上述脱保护处理(碱水解处理)。
另外，在[18F]氟美他酚的制造中，可使用盐酸等酸进行导入了放射性同位素的中间体化合物的脱保护。可在使中间体化合物吸附于固相萃取部10的状态下，在对固相萃取部10进行局部冷却的同时，用固相萃取部10进行该脱保护。
该情况下，对于制造装置100而言，可在多个(例如2个)固相萃取部10中分别进行脱保护。该情况下，可以使得具有与各固相萃取部1对1地对应的2个冷却部20，并利用各冷却部20对各自对应的固相萃取部10进行冷却。进而，该情况下，例如可使2个冷却部20支撑于上述的支撑器具50。
需要说明的是，对通过标记导入处理而得到的中间体化合物进行的特定处理并不限于中间体化合物的反应，也可以是中间体化合物的纯化。
另外，在酸水解部进行的酸性条件下的水解反应并不限于针对通过利用特定处理实施中间体化合物的反应而得到的化合物进行的水解反应，也可以是针对通过利用特定处理实施中间体化合物的纯化而得到的化合物进行的水解反应。
＜变形例＞
另外，在上述的第2实施方式中，详细地说明了冷却部20利用冷风对固相萃取部10进行冷却的例子，但如上文所述，冷却部也可以是使用循环水对固相萃取部10进行冷却的方式(水冷式)。此处，使用图12来说明水冷式的冷却部的结构的例子。
该情况下，如图12所示的那样，冷却部具有金属制的冷却管220而构成。从导热性的观点考虑，冷却管220优选为铜管。冷却管220具有缠绕在固相萃取部10的周围的卷绕部。卷绕部例如通过将冷却管220的一部分以贴合卷绕的方式卷绕多次而构成。
固相萃取部10中，缠绕有冷却管220的部分(即，设置有卷绕部的部分)例如是圆筒状的主体部(相当于上述的大径部10a和小径部10b)。
在冷却管220的表面上贴合有作为温度检测部90的热电偶。
冷却管220的卷绕部在一端侧具有向该卷绕部中导入循环水(冷却水)的导入端222，在另一端侧具有从该卷绕部排出循环水的排出端221。
此处，对于固相萃取部10而言，从图12的右边(三通旋塞阀62侧)流入化学药液等流动物质，从图12的左边流出化学药液等流动物质。因此，固相萃取部10中，图12的右边部分的温度更高。而且，冷却管220的卷绕部的排出端221配置在比导入端222更靠右边的位置。即，在冷却管220的卷绕部中流动的循环水温度最高的部分配置在固相萃取部10的高温侧(图12的右边)。由此，易于在循环水与固相萃取部10之间产生温度差，因此，利用循环水进行的固相萃取部10的冷却是稳定的。
本实施方式包含以下的技术构思。
(1)放射性标记化合物的制造装置，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造装置具有：固相萃取部，所述固相萃取部实施特定处理，所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或前述放射性标记化合物的纯化；和冷却部，在实施前述特定处理时，所述冷却部对前述固相萃取部进行冷却。
(2)(1)所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，前述固相萃取部具有键合有甲硅烷基的固相载体，并在碱的存在下实施前述特定处理。
(3)(1)或(2)所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有向前述标记前体化合物中导入前述放射性同位素的标记导入部，该制造装置实施下述处理：标记导入处理，其中，在前述标记导入部中以高于室温的温度向前述标记前体化合物中导入前述放射性同位素，从而生成前述中间体化合物；前述特定处理，所述特定处理是经前述标记导入处理而得到的前述中间体化合物的反应或纯化。
(4)(3)所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，前述特定处理是在碱的存在下对具有酯基的前述中间体化合物进行的前述酯基的水解反应。
(5)(3)或(4)所述的放射性标记化合物的制造装置，其还具有酸水解部，所述酸水解部在酸性条件下对通过利用前述特定处理而实施前述反应或前述纯化从而得到的化合物进行水解反应。
(6)(1)～(5)中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，在前述特定处理中，
将上述式(1)表示的前述中间体化合物保持于前述固相萃取部，在用前述冷却部对前述固相萃取部进行冷却的同时，向前述固相萃取部中通入碱溶液，由此得到上述式(2)表示的化合物。
(7)(1)～(6)中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，前述冷却部包括利用冷风对前述固相萃取部进行冷却的冷风装置。
(8)(7)所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，前述冷风装置包括涡流管，所述涡流管具有导入压缩空气的导入部、吹出冷风的冷风输出部、和吹出热风的热风输出部，
以使得前述热风输出部朝向以前述导入部为基准而与前述固相萃取部侧相反的一侧吹出前述热风的方式，配置有前述涡流管。
(9)(7)或(8)所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有覆盖前述固相萃取部的罩，前述冷风装置向前述罩的内部供给前述冷风。
(10)(1)～(9)中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有被配置在前述固相萃取部的周围的散热器。
(11)放射性标记化合物的制造方法，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造方法具有下述工序：在对保持有中间体化合物或前述放射性标记化合物的固相萃取部进行局部冷却的同时、用前述固相萃取部进行特定处理的工序，所述特定处理为前述中间体化合物的反应、前述中间体化合物的纯化、或前述放射性标记化合物的纯化。
(12)(11)所述的放射性标记化合物的制造方法，其中，前述固相萃取部具有键合有甲硅烷基的固相载体，并在碱的存在下实施前述特定处理。
(13)(11)或(12)所述的放射性标记化合物的制造方法，其中，在前述特定处理中，针对具有酯基的前述中间体化合物，在将前述固相萃取部的表面温度维持为30℃以下的同时，在碱的存在下对该中间体化合物的前述酯基进行水解。
本申请主张以于2015年6月5日提出申请的日本申请特愿2015-115179号为基础的优先权，将其公开的全部内容并入本文。

Claims (10)

1.放射性标记化合物的制造装置，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造装置具有：
固相萃取部，所述固相萃取部实施特定处理，所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或所述放射性标记化合物的纯化，和
冷却部，在实施所述特定处理时，所述冷却部对所述固相萃取部进行冷却，
其中，所述固相萃取部具有键合有甲硅烷基的固相载体，并在碱的存在下实施所述特定处理，
其中，所述冷却部包括利用冷风对所述固相萃取部进行冷却的冷风装置。
2.如权利要求1所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有向所述标记前体化合物中导入所述放射性同位素的标记导入部，
所述制造装置实施下述处理：
标记导入处理，其中，在所述标记导入部中以高于室温的温度向所述标记前体化合物中导入所述放射性同位素，从而生成所述中间体化合物；和
所述特定处理，其是经所述标记导入处理而得到的所述中间体化合物的反应或纯化。
3.如权利要求2所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，所述特定处理是在碱的存在下对具有酯基的所述中间体化合物进行的所述酯基的水解反应。
4.如权利要求2或3所述的放射性标记化合物的制造装置，其还具有酸水解部，所述酸水解部在酸性条件下对通过实施作为所述特定处理的所述反应或所述纯化而得到的化合物进行水解反应。
5.如权利要求1～3中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，在所述特定处理中，将下述式(1)表示的所述中间体化合物保持于所述固相萃取部，在用所述冷却部对所述固相萃取部进行冷却的同时，向所述固相萃取部中通入碱溶液，由此得到下述式(2)表示的化合物，
[化学式1]
Figure FDA0002447792870000021
式(1)中，R1为直链或支链的碳原子数为1～10的烷基链或芳香族取代基，R2为保护基，
[化学式2]
Figure FDA0002447792870000022
式(2)中，X为钠或钾，R2为保护基。
6.如权利要求1～3中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其中，所述冷风装置包括涡流管，所述涡流管具有导入压缩空气的导入部、吹出冷风的冷风输出部、和吹出热风的热风输出部，
以使得所述热风输出部朝向以所述导入部为基准而与所述固相萃取部侧相反的一侧吹出所述热风的方式，配置有所述涡流管。
7.如权利要求1～3中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有覆盖所述固相萃取部的罩，
所述冷风装置向所述罩的内部供给所述冷风。
8.如权利要求1～3中任一项所述的放射性标记化合物的制造装置，其具有被配置在所述固相萃取部的周围的散热器。
9.放射性标记化合物的制造方法，其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物，所述放射性标记化合物的制造方法具有下述工序：
在对保持有中间体化合物或所述放射性标记化合物的固相萃取部进行局部冷却的同时、用所述固相萃取部进行特定处理的工序，所述特定处理为所述中间体化合物的反应、所述中间体化合物的纯化、或所述放射性标记化合物的纯化，
其中，所述固相萃取部具有键合有甲硅烷基的固相载体，并在碱的存在下实施所述特定处理。
10.如权利要求9所述的放射性标记化合物的制造方法，其中，在所述特定处理中，针对具有酯基的所述中间体化合物，在将所述固相萃取部的表面温度维持为30℃以下的同时，在碱的存在下对所述中间体化合物的所述酯基进行水解。
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