CN107607250B - 一种气压量测装置及气压量测方法 - Google Patents

一种气压量测装置及气压量测方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种气压量测装置,包括第一感测单元与第二感测单元,其中第一感测单元包括半导体层结构、薄膜以及支撑件。半导体层结构具有腔体以连通外部环境。薄膜可移动且可变形地配置于半导体层结构并悬于腔体。支撑件设置于半导体层结构与薄膜之间。静电力适于被提供在半导体层结构与薄膜之间,以驱动薄膜,而使半导体层结构的局部、支撑件与薄膜接触在一起并在腔体内形成密闭空间。薄膜分隔于外部环境与密闭空间之间,且薄膜因外部环境与密闭空间的气压差异而产生变形。另公开一种气压量测方法。

Description

一种气压量测装置及气压量测方法
技术领域
本发明涉及一种气压量测装置及气压量测方法。
背景技术
以微机电技术制作的微型压力计,目前已广泛应用于消费性电子产品、车用电子产品、医疗电子产品及工业电子产品等应用领域。惟,所述产品的使用环境多异,以单一型态的气压量测装置而言,当所述产品在差异较大的环境下使用,常受限于压力计的感测范围或感测精度,而无法准确地量测出所处环境下的压力或是因压力变化过大而导致失效。
举例来说,对于量测精度较大的压力计,其通常是藉由薄膜结构的细微变形,而据以取得精确的压力值。然其若处在压力变化较大的环境,例如航空器,由于短时间内压力变化过大,因此容易造成薄膜的变形量过大而导致输出饱和甚或薄膜损伤。据此,如何使压力计能兼具较大压力感测范围及较高的感测精度,并藉以提高压力计的适用性,实为相关人员所需思考解决的课题。
发明内容
本发明的目的是提供一种量测范围大且较精确的气压量测装置。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种气压量测装置,括一第一感测单元与一第二感测单元,所述第一感测单元包括:
一半导体层结构,所述半导体层结构具有一腔体,所述腔体连通外部环境;
一薄膜,可移动且可变形地配置于所述半导体层结构并悬于所述腔体;以及
一支撑件,设置于所述半导体层结构与所述薄膜之间,其中所述半导体层结构与所述薄膜之间适于提供静电力而驱动所述薄膜,以使所述半导体层结构的局部、所述支撑件与所述薄膜接触在一起并在所述腔体内形成一密闭空间,所述薄膜分隔于外部环境与所述密闭空间之间,且所述薄膜因外部环境与所述密闭空间的气压差异而变形。
优选地,还包括一弹性件,连接在所述半导体层结构与所述薄膜之间,所述静电力驱使薄膜所述朝向所述半导体层结构移动并使所述弹性件变形而使所述腔体形成所述密闭空间,当移除所述静电力时,所述弹性件的弹性恢复力驱使所述薄膜复位,且使所述腔体连通于外部环境。
优选地,还包括一控制模块,电性连接所述第一感测单元与所述第二感测单元,当所述密闭空间未形成时,所述控制模块的一讯号处理单元通过所述第二感测单元而测得外部环境的气压,当所述密闭空间形成时,所述讯号处理单元通过所述薄膜的变形以测得外部环境的气压变化。
优选地,还包括一壳体,所述第一感测单元、所述第二感测单元与所述控制模块设置于所述壳体内部,所述壳体具有一开孔,连通外部环境与所述壳体内部。
进一步优选地,其中所述半导体层结构包括,
一非导电区域;以及
一导电区域,迭置于所述非导电区域上,所述控制模块的一驱动单元提供偏压至所述导电区域与所述薄膜,并在所述导电区域与所述薄膜之间形成所述静电力。
进一步优选地,其中所述支撑件与所述薄膜为一体结构,且所述支撑件从所述薄膜朝向所述非导电区域延伸,所述静电力驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,以使所述支撑件接触于所述非导电区域而形成所述密闭空间。
进一步优选地,其中所述腔体至少包含一第一空间及一第二空间,所述第一空间与所述第二空间经由所述半导体层结构的至少一空隙而相互连通,当所述支撑件未接触于所述非导电区域时,所述第一空间、所述第二空间与外部环境连通,当所述支撑件接触于所述非导电区域时,所述第一空间与所述第二空间形成所述密闭空间。
进一步优选地,其中所述支撑件与所述半导体层结构为一体结构,且所述支撑件从所述非导电区域朝向所述薄膜延伸,所述静电力驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,以使所述薄膜接触于所述支撑件而形成所述密闭空间。
进一步优选地,其中所述腔体至少包含一第三空间,当所述薄膜未接触于所述支撑件时,所述第三空间与外部环境连通,当所述薄膜接触于所述支撑件时,所述第三空间形成所述密闭空间。
一种气压量测装置,其中所述第一感测单元的量测精度大于所述第二感测单元的量测精度,而所述第二感测单元的量测范围大于所述第一感测单元的量测范围。
一种气压量测方法,适用于一气压量测装置,所述气压量测装置包括一第一感测单元与一第二感测单元,其中所述第一感测单元的量测精度大于所述第二感测单元的量测精度,而所述第二感测单元的量测范围大于所述第一感测单元的量测范围,所述气压量测方法包括:
启动所述第二感测单元;以及
在所述第二感测单元工作的期间,在一第一时序启动所述第一感测单元,而在一第二时序关闭所述第一感测单元。
优选地,其中在所述第二感测单元工作的期间,所述第一感测单元持续地启闭。
优选地,其中所述第一感测单元包括一半导体层结构、一薄膜以及一支撑件,所述半导体层结构具有连通外部环境的一腔体,所述薄膜配置于所述半导体层结构且悬于所述腔体,所述支撑件位于所述薄膜与所述半导体层结构之间,所述气压量测方法还包括:
在所述第一时序时,驱动所述薄膜朝向所述半导体层结构移动,以使所述支撑件接触在所述薄膜与所述半导体层结构之间并形成一密闭空间,所述薄膜分隔于外部环境与所述密闭空间之间,以使所述薄膜因外部环境气压与所述密闭空间的气压差异产生变形而测得外部环境的气压。
进一步优选地,其中所述半导体层结构包括一非导电区域及一导电区域,所述导电区域正对于所述薄膜,所述支撑件与所述薄膜为一体结构,所述支撑件从所述薄膜朝向所述非导电区域延伸,而所述气压量测方法还包括:
提供偏压于所述导电区域与所述薄膜而产生静电力,以驱动所述薄膜朝向导电区域移动,而使所述支撑件接触于所述非导电区域并形成所述密闭空间。
进一步优选地,其中所述半导体层结构包括一非导电区域及一导电区域,所述导电区域正对于所述薄膜,所述支撑件与所述半导体层结构为一体结构,所述支撑件从所述非导电区域朝向所述薄膜延伸,而所述气压量测方法还包括:
提供偏压于所述导电区域与所述薄膜而产生静电力,以驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,而使所述薄膜接触于所述支撑件并形成所述密闭空间。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
气压量测装置通过第一感测单元是以可动薄膜设置于半导体层结构且悬于腔体,进而通过静电力驱动薄膜,并使薄膜、支撑件与半导体层结构的局部是相互接触而在腔体内形成密闭空间,故能通过薄膜因密闭空间与外部环境的气压差异而变形,并据以得知此时较为精确的气压值。一旦不使用,则静电力消除而解除前述构件的密闭空间的状态,让腔体内部的气压能与外部环境一致,因而有效地防止因压力变化过大所可能让薄膜失效的状态。此举通过第一感测单元的结构设计而得以使气压量测装置具有高精度与耐用性效果。
此外,本发明的气压量测方法,其以能量测较大范围但精度较低的第二感测单元与前述第一感测单元搭配。即,在第二感测单元启动的同时,以间歇式启闭第一感测单元。如此,当处于压力变化较大的环境时,能先以第二感测单元顺利地量测出所处环境的气压后,再启动第一感测单元,使其以薄膜的变形而进一步得出较为精确的气压数值。所述第一感测单元是以间歇方式启闭,以让使用者取得较为精确的气压数值的同时,也避免薄膜处于压力变化过大的环境而导致失效。据此,通过第一感测单元与第二感测单元的相互搭配,气压量测装置及气压量测方法均能因此兼具较大量测范围以及较精确气压数值而具有较佳的适用性与耐用性。
附图说明
附图1为本发明一实施例的一种气压量测装置的示意图;
附图2为附图1的气压量测装置的第一感测单元的俯视示意图;
附图3为第一感测单元于状态一的剖视示意图;
附图4为第一感测单元于状态二的剖视示意图;
附图5为附图1的第二感测单元的剖视示意图;
附图6为气压量测装置的相关构件的方块图;
附图7为本发明实施例一关于感测单元的工作-时序示意图;
附图8为本发明实施例二的第一感测单元的剖视示意图;
附图9为附图8的第一感测单元于另一状态的剖视示意图。
以上附图中:
100:气压量测装置
110、210:第一感测单元
111、211:薄膜
112、212:电路基板
113、213:支撑件
114、116、214、216:半导体层
115、215:电极
116a:第二空隙
118、218:弹性件
118a、218a:第一空隙
120:第二感测单元
122:电路基板
124:半导体层
126:薄膜
128:压力感测单元
130:控制模块
132:驱动单元
134:讯号处理单元
140:壳体
142:开口
A-A’:剖线
A1、B1:导电区域
A2、B2:非导电区域
BS:半导体层结构
S1:第一空间
S2:第二空间
S3:第三空间
S1a、S1b、S3a、S3b、S3c:空间
t1:第一时序
t2:第二时序
V1:密闭空间。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述:
实施例一:参见附图1-4所示,在本实施例中,气压量测装置100包括壳体140及配置在壳体内的第一感测单元110、第二感测单元120以及控制模块130,其中控制模块130包括有特殊应用集成电路(Application-specific integrated circuit,ASIC)或其它具有类似功能的组件组成的功能性模块,其电性连接第一感测单元110与第二感测单元120。第一感测单元110可以为以微机电技术所制成的电容式压力传感器,而第二感测单元120可以为压阻式压力传感器。
在本实施例中,第一感测单元110的量测精度大于第二感测单元120的量测精度,而第二感测单元120的量测范围大于第一感测单元110的量测范围,由于第一感测单元110可侦测较小范围的压力变化且量测精度较高,而第二感测单元120可侦测大范围的绝对压力值且量测精度较低,因此,本实施例的气压量测装置能兼顾量测的范围与精度。具体的,本实施例中:第一感测单元110能侦测外部环境较小范围的压力变化而其量测精度约为0.01hPa,第二感测单元120的感测范围为300hPa至1100hPa且其最高量测精度为1hPa。据此,以控制模块130作为控制第一感测单元110与第二感测单元120之用,通过分别启闭第一感测单元110与第二感测单元120,而使二者在量测气压时相互搭配。此外,如附图1所示,壳体140具有开口142以连通外部环境,且开口142邻近第二感测单元120而远离第一感测单元110,以避免第一感测单元110因邻近开口142而易受外物影响无法工作的情形发生。
以下先行叙述本实施例之相关构件的部分,后续再叙述其操控方式。
请同时参考图2至图4,在本实施例的第一感测单元110适于配置在电路基板112上,而第一感测单元110包括半导体层结构BS、薄膜111、支撑件113以及弹性件118,其中半导体层结构BS是由堆栈在电路基板112上的多层半导体层114与116所构成,且同时形成腔体。在此,所述腔体实际上包含如图3、图4所示的第一空间S1、第二空间S2以及位在第一空间S1旁侧且与外部环境相连通的空间S1a与空间S1b。薄膜111可移动且可变形地配置于半导体层结构BS并悬于腔体。支撑件113设置于薄膜111与半导体层结构BS之间。半导体层116随同半导体层114配置于电路基板112上且位于腔体中,半导体层116具有多个电极115,其背对电路基板112而正对于薄膜111,并因而使半导体层结构BS形成具有所述电极115的导电区域A1,以及不具有所述电极115的非导电区域A2,前述控制模块130电性连接至电极115(导电区域A1)。在此,所述电路基板112、半导体层114与116以及电极115均能通过半导体制程所形成,因此这些构件其中至少任意二者可为一体结构。
此外,弹性件118连接在半导体层结构BS的半导体层114与薄膜111之间,如附图2所示,弹性件118实质上亦为半导体层,其通过所示镂空的第一空隙118a而得以形成为具有弹性的结构。如此一来,悬于腔体的薄膜111便能通过弹性件118而如附图3、附图4所示呈上、下移动的运动状态。据此,当控制模块130提供偏压至导电区域A1处的电极115与薄膜111时,便能产生静电力而驱使薄膜111朝向半导体层116上的导电区域A1移动,并因此变形弹性件118,如附图4所示;相反地,当控制模块130不再提供所述偏压而使静电力消失后,薄膜111便能因弹性件118的弹性恢复力而复位,如附图3所示。类似前述,薄膜111、弹性件118与支撑件113也是能通过半导体制程而一同形成。
参见附图3-4所示,支撑件113与薄膜111为一体结构,且支撑件113从薄膜111朝向半导体层116上的非导电区域A2延伸。当前述静电力驱动薄膜111朝向导电区域A1移动,会使支撑件113随着薄膜111移动而接触(抵接)于非导电区域A2,进而让半导体层结构BS的局部、支撑件113与薄膜111形成密闭空间V1。
详细而言,本实施例所述第一空间S1是位于薄膜111与导电区域A1之间,而第二空间S2是位于导电区域与电路基板112(以及部分半导体层114)之间,且第一空间S1与第二空间S2是经由半导体层结构BS的至少一第二空隙116a(在本实施例中绘示多个第二空隙为例,但不因此设限)而相互连通。
据此,如附图3所示,当尚未有静电力形成时,即支撑件113未接触非导电区域A2时,第一空间S1与第二空间S2除(经由第二空隙116a)彼此连通外,其尚能藉由空间S1a、S1b及前述弹性件118的第一空隙118a而与外部环境连通,因此腔体所包含之空间实际上与外部环境连通而保持一致的气压。接着,如附图4所示,当薄膜111因静电力而朝向导电区域A1移动以让支撑件113接触于非导电区域A2时,此时第一空间S1与第二空间S2形成密闭空间V1。因此,薄膜111便会因密闭空间V1与外部环境的气压差异而产生变形,如附图4中的虚线所示,进而据以得知此时的气压值。
参见附图5所示,本实施例的第二感测单元120包括电路基板122、半导体层124、薄膜126以及设置在薄膜126上的压力感测单元128,其中电路基板122与半导体层124类似于前述实施例之结构,而薄膜126则是采适用于较大压力感测范围者,其上配置的压力感测单元128用以测得薄膜126因气压而产生的变形量(如附图5中的虚线所示),而据以得知当下的对应气压值。
参见附图6-7所示,控制模块130实质上是通过驱动单元132而据以分别启、闭第一感测单元110与第二感测单元120,同时也能提供偏压至第一感测单元110以控制其薄膜111的上、下移动位置,达到密闭空间V1的形成与否。再者,当附图3-5所示的第一感测单元110与第二感测单元120如附图1所示配置于壳体140内之后,便能通过控制模块130操控第一感测单元110与第二感测单元120,其中控制模块130的讯号处理单元134用以分别处理第一感测单元110、第二感测单元120因各自薄膜110、126变形所产生的电容或电阻变化,而据以判断出当下的气压值。
在此仅以图7所示作动-时序示意图予以说明,首先于初始步骤先行启动第二感测单元120,以藉其直接获得初步的气压值,如前所述,第二感测单元120能适用于较大的压力改变范围,因此能不受影响地进行感测,而此时第一感测单元110处于如图3所示的关闭状态,因此薄膜111内、外(即,腔体与外部环境)的压力一致,因而避免第一感测单元110的薄膜111因压力变化而受损。接着,于第二感测单元120工作的期间,在第一时序t1时启动第一感测单元110,因此如图4所示,第一感测单元110内形成密闭空间V1,而以薄膜111分隔在密闭空间V1与外部环境之间,因而让气压差异所造成薄膜111变形而使第一感测单元110能测得当下的气压值。如前所述,第一感测单元110的量测精度大于第二感测单元120的量测精度,因而此时气压量测装置100能在第二感测单元120已取得初步气压值的情形下,通过第一感测单元110而取得更进一步精确的气压值。
接着,在第二时序t2时,再将第一感测单元110予以关闭,以让第一感测单元110从图4所示状态恢复至图3所示状态。此时密闭空间V1消失,而腔体内、外气压而得以再次平衡,达到重置(reset)的效果,而后再于不同时序再次开启第一感测单元110并持续重复所述启、闭动作。如此一来,在第二感测单元120的工作期间,随着间歇式地启、闭第一感测单元110,气压量测装置100便能形成兼具高动态范围及高精度的感测系统,且避免第一感测单元110可能因压力变化过大而发生输出饱和甚至失效的情形发生。此外,前述时序并未予以限制,其能依据气压量测装置所应用的产品与使用环境而予以适当地变更。
实施例二:参见附图8-9所示,本实施例与实施例一基本相同,不同之处在于:本实施例的第一感测单元210中,支撑件213是与半导体层结构的半导体层216为一体结构。
进一步地说,第一感测单元210适于配置在电路基板212上,而第一感测单元210包括半导体层结构(包含多个半导体层214与216)、薄膜211以及弹性件218。与前述实施例类似地,半导体层结构具有腔体,薄膜211经由弹性件218连接至半导体层214而可移动地悬于腔体,半导体层216上设置有正对于薄膜211的多个电极215,且以控制模块130(如附图1、附图6所示,在本实施例中予以省略)电性连接至电极215以供其偏压,且因此形成导电区域B1以及非导电区域B2。再者,支撑件213是从半导体层216的非导电区域B2朝向薄膜211延伸,且在本实施例中,所述腔体实质上为开放空间,亦即本实施例的腔体实质上是包含位于半导体层216的导电区域B1与薄膜211之间的第三空间S3、位于第三空间S3旁侧(非导电区域B2与薄膜211、弹性件218之间)的空间S3a、S3b,以及薄膜211与电路基板212之间的空间S3c。
据此,当第一感测单元210未开启时,第三空间S3实质上经由空间S3a、S3b与弹性件218的第一空隙218a而与空间S3c、外部环境连通,以让前述空间与外部环境的气压得以平衡。再者,当控制模块130提供偏压至导电区域B1处的电极215与薄膜211时,所形成静电力便能驱动薄膜211朝向导电区域B1移动,而使薄膜211接触位在非导电区域B2处的支撑件213,进而使第三空间S3成为密闭空间。如此一来,外部环境与密闭空间(第三空间S3)之间的气压差异便能通过薄膜211的变形而显现(如图9所示虚线),以使第一感测单元210得以测得当下的气压值,而达到与前述实施例相同的效果。
综上所述,在本发明的上述实施例中,气压量测装置通过量测精度较高的第一感测单元与量测范围较大的第二感测单元的相互搭配,其中第一感测单元还进一步地通过静电力驱使薄膜、支撑件与半导体层结构的局部之间形成密闭空间与否,并通过控制方法达到间歇式启、闭第一感测单元的目的,以此让第一感测单元得以提供较为精确的气压值,同时也能避免因压力变化过大而造成输出饱和或失效等问题,而让气压量测装置与气压量测方法能因此整合并兼具高动态范围与高精度的感测效果。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种气压量测装置,括一第一感测单元与一第二感测单元,其特征在于:所述第一感测单元包括:
一半导体层结构,所述半导体层结构具有一腔体,所述腔体连通外部环境;
一薄膜,可移动且可变形地配置于所述半导体层结构并悬于所述腔体;以及
一支撑件,设置于所述半导体层结构与所述薄膜之间,其中所述半导体层结构与所述薄膜之间适于提供静电力而驱动所述薄膜,以使所述半导体层结构的局部、所述支撑件与所述薄膜接触在一起并在所述腔体内形成一密闭空间,所述薄膜分隔于外部环境与所述密闭空间之间,且所述薄膜因外部环境与所述密闭空间的气压差异而变形;
其中所述第一感测单元的量测精度大于所述第二感测单元的量测精度,而所述第二感测单元的量测范围大于所述第一感测单元的量测范围。
2.根据权利要求1所述的一种气压量测装置,其特征在于:还包括一弹性件,连接在所述半导体层结构与所述薄膜之间,所述静电力驱使薄膜朝向所述半导体层结构移动并使所述弹性件变形而使所述腔体形成所述密闭空间,当移除所述静电力时,所述弹性件的弹性恢复力驱使所述薄膜复位,且使所述腔体连通于外部环境。
3.根据权利要求1所述的一种气压量测装置,其特征在于:还包括一控制模块,电性连接所述第一感测单元与所述第二感测单元,当所述密闭空间未形成时,所述控制模块的一讯号处理单元通过所述第二感测单元而测得外部环境的气压,当所述密闭空间形成时,所述讯号处理单元通过所述薄膜的变形以测得外部环境的气压变化。
4.根据权利要求1所述的一种气压量测装置,其特征在于:还包括一壳体,所述第一感测单元、所述第二感测单元与所述控制模块设置于所述壳体内部,所述壳体具有一开孔,连通外部环境与所述壳体内部。
5.根据权利要求3所述的一种气压量测装置,其特征在于:其中所述半导体层结构包括,
一非导电区域;以及
一导电区域,迭置于所述非导电区域上,所述控制模块的一驱动单元提供偏压至所述导电区域与所述薄膜,并在所述导电区域与所述薄膜之间形成所述静电力。
6.根据权利要求5所述的一种气压量测装置,其特征在于:其中所述支撑件与所述薄膜为一体结构,且所述支撑件从所述薄膜朝向所述非导电区域延伸,所述静电力驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,以使所述支撑件接触于所述非导电区域而形成所述密闭空间。
7.根据权利要求5所述的一种气压量测装置,其特征在于:其中所述腔体至少包含一第一空间及一第二空间,所述第一空间与所述第二空间经由所述半导体层结构的至少一空隙而相互连通,当所述支撑件未接触于所述非导电区域时,所述第一空间、所述第二空间与外部环境连通,当所述支撑件接触于所述非导电区域时,所述第一空间与所述第二空间形成所述密闭空间。
8.根据权利要求7所述的一种气压量测装置,其特征在于:其中所述支撑件与所述半导体层结构为一体结构,且所述支撑件从所述非导电区域朝向所述薄膜延伸,所述静电力驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,以使所述薄膜接触于所述支撑件而形成所述密闭空间。
9.根据权利要求8所述的一种气压量测装置,其特征在于:其中所述腔体至少包含一第三空间,当所述薄膜未接触于所述支撑件时,所述第三空间与外部环境连通,当所述薄膜接触于所述支撑件时,所述第三空间形成所述密闭空间。
10.一种气压量测方法,适用于一气压量测装置,所述气压量测装置包括一第一感测单元与一第二感测单元,其中所述第一感测单元的量测精度大于所述第二感测单元的量测精度,而所述第二感测单元的量测范围大于所述第一感测单元的量测范围,所述气压量测方法包括:
启动所述第二感测单元;以及
在所述第二感测单元工作的期间,在一第一时序启动所述第一感测单元,而在一第二时序关闭所述第一感测单元。
11.根据权利要求10所述的一种气压量测方法,其特征在于:其中在所述第二感测单元工作的期间,所述第一感测单元持续地启闭。
12.根据权利要求10所述的一种气压量测方法,其特征在于:其中所述第一感测单元包括一半导体层结构、一薄膜以及一支撑件,所述半导体层结构具有连通外部环境的一腔体,所述薄膜配置于所述半导体层结构且悬于所述腔体,所述支撑件位于所述薄膜与所述半导体层结构之间,所述气压量测方法还包括:
在所述第一时序时,驱动所述薄膜朝向所述半导体层结构移动,以使所述支撑件接触在所述薄膜与所述半导体层结构之间并形成一密闭空间,所述薄膜分隔于外部环境与所述密闭空间之间,以使所述薄膜因外部环境气压与所述密闭空间的气压差异产生变形而测得外部环境的气压。
13.根据权利要求12所述的一种气压量测方法,其特征在于:其中所述半导体层结构包括一非导电区域及一导电区域,所述导电区域正对于所述薄膜,所述支撑件与所述薄膜为一体结构,所述支撑件从所述薄膜朝向所述非导电区域延伸,而所述气压量测方法还包括:
提供偏压于所述导电区域与所述薄膜而产生静电力,以驱动所述薄膜朝向导电区域移动,而使所述支撑件接触于所述非导电区域并形成所述密闭空间。
14.根据权利要求12所述的一种气压量测方法,其特征在于:其中所述半导体层结构包括一非导电区域及一导电区域,所述导电区域正对于所述薄膜,所述支撑件与所述半导体层结构为一体结构,所述支撑件从所述非导电区域朝向所述薄膜延伸,而所述气压量测方法还包括:
提供偏压于所述导电区域与所述薄膜而产生静电力,以驱动所述薄膜朝向所述导电区域移动,而使所述薄膜接触于所述支撑件并形成所述密闭空间。
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