CN107598777B - 半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，包括：1）提供一待研磨晶圆，包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面及第二厚度的第二台面，该第一、第二台面上依次层叠有第一材料层及第二材料层，所述第一厚度大于所述第二厚度；2）采用化学机械研磨工艺对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，以及继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，对所述待研磨晶圆继续研磨。本发明通过在特定的时机点对制程配方内的关键参数研磨液流量中增加去离子水流量，直接调控研磨液pH值，将芯片由于边缘高度差而导致的氮化钛层残留完全移除掉。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备。
背景技术
晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高。现有的晶圆平坦方法包括：化学研磨、机械研磨以及化学机械研磨。单纯的化学研磨，表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差；单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比单纯使用单纯的两种研磨要高出1-2个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。
如图2所示，金属钨生成的制程中，需要先形成一层薄薄的氮化钛层(TiN layer)103，用途是让金属钨薄膜(W film)104能黏着于氧化层(Oxide layer)上，透过金属钨化学机械研磨(WCMP)来有效移除掉氧化层(Oxide layer)上的这两层金属层(metal layer)，以确保金属钨导线(W plug)不会因为氧化层(Oxide layer)上有金属层(metal layer)残留而短路。
在整段芯片制作过程中，晶圆10表面会堆积许多氧化层(Oxide layer)，使得位于所述晶圆10周缘区域的芯片10A的边缘区域102与中部区域101具有高度差h，如图1~图2所示，其中，图2显示为图1中A-A’处的截面结构示意图，此时，在金属钨薄膜的化学机械研磨（CMP）去除过程中，薄薄的氮化钛层(TiN layer)却不容易被CMP移除，如图3中的虚线框所示。
通常可以采用不同的研磨液(Slurry)来增加它对氮化钛层(TiN layer)的研磨速率(removal rate)，但是在研磨过程中，如果要针对两种不同的薄膜提供同样高的选择比时，就必须多建构一套昂贵的研磨液供应系统(Slurry delivery system)与珍贵的无尘室空间，大大提高了设备的构建成本。
基于以上所述，提供一种可以有效去除具有高度差的氮化钛层且成本较低的半导体晶圆的化学机械研磨方法及化学机械研磨设备实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，用于解决现有技术中由于高度差造成氮化钛层难以被完全去除或需要较高成本才能完全去除的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，所述化学机械研磨方法包括：1）提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面以及第二厚度的第二台面，所述第一台面上及所述第二台面上皆依次层叠有第一材料层及第二材料层，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度； 2）采用化学机械研磨工艺（CMP）对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：第一研磨阶段：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，直至露出所述第一台面上的所述第一材料层，其中，所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层的研磨选择比高于所述第一材料层；以及第二研磨阶段：继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，以获得第二pH值的第二研磨液，并采用该第二研磨液对所述待研磨晶圆继续研磨，以将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除，其中，所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。
优选地，所述第一台面及第二台面中形成有通道孔，所述通道孔的侧壁还形成有所述第一材料层，并且所述通道孔中还填充有所述第二材料层，所述第二研磨阶段可保证将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除的同时，减小所述通道孔中的第二材料层的去除量。
优选地，所述第一材料层选用为氮化钛（TiN）层，所述第二材料层选用为钨（W）层，所述氮化钛（TiN）层用于增强所述钨（W）层与所述通道孔的结合强度，所述第一pH值选用为2~3，以使所述第一研磨液对所述钨（W）层比所述第一研磨液对所述氮化钛（TiN）层有较高的研磨速率；所述第二pH值选用为4~5，以使所述第二研磨液对所述氮化钛（TiN）层比所述第二研磨液对所述钨（W）层有较高的研磨速率。
优选地，所述芯片位于所述待研磨晶圆的周缘，所述第一台面位于所述芯片的中部区域，所述第二台面位于所述芯片的边缘区域，提供所述第一台面及所述第二台面的材料选用为二氧化硅层。
优选地，所述第二研磨阶段中，所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液同时通入到化学机械研磨工艺（CMP）的研磨垫后，在所述研磨垫上混合形成所述第二pH值的第二研磨液。
优选地，所述第二研磨阶段中，通过控制所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值；所述第二研磨阶段中，还包括对所述第二研磨液的第二pH值进行检测的步骤，并基于检测结果调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
优选地，所述第二研磨阶段中，通过控制所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值。
优选地，所述pH值调整液选用为去离子水。
本发明还提供一种半导体晶圆的化学机械研磨设备，包括：研磨转盘、研磨垫、研磨液喷嘴以及pH值调整液喷嘴，其中所述研磨转盘用于固定待研磨晶圆并为所述待研磨晶圆提供旋转动力；所述待研磨晶圆包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面以及第二厚度的第二台面，所述第一台面上及所述第二台面上皆依次层叠有第一材料层及第二材料层，且所述第一厚度大于所述第二厚度；所述研磨垫用于在与所述待研磨晶圆的相对运动中将所述待研磨晶圆的表层机械去除；所述研磨液喷嘴设置于所述研磨垫上方，用于将第一pH值的第一研磨液注入至所述研磨垫上，通过所述研磨液喷嘴喷涂所述第一pH值的第一研磨液，以对所述待研磨晶圆进行第一研磨阶段，直至露出所述第一台面上的所述第一材料层，且所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层的研磨选择比高于所述第一材料层；所述pH值调整液喷嘴与所述研磨液喷嘴靠近设置，所述pH值调整液喷嘴用于将pH值调整液注入至所述研磨垫上，并在所述研磨垫上与所述第一pH值的第一研磨液混合，以形成第二pH值的第二研磨液，对所述待研磨晶圆进行第二研磨阶段，将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除，且所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。
优选地，所述化学机械研磨设备还包括一pH值检测仪，用于检测所述研磨垫上的研磨液的pH值。
优选地，所述pH值调整液喷嘴上还设置有流量控制器，用于调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
优选地，所述pH值调整液喷嘴以及所述研磨液喷嘴上均设置有流量控制器，分别用于调整所述pH值调整液的流量以及所述研磨液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
如上所述，本发明的半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，具有以下有益效果：
本发明依据研磨停止信号(EPD)与芯片的剖面结构状况，通过在特定的时机点对制程配方(process recipe)内的关键参数研磨液流量(slurry flow rate)中增加去离子水流量(DIW flow rate)，直接调控研磨液pH值，将芯片由于边缘高度差(step height)而导致的氮化钛层(TiN layer)残留完全移除掉。
本发明在同一套研磨液供应系统(Slurry delivery system)情况下，仅需增加一个去离子水供应装置就能提供两种不一样的研磨选择比，可大大降低研磨设备的构建成本。
附图说明
图1~图3显示为现有技术中的化学机械研磨方法各步骤所呈现的结构示意图。
图4~图7显示为本发明不同pH值的研磨液对氮化钛（TiN）层及钨（W）层的研磨效果示意图。
图8~图11显示为本发明的半导体晶圆的化学机械研磨方法各步骤所呈现的结构示意图。
图12显示为本发明的半导体晶圆的化学机械研磨设备的结构示意图。
组件标号说明
10 晶圆 10A 芯片
101 中部区域 102 边缘区域
103 氮化钛层 104 金属钨薄膜
20 待研磨晶圆 20A 芯片
201 第一台面 202 第二台面
203 氮化钛（TiN）层 204 钨（W）层
301 研磨转盘 302 研磨垫
303 研磨液喷嘴 304 pH值调整液喷嘴
305 pH值检测仪 306 第一流量控制器
307 第二流量控制器 308 研磨液供给罐
309 pH值调整液供给罐 310 转台
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图4~图12。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图4~图7所示，图中显示为本发明不同pH值的研磨液对氮化钛（TiN）层203及钨（W）层204的研磨效果示意图。图4~图5显示为采用pH值≈ 2~3的研磨液对氮化钛（TiN）层203及钨（W）层204的研磨效果，明显可以看出，钨（W）层204的移除量比氮化钛（TiN）层203的移除量多。图6~图7显示为采用pH值≈ 4~5的研磨液对氮化钛（TiN）层203及钨（W）层204的研磨效果，明显可以看出，氮化钛（TiN）层203的移除量比钨（W）层204的移除量多。
如图8~图11所示，本实施例提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，所述化学机械研磨方法包括：
如图8~图9所示，首先进行步骤1），提供一待研磨晶圆20，所述待研磨晶圆20包括多个芯片20A，所述芯片20A的表面具有第一厚度的第一台面201以及第二厚度的第二台面202，所述第一台面201及所述第二台面202上依次层叠有第一材料层及第二材料层，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。
如图8~图9所示，其中，图9显示为图8中A-A’处的截面结构示意图，作为示例，所述芯片20A位于所述待研磨晶圆20的周缘，所述第一台面201位于所述芯片20A的中部区域，所述第二台面202位于所述芯片20A的边缘区域。在本实施例中，所述第一台面201及所述第二台面202的材料选用为二氧化硅层。
由于所述二氧化硅层通常需要经过多次的沉积而成，所述边缘区域可能会存在多个具有高度差的台面，例如图9中，具有高度差的台面数量为2个，据此，更多的具有高度差的台面也应该涵盖于本发明的保护范围内。
如图9所示，所述第一台面201及第二台面202中形成有通道孔，所述通道孔的侧壁还形成有所述第一材料层，并且所述通道孔中还填充有所述第二材料层。在本实施例中，所述第一材料层选用为氮化钛（TiN）层203，所述第二材料层选用为钨（W）层204，所述氮化钛（TiN）层203用于增强所述钨（W）层204与所述通道孔的结合强度。
如图10~图11所示，然后进行步骤2），采用化学机械研磨工艺（CMP）对所述待研磨晶圆20进行研磨处理，包括：
如图10所示，首先进行第一研磨阶段：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆20进行研磨，直至露出所述第一台面201上的所述第一材料层（在本实施例中，所述第一材料层为氮化钛（TiN）层203），其中，所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层（在本实施例中，所述第二材料层为钨（W）层204）的研磨选择比高于所述第一材料层。
作为示例，所述第一研磨液至少包括酸性腐蚀剂以及研磨颗粒，所述酸性腐蚀剂用于与所述钨（W）层204生成容易被机械去除的氧化物层，所述研磨颗粒通常可以选用为二氧化硅(SiO2)，二氧化铈(CeO2)，三氧化二铝(Al2O3)，二氧化锆(ZrO2)及 二氧化锰(MnO2)所组成的群组中的一种或多种。
在研磨的过程中，钨（W）层204首先藉由与所述酸性腐蚀剂反应形成氧化物层，然后通过研磨颗粒对钨（W）层204表面的机械力来移除该氧化物层，且可藉此两步骤相互循环以控制研磨速率的高低。
通过研究表明，金属钨研磨液(Metal slurry)能在强酸的环境下提供较高的金属钨（W）层204的研磨速率，却会牺牲掉一些氮化钛（TiN）层203的研磨速率，此时的研磨液对氮化钛（TiN）层203的研磨选择比低于钨（W）层204，而金属钨研磨液能在较弱的酸性环境下提供较高的氮化钛（TiN）层203的研磨速率，此时的研磨液对氮化钛（TiN）层203的研磨选择比高于钨（W）层204。因此，在本实施例中，所述第一pH值选用为2~3，以使所述第一研磨液对所述钨（W）层204比所述第一研磨液对所述氮化钛（TiN）层203有较高的研磨速率。
如图11所示，然后进行第二研磨阶段：继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，以获得第二pH值的第二研磨液，并采用该第二研磨液对所述待研磨晶圆20继续研磨，以将所述第一台面201及所述第二台面202上的第一材料层全部去除，其中，所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。
基于上述研究，在本实施例中，所述第二pH值选用为4~5，以使所述第二研磨液对所述氮化钛（TiN）层203有相对较高的研磨速率的同时，对所述钨（W）层204有相对较低的研磨速率。所述第二研磨阶段可保证将所述第一台面201及所述第二台面202上的第一材料层全部去除的同时，减小所述通道孔中的第二材料层的去除量。
作为示例，所述第二研磨阶段中，所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液同时通入到化学机械研磨工艺（CMP）的研磨垫后，在所述研磨垫上混合形成所述第二pH值的第二研磨液。
作为示例，所述第二研磨阶段中，通过控制所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值。优选地，所述第二研磨阶段中，还包括对所述第二研磨液的第二pH值进行检测的步骤，并基于检测结果调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值，如pH值为4~5。
另外，也可以通过同时控制所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值。
在本实施例中，所述pH值调整液选用为去离子水。本实施例采用去离子水作为pH值调整液，配比算法简单，可以较容易实现pH值的调整，且所需成本较为低廉。
如图12所示，本实施例还提供一种半导体晶圆的化学机械研磨设备，其具有研磨转盘301、研磨垫302、研磨液喷嘴303、pH值调整液喷嘴304、pH值检测仪305、第一流量控制器306、第二流量控制器307、研磨液供给罐308、pH值调整液供给罐309以及转台310。
所述研磨转盘301用于固定待研磨晶圆20并为所述待研磨晶圆20提供旋转动力。
所述研磨垫302用于在与所述待研磨晶圆20的相对运动中将所述待研磨晶圆20的表层机械去除。
所述研磨液喷嘴303设置于所述研磨垫302上方，用于将第一pH值的第一研磨液注入至所述研磨垫302上。
所述pH值调整液喷嘴304与所述研磨液喷嘴303靠近设置，所述pH值调整液喷嘴304用于将pH值调整液注入至所述研磨垫302上，并在所述研磨垫302上与所述第一pH值的第一研磨液混合，以形成述第二pH值的第二研磨液。
所述pH值调整液供给罐309连接于所述pH值调整液喷嘴304，用于为所述pH值调整液喷嘴304提供pH值调整液。
所述研磨液供给罐308连接于所述研磨液喷嘴303，用于为所述研磨液喷嘴303提供研磨液。
所述pH值检测仪305用于检测所述研磨垫302上的研磨液的pH值。
所述第一流量控制器306设置于所述pH值调整液喷嘴304上，用于调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
另外，也可以在所述pH值调整液喷嘴304以及所述研磨液喷嘴303上分别设置第一流量控制器306及第二流量控制器307，分别用于调整所述pH值调整液的流量以及所述研磨液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值，并可提高所述第二pH值的可调范围。
所述转台310设置于所述研磨垫302下方的中心区域，用于为所述研磨垫302提供旋转动力。
所述pH值调整液选用为去离子水。本实施例采用去离子水作为pH值调整液，配比算法简单，可以较容易实现pH值的调整，且所需成本较为低廉。
如上所述，本发明的半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，具有以下有益效果：
本发明依据研磨停止信号(EPD)与芯片的剖面结构状况，通过在特定的时机点对制程配方(process recipe)内的关键参数研磨液流量(slurry flow rate)中增加去离子水流量(DIW flow rate)，直接调控研磨液pH值，将芯片由于边缘高度差(step height)而导致的氮化钛层(TiN layer)残留完全移除掉。
本发明在同一套研磨液供应系统(Slurry delivery system)情况下，仅需增加一个去离子水供应装置就能提供两种不一样的研磨选择比，可大大降低研磨设备的构建成本。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (12)
1.一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨方法包括：
1)提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面以及第二厚度的第二台面，所述第一台面上及所述第二台面上皆依次层叠有第一材料层及第二材料层，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度；
2)采用化学机械研磨工艺(CMP)对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：
第一研磨阶段：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，直至露出所述第一台面上的所述第一材料层，其中，所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层的研磨选择比高于所述第一材料层；以及
第二研磨阶段：继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，以获得第二pH值的第二研磨液，并采用该第二研磨液对所述待研磨晶圆继续研磨，以将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除，其中，所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：第二台面中形成有通道孔，所述通道孔的侧壁还形成有所述第一材料层，并且所述通道孔中还填充有所述第二材料层，所述第二研磨阶段可保证将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除的同时，减小所述通道孔中的第二材料层的去除量。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述第一材料层选用为氮化钛(TiN)层，所述第二材料层选用为钨(W)层，所述氮化钛(TiN)层用于增强所述钨(W)层与所述通道孔的结合强度，所述第一pH值选用为2～3，以使所述第一研磨液对所述钨(W)层比所述第一研磨液对所述氮化钛(TiN)层有较高的研磨速率；所述第二pH值选用为4～5，以使所述第二研磨液对所述氮化钛(TiN)层比所述第二研磨液对所述钨(W)层有较高的研磨速率。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述芯片位于所述待研磨晶圆的周缘，所述第一台面位于所述芯片的中部区域，所述第二台面位于所述芯片的边缘区域，提供所述第一台面及所述第二台面的材料选用为二氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述第二研磨阶段中，所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液同时通入到化学机械研磨工艺(CMP)的研磨垫后，在所述研磨垫上混合形成所述第二pH值的第二研磨液。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述第二研磨阶段中，通过控制所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值；所述第二研磨阶段中，还包括对所述第二研磨液的第二pH值进行检测的步骤，并基于检测结果调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
7.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述第二研磨阶段中，通过控制所述第一pH值的第一研磨液及所述pH值调整液的流量以控制所述第二研磨液的第二pH值。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于：所述pH值调整液选用为去离子水。
9.一种半导体晶圆的化学机械研磨设备，其特征在于，包括：研磨转盘、研磨垫、研磨液喷嘴以及pH值调整液喷嘴，其中所述研磨转盘用于固定待研磨晶圆并为所述待研磨晶圆提供旋转动力；所述待研磨晶圆包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面以及第二厚度的第二台面，所述第一台面上及所述第二台面上皆依次层叠有第一材料层及第二材料层，且所述第一厚度大于所述第二厚度；所述研磨垫用于在与所述待研磨晶圆的相对运动中将所述待研磨晶圆的表层机械去除；所述研磨液喷嘴设置于所述研磨垫上方，用于将第一pH值的第一研磨液注入至所述研磨垫上，通过所述研磨液喷嘴喷涂所述第一pH值的第一研磨液，以对所述待研磨晶圆进行第一研磨阶段，直至露出所述第一台面上的所述第一材料层，且所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层的研磨选择比高于所述第一材料层；所述pH值调整液喷嘴与所述研磨液喷嘴靠近设置，所述pH值调整液喷嘴用于将pH值调整液注入至所述研磨垫上，并在所述研磨垫上与所述第一pH值的第一研磨液混合，以形成第二pH值的第二研磨液，对所述待研磨晶圆进行第二研磨阶段，将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除，且所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。
10.根据权利要求9所述的半导体晶圆的化学机械研磨设备，其特征在于：所述化学机械研磨设备还包括一pH值检测仪，用于检测所述研磨垫上的研磨液的pH值。
11.根据权利要求9或10所述的半导体晶圆的化学机械研磨设备，其特征在于：所述pH值调整液喷嘴上还设置有流量控制器，用于调整所述pH值调整液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
12.根据权利要求9或10所述的半导体晶圆的化学机械研磨设备，其特征在于：所述pH值调整液喷嘴以及所述研磨液喷嘴上均设置有流量控制器，分别用于调整所述pH值调整液的流量以及所述研磨液的流量，以将所述第二pH值调整至目标pH值。
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